「memory cell array」を含む例文一覧(1856)
＜前へ 1 2 .... 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 次へ＞- An output side of a drain voltage generating circuit 40 is connected to one end of a drain power source line 12 of each memory cell array 10_i through a resistor 62 to apply the drain voltage MCD to this power source line, and further, a potential MCDS of other end of this drain power source line 12 is monitored by a charging circuit 50.
ドレイン電圧発生回路４０の出力側を抵抗６２を介して各メモリセルアレイ１０_ｉのドレイン電源線１２の一端に接続してドレイン電圧ＭＣＤを与え、更にこのドレイン電源線１２の他端の電位ＭＣＤＳを充電回路５０で監視する。 - 特許庁 - In the case of erasing, the step of adapting comprises a step for determining the erasure conditions of an erasing pulse of a memory cell array, used to erase a bit erased at low speed and a step for setting initial erasure conditions to conditions in the general vicinity of erasure conditions of a bit erased at low speed.
消去の場合、メモリアレイの低速に消去するビットを消去するために使用される消去パルスの消去条件を決定するステップと、メモリアレイの初期消去条件を、低速に消去するビットの消去条件に概して近接した条件に設定するステップとを含む。 - 特許庁 - The R/W control circuit 5 performs control so that voltages Vout_B0, Vout_B1 applied to the reference resistance circuit are increased when the value of resistance in the magnetoresistive element is the maximum resistance value Rmax when reading data from the memory cell array 4, and reduces voltages Vout0, Vout1 applied to the magnetoresistive element.
Ｒ／Ｗ制御回路５は、メモリセルアレイ４からデータを読み出すとき、磁気抵抗素子の抵抗値が最大抵抗値Ｒｍａｘであるとき、基準抵抗回路に印加される電圧Ｖｏｕｔ＿Ｂ０，Ｖｏｕｔ＿Ｂ１を高くするように制御することにより、磁気抵抗素子に印加される電圧Ｖｏｕｔ０，Ｖｏｕｔ１を低下させる。 - 特許庁 - In a page copying operation, if the error detection circuit 11b detects an error in page data read out from a copy source Pa, the page data read out is transferred to the controller 12 and error-corrected in the ECC circuit 12a before being copied to a copy destination Pb of a memory cell array.
ページコピー動作において、コピー元Ｐａより読み出したページデータの誤りが誤り検出回路１１ｂによって検出された場合には、その読み出したページデータをコントローラ１２に転送し、ＥＣＣ回路１２ａによる誤り訂正処理を行った後、メモリセルアレイのコピー先Ｐｂにコピーする。 - 特許庁 - In the semiconductor device for omitting a defective memory cell array by cutting a fuse pattern, there are comprised a fuse pattern 2 longitudinally arranged along a rectangular guard ring 1, and patterns 3a-3e which are connected to the fuse pattern 2 and led out of the guard ring 2 laterally along the guard ring pattern 2.
ヒューズパターンの切断によって、不良メモリセルアレイを救済する半導体装置において、長方形のガードリング１の長手方向に沿って配置されるヒューズパターン２と、ヒューズパターン２と接続され、ガードリング１の短手方向に沿って、ガードリング２の外に引き出されるパターン３ａ〜３ｅとを備える。 - 特許庁 - A pseudo SRAM is provided with an ATD circuit 3 detecting each of transition of an external chip-enable signal/CE, address signals ADx, ADy, and an external write-enable signal/WE, and a control circuit controlling access of a memory cell array based on a detected result of this ATD circuit 3.
擬似ＳＲＡＭに、外部チップイネーブル信号／ＣＥ、アドレス信号ＡＤｘ，ＡＤｙ及び外部ライトイネーブル信号／ＷＥの遷移をそれぞれ検知するＡＴＤ回路３と、このＡＴＤ回路３の検知結果に基づきメモリセルアレイのアクセスを制御する制御回路とを設けている。 - 特許庁 - A semiconductor integrated circuit 100 is provided with a test mode setting circuit 5 detecting a test mode, a row decoder 7 and a word driver 8 controlling activation of a word line of a memory cell array 6, and a RXTM generating circuit 15 generating a word line driving signal for driving a word line.
本発明に係る半導体集積回路１００は、テストモードを検知するテストモード設定回路５、メモリセルアレイ６のワード線の活性を制御するロウデコーダ７およびワードドライバ８、ならびにワード線を駆動するためのワード線駆動信号を発生するＲＸＴＭ発生回路１５を備える。 - 特許庁 - A level control signal /CS[0] is set to an H level in conjunction with a level control signal /CS[1] for setting the potential of power supply lines VM[0], VM[1] lower than power supply potential VDD, thus sharply reducing a gate leak current when a memory cell array 110A is at standby and in write operation.
レベル制御信号／ＣＳ［０］，／ＣＳ［１］を共にＨレベルに設定して電源線ＶＭ［０］，ＶＭ［１］の電位を共に電源電位ＶＤＤより低くすることにより、メモリセルアレイ１１０Ａの待機時および書込み動作時におけるゲートリーク電流を大幅に低減することができる。 - 特許庁 - When performing reading operation in which the bit lines of a memory cell array 100 are discharged by a bit line charge/discharge part 101, a counter performs counting of a count value representing a conducting period for a bit line potential to turn into a predetermined potential based on a result of the comparison by a comparator for comparing the bit line potential with a reference potential.
ビット線充放電部１０１によりメモリセルアレイ１００のビット線の放電を行う読み出し動作時に、ビット線の電位と基準電位とを比較する比較器の比較結果に基づいて、カウンタは、ビット線の電位が所定の電位になる放電期間を表すカウント値を計数する。 - 特許庁 - When defect detection is performed by measuring a standby current without limiting to an IDDQ test, and influence of the off-leak can be reduced even if a memory cell array having much off-leak coexists by turning off the switch for supplying and cutting off a power source by a test signal ITEST.
ＩＤＤＱテストに限らず、スタンバイ電流を測定して不良検出する際に、テスト信号ＩＴＥＳＴにより上述の電源供給遮断用スイッチをオフにすれば、オフ・リークが多いメモリセル・アレイが混在していても、該オフ・リークの影響を低減することができる。 - 特許庁 - To provide a method for writing data into a nonvolatile semiconductor memory that is constructed by arranging in an array a plurality of memory cells each of which has a plurality of charge storing sections, the method securing a current window by regulating current degradation for reading data written in other charge storing section caused by writing data into one of the charge storing sections within the same memory cell and enabling shortening of writing time.
各々が複数の電荷蓄積部を有する複数のメモリセルがアレイ状に配置されて構成される不揮発性半導体メモリにおいて、同一メモリセル内の一方の電荷蓄積部へのデータ書込みに起因して生じる他方の電荷蓄積部に書き込まれたデータの読出し電流の低下を抑えて電流ウィンドウを確保するとともに、書込み時間の短縮をも実現することができる不揮発性半導体メモリのデータ書込み方法を提供する。 - 特許庁 - A memory cell array region 210 has a plurality of control gate lines 106A and 106B formed by connecting the control gates of memory cells 100 arranged in the first direction A along the first direction A, and sub- control gate lines CG extending along the first direction A in the upper layer of the plurality of control gate lines and are equal, in number, to one half of the control gate lines.
メモリセルアレイ領域２１０は、第１の方向Ａに沿って配列された各列のメモリセル１００の各々のコントロールゲートを、第１の方向Ａに沿って接続して形成される複数のコントロールゲート線１０６Ａ，１０６Ｂと、複数のコントロールゲート線の上層にて前記第１の方向Ａに沿って延び、複数のコントロールゲート線の半数のサブコントロールゲート線ＣＧとを有する。 - 特許庁 - Relating to a memory control device 1 provided with a word line selecting information storing section arranged between a memory cell array 9 and a row decoder 33, a column selecting information storing section 17 arranged between a column selector 39 and a column decoder 37, and a control circuit 19, each selecting information storing section 11, 17 is constituted of sift registers including a selector 23 and a flip-flop 21.
メモリアレイ９とロウデコーダ３３との間に介装されたワード線選択情報記憶部１１と、カラムセレクタ３９とカラムデコーダ３７との間に介装されたカラム選択情報記憶部１７と、制御回路１９とを備えるメモリ制御装置１において、セレクタ２３とフリップフロップ２１とを含むシフトレジスタで各選択情報記憶部１１，１７を構成する。 - 特許庁 - The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell array with a plurality of blocks each being the erasing unit; a ready/busy control circuit that outputs a busy signal when an internal operation is being done to the blocks; and a control unit that registers the blocks as defective blocks when the ready/busy control circuit outputs the busy signal in receiving an input of a bad block command.
不揮発性半導体記憶装置は、消去単位であるブロックを複数有するメモリセルアレイと、ブロックに対する内部動作の実行期間中は、ビジー信号を出力するレディ／ビジー制御回路と、バッドブロックコマンドの入力を受けた時に、レディ／ビジー制御回路がビジー信号を出力している場合は、ブロックを不良ブロックとして登録する制御部と、を具備する。 - 特許庁 - The memory cell array comprises the first floating gate region 42 having memory cells surrounded by the isolation regions 45, the second floating gate region 48 formed selectively only on the first floating gate region 42, the dielectric layer 51 formed on the second floating gate region 48 and the isolation region 45, and a control gate 52 formed on the dielectric layer 51 provided on the first floating gate region 42.
メモリセルアレイは、各メモリセルが、アイソレーション領域45により囲まれた第1浮遊ゲート領域42と、第1浮遊ゲート領域42のみに選択的に形成された第2浮遊ゲート領域48と、第2浮遊ゲート領域48及びアイソレーション領域45上に形成された誘電層51と、第1浮遊ゲート領域42上に設けられた誘電体51上に形成された制御ゲート52とを含む。 - 特許庁 - The nonvolatile memory card has a NAND type EEPROM 11 having a cell array of electrically rewritable nonvolatile memory cells arranged repeatedly in row and column directions, test information 18 stored in a predetermined address of the NAND type EEPROM 11, and a controller 12 for testing the NAND type EEPROM 11 according to the test information 18.
本発明の不揮発性メモリカードは、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリセルが行および列方向に繰り返し配置されたセルアレイを有するＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ１１と、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ１１の所定のアドレスに格納されたテスト情報１８と、テスト情報１８に基づいて、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ１１をテストするコントローラ１２を有する。 - 特許庁 - A semiconductor integrated circuit device is composed of memory cell array regions 101 which are arranged in parallel along lateral long sides, two pad regions 102 which are provided with pads disposed in rows and each arranged near short sides, and a peripheral circuit element region 103 located between the two pad regions 102.
左右両長辺寄りに並行に配置したメモリセルアレイ領域１０１と、この二つのメモリセルアレイ領域１０１の中央部で、且つ上下各短辺側に複数列のパッドを設けた二つのパッド領域１０２と、この二つのパッド領域１０２の中間に配置した周辺回路素子領域１０３とを構成する。 - 特許庁 - Therefore, even if an active signal is inputted from a mode enable-mask signal line 118, since the mode enable-mask internal signal line 111 is masked, the program mode/ erase mode inputted from a mode selecting signal line 114 cannot be made active, unncessary stress for a memory cell array 104 can be eliminated.
これによりモードイネーブル信号線１１８からアクティブ信号が入力されてもモードイネーブルマスク内部信号線１１１がマスクされているためにモード選択信号線１１４から入力されるプログラムモード／イレーズモードをアクティブにできず、メモリセルアレイ１０４への不要なストレスを排除することができる。 - 特許庁 - The control circuit 124 controls a control command and transfer of image data between itself and the interface 10, writing/reading of image data of the memory cell array 11, format conversion of image data in the YUV-RGB conversion circuit 121 and in the α blend circuit 122, and blending and transfer of image data relative thereto.
制御回路１２４は、インタフェース１０との間で制御コマンドおよび画像データの授受、メモリセルアレイ１１の画像データの読出し／書込み、ＹＵＶ−ＲＧＢ変換回路１２１およびαブレンド回路１２２における画像データのフォーマット変換、並びにブレンディングおよびそれらにかかわる画像データの転送を制御する。 - 特許庁 - By a voltage changeover circuit 14, a first boost voltage (VPP) is supplied to the main word driver 12 in a predetermined area to which the selected main word line MWL belongs, among a plurality of areas divided from a memory cell array, while in areas other than the area, a second boost voltage (VPPL) lower than the first boost voltage is supplied to the main word driver 12.
電圧切り替え回路１４は、メモリセルアレイを分割した複数の領域のうち、選択されたメインワード線ＭＷＬが属する所定領域では第１の昇圧電圧（ＶＰＰ）を、それ以外の領域では第１の昇圧電圧より低い第２の昇圧電圧（ＶＰＰＬ）を、メインワードドライバ１２に供給する。 - 特許庁 - Thereafter, the silicon nitride layer 3 within the memory cell array area 1a that does not overlap with the sidewall core 4 or the embedded hard mask 7, and the silicon nitride layer 3 within a peripheral circuit area 1b that overlaps with a positioning monitor mark 8b are exposed by etching the silicon oxide layer 6, and then the silicon nitride layer 3 as an etched member is patterned.
その後、酸化シリコン層６をエッチングすることにより、サイドウォールコア４又は埋込ハードマスク７と重ならないメモリセルアレイ領域１ａ内の窒化シリコン層３と、目合わせモニタマーク８ｂと重なる周辺回路領域１ｂ内の窒化シリコン層３を露出させ、被エッチング部材としての窒化シリコン層３をパターニングする。 - 特許庁 - In the case of writing processing to the specific word, the defective bit replacement processing circuit 104 converts the WRITE DATA for x bits into the RAW WRITE DATA for x+y bits to be written in the data cells and the redundant cells using the FAIL DATA to be written in the memory cell array 102.
指定ワードへの書き込み処理であれば、不良ビット代替処理回路１０４は、ＦＡＩＬ ＤＡＴＡを用いて、ｘビット分のＷＲＩＴＥ ＤＡＴＡをデータセルと冗長セルに書き込むｘ＋ｙビットのＲＡＷ ＷＲＩＴＥ ＤＡＴＡに変換し、メモリセルアレイ１０２に書き込む。 - 特許庁 - A storage section of even data in which data of a bit read out first are included such as the memory cell array SAe and the like is arranged to a side closing to an input/output pad PA, at the time of read-out, the first read-out data are transmitted always to the multiplexer MUX through a shorter wiring from a parallel-serial conversion circuit.
メモリセルアレイＳＡｅ等、一番最初に読み出すビットのデータが含まれるｅｖｅｎデータの記憶部を入出力パッドＰＡに近い側に配置し、読出時には一番最初の読出データを常にパラレル−シリアル変換回路からの配線が短い方を介してマルチプレクサＭＵＸへ伝達する。 - 特許庁 - A variable delay circuit 7 provided in the local control circuit 3 is configured by connecting unit delay circuits whose delay value is controlled by a digital value in multi-stages, and produces various control signals supplied to a memory cell array 1 in timing by delaying the reference signal by a prescribed delay value denoted by the digital value of the delay control signal.
ローカル制御回路３に設けた可変遅延回路７は、遅延値がディジタル値で制御される単位遅延回路を多段に接続して構成され、メモリセルアレイ１に供給する各種の制御信号を、前記基準信号を前記遅延制御信号のディジタル値が示す所定の遅延値だけ遅延したタイミングで生成する。 - 特許庁 - A control circuit 40 generates various command for a memory cell array 30 in accordance with an internal command control signal and an internal address signal outputted by input switching circuits 50, 52, 54 for switching an input source of a command control signal and an address signal between external terminals 14, 16, 18 and a BIST circuit 100.
コマンド制御信号およびアドレス信号の入力源を外部端子１４、１６、１８とＢＩＳＴ回路１００との間で切換えるための入力切換回路５０，５２，５４が出力する内部コマンド制御信号および内部アドレス信号に応じて、制御回路４０は、メモリセルアレイ３０に対する各種コマンドを生成する。 - 特許庁 - When a coincidence detecting signal MTH is activated, the internal control circuit (2) performs an operation mode specified by a command CMD from the outside, when an uncoincidence detecting signal is activated, the control circuit (2) sets an array read-mode reading out data of a memory cell of a bank specified by an address signal AD from the outside.
バンク制御回路（２）は、一致検出信号ＭＴＨが活性化されたときには、外部からのコマンドＣＭＤにより指定された動作モードを実行し、不一致検出信号ＺＭＴＨが活性化されたときには、外部からのアドレス信号ＡＤが指定するバンクのメモリセルのデータを読み出すアレイリードモードを設定する。 - 特許庁 - This ID card is provided with a nearly oblong card formed of a plastic material, and a semiconductor element mounted in the card and having a memory cell array using a ferroelectric film as an information storage capacitor; and the ferroelectric film of the semiconductor element is so disposed as to be positioned only in a 30% region of the card from a longitudinal end thereof.
プラスティック材料からなる略長方形状のカードと、カード内に搭載され、強誘電体膜を情報記憶キャパシタとして用いるメモリセルアレイを有する半導体素子とを備え、半導体素子の強誘電体膜をカードの長手方向の端から３０パーセントの領域のみに位置するように配置する。 - 特許庁 - The memory cell array layer includes: first lamination part 410 and 410B having first insulation layers and first conductive layers alternately laminated therein; and second lamination parts provided on either the top or bottom surfaces of the respective first lamination parts and laminated so as to form second conductive layers between second insulation layers.
メモリセルアレイ層は、第１絶縁層及び第１導電層が交互に積層された第１積層部４１０，４１０Ｂと、第１積層部の上面或いは下面に設けられ且つ第２絶縁層間に第２導電層が形成されるように積層された第２積層部４２０Ａ，４２０Ｂとを備える。 - 特許庁 - When transition of the signal/WE is detected by the ATD 3d before a period specified by the time-out circuit at the write time, operation of the memory cell array is controlled by the time-out circuit, when it is detected after elapse of the specified period, write-in operation is controlled responding to transition of the signal/WE.
書き込み時にタイムアウト回路で指示された期間より前にＡＴＤ３ｄによって信号／ＷＥの遷移が検知されると、タイムアウト回路によってメモリセルアレイの動作が制御され、指示された期間の経過後に検知された時には、信号／ＷＥの遷移に応答して書き込み動作を制御することを特徴とする。 - 特許庁 - After this, a resist pattern 12 having openings 13 and 14 is formed at a part on an area with the gate electrode 6 of a desired NMOS within a memory cell array area A, and at a part on the film 4 positioned another circuit and the main circuit by using a mask for writing revised data.
その後、改訂済みのデータ書き込み用マスクを用いて、メモリセルアレイ領域Ａ内の所望のＮＭＯＳのゲート電極６を中心とする領域上の部分及び他の回路と主回路との間に位置するフィールド酸化膜４上の部分に開口１３，１４を有するレジストパターン１２を形成する。 - 特許庁 - The present invention utilizes the nonvolatile ferroelectric memory to program a test mode and data pin arrangement and rearranges an address, a control signal and a data pin arrangement state in a software manner according to a programmed code, thereby accurately testing the characteristics of the cell array without requiring another process.
このため、本発明は不揮発性強誘電体メモリを利用してテストモード及びデータピンの配置をプログラムし、プログラムされたコードに従いソフトウェア的にアドレス、制御信号及びデータピンの配置状態を再調整することにより、別途のプロセスなくセルアレイの特性を正確にテストすることができるようになる。 - 特許庁 - A writing data control circuit 3 checks whether an input address coincides with an address of the initial data storage area 12 in the memory cell array 1, and when both of them are not coincident, input data D0-D7 are output, while preset optional fixed data are output when they are coincident.
書き込みデータ制御回路３は、入力アドレスがメモリセルアレイ１の初期データ記憶領域１２のアドレスと一致するか否かを比較し、その両者が一致しない場合には入力データＤ０〜Ｄ７を出力し、それが一致する場合には予め設定されている任意固定データを出力する。 - 特許庁 - The nonvolatile semiconductor storage device includes a memory cell array having a plurality of blocks respectively including a plurality of memory cells to store normal data in normal blocks among the plurality of blocks and store a time code set in each of the normal blocks and for including time data corresponding to a time when the last write operation of the normal block is executed in time code blocks among the plurality of blocks.
不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルをそれぞれ含む複数のブロックを有し、前記複数のブロックのうちの通常ブロックに、通常のデータが記憶され、前記複数のブロックのうちのタイムコードブロックに、前記通常ブロック毎に設定され且つ前記通常ブロックの最後の書き込み動作を実行した時間に対応する時間データを含むタイムコードが記憶されたメモリセルアレイを備える。 - 特許庁 - When two data of double data specification outputted from the same output terminal at the same cycle are read out from a memory cell array, by providing a delay circuit at one side of a sense amplifier enable-signal /SAE, a sense amplifier 1 and a sense amplifier 2 are activated, timing at which two data are sensed is deviated, peak current flowing in the sense amplifier 1 and the sense amplifier 2 is deviated.
ダブルデータレート仕様で、同一出力端子から同一サイクルに出力する２個のデータをメモリセルアレイから読み出す際に、センスアンプイネーブル信号／ＳＡＥの一方に遅延回路を設けることにより、センスアンプ（１）、センスアンプ（２）を活性化して２個のデータをセンスするタイミングをずらし、センスアンプ（１）、センスアンプ（２）に流れるピーク電流をずらす。 - 特許庁 - The method includes the steps of: selecting one constraint condition from a plurality of constraint conditions; calculating a plurality of repair methods based on the one constraint condition; and repairing the main memory cell array 2 using spare columns 3-1 to 3-4 based on an optimum repair method selected from the plurality of repair methods.
複数の制約条件から１つの制約条件を選択するステップと、その１つの制約条件に基づいて複数の救済方法を算出するステップと、その複数の救済方法から選択された最適救済方法に基づいて、スペアカラム３−１〜３−４によりメインメモリセルアレイ２を救済するステップとを備えている。 - 特許庁 - Thereby, since the layout of an internal power source circuit in the interface circuit 1 can be designed by adjusting to half the power consumption of a chip, wiring width of a power source wiring can be reduced, and also chip size can be reduced by dispersing power consumption to independent internal power sources according to the division of the unit memory cell array.
このようにすれば、チップの消費電力の１／２に合わせてインタフェース回路における内部電源回路のレイアウトを設計することができるので電源配線の配線幅を小さくすることができ、また上記単位メモリセルアレイの分割に応じて消費電力を独立の内部電源に分散することにより、チップサイズの縮小を図ることが可能になる。 - 特許庁 - When an input voltage decision circuit 24 decides that an input voltage exceeds a prescribed voltage, a control circuit 25 of a positive polarity power source selection circuit 22 turns on a first switch SW1 and turns off a second and third switches SW2 and SW3 to supply the input voltage through the first switch SW1 to the memory cell array 21.
正極性電源選択回路２２の制御回路２５は、入力電圧判定回路２４が入力電圧が所定電圧を越えたと判定すると、第１のスイッチＳＷ１をオンして第２,第３のスイッチＳＷ２,ＳＷ３をオフすることにより、上記入力電圧を第１のスイッチＳＷ１を介してメモリセルアレイ２１に供給する。 - 特許庁 - Then, a column address R is decoded to the decoded result different from the decoded result of the column address W at writing in the column decoders 103C1-103C4, the pixels stored in the memory cell array 5 are read corresponding to the decoded result and the arrangement of the read pixels is rotated in the rotation circuit 142 and outputted.
そして、列デコーダ１０３Ｃ_1乃至１０３Ｃ_4において、列アドレスＲが、書き込み時における列アドレスＷのデコード結果とは異なるデコード結果にデコードされ、そのデコード結果にしたがい、メモリセルアレイ５に記憶された画素が読み出され、その読み出された画素の並びが、ローテーション回路１４２においてローテーションされて出力される。 - 特許庁 - The device includes: a memory cell array; the error detection and correction circuit performing error detection and correction of read data; and a buffer register that is provided for temporarily storing read data and data to be written and set, such that the number of data bits is a multiple of the number of data bits containing a check bit for processing error detection and correction by the error detection and correction circuit.
メモリセルアレイと、読み出しデータのエラー検出と訂正を行なうエラー検出訂正回路と、読み出しデータ及び書き込みデータを一時格納するために設けられた、データビット数が前記エラー検出訂正回路によるエラー検出訂正処理の際のチェックビットを含めたデータビット数の整数倍に設定されたバッファレジスタとを備える。 - 特許庁 - The semiconductor memory chip constituting the multi-chip package comprises a cell array, a register having sector information to be erased, an address clock driver generating simultaneously an address clock signal in multi-chip respectively, a counter generating successively addresses, a core driver performing erasing operation for the sector, and a control circuit controlling these components.
マルチチップパッケージを構成する半導体メモリチップは、セルアレイと、消去するセクタ情報を有するレジスタと、マルチチップで同時にアドレスクロック信号を発生するようにするアドレスクロックドライバと、アドレスを順次に発生するカウンタと、該当セクタに対する消去動作を実行するコアドライバと、これら構成要素を制御する制御回路とを含む。 - 特許庁 - In formation of the opening in the first conductive film, a remaining part after the opening in the first conductive film is formed is connected to the second conductive film formed to be electrically connected to an active region on the active region in a semiconductor substrate positioned in a region outside the memory cell array forming region.
第１の導電膜における開口部の形成は、第１の導電膜における開口部形成後の残存部分が、メモリセルアレイ形成領域の外部領域に位置する半導体基板中の活性領域上にて、活性領域と電気的に接続されるように形成された第２の導電膜と接続されるように行なわれる。 - 特許庁 - To provide a data rewriting method improving deterioration in write and erasing speed when continuously rewriting data of a cross point type memory cell array of a variable resistance element of which the electric resistance is varied by applying electric stress, control of a resistance value of the variable resistance element after write and erasure is facilitated, and high reliability can be attained.
電気的ストレスの印加により電気抵抗が変化する可変抵抗素子のクロスポイント型メモリセルアレイのデータを連続的に書き換える場合の書き込み及び消去速度の劣化を改善し、書き込み及び消去後の可変抵抗素子の抵抗値の制御を容易化し、高い信頼性を実現可能なデータ書き換え方法を提供する。 - 特許庁 - At the time of writing, a data size detection circuit 7 detects the size of compressed data inputted from the external based on compression information added to compressed data and indicating the size of compressed data, a data I/O circuit 6 and an instruction decoder 5 are driven only for a period necessary for writing operation to write the compressed data in a memory cell array 2.
データサイズ検出回路７は書込み時に圧縮データに付加されかつ圧縮後のデータの大きさを示す圧縮情報を基に外部から入力される圧縮データの大きさを検出し、書込み動作に必要な期間だけデータ入出力回路６及び命令デコーダ５を動作させてメモリセルアレイ２に圧縮データを書込む。 - 特許庁 - To prevent an interval between ReRAM elements from becoming against the rule, by adding a simple alteration to the arrangement structure of electrodes(vias) and the ReRAM elements concerning a ReRAM, by working by applying a predefined working rule to a memory cell selection transistor array to be refined, and also by working by applying another working rule to the ReRAM elements.
ＲｅＲＡＭに関し、電極（ビア）及びＲｅＲＡＭ素子の配置構造に簡単な改変を加え、微細化すべきメモリセル選択トランジスタアレイには所要の加工ルールを適用して加工し、且つ、ＲｅＲＡＭ素子には別の加工ルールを適用して加工することを可能にし、ＲｅＲＡＭ素子の間隔がルール違反にならないようにする。 - 特許庁 - To provide an addressing circuit of a semiconductor memory element, and to provide its data addressing method, wherein data can be quickly inputted without address comparison for data addressing or redundancy operation by: sequentially transferring input data, when the data are sequentially input, by utilizing shift registers successively arranged; and transferring the data to the next register by skipping data storage of the shift register corresponding to a memory cell array with a deficiency.
入力データが順次入力される場合、順次配列されたシフトレジスターを利用して入力データを順次伝送し、欠陷のあるメモリセルアレイに対応するシフトレジスターはデータ格納をスキップして次のレジスター部にデータを伝送することで、データアドレシング動作またはリダンダンシー動作の時アドレス比較動作なしに速やかにデータを入力することができる半導体メモリ素子のアドレシング回路及びこれのデータアドレシング方法を提供する。 - 特許庁 - The refreshing control circuit 30 divides the memory area of a memory cell array 11 into a plurality of submemory areas beforehand, and executes a control to refresh information for a submemory area only in which the information to be refreshed is held in a use state when the information is refreshed among the submemory areas, and not to refresh the information for the submemory area in which information refreshing is unnecessary in a nonuse state.
リフレッシュ制御回路３０は、メモリセルアレイ１１のメモリ領域を複数のサブメモリ領域にあらかじめ区分しておき、それらのサブメモリ領域のうち情報のリフレッシュを行う際に使用状態にあって当該リフレッシュを必要とする情報が保持されているサブメモリ領域のみに対して情報のリフレッシュを行い、不使用状態にあってリフレッシュを必要としないサブメモリ領域についてはリフレッシュを行わない、という制御を実行する。 - 特許庁 - The method includes a step of programming data in a memory cell array included in the nonvolatile data storage device using a page buffer selected from among a plurality of page buffers included in the nonvolatile data storage device, and a step of performing a setup operation for loading data using another page buffer, which is different from the page buffer selected during the programming.
不揮発性データ保存装置の内部に備えられた複数個のページバッファのうち選択された一つのページバッファを通じて、不揮発性データ保存装置の内部に備えられたメモリセルアレイにデータをプログラミングするステップと、プログラミングが行われる間に、選択されたページバッファではない他のページバッファを通じてデータをローディングさせるセットアップ動作を行うステップとを含む。 - 特許庁 - The first memory cell array contains a lower electrode 38 formed in a striped shape, an upper electrode 36 formed in the striped shape in the direction crossed with the electrode 38, the ferroelectric capacitors 34 arranged at least at the crossed section of the electrode 38 and the electrode 36, and a buried insulating layer 32 formed between the mutual capacitors 34.
第１メモリセルアレイは、ストライプ状に形成された下部電極３８と、下部電極３８と交叉する方向にストライプ状に形成された上部電極３６と、下部電極３８と、上部電極３６との、少なくとも交叉部分に配置される強誘電体キャパシタ３４と、強誘電体キャパシタ３４の相互間に形成された埋め込み絶縁層３２とを含む。 - 特許庁 - The semiconductor storage device includes: a reference voltage creating circuit 10 for generating a plate voltage to be supplied to a memory cell array; a plate voltage supplying terminal 20 for supplying the plate voltage from the outside; and a switching circuit 30 for switching the supply of the plate voltage from the plate voltage creating circuit and the supply of the plate voltage from the outside through the above plate voltage supplying terminal.
メモリセルアレイに供給するプレート電圧を発生する基準電圧生成回路１０と、外部からプレート電圧を供給するためのプレート電圧供給端子２０と、前記プレート電圧発生回路からのプレート電圧供給と前記プレート電圧供給端子を通しての外部からのプレート電圧供給を切替える切替回路３０を有する。 - 特許庁 - The first memory cell array 30 includes a lower electrode 36 formed into a stripe shape, an upper electrode 38 formed in a stripe shape in a direction intersecting the lower electrode 36, a ferroelectric capacitor 34 arranged at the intersecting portion of the lower electrode 36 and the upper electrode 38, and an embedded insulation layer 32 formed between the ferroelectric capacitors 34.
第１メモリセルアレイ３０は、ストライプ状に形成された下部電極３６と、下部電極３６と交叉する方向にストライプ状に形成された上部電極３８と、下部電極３６と、上部電極３８との、少なくとも交叉部分に配置される強誘電体キャパシタ３４と、強誘電体キャパシタ３４の相互間に形成された埋め込み絶縁層３２とを含む。 - 特許庁
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