MEMORY DEVICE, MEMORYCELL AND MEMORYCELLARRAY メモリ素子、メモリセル、及びメモリセルアレイ - 特許庁
POLARIZATION MEMORYCELLARRAY 分極メモリセルアレイ - 特許庁
MEMORYCELLARRAY AND METHOD OF FORMING THE MEMORYCELLARRAY メモリセルアレイおよびその形成方法 - 特許庁
MEMORYCELLARRAY AND METHOD FOR CONTROLLING MEMORYCELLARRAY メモリセルアレイ、およびモリセルアレイの制御方法 - 特許庁
MEMORY DEVICE, MEMORYCELL, MEMORYCELLARRAY AND ELECTRONIC EQUIPMENT メモリ素子、メモリセル、メモリセルアレイ及び電子機器 - 特許庁
STATIC MEMORYCELL AND MEMORYARRAY スタティック・メモリセルおよびメモリアレイ - 特許庁
The memory part has a memorycellarray. メモリ部は、メモリセルアレイを備える。 - 特許庁
TRANSISTOR AND MEMORYCELLARRAY トランジスタおよびメモリセルアレイ - 特許庁
The memorycellarray has a first memorycell and a second memorycell. メモリセルアレイは、第1メモリセル及び第2メモリセルを有する。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING MEMORYCELLARRAY メモリセルアレイの製造方法 - 特許庁
MEMORYCELLARRAY AND SEMICONDUCTOR MEMORY メモリセルアレイおよび半導体記憶装置 - 特許庁
MEMORYCELLARRAY, MEMORY DEVICE, AND WIRELESS CHIP メモリセルアレイ、メモリ装置、及び無線チップ - 特許庁
MEMORYCELL STRING IN RESISTANT CROSS POINT MEMORYCELLARRAY 抵抗性クロスポイントメモリセルアレイ内のメモリセルストリング - 特許庁
A memorycellarray net list generation part 4 generates a memorycellarray net list comprising the memorycell information and memorycellarray information. メモリセルアレイネットリスト生成部4は、メモリセル情報とメモリセルアレイ情報とからなるメモリセルアレイのネットリストを生成する。 - 特許庁
The device is provided with a memorycellarray 100, a redundant row memorycellarray 101, a redundant column memorycellarray 102 and a redundant column row memorycellarray 103. メモリセルアレイ100、冗長ロウメモリセルアレイ101、冗長カラムメモリセルアレイ102、冗長カラムロウメモリセルアレイ103を設ける。 - 特許庁
MEMORY CIRCUIT HAVING PARITY CELLARRAY パリティセルアレイを有するメモリ回路 - 特許庁
The memory macro includes a memorycellarray and a switch. メモリマクロは、メモリセルアレイとスイッチとを含む。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING ARRAY OF MEMORYCELL メモリーセルの配列を有する半導体メモリー - 特許庁
ISOLATION OF MEMORYCELL IN INTERSECTION POINT ARRAY 交点アレイ内のメモリセルの分離 - 特許庁
SUPERCONDUCTING CELL AND MEMORYARRAY USING THE CELL 超電導セル及び該セルを用いたメモリ・アレイ - 特許庁
To dispose a driver for driving a memorycell under a memorycellarray. メモリセルを駆動するドライバをメモリセルアレイ下に配置する。 - 特許庁
The memorycellarray 10 comprises a redundant cellarray for replacing a defective cell by a normal cellarray. メモリセルアレイ10は、ノーマルセルアレイとその不良セルを置換するための冗長セルアレイを含む。 - 特許庁
The memorycellarray 11 has a memorycellarray group in which a plurality of memory cells are connected in series. メモリセルアレイ11は、メモリセルが複数個直列に接続されたメモリセル群を有する。 - 特許庁
A memorycellarray 36 includes a plurality of memory cells. メモリセルアレイ36は、複数個のメモリセルを含む。 - 特許庁
MEMORYCELLARRAY AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE メモリセルアレイ及び半導体記憶装置 - 特許庁
MAGNETIC MEMORYCELL, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND MAGNETIC MEMORYCELLARRAY 磁気メモリセルおよびその製造方法ならびに磁気メモリセルアレイ - 特許庁
FLASH MEMORY, STRUCTURE OF FLASH MEMORYCELL AND ARRAY STRUCTURE フラッシュメモリ、フラッシュメモリセルの構造及びアレイ構造 - 特許庁
The memorycellarray includes at least two memory banks. メモリセルアレイは、少なくとも二つのメモリバンクを含む。 - 特許庁
The memorycellarray is constituted of a data cellarray 12, a reference cellarray 13A and dummy cell arrays 13B, 13C. メモリセルアレイは、データセルアレイ12、レファレンスセルアレイ13A及びダミーセルアレイ13B,13Cから構成される。 - 特許庁
MEMORYCELL STRUCTURE, MEMORYCELLARRAY, MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER, MEMORY SYSTEM, AND METHOD OF OPERATING THE SAME メモリセル構造、メモリセルアレイ、メモリ装置、メモリ制御器、メモリシステム及びこれらを動作する方法 - 特許庁
METHOD OF CONFIGURING MEMORYCELLARRAY BLOCK, METHOD OF ADDRESSING THE SAME, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORYCELLARRAY BLOCK メモリセルアレイブロックの構成方法、アドレス指定方法、半導体メモリ装置及びメモリセルアレイブロック - 特許庁
METHOD FOR STORING DATA IN MEMORYCELLARRAY メモリーセルアレーにデータを記憶させる方法 - 特許庁
MAGNETIC MEMORYCELLARRAY AND ITS MANUFACTURING METHOD 磁気メモリセルアレイおよびその製造方法 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORYCELL, MEMORYARRAY HAVING THE SAME, AND METHOD OF OPERATING THE CELL AND THE ARRAY 不揮発性メモリセル、これを有するメモリアレイ、並びに、セル及びアレイの操作方法 - 特許庁
In the memorycellarray, a plurality of memory cells are arrayed. メモリセルアレイでは、複数のメモリセルが配列されている。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORYCELL AND SEMICONDUCTOR MEMORYARRAY USING THE SAME 半導体メモリセル及びそれを用いた半導体メモリアレイ - 特許庁
To reduce an area of a memorycellarray section and a chip area including a memorycellarray section. メモリセルアレイ部の面積を低減でき、メモリセルアレイ部を含むチップ面積を低減できる。 - 特許庁
MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELL, DEVICE AND MEMORYARRAY 磁気トンネル接合セル、装置、およびメモリアレイ - 特許庁
MEMORYCELLARRAY AND FORMING METHOD THEREOF メモリセルアレイの形成方法およびメモリセルアレイ - 特許庁
CELLARRAY OF MEMORY ELEMENT HAVING SOURCE STRAPPING ソースストラッピングを有する記憶素子のセルアレイ - 特許庁
To reduce layout area of a memorycellarray. メモリセルアレイのレイアウト面積を低減する。 - 特許庁
The semiconductor memory is provided with a memorycellarray including dynamic memory cells. 半導体メモリは、ダイナミックメモリセルを有するメモリセルアレイを有する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device capable of freely changing a DRAM memorycellarray into a nonvolatile memorycellarray. DRAMメモリセルアレイを自在に不揮発性メモリセルアレイに変更可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The constitution of each first memorycell unit on the end side of a memorycellarray is made different from that of each memorycell unit on the end side of the memorycellarray. そして、前記第1のメモリセルユニットの前記メモリセルアレイ端側の構成が前記第2のメモリセルユニットと異なることを特徴とする。 - 特許庁
A memorycellarray is divided into a left cellarray 1L and a right cellarray 1R which are composed respectively of a plurality of blocks. メモリセルアレイは、それぞれ複数個のブロックからなる左右セルアレイ1L,1Rに分けられている。 - 特許庁
MEMORYCELLARRAY AND METHOD FOR FORMING THE SAME メモリセルアレイの形成方法及びメモリセルアレイ - 特許庁