「memory effect」を含む例文一覧(803)
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磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ - 特許庁 - (c) A memory effect(ME) of 0.9 to 1.3.
（ｃ）メモリーイフェクト（ＭＥ）が０．９〜１．３。 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 - 特許庁 - MEMORY USING TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR
トンネル電界効果トランジスタを用いたメモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 - 特許庁 - MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT
磁気メモリ装置および磁気抵抗効果素子 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 - 特許庁 - MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY ELEMENT
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ素子 - 特許庁 - FIELD-EFFECT TRANSISTOR MEMORY ELEMENT HAVING FERROELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE FIELD-EFFECT TRANSISTOR MEMORY DEVICE
強誘電体を有する電界効果トランジスタ型記憶素子及びその製造方法 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイス - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリー装置 - 特許庁 - MAGNETRORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置及び磁気メモリ - 特許庁 - FIELD-EFFECT TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUIT, AND MEMORY
電界効果トランジスタ、集積回路、及びメモリ - 特許庁 - ADDRESSING METHOD OF MEMORY EFFECT DISPLAY PANEL
メモリ効果型表示パネルのアドレス指定方法 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE ELEMENT AND MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - To reduce memory capacity for an effect image and to enhance the visual effect of the effect image.
エフェクト画像のためのメモリ容量を低減し、かつエフェクト画像の視覚効果を高める。 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, MEMORY ELEMENT, AND MEMORY THEREWITH
磁気抵抗効果膜、それを備えたメモリ素子及びそれを用いたメモリ - 特許庁 - MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM AND MEMORY USING IT
磁気抵抗効果膜およびそれを用いたメモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE-EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT FILM, AND MEMORY USING IT
磁気抵抗効果膜およびそれを用いたメモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND MAGNETIC HEAD
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、及び磁気ヘッド - 特許庁 - FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY CELL, AND METHOD FOR MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR
電界効果トランジスタ、メモリセル、および電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁 - FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND MEMORY AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT INCLUDING THE FIELD EFFECT TRANSISTOR
電界効果トランジスタおよびそれを用いたメモリおよび半導体回路 - 特許庁 - RESONANCE TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
共鳴トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - SPIN FET, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND SPIN MEMORY
スピンＦＥＴ、磁気抵抗効果素子及びスピンメモリ - 特許庁 - SWITCH ELEMENT, MEMORY DEVICE, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT
スイッチ素子、メモリ素子および磁気抵抗効果素子 - 特許庁 - PERPENDICULAR MAGNETIZATION MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
垂直磁化磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE EFFECT TYPE MAGNETIC SENSOR, MAGNETORESISTIVE EFFECT TYPE MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC MEMORY
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁 - To suppress retention effect and imprint effect of a ferroelectric memory device.
強誘電体メモリ装置のリテンション効果及びインプリント効果を抑制する。 - 特許庁 - To cancel out memory effect in one charging cycle.
１回の充電サイクルでメモリ効果を解消する。 - 特許庁 - MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法 - 特許庁 - MEMORY CELL PROGRAMMING METHOD FOR REDUCING COUPLING EFFECT
カップリング効果を低下させるメモリセルプログラミング方法 - 特許庁 - MEMORY CARD HOUSING CASE HAVING CLEANING EFFECT FOR TERMINAL
端子クリーニング作用付きメモリーカード用収納ケース - 特許庁 - LOGIC-IN-MEMORY CIRCUIT USING MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT
磁気抵抗効果素子を用いたロジックインメモリ回路 - 特許庁 - A memory effect is further given by utilizing a shape memory effect and Coulomb force of an organic material.
さらに，有機材料の形状記憶効果とクーロン力を利用することでメモリー効果を持たせる。 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY CELL USING THE SAME, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - To provide a memory effect reducing method capable of reducing a memory effect without discharging an alkali storage battery, a memory effect reducing circuit, a battery power supply device using the memory effect reducing circuit, and a battery utilization system using the memory effect reducing circuit.
アルカリ蓄電池を放電させることなくメモリ効果を低減することができるメモリ効果低減方法、メモリ効果低減回路、このメモリ効果低減回路を用いた電池電源装置、及びこのメモリ効果低減回路を用いた電池利用システムを提供する。 - 特許庁
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