「memory effect」を含む例文一覧(803)
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磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY USING IT
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気メモリ - 特許庁 - FERROMAGNETIC TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND MAGNETORESISTIVE EFFECT TYPE HEAD
強磁性トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果型ヘッド - 特許庁 - MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETIC MEMORY DEVICE PROVIDED WITH MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE
磁気抵抗効果素子、及び磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置 - 特許庁 - TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME
トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ - 特許庁 - DETECTION METHOD FOR MEMORY EFFECT AND ITS SOLUTION
メモリー効果の検出方法およびその解消方法 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC STORAGE CELL, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子、磁気記憶セルおよび磁気メモリデバイス - 特許庁 - GAME DEVICE, EFFECT GENERATING METHOD, AND INFORMATION MEMORY MEDIUM
ゲーム装置、効果生成方法および情報記憶媒体 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, HEAD SLIDER, MAGNETIC INFORMATION REPRODUCTION DEVICE, AND MAGNETORESISTIVE EFFECT MEMORY
磁気抵抗効果素子、ヘッドスライダ、磁気情報再生装置および磁気抵抗効果メモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気抵抗効果ヘッド、および磁気記録再生装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE HEAD, MAGNETIC RECORDING DEVICE, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT MEMORY ELEMENT
磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録装置、磁気抵抗効果メモリ素子 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD USING THE SAME, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC HEAD, MAGNETIC MEMORY, AND MAGNETIC RECORDING EQUIPMENT USING THE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT
磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリならびに磁気記録装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MAGNETIC MEMORY
磁気抵抗効果素子及び不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE, FERROMAGNETIC SUBSTANCE MEMORY, AND INFORMATION INSTRUMENT
磁気抵抗効果素子、強磁性体メモリ及び情報機器 - 特許庁 - FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR MEMORY AND MANUFACTURE THEREOF
電界効果型半導体メモリ装置およびその製造方法 - 特許庁 - MEMORY USING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS DRIVING METHOD
磁気抵抗効果素子を用いたメモリおよびその駆動方法 - 特許庁 - METHOD OF ENHANCING MAGNETORESISTANCE EFFECT OF MAGNETIC MEMORY CELL, MAGNETIC MEMORY CELL, AND METHOD OF FORMING THE SAME
磁気メモリセルの磁気抵抗効果増加方法、磁気メモリセル、およびその形成方法 - 特許庁 - To improve effect for detecting a defective memory cell by shortening a measuring time of a memory.
メモリの測定時間を短縮し、メモリセルの不良の検出効果を向上させる。 - 特許庁 - NONVOLATILE SOLID-STATE MEMORY ELEMENT UTILIZING MAGNETORESISTANCE EFFECT, MEMORY, AND ITS RECORDING/ REPRODUCING METHOD
磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリ素子およびメモリとその記録再生方法 - 特許庁 - NONVOLATILE SOLID-STATE MEMORY DEVICE AND MEMORY USING MAGNETIC RESISTANCE EFFECT, ITS RECORDING AND REPRODUCING METHOD
磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリ素子およびメモリとその記録再生方法 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING IT
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MEMORY USING IT
磁気抵抗効果膜、その製造方法およびそれを用いたメモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND DRIVING CIRCUIT FOR LIQUID CRYSTAL PANEL WITH MEMORY EFFECT
液晶表示装置及びメモリ性液晶パネルの駆動回路 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC REPRODUCING APPARATUS
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、及び磁気再生装置 - 特許庁 - TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC RECORDING DEVICE AND MAGNETIC MEMORY
トンネル磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録装置、磁気メモリー - 特許庁 - MAGNETIC SENSOR, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC MEMORY, USING SPIN HALL EFFECT DEVICE
スピンホール効果素子を用いた磁気センサ、磁気ヘッド及び磁気メモリ - 特許庁 - COIL SPRING HAVING SHAPE MEMORY EFFECT AND ITS PRODUCTION METHOD
形状記憶効果を有するコイルバネおよびその製造方法 - 特許庁 - An FET(field effect transistor) switch circuit 8 is installed on a memory module 20a.
メモリモジュール２０ａ上にＦＥＴスイッチ回路８を設ける。 - 特許庁 - BATTERY CHARGE STATE CALCULATION METHOD FOR PREVENTING MEMORY EFFECT
メモリ効果を防止するためのバッテリ充電状態計算方法 - 特許庁 - GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE HEAD, THIN FILM MAGNETIC MEMORY AND THIN FILM MAGNETIC SENSOR
巨大磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、並びに薄膜磁気センサ - 特許庁 - GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD, THIN-FILM MAGNETIC MEMORY, AND THIN-FILM MAGNETIC SENSOR
巨大磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、並びに薄膜磁気センサ - 特許庁 - MEMORY DEVICE HAVING MAGNETORESISTIVE EFFECT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY UNIT
磁気抵抗効果を有するメモリ素子及びその製造方法、並びに、不揮発性磁気メモリ装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE MEMORY CELL USING FLOATING BODY EFFECT, MEMORY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF OPERATING THE SAME
フローティングボディー効果を利用した磁気抵抗メモリセル、これを含むメモリ素子及びその動作方法 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of reducing short channel effect of a memory cell transistor.
メモリセルトランジスタのショートチャネル効果を低減可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a flash memory element for reducing an interference effect, and to provide a method of manufacturing the flash memory element.
干渉効果を減らすためのフラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE MAGNETIC HEAD USING THE SAME, MAGNETIC RECORDING DEVICE, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド、磁気記録装置および磁気抵抗効果型メモリー装置 - 特許庁 - To suppress a coupling effect due to threshold variation of an adjacent memory cell.
隣接するメモリセルの閾値変動によるカップリング効果を抑制する。 - 特許庁 - NONVOLATILE MEMORY USING FERROELECTRIC GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
強誘電体ゲート電界効果トランジスタを使用する不揮発性メモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS PRODUCING SYSTEM, AND MAGNETIC MEMORY
磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY EQUIPPED WITH THE SAME
磁気抵抗効果素子及びそれを搭載した不揮発性磁気メモリ - 特許庁 - MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MEMORY CELL
ＭＯＳ電界効果トランジスタ及びその製造方法並びにメモリセル - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRONIC CARD AND ELECTRONIC DEVICE
磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC MEMORY USING THE ELEMENT
磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC STORAGE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置及び磁気メモリ装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁
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