「memory effect」を含む例文一覧(803)
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磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに磁気メモリ装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS PRODUCING METHOD AND MAGNETIC MEMORY
磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS PRODUCING SYSTEM, AND MAGNETIC MEMORY
磁気抵抗効果素子およびその製造装置並びに磁気メモリ装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁 - The nonvolatile magnetic thin film memory device has: a substrate; and a memory cell array composed of memory cells each having a magnetoresistance effect element, the memory cells being two-dimensionally arranged on the substrate.
不揮発磁気薄膜メモリ装置は、基板と、その基板上に磁気抵抗効果素子を有するメモリセルが二次元状に配されたメモリセルアレイとを有している。 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC THIN FILM MEMORY USING THE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT
磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びにその磁気抵抗効果素子を用いた磁気薄膜メモリ - 特許庁 - MEMORY CARD HAVING DISPLAY FUNCTION UTILIZING PIEZOELECTRIC EFFECT AND INFORMATION DISPLAY METHOD UTILIZING PIEZOELECTRIC EFFECT
圧電効果を利用したディスプレイ機能を有するメモリカードおよび圧電効果を利用した情報表示方法 - 特許庁 - An aperture effect correction coefficient memory 7 stores an aperture effect correction coefficient for correcting aperture effect in digital signal processing.
アパーチャ効果補正係数メモリ７はデジタル信号処理におけるアパーチャ効果を補正するためのアパーチャ効果補正係数を保持する。 - 特許庁 - The field-effect transistor and the resistance varying material 4 configure a memory cell.
電界効果トランジスタ及び抵抗変化材４はメモリセルを構成する。 - 特許庁 - The memory comprises a second tunneling field effect transistor 108b.
上記メモリは、第２トンネル電界効果トランジスタ１０８ｂを含んでいる。 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING APPARATUS, AND MAGNETIC MEMORY
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気メモリ - 特許庁 - DATA WRITING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子のデータ書き込み方法及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置および磁気メモリ装置 - 特許庁 - ELECTRIC POWER SUPPLY DEVICE, CELL, ELECTRIC APPARATUS, AND MEMORY EFFECT DETECTING METHOD
電源供給装置、電池、電気機器、およびメモリ効果検出方法 - 特許庁 - MAGNETO-RESISTIVE EFFECT ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気メモリ - 特許庁 - A nonvolatile memory effect is exerted by the hysteresis of the magnetic mode.
該磁気モードのヒステリシス性により、不揮発性メモリ効果が発現される。 - 特許庁 - CHARGED BODY, AND FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MEMORY DEVICE USING THE SAME
帯電体並びにそれを用いた電界効果トランジスタ及びメモリ素子 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁 - MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRONIC CARD, ELECTRONIC APPARATUS, PRODUCTION PROCESS OF MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE, AND PRODUCTION PROCESS OF MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード、電子装置、磁気抵抗効果素子の製造方法、及び、磁気ランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁 - To provide a shape memory material exhibiting a shape memory effect by utilizing superelastic behavior.
超弾性的挙動を利用して形状記憶効果を奏する形状記憶材料を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory cell equipped with an FET (field effect transistor) type memory element small in the cell size thereof.
セルサイズの小さなＦＥＴ型のメモリ素子を備えた半導体メモリセルを提供することにある。 - 特許庁 - SPIN TRANSISTOR, RECONFIGURABLE LOGIC CIRCUIT, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY
スピントランジスタ、リコンフィギャラブル論理回路、磁気抵抗効果素子、および磁気メモリ - 特許庁 - To compensate complicated non-linear distortion having a memory effect by a simple constitution.
メモリ効果を有する複雑な非線形歪を簡易な構成で補償する。 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気記憶装置の製造方法 - 特許庁 - EXCHANGE COUPLING FILM, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイスならびにそれらの製造方法 - 特許庁 - To accurately estimate the remaining capacity of a secondary battery having a memory effect.
メモリー効果を有する二次電池の残存容量を精度よく推定する。 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ - 特許庁 - MAGNETIC THIN FILM, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC MEMORY CELL
磁性薄膜、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッドおよび磁気メモリ素子 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of semiconductor device which can restrain memory effect.
メモリー効果の抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR, MEMORY ELEMENT HAVING FLOATING BODY EFFECT REMOVED AND ITS MANUFACTURING METHOD
フローティングボディ効果を除去した半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - FERROMAGNETIC TUNNEL-EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY USING THE SAME
強磁性トンネル効果素子及び該強磁性トンネル効果素子を用いた磁気メモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC MEMORY DEVICE PROVIDED WITH MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置とその製造方法 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD ASSEMBLY, MAGNETIC RECORDER/REPRODUCER, MEMORY CELL ARRAY, AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置、メモリセルアレイ、及び磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁 - To provide a nonvolatile solid-state memory device and a memory using magnetic resistance effect, and its recording and reproducing method.
磁気抵抗効果を用いた不揮発の固体メモリ素子、およびメモリとそれらの記録再生方法を提供する。 - 特許庁 - To improve the characteristics of a memory layer such as the inversion of magnetization and the maintenance of the magnetization direction of the memory layer in a magnetoresistance effect device.
磁気抵抗効果素子においてメモリ層の磁化反転や磁化方向の維持などの特性を改善する。 - 特許庁 - To provide a NAND type flash memory which can reduce an effect of interference between memory cells to data read out from the memory cells.
メモリセルから読み出されたデータに対する、メモリセル間の干渉の影響を低減することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - To make it possible to obtain high reliability concerning data to be stored in an integrated memory provided with memory cells having a magneto resistance memory effect.
磁気抵抗メモリ効果をもつメモリセルを備えた集積メモリにおいて、記憶すべきデータに関してかなり高い信頼性が得られるようにする。 - 特許庁 - To exactly calculate internal resistance value of a secondary battery by considering a memory effect.
メモリ効果を考慮して、二次電池の内部抵抗値を正確に算出する。 - 特許庁 - To obtain a distortion compensating apparatus which can effectively cancel memory effect distortion.
メモリ効果歪みを効果的に打ち消すことのできる歪み補償装置を得る。 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING PROCESSING OF MAGNETIC MATERIAL, MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁性体のエッチング加工方法、磁気抵抗効果膜、および磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイスならびに磁気メモリデバイスの製造方法 - 特許庁 - TUNNEL MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
トンネル磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに磁気メモリ装置 - 特許庁 - To provide a memory card housing case having a cleaning effect for a terminal part.
端子部分のクリーニング作用を持つメモリーカード用の収納ケースを提供する。 - 特許庁 - ELECTRONIC DEVICE, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD USING MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, RECORDING AND REPRODUCING DEVICE, MEMORY DEVICE, MEMORY ARRAY, MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT
電子デバイス、磁気抵抗効果素子、および磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、記録再生装置、メモリ素子、メモリアレイ、および電子デバイスの製造方法および磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT COMPOSITE HEAD, MAGNETIC MEMORY DEVICE EMPLOYING THE SAME, AND MANUFACTURE OF MAGNETORESISTANCE EFFECT COMPOSITE HEAD
磁気抵抗効果型複合ヘッド及びそれを用いた磁気記憶装置並びに磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法 - 特許庁
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