「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 105 106 107 108 109 110 111 112 113 .... 287 288 次へ＞- The electrode material of which the surface has a fine concavo-convex shape and is made of fine structures has a work function less than 4.7 eV and an etching rate less than 22 nm/min.
表面が微細な凹凸形状であると共に微細組織からなる本発明電極材料は、仕事関数が4.7eV未満、エッチングレートが22nm/min未満である。 - 特許庁 - It is desirable that the average thickness of the inorganic layer-shaped compound is ≤10 nm and that the average aspect ratio of the inorganic layer-shaped compound is ≤5000 or the like.
無機層状化合物の平均厚みが、１０ｎｍ以下である態様、無機層状化合物の平均アスペクト比が、５０００以下である態様等が好ましい。 - 特許庁 - The subject minute reaction device 10 comprises a device body 12 and a capillary flow passage 14 formed in the device body 12 in a size of nm-μm unit.
微小反応デバイス１０は、デバイス本体１２と、このデバイス本体１２にｎｍ〜μｍ単位の寸法で形成された毛細流路１４とから成っている。 - 特許庁 - To provide a new image recording medium used for the image recording in compliance with the condition of 360-420 nm essential as a process film and provided with good storage stability.
製版フィルムとして不可欠な３６０〜４２０ｎｍに対応する画像記録が可能な、保存安定性の良好な新規な画像記録媒体を提供する。 - 特許庁 - The first optical element preferably shows a frontal retardation of 240 to 300 nm and satisfies the relationship of nx>nz>ny in the refractive indices thereof.
前記第１の光学素子は、正面レターデーションが２４０〜３００ｎｍであり、かつ屈折率がｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの関係を満たすことが好ましい。 - 特許庁 - Also, the insulating film 21a is formed so as to have a sidewall length Ls of 3.5-8.5 nm, capable of reducing the parasitic resistance at gate/source ends.
また、第１の側壁絶縁膜２１ａは、ゲート／ソース端での寄生抵抗の低減が可能な、３．５〜８．５ｎｍの側壁長Ｌｓを有して形成されている。 - 特許庁 - Preferably fine abrasive is colloidal silica having a particle diameter ranging from 10 to 400 nm, and its solid content in the working fluid is 10 to 60 wt.%.
好適には、微細砥粒は、粒子径が１０〜４００ｎｍのコロイダルシリカであり、加工液中に固形分で１０〜６０重量％含まれている。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium which allows recording and regeneration of information, for example, by light with a wavelength of 600 nm or less, and shows satisfactory image data recording/regeneration properties, and further, enables the recording of information to be performed in higher density.
例えば波長６００ｎｍ以下の光によって情報の記録及び再生が可能であり、且つ良好な記録再生特性を有する。 - 特許庁 - The surface roughness Ra of the first coating layer is specified to be lower than the surface roughness Ra of the substrate and the thickness of the second coating layer is specified to be ≤150 nm.
第１の塗布層の表面粗さＲａを支持体の表面粗さＲａより小とし、第２の塗布層の厚さを１５０ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - The organic-inorganic hybrid material includes silica and the hydrogen-bonding polymer, wherein the pore volume having the pore diameter of 3 nm-10 μm measured by a mercury porosimeter is ≥0.6 ml/g.
さらに詳しくは、沈降シリカと同様の外観と嵩高さを有する新規な有機無機ハイブリッド材料、及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁 - The optical multiplexer/demultiplexer is a fiber-fused extended type multiplexer/demultiplexer, and the central wavelength of the pumping light incident end of the multiplexer/demultiplexer is adjusted to ≤1,480 nm.
前記光合分波器がファイバ融着型延伸型合分波器であり、励起光入射端の中心波長を１４８０ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - To provide a metal glass nanowire which has no defect sites, and has the whole length of ≥75 μm and a diameter of ≤1,000 nm, and to provide a method for producing the same.
欠陥サイトの無い、全長７５μｍ以上で直径が１０００ｎｍ以下である金属ガラスナノワイヤおよびその製造方法の提供。 - 特許庁 - An aggregate of the particles 3 to be obtained has an average grain size of 100 nm or lower, and the particles 3 are present on the substrate 1 at a high density of 50 particles/mm2 or higher.
得られる半導体微粒子３の集合体は、平均粒径が 100nm以下であると共に、基板１上に50個／mm^2 以上の数密度で存在している。 - 特許庁 - To provide a flash discharge lamp wherein radiant quantities of an ultra-violet ray, in particular wave lengths of 300-400 nm are increased, and to provide a light energy irradiation device using this.
紫外線、特に波長３００〜４００ｎｍの放射量を増加した閃光放電ランプおよびこれを用いた光エネルギー照射装置を提供する。 - 特許庁 - A TEOS film as an interlayer insulating film 2 is formed on a silicon substrate 1 to have a thickness larger than a desired film thickness, e.g., to have a thickness of 2,000 nm.
シリコン基板１上に、層間絶縁膜２としてＴＥＯＳ膜を所望の膜厚よりも厚い膜厚、例えば２０００ｎｍで形成する。 - 特許庁 - To provide a light emitting device having a fluorescent composition radiatively combined with a semiconductor light source emitting a radiation of approximately 250-500 nm.
約２５０から５００ｎｍの放射線を発する半導体光源と放射的に結合される蛍光体組成物を備えた発光素子の提供。 - 特許庁 - The composition enables to form an anti-reflective film on a resist film, and can be used in the photolithography for forming a pattern with a light having a wavelength of 160-260 nm.
この組成物はレジスト膜上に反射防止膜を形成させ、１６０〜２６０ｎｍの光を用いてパターンを形成させるフォトリソグラフィーに用いられる。 - 特許庁 - To provide a composite sheet with high smoothness with the maximum surface roughness of ≤200 nm, and a device for displaying using the same.
最大表面粗さが２００ｎｍ以下の高度な平滑性を有する複合シートに関するものであり、それを使用した表示用デバイスに関するものである。 - 特許庁 - Since the diameter of the nanocarbon fiber is of nano sizes, the particle diameter of the catalytic metal carried is of nm-order size, which maximizes the catalytic reaction speed.
ナノ炭素繊維の径はナノサイズであるため、担持される触媒金属の粒径はｎｍオーダーのサイズとなり、最も触媒反応速度が大きいサイズとなる。 - 特許庁 - To provide a glass substrate having the touch-down-height of ≤6 nm by regulating the surface roughness and microwaviness of a substrate surface within a predetermined range and relationship.
基板表面における表面粗さ、微小うねりを所定の範囲・関係にすることによって、タッチダウンハイトが６ｎｍ以下のガラス基板を得る。 - 特許庁 - To provide a light emitting device comprising a combination of a stimulation source for generating light with 350 to 415 nm and a phosphorus, and having a high color rendering property and a high light emission intensity.
３５０−４１５ｎｍの光を発生する励起源と蛍光体を組み合わせ、演色性が高く、かつ、発光強度の高い発光装置を提供する。 - 特許庁 - Consequently, color gamut is enlarged by eliminating the effect of a secondary spectrum of 595 nm due to the R phosphor, which is a problem in a conventional CCFL tube.
従来のＣＣＦＬ管において問題であったＲ蛍光体による５９５ｎｍの副スペクトルの影響を解消して色域を拡大する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a protective film for a magnetic recording medium, which suppresses dissolution of Co from a magnetic recording layer and having ≤3 nm film thickness.
磁気記録層からのＣｏの溶出を抑制するとともに、膜厚が３ｎｍ以下の、磁気記録媒体用保護層の形成方法を提供することにある。 - 特許庁 - This adhesive composition is characterized by compounding 100 pts.wt. of a resin substrate with 0.1 to 30 pts.wt. of a plate-like filler having an aspect ratio of ≥10 and a thickness of ≤100 nm.
樹脂基剤100重量部に対し、アスペクト比10以上で厚さが100nm以下の板状フィラー0.1〜30重量部を配合してなる粘着剤組成物を用いる。 - 特許庁 - Since the platinum exists as relatively large particles having 1-5 nm particle size, the specific surface area of the platinum is small and hardly oxidized and a metallic state is easy to be kept.
Ptは粒径が１〜５nmの比較的大きな粒子となって存在しているので、比表面積が小さく酸化されにくいため金属状態を維持しやすい。 - 特許庁 - Then, the average thickness of the positive electrode layer 13 is made 0.2-20 μm, and the average thickness of the buffer layer 16 is made 2-40 nm, and the average thickness of the negative electrode layer 14 is made 0.3-8 μm.
そして、正極層13の平均厚さを0.2〜20μｍ、緩衝層16の平均厚さを2〜40ｎｍ、負極層14の平均厚さを0.3〜8μｍとする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a magnetic cluster, which is capable of forming the cluster having the wide size range of mm to nm without holding a magnetic field or an electric field.
ｍｍサイズからｎｍサイズまでの幅広い寸法で、磁場や電場で保持しなくてもクラスターを形成できる磁気クラスターの製造方法を提供する。 - 特許庁 - When the film 15 is deposited, the film 15 closes the opening of a recessed section 13 and deposits on the bottom of another recessed section 14 to a thickness of about 100 nm (b).
すると、凹部１３の開口部はシリコン酸化膜により塞がれ、凹部１４の底部には約１００ｎｍのシリコン酸化膜１５が堆積される（図１（ｂ））。 - 特許庁 - To make a hard coat film windable by forming fine unevenness on the coating surface thereof by the use of organic fine particles whose average primary particle diameter is 80-500 nm.
平均一次粒子径が８０〜５００ｎｍの有機微粒子を用いることにより塗工面に微細な凹凸を形成し巻き取り可能にする。 - 特許庁 - Specifically, the wavelength of the light is less than 250 nm.
回折格子（１）の有利な使用法は、例えばリトロー型配置で、好ましくは入射光ビーム（８）の３次の次数で、具体的には２５０ｎｍ未満である光波長で得られる。 - 特許庁 - An SiO_2 protective layer 20 is grown on the rear face of a GaAs substrate 10 having a (001) plane and an about 10 nm GaN buffer layer 12 is grown on the surface.
（００１）面を有するＧａＡｓ基板１０の裏面にＳｉＯ２保護層２０を、表面に約１０ｎｍのＧａＮバッファ層１２を成長させる。 - 特許庁 - The difference in refractive index between the substrate film 11 and the hard coat layer 13 is 0.02 or below, and the thickness of the adhesion layer 12 is 5-30 nm.
透明基材フィルム１１とハードコート層１３との屈折率の差は０．０２以内であり、かつ接着層１２の膜厚は５〜３０ｎｍである。 - 特許庁 - It is preferable to adjust the thickness of the protective layer 31 to ≥400 nm and the palladium content of the layer 31 to 30-100 wt.%.
パラジウムを含んだ金属は、水熱合成で使用するアルカリ溶液に対して耐性がある一方、基板本体との密着性もよく、剥離することがない。 - 特許庁 - Preferably, the largest particle diameter of the microparticles is 50 nm or less and the microparticles 12A are laminated in three particle layers or more in the thickness direction.
微粒子の最大粒子径は５０ｎｍ以下であることが好ましく、微粒子１２Ａは厚み方向に３粒子層以上積層されていることが好ましい。 - 特許庁 - Precipitates of ≥0.5 nm major axis exist at a rate of ≥700 pieces/μm^2 in the metallic structure of the Ni-base alloy.
そして、このＮｉ基合金における金属組織中には、長径が０．５ｎｍ以上である析出物が７００個／μｍ^2以上の割合で存在する。 - 特許庁 - An Al oxide layer (AlO_x) 88 in the thickness of 40 nm is individually provided between the GaAs substrate and the first semiconductor elements 84A, 84B.
ＧａＡｓ基板と第１の半導体素子８４Ａ、Ｂとの間には、膜厚４０ｎｍのＡｌ酸化層（ＡｌＯ_ｘ ）８８が個別に介在している。 - 特許庁 - The optical member has an optical incident axis and is comprised of OD-doped silica glass having an absorption limit λ (limit) at 165 nm or shorter.
光入射軸を持つ光学部材であって、１６５ｎｍ以下の吸収限界λ（限界）を有するＯＤドープトシリカガラスから構成された光学部材。 - 特許庁 - To provide a resist composition which is imaged with 193 nm radiation and developed to form a resist structure having high resolution and excellent etching resistance.
１９３ｎｍの放射でイメージングし、これを現像して、高解像度および耐エッチング性に優れたレジスト構造を形成するレジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - The multi-layer film is a film having no influence onto visible rays of about 400-750 nm sensed by the human eyes, and holding a daylight color.
多層フィルムが人間の目で感じる４００〜７５０ｎｍ前後の可視光線には影響を与えず、昼光色を保つことのできるフィルムである。 - 特許庁 - The yellowing of a laminated body for an optical element is suppressed by preventing transmission of UV light with a wavelength of 300 nm or less to irradiate.
照射するＵＶ光の波長３００ｎｍ以下の光の透過を防止することにより、光学素子用積層体の黄色化を抑制することができる。 - 特許庁 - The resin particles consists of an outer envelope formed with a resin enclosing a paint additive with average particle size of 100-500 nm.
樹脂粒子は、樹脂で構成された外殻と外殻に内包された塗料用添加剤とを含み、その平均粒子径が１００ｎｍ〜５００ｎｍである。 - 特許庁 - The distance between grain boundaries in the second conductive layer is less than that in the first conductive layer and is less than or equal to 150 nm.
第２導電層における粒界どうしの間隔は、第１導電層における粒界どうしの間隔よりも小さく１５０ナノメートル以下である。 - 特許庁 - The iron nitride-based magnetic powder contains an Fe_16N_2 phase as a main phase of iron nitride phases and has an average particle diameter of 5 to 30 nm.
また、その窒化鉄系磁性粉末を用いることにより磁気特性の劣化の少ない保存安定性に優れた磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁 - The hydraulic material comprising a sintered body containing a crystalline 11CaO.Al2O3.CaF2-based solid solution having lattice constant of 1.1972-1.1995 nm.
格子定数が１．１９７２〜１．１９９５ｎｍの結晶質の１１ＣａＯ・Ａｌ_2Ｏ_3・ＣａＦ_2系固溶体を含有する焼結体からなる水硬性材料。 - 特許庁 - This cigarette filter comprises a cigarette filter material, formed from a porous material having an average pore diameter of 5 to 350 nm, preferably silica gel.
たばこフィルタを、平均細孔径５nm以上３５０ｎｍ以下の多孔質体、好ましくはシリカゲルで構成されているたばこフィルタ用素材で構成する。 - 特許庁 - To easily provide a stable recording medium having a uniform recording layer having a nanometer (nm)-order fine regular structure, large capacity and high density.
ナノメーター（ｎｍ）単位の微細規則構造を有する大容量かつ高密度の均一な記録層を有する安定な記録媒体を簡易に提供する。 - 特許庁 - Further, the p-type contact layer 7 with the film thickness of about 200 nm made of an Mg doped p-type In_0.03Ga_0.97N is formed on the p-type cladding layer 6.
更に、ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型Ｉｎ_0.03Ｇａ_0.97Ｎから成る膜厚約２００ｎｍのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor device comprises a step of forming a silicon oxide film 31 by thermal oxidation under the condition in which the thickness of the surface of a diffused layer 15 becomes about 3 nm.
拡散層１５の表面における厚さが３ｎｍ程度になるような条件で、シリコン酸化膜３１を熱酸化により形成する。 - 特許庁 - More preferably, the carbon concentration of the laminated coat is 4-8 wt.%, and the laminated coat is such that the compound layers each having a thickness of 3-9 nm are alternately laminated.
尚、積層皮膜の炭素濃度を4〜8重量％とすること、該積層皮膜を3〜9nmの厚さの化合物層を交互に積層した皮膜とすると一層よい。 - 特許庁 - To provide a method for producing a stable colloidal solution in which oxide crystal grains of a group III element having 1-20 nm size are uniformly dispersed.
１〜２０ｎｍサイズの第III族元素の酸化物結晶粒子が均一に分散されてなる、安定なコロイド液を製造する方法を提供すること。 - 特許庁
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