「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 106 107 108 109 110 111 112 113 114 .... 287 288 次へ＞- The binders 7 which join them to each other are obtained by sintering conductive paste prepared by dispersing fine metallic particles having a mean particle diameter of 1-10 nm in a liquid.
バインダ７は平均粒径が１〜１０ｎｍである金属微粒子が液体中に分散する導電性ペーストを燒結することによりこれらを接合する。 - 特許庁 - The electrode member for discharge is composed of a sintered compact containing ≥99 wt.% Al expressed in terms of Al_2O_3 and has a grain boundary having ≤20 nm thickness.
ＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で９９重量％以上含有する焼結体からなり、２０ｎｍ以下の粒界層を有する放電用電極部材とする。 - 特許庁 - The paper 12 further comprises a reflecting layer 46 provided between the layer 42 of the lowermost layer and the support 41 to reflect the ultraviolet rays having wavelengths of 365 and 420 nm.
最下層であるシアン感熱発色層４２と支持体４１の間に、３６５ｎｍ及び４２０ｎｍの紫外線を反射する反射層が設けられている。 - 特許庁 - When the thickness of the junction region is set to 1.5 nm or larger, the amount of warpage, after retaining for one hour at 150°C, can be set at approximately 200 μm, or smaller.
また、接合領域の厚みを１．５ｎｍ以上とすると、１５０℃で１時間保持した後の反り量を概ね２００μｍ以下とすることができる。 - 特許庁 - To provide a method for forming a superior pattern causing no crack even when the line width of the remaining pattern in a butting part is ≤130 nm, and also to provide a mask.
突合せ部の残しパターンの線幅が１３０ｎｍ以下になっても亀裂を生じることのない優れたパターン形成方法およびマスクを提供する。 - 特許庁 - Some embodiments of UHNAF have extremely large negative dispersion, for example, less than about -300 ps/nm/km in some embodiments.
ＵＨＮＡＦのいくつかの実施形態は、非常に大きな負の分散、例えばいくつかの実施形態において約−３００ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ未満を有する。 - 特許庁 - Both the number nI of revolutions of a motor for injection and the number nM of revolutions of a motor for measurement follow the change in the pattern Pt of screw velocity and are changed.
射出用モータ回転数ｎ_I 及び計量用モータ回転数ｎ_M はいずれもスクリュー速度パターンＰｔの変化に追随して変化する。 - 特許庁 - When 15 V is applied, the luminescence with the wavelength of 500 nm and good directivity of 2000 candela/m2 is obtained.
さらに、透明電極ガラス基板にペルチェ素子を設け、発光による発熱を防ぎ、発光した光が共振することにより増幅されレーザ発振を可能とする。 - 特許庁 - The total sum of single amplitude of the wave of the inner ring raceway face 1a having the number of apexes of nZ ± 1 (n : integer of 1-4, Z : number of cylindrical rollers) is 5 nm or less.
ｎＺ±１（ｎ：１〜４の整数、Ｚ：円筒ころの本数）の角数を持つ内輪軌道面１ａのうねりの片振幅の総和を５ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - In addition, the conductive material layer 7 has a thickness of at least 150 nm at the side of the ridge 12 and the ridge 12 has a shape of a hourglass cross section.
また、導電体層７は、リッジ部１２の側面において少なくとも１５０ｎｍの厚みを有し、リッジ部１２は砂時計形の断面形状を有する。 - 特許庁 - As the negative electrode active material of a wire shape, a silicon linear body with a length of 0.1 μm to 2 mm, and an outer diameter of 4 to 1,000 nm can be used.
ワイヤー形状の負極活物質として、長さが０．１μｍ〜２ｍｍで、外径が４ｎｍ〜１０００ｎｍであるシリコン線状体を用いることができる。 - 特許庁 - To form a silicon nitride film having a thickness of about 5 nm, in such a way that the film can suppress the occurrence of leak currents and has a withstand voltage of ≥0.7 V.
膜厚５ｎｍ程度の窒化シリコン膜を、リーク電流の発生が抑制されて０．７Ｖ以上の耐圧を有した状態で形成できるようにする。 - 特許庁 - The conductive layer 44 is controlled to be 20 nm in thickness or less and an increase of a work function of the cathode 42 due to the conductive layer 44 itself can be prevented.
導電層４４は、厚さ２０ｎｍ以下に抑えられており、導電層４４自体に起因する陰極部４２の仕事関数の増加は回避されている。 - 特許庁 - On the contrary, the WCNR of formation substrate manufactured using a stamper of a condition 2 (Ry=110.6 nm) clears enough 35 dB which is the standard.
これに対し、条件２（Ｒｙ＝１１０．６ｎｍ）のスタンパーを用いて製作された成型基板のＷＣＮＲは、規格である３５ｄＢを十分クリアしている。 - 特許庁 - To provide a method for producing a carbonaceous substance (e.g. a graphitic substance) composed of nanometer (nm)-size fibrils at a low temperature and at a low cost.
ナノメータ（ｎｍ）サイズのフィブリルで構成された炭素質物質（グラファイト状物質など）をより低い温度で安価に製造できる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for preparing a metal fluoride crystal suitable for manufacturing an optical element that can be used in a lithographic equipment below 200 nm and its process.
２００ｎｍ未満のリソグラフィー装置およびプロセスに使用できる光学素子を製造するのに適した金属フッ化物結晶を調製する方法の提供。 - 特許庁 - The buffer layer 13 is about 1.1 nm thick, and is composed of AlGaInP having a smaller composition of Ga than that of the AlGaInP layer 12.
緩衝層１３は、厚さが約１．１ｎｍでＡｌＧａＩｎＰ層１２のＧａの組成よりも小さいＧａの組成を持つＡｌＧａＩｎＰからなる。 - 特許庁 - The total sum of single amplitude of wave having the number of apexes 2n (n : integer of 1-25), among the waves of rolling faces of the cylindrical rollers 3 is 50 nm or less.
円筒ころ３の転動面のうねりのうち、２ｎ（ｎ：１〜２５の整数）の角数を持つうねりの片振幅の総和を５０ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - The hollow-fiber membrane has a structure of the hollow-fiber outer surface controlled such that the central line roughness is 15 nm or above and the opening ratio is 6% or above and 20% or below.
中空糸外表面の構造を中心線粗さが１５ｎｍ以上、開孔率が６％以上２０％以下に制御することを特徴とする。 - 特許庁 - Therefore, even when the heat conductive layer 3 is disposed in a light incident side of the recording layer 4, information can be recorded and reproduced with the light having ≤560 nm wave length.
それゆえ、熱伝導層３を記録層４の光入射側に設けても波長５６０ｎｍ以下の光で情報の記録再生を行うことができる。 - 特許庁 - To provide a light diffusing composition, having extremely low average total light transmittance of ultraviolet rays in the 310-370 nm wavelength region, and to provide a diffuser using the composition.
３１０〜３７０ｎｍの紫外線の平均全光線透過率が極めて低い光拡散性組成物およびそれを用いた拡散板を提供すること - 特許庁 - This silicon seed crystal is the one used when the silicon single crystal is produced by the Czochralski method, and is characterized by an oxide film having ≥5 nm thickness, formed on the surface of the seed crystal.
特に、ダッシュネッキング（種絞り）を行うことなく単結晶を引上育成する方法において、無転位化率を顕著に向上させる。 - 特許庁 - An AlN buffer layer 82 is grown for 100 nm on an SiC wafer 81, and an Si dope GaN layer 83 for ohmic electrode formation is grown.
ＳｉＣ基板８１上にＡｌＮバッファー層８２を１００ｎｍ成長し、オーミック電極形成用のＳｉドープＧａＮ層８３を成長した。 - 特許庁 - Since the work function of the electrode is high, a potential barrier of the dielectric becomes high and even if the dielectric is thin such as 10 nm or less, a sufficient insulation property can be maintained.
電極の仕事関数が高いため、誘電体のポテンシャル障壁が高くなり、誘電体が１０ｎｍ以下と薄くても十分な絶縁性を保てる。 - 特許庁 - This grass form controlling method includes controlling flower formation while suppressing elongation of main stems through irradiating plants with red light (R; 600-700 nm) adjusted in optical power.
光強度が調整された赤色光（Ｒ；６００〜７００ｎｍ）を植物に照射することで、主茎伸長を抑制しながら花成を制御する。 - 特許庁 - The method includes a process for irradiating a translucent ceramic having a bandgap of Eg(eV) with a light having a wavelength of 1240/Eg +(120 to 700) nm.
バンドギャップの大きさがＥｇ（ｅＶ）である透光性セラミックに対し、波長が１２４０／Ｅｇ+１２０ｎｍ〜７００ｎｍの光を照射する工程を備える。 - 特許庁 - To obtain an optical recording material containing a coloring matter association product which has the maximum absorption at a region near to 400 nm and has a large absorbance, and to provide a method for producing the same, and the like.
400nm 付近に吸収極大を持ち、吸光度の大きい色素会合体を含む光記録材料とその製造方法等を提供する。 - 特許庁 - Further, Ni and Co in the surface layer are composed of an aggregate of fine crystals with a particle diameter of ≤50 nm.
さらに、表面層のＮｉ，Ｃｏが粒径５０ｎｍ以下の微結晶の集合体であることを特徴とする充放電特性に優れた水素吸蔵合金粉末。 - 特許庁 - To obtain a good pattern shape when a resist pattern is formed using light having a wavelength in the range of 1-180 nm as light for exposure.
露光光として１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ光を用いてレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。 - 特許庁 - To provide a metal halide lamp for ultraviolet curing capable of maintaining the intensity of light in a wavelength region around 365 nm even when used in a long time.
長時間の使用においても、３６５ｎｍ付近の波長域の光の強さを維持することが可能な紫外線硬化用のメタルハライドランプを提供すること。 - 特許庁 - The film to be etched is irradiated with an ultraviolet light having a wavelength longer than 200 nm via the chemical from a second lamp 1b of the lamp house 2 for wet etching.
ランプハウス２の第２のランプ１ｂから薬液を介して被エッチング膜に、２００ｎｍよりも長い波長の紫外光を照射しながらウェットエッチングする。 - 特許庁 - The seed layer 12 is a group III nitride compound semiconductor, has its film thickness set to 21 to 40 nm, and is deposited by a sputtering method.
そして、シード層１２は、III族窒化物化合物半導体であり、その膜厚が２１ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定され、スパッタ法によって成膜されている。 - 特許庁 - A p-type AlGaInP second upper cladding layer 28 of the 780 nm wavelength band laser 12 is etched to an ESL layer 26 to form ridge waveguides 32.
７８０ｎｍ帯波長レーザ１２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２８はＥＳＬ層２６までエッチングされてリッジ導波路３２が形成されている。 - 特許庁 - A p-cladding layer 15 has a superlattice structure where a p-AlGaN layer of 0.5-10 nm thick and an InGaN layer are grown repeatedly and laminated.
ｐクラッド層１５は、厚さ０．５〜１０ｎｍのｐ−ＡｌＧａＮ層と、ＩｎＧａＮ層とを繰り返し成長させて積層させた超格子構造とする。 - 特許庁 - The wavelength from the long arc light source LAL through the wavelength cut filter F2 in the late period P3 is 280 to 330 nm and the heat H to be applied is specified to 200°C.
そして、後期Ｐ３では波長カットフィルタＦ２を通したロングアーク光源ＬＡＬからの波長は２８０〜３３０ｎｍで、与える熱Ｈは２００℃とする。 - 特許庁 - A glass tube 12 bearing a photocatalyst film 11 on the outer face is installed in the circumference of a light source 14 capable of emitting ultraviolet rays with 400 nm or shorter wavelength.
波長４００ｎｍ以下の紫外線を放出する光源１４の周囲に、外表面に光触媒膜１１が成膜されたガラス管１２を配置する。 - 特許庁 - The cathode 5 is formed with the purpose that the thickness (sum of the thickness of the first cathode material 51 and the second cathode material 52) will be at least 50 nm.
陰極５は、その厚さ（第１の陰極物５１の厚さと第２の陰極物５２の厚さとの和）が少なくとも５０ｎｍとなるように形成されている。 - 特許庁 - In the form of this embodiment, ultraviolet light or violet light having light intensity maximized in a wavelength region of 200-450 nm is used.
本実施の形態では、２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長領域において光強度が最大となる紫外光または紫色光が用いられる。 - 特許庁 - The organic polymer film to be removed on a substrate is completely decomposed and removed by exposing to ultraviolet rays of ≤180 nm wavelength.
基板上の除去すべき有機高分子膜を、波長が１８０ｎｍ以下の紫外線に露出することで、完全に分解除去することができる。 - 特許庁 - The irradiation energy of the femtosecond laser is 133-533 GW/cm^2, the pulse width is 50-1,000 fs, and the wavelength is 250-1,600 nm.
ここで、フェムト秒レーザの照射エネルギーは１３３〜５３３ＧＷ／ｃｍ^２であり、パルス幅は５０〜１０００ｆｓであり、波長は２５０〜１６００ｎｍである。 - 特許庁 - To remove an organic body, left between fine patterns of nm order formed on a substrate, more speedily and securely than before.
基板の上に形成されたｎｍオーダの微細なパターン間に残る有機物を、従来に比較してより迅速により確実に除去できるようにする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor light-emitting element capable of emitting light in a green region of a wavelength longer than 450 nm without degrading crystal quality of an active layer.
活性層の結晶品質を劣化させることなく、４５０ｎｍよりも長波長の緑色域の発光が可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - Under outdoor fine weather, a large quantity of UV-rays of about 366 nm passes through the UV-ray transmitting filter 22 and irradiates a hinge part 27 to be distorted.
屋外の晴天下では、約３６６ｎｍの紫外線が大量に紫外線透過フィルタ２２を通過し、ヒンジ部２７に照射され湾曲変形する。 - 特許庁 - In the image forming method, a layer of the photocurable composition is subjected to scanning exposure with laser light of 350-430 nm wavelength, developed and heat-treated.
該光硬化性組成物層を、波長３５０〜４３０ｎｍのレーザー光により走査露光し、現像処理した後、加熱処理する画像形成方法。 - 特許庁 - To provide a method for preparing crosslinked solution polymer particles having ≤20 nm particle size required for manufacturing porous dielectric materials useful in manufacturing electronic devices.
電子デバイス製造において有用な多孔質誘電体物質を製造するに必要な２０ｎｍ以下の粒径のポリマー粒子を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - The rubber composition is a particulate carbon fiber composite material in which carbon nanofibers having an average diameter of 0.5-500 nm are uniformly dispersed in an elastomer.
ゴム組成物は、エラストマーに平均直径が０．５〜５００ｎｍのカーボンナノファイバーが均一に分散された粒子状の炭素繊維複合材料である。 - 特許庁 - The resin comprises a rapid surface curing and glass transition temperature-controlling monomer, and a short wave (<405 nm) surface-curing initiator, making the easy separation of a stamper.
該樹脂は、スタンパーの分離を容易にする急速表面硬化及びガラス転移温度制御モノマー及び、短波長（＜４０５ｎｍ）表面硬化開始剤を含む。 - 特許庁 - To provide an electrophotographic photoreceptor having high sensitivity characteristics even in a wavelength region of 380 to 450 nm, a process cartridge, and an electrophotographic apparatus.
３８０〜４５０ｎｍの波長域でも高い感度特性を有する電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供すること。 - 特許庁 - The cobalt-containing ferromagnetic layer 23 contains at least Co in a group of Ni, Co, and Fe and is formed thicker that 1 nm.
コバルト含有強磁性層２３は、Ｎｉ，ＣｏおよびＦｅからなる群のうち少なくともＣｏを含んでおり、１ｎｍより厚く形成されている。 - 特許庁 - The light emission side of a light-emitting device, having principal light-emitting wavelength of 400 nm or shorter, is covered with a sealing resin where silicone containing organic phosphor is added.
主発光ピーク波長が４００ｎｍ以下の発光素子の光放出側を、有機系蛍光体を含有するシリコーンを添加した封止レジンで被覆する。 - 特許庁
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