「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 109 110 111 112 113 114 115 116 117 .... 287 288 次へ＞- The polymer film is characterized in that a coating layer containing cellulose fibers having an average fiber diameter of 2 to 200 nm is provided on a polymer base material.
ポリマー基材上に、平均繊維径が２ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるセルロース繊維を含有する塗工層を有することを特徴とするポリマーフィルム。 - 特許庁 - The transparent resin is transparent in the visible light wavelength region of 380 to 800 nm and contains a blue pigment as indispensable component.
可視光波長領域３８０ｎｍから８００ｎｍの領域で透明な樹脂であって、その必須成分として青色色素を含有する透明樹脂。 - 特許庁 - Then the optical fiber member is irradiated with electromagnetic waves at ≤10 nm wavelength and further subjected to hydrogen treatment to obtain a completed product of the quartz optical fiber.
次に、この光ファイバ部材に波長が１０ｎｍ以下の電磁波を照射し、更に水素処理を施して石英系光ファイバの完成品とする。 - 特許庁 - In the first process, a first mixture 32b is obtained by mixing a paraffin oil 50 and the carbon nanofiber 40 having a mean diameter of 0.5-500 nm.
第１の工程は、パラフィンオイル５０と平均直径が０．５ないし５００ｎｍのカーボンナノファイバー４０とを混合して第１の混合物３２ｂを得る。 - 特許庁 - To produce an easily sinterable α-alumina fine powder being a sintering raw material for a translucent alumina ceramic and having ≤100 nm average particle diameter.
透光性アルミナセラミックスの焼結原料となる、平均粒径１００ｎｍ以下の易焼結性のα‐アルミナ微粉末の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - In the electrogalvanized steel sheet, the surface of plating is provided with a Zn based oxide layer composed of fine ruggedness with a mean thickness of ≥10 nm.
めっき表面に、平均厚さが１０ｎｍ以上の微細凹凸からなるＺｎ系酸化物層を有することを特徴とする電気亜鉛めっき鋼板。 - 特許庁 - Roughness on the surface of the diamond film is 0.1 to 10 nm and manufacture is made, by using a heavy metal layer as the etching mask for etching the diamond film.
該ダイヤモンド膜の表面粗さとしては、０．１〜１０ｎｍであり、前記ダイヤモンド膜のエッチング用のエッチングマスクとして重金属層を用いて作製する。 - 特許庁 - The cellulose acylate film has a retardation value of -800 to -100 nm in the thickness direction and an acyl substitution degree to the hydroxy group of cellulose satisfying the formulas (I) to (III).
膜厚方向のレターデーション値が−８００〜−１００ｎｍであり、セルロースの水酸基へのアシル置換度が下記式（I）〜（III）の全てを満足するセルロースアシレートフィルム。 - 特許庁 - The recycled polyester resin in the resin mold is preferably detected using the light of which is within 320-420 nm wavelength band.
この場合、前記所定域の波長が３２０ｎｍ〜４２０ｎｍの波長域の光を用いて、樹脂成形品中の再生ポリエステル樹脂を検出するとよい。 - 特許庁 - The transparent electroconductive film-forming coating material contains fine particles of a base metal sulfide having an average particle diameter of 2-200 nm.
本発明の透明導電膜形成用塗料は、平均粒径が２〜２００ｎｍの卑金属硫化物微粒子を含有していることを特徴とする。 - 特許庁 - The high-intensity luminescent module can be constituted of the red luminescent phosphor and a semiconductor light-emitting element having 350-420 nm luminous peak wavelength.
該赤色発光蛍光体は、発光ピーク波長が３５０〜４２０ｎｍの半導体発光素子と共に、高輝度の発光モジュールを構成することができる。 - 特許庁 - Furthermore, an about 300 nm thick electrode 15 comprising titanium and aluminum is formed on the potential reduction layer 14 with a sputtering method.
続いて、スパッタ法により、ポテンシャル低減層１４の上に、厚さが約３００ｎｍのチタンとアルミニウムとの積層膜からなる電極１５を形成する。 - 特許庁 - The pattern is invisible, it is irradiated with ultraviolet light having a peak wavelength of 365 nm from an ultraviolet lamp 38, and reflected ultraviolet light is detected with an ultraviolet sensor 39.
パターンは目では見えないが紫外線ランプ３８でピーク波長３６５ｎｍの紫外線を照射し紫外線センサ３９で反射紫外線を検出する。 - 特許庁 - The resist pattern is formed by using the liquid for a liquid immersion exposure process containing a phosphor compound having a specific molecular structure at a wavelength range of 200 nm or smaller.
200nm以下の波長範囲において、特定の分子構造を有するリン化合物を含有する液浸露光プロセス用液体を用いてレジストパターンを形成する。 - 特許庁 - The fiber of a carbon fiber precursor is produced by using a silicone oil for carbon fiber precursor and has an average surface roughness of ≤8 nm.
また、本発明の炭素繊維前駆体繊維は、炭素繊維前駆体用シリコーン油剤を用いて得られるものであり、平均面粗さが８ｎｍ以下のものである。 - 特許庁 - The SiO_2 particulate sedimentary layer 11a is formed on the surface of the optical element 11 by a laser ablation method, wherein thickness is about 1 nm.
ＳｉＯ_2微粒子堆積層１１ａは、レーザアブレーション法により光学素子１１の表面に形成されたものであり、厚みが１ｎｍ程度となっている。 - 特許庁 - In the manufacturing method for the semiconductor device, a first hafnium silicate film 21 in a film thickness of 6 nm or less is formed on a substrate 1.
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、まず、基板１上に６ｎｍ以下の膜厚の第１ハフニウムシリケート膜２１を形成する。 - 特許庁 - The thin film capacitor has a dielectric layer of 20 nm to 2.0 μm in thickness, including ceramics, held between a first electrode and a second electrode.
この薄膜キャパシタは、第一の電極および第二の電極の間に、セラミックスを含んでなる、厚さ２０ｎｍ〜２．０μｍの誘電体層が挟持されてなる。 - 特許庁 - The chip (1) has a light emitting layer made of a gallium nitride compound semiconductor to emit blue light in the peak wavelength of about 430 to 480 nm.
発光ダイオードチップ(1)は、窒化ガリウム系化合物半導体より成る発光波長ピーク約４３０nm〜約４８０nmの青色光を発生する発光層を備えている。 - 特許庁 - Lattice defect parts 103 are formed from the main surface of a silicon substrate 100 to the depth of 2-5 nm by irradiation of silicon atoms or the like.
シリコン原子等を照射することにより、シリコン基板１００の主表面から２ｎｍ〜５ｎｍの深さにかけて格子欠陥部１０３を形成する。 - 特許庁 - The fluorescence glass is silica glass containing Bi as an additive, and it is excited with excitation light of wavelength 980 nm band and generates fluorescence.
本発明による蛍光性ガラスは、添加物としてＢｉを含有する石英系ガラスであり、波長９８０ｎｍ帯の励起光で励起され、蛍光を発生する。 - 特許庁 - A masking material 102 (a silicon oxide thin film with 100 nm thickness) having a plurality of apertures 103 (a square having 20 microns sides) is formed on the substrate.
該基板上に複数の開口部１０３（１辺が２０ミクロンの正方形）を有するマスク材１０２（酸化シリコン薄膜、厚さ１００ｎｍ）が形成されている。 - 特許庁 - To provide a small-sized inexpensive lighting detection device for detecting lighting/extinction of a xenon excimer lamp for radiating light having a center wavelength of 172 nm.
中心波長１７２ｎｍの光を放射するキセノンエキシマランプの点灯・消灯の検出をする、小型で安価な点灯検出装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium capable of successfully recording/reproducing data using a laser with a wavelength of 300 to 900 nm, and a new quinazoline compound.
波長３００〜９００ｎｍのレーザーで良好な記録および再生が可能な光記録媒体および新規なキナゾリン系化合物を提供する。 - 特許庁 - This repellent of Gastropoda comprises an inorganic oxide colloid solution containing dispersed inorganic oxide fine particles containing a copper component and having ≤500 nm average particle diameter.
銅成分を含有する平均粒子径が５００ｎｍ以下の無機酸化物微粒子が分散した無機酸化物コロイド溶液からなる腹足網類忌避剤。 - 特許庁 - The magnesium silicate sintered compact shows ≥20% transmittance of light at a wavelength of 800 nm in the form of a sheet with thickness of 0.4 mm.
厚さが０．４ｍｍのシートとしたときの、波長８００ｎｍの光の透過率が２０％以上である透光性ケイ酸マグネシウム焼結体。 - 特許庁 - To provide a high efficiency fluorescent material having an excitation band in a wavelength region of light from UV to visible light (300 to 550 nm) emitted from a blue- or UV-emitting part.
青色や紫外に発光する発光部から出る紫外〜可視(300〜550nm)の波長域の光に励起帯を持つ高効率の蛍光体を提供する。 - 特許庁 - This inkjet recording paper is characterized by containing polymer particulates, which exhibit low-temperature thickening properties, and inorganic particulates with an average particle diameter of 3-400 nm.
低温増粘性を示すポリマー微粒子と平均粒径が３〜４００ｎｍの無機微粒子を含有することを特徴とするインクジェット記録用紙。 - 特許庁 - The objective is constituted of an optical element formed of a medium having ≥50% internal transmittance in 10 mm thickness with respect to 300 nm wavelength.
３００ｎｍの波長に対して、厚さ１０ｍｍにおいて５０％以上の内部透過率を有する媒質で形成された光学素子からなる。 - 特許庁 - The laser with a wavelength of ≥400 nm can be obtained at a low cost and the laser with a wavelength of ≥9 μm has high possibility of hollowing the insulating layer greatly.
波長が４００ｎｍ以上のレーザは安価に入手可能であり、９μｍ以上のレーザは絶縁層を大きく抉る可能性が高い。 - 特許庁 - Otherwise the film thickness of the light oxidation film 11b extending on a source or a drain from the end of the gate electrode of MISFETQs is 4 nm or wider.
もしくは、ＭＩＳＦＥＴＱｓのゲート電極の端部からソースもしくはドレイン上に延在するライト酸化膜１１ｂの膜厚を、４ｎｍ以上とする。 - 特許庁 - Or, the surface of the photocatalyst film 2 is reformed and made hydrophobic by forming a protective film 4 having a thickness of ≤20 nm on the photocatalyst film 2.
または、光触媒膜２の上に膜厚２０ｎｍ以下の保護膜４を形成すると、光触媒膜２の表面を改質して疎水性にできる。 - 特許庁 - By radiating an ultraviolet ray having a wavelength of 350-410 nm on this luminescent color conversion member, the ultraviolet ray can be converted into visible light.
この発光色変換部材に３５０〜４１０ｎｍの波長の紫外線を照射することにより、紫外線を可視光に変換することができる。 - 特許庁 - The grease composition G includes a perfluoropolyether oil, a fluororesin and inorganic fine particles having primary particle size of 3-100 nm.
そして、このグリース組成物Ｇは、パーフルオロポリエーテル油と、フッ素樹脂と、一次粒径が３ｎｍ以上１００ｎｍ以下である無機系微粒子と、を含有している。 - 特許庁 - The fluorescent film 24 comprises primary phosphor radiating primary light R1 having a wavelength in the vicinity of about 300 nm when it is irradiated with the UV rays R0.
蛍光膜２４は、この紫外線Ｒ０が照射されると波長が約３００ｎｍ付近の一次光Ｒ１を放射する一次蛍光体からなる。 - 特許庁 - To emit light having an emission spectrum in a short wave length range of 200-250 nm to produce a hydroxy group by efficiently decomposing a hydrogen peroxide.
過酸化水素を効率的に分解して水酸基を発生させる２００〜２５０ｎｍの短波長域の発光スペクトルを有する光を放射させる。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium capable of performing excellent recording and reproducing with a laser having a wavelength of 300 to 900 nm, and a new monomethine complex compound.
波長３００〜９００ｎｍのレーザーで良好な記録および再生が可能な光記録媒体および新規なモノメチン錯化合物を提供する。 - 特許庁 - This invention relates to the short fiber for reinforcing the cement-based structure comprising the high strength polyethylene fiber having ≤9 nm crystal size derived from a monoclinic system.
本発明は、モノクリニック由来の結晶サイズが９ｎｍ以下である高強度ポリエチレン繊維からなるセメント系構造物補強用短繊維に関する。 - 特許庁 - The ultraviolet-ray source is composed at least of one point sources 2-1, 2-2, and 2-3, generates vacuum-ultraviolet rays of 146 nm in wavelength, and projects ultraviolet rays.
紫外線源は、少なくとも一つの点状光源２−１，２−２，２−３よりなり、波長１４６ｎｍの真空紫外光を発生し照射する。 - 特許庁 - The acrylonitrile-based precursor fibers for the carbon fibers have an arithmetic mean roughness Ra of a contour curve in a direction parallel to the fiber axis of 3.0-10.0 nm.
繊維軸に対して平行な方向の輪郭曲線の算術平均粗さＲａが３．０〜１０．０ｎｍである、アクリロニトリル系炭素繊維前駆体繊維。 - 特許庁 - The long fiber for reinforcing the cement based structure is made of the high strength polyethylene fiber having ≤9 nm crystal size originating from monoclinic.
本発明は、モノクリニック由来の結晶サイズが９ｎｍ以下である高強度ポリエチレン繊維からなるセメント系構造物補強用長繊維に関する。 - 特許庁 - The condition C: In the particles containing the silicon atom, their ≥5 and ≤25 mass% are silica having ≥7 and ≤40 nm mean primary particle diameter.
条件Ｃ：ケイ素原子を有する粒子中、その５質量％以上２５質量％以下が平均一次粒径７ｎｍ以上４０ｎｍ以下のシリカである。 - 特許庁 - Thus, the occurrence of connected particles in which metal particulates are connected is prevented, and the metal particulates with a particle diameter of 50 to 150 nm can be produced.
これにより、金属微粒子が連結する連立粒子の発生を防止し、粒径が５０乃至１５０ｎｍの金属微粒子を製造することができる。 - 特許庁 - The gold powder is produced by an atomizing process, and the crystal grain diameter thereof is 100 to 800 nm and the average grain diameter of the powder is 1 to 10 μm.
金粉末は、アトマイズ法によって作製したものであり、その結晶粒径が１００〜８００ｎｍであり、粉末平均粒径が１〜１０μｍである。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium favorably recordable and refreshable with the laser having the wavelength of 300 to 900 nm and an azadiol complex compound.
波長３００〜９００ｎｍのレーザーで良好な記録および再生が可能な光記録媒体および新規なアザジオール錯体化合物を提供する。 - 特許庁 - To provide a wavelength conversion optical element capable of generating ultraviolet light with a wavelength of 235 nm or less by generating a second harmonic with a simple and inexpensive constitution.
簡明かつ低廉な構成で、第２高調波発生により波長２３５ｎｍ以下の紫外光を発生可能な波長変換光学素子を提供する。 - 特許庁 - A wavelength selection filter 15 which cuts light below 580 nm in wavelength is disposed within an optical path of alignment light (for example within an illumination light source 11 for alignment).
アライメント光の光路中に（例えばアライメント用照明光源１１内に）に波長５８０ｎｍ以下の光をカットする波長選択フィルタ１５を設ける。 - 特許庁 - To provide a monomer for a high molecular compound for a resist which is excellent in the transparency against a short-wavelength light source at 160 nm or less, especially a fluorine laser.
160nm以下の短波長光源、特にフッ素レーザー光に対して透明性が優れるレジスト用高分子化合物のための単量体を提供する。 - 特許庁 - To deposit a noble metal selectively on a specified oxide even when a carrier like a mixed oxide is used in which two or more kinds of oxides are dispersed at a nanometer level.
複数種の酸化物がnmレベルで分散した複合酸化物のような担体を用いても、特定の酸化物に選択的に貴金属を担持できるようにする。 - 特許庁 - This wheat growth promoting method comprises irradiating green light of 500-550 nm wavelength to sprouted wheat so as to promote growth of the sprouted wheat and ear up in an early stage.
発芽した小麦の発育を促して早期に発穂するように、前記発芽した小麦に波長５００〜５５０ｎｍの緑色光を照射する。 - 特許庁
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