「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 102 103 104 105 106 107 108 109 110 .... 287 288 次へ＞- To provide a new method for increasing a solid content of polymer latex for the polymer latex especially having ≤100 nm particle size.
ポリマーラテックス、特に粒子サイズが１００ｎｍより小さいラテックスについて、ポリマーラテックスの固体含量を増加させる新しい方法を提供することである。 - 特許庁 - A film thickness of the silicon nitride film is in a range of 27-113 nm, and the light shielding substrate is a white crystallized glass substrate.
前記窒化珪素膜の膜厚は、２７ｎｍ〜１１３ｎｍの範囲内であり、前記遮光基板は、白色結晶化ガラス基板であることを特徴としている。 - 特許庁 - At least in the region within ≤3 μm to the sheet thickness direction from the sheet surface, nitrogen compounds of 10 to 200 nm are made to exist by ≥200 pieces per 100 μm^2.
少なくとも板表面から板厚方向３μm以内の領域において、10nm以上200nm以下の窒素化合物が100μm^2 当たり200個以上存在させる。 - 特許庁 - Preferably, the total amount of the shaft gas blown is ≥100 Nm^3/t, and the cross section of the interior-side end of the blowing pipe is ≥0.01 m^2.
また、シャフトガスの全吹き込み量を１００Ｎｍ^3／ｔ以上とし、吹き込み管の炉内側の先端の断面積を０．０１ｍ^2以上にすることが好ましい。 - 特許庁 - In square wave control of the inverter 22, a switching frequency fs of the inverter is estimated so as to become larger as the number Nm of revolutions of a motor 11 increases.
インバータ２２を矩形波制御する際に、モータ１１の回転数Ｎｍが大きいほど大きくなる傾向にインバータのスイッチング周波数ｆｓを推定する。 - 特許庁 - To provide a photo base-generating agent capable of efficiently generating a base having high catalytic activity by being exposed to a light having a wave length of 200-500 nm.
２００〜５００ｎｍの波長の光を感光して効率よく触媒活性の高い塩基を発生させることができる光塩基発生剤の提供。 - 特許庁 - To provide a pigment with a heat-decomposable property relative to a light in the vicinity of 405 nm and solubility to a solvent and an optical recording medium including the same.
４０５ｎｍ付近の光に対する熱分解特性と、溶剤への溶解性を有する色素及びこれを含有する光記録材料を提供する。 - 特許庁 - The upper surface of the lower electrode 61 and the lower surface of the piezoelectric layer 62 jointed to the upper surface of the lower electrode are treated so that the RMS variation of the height thereof is equal to 50 nm or smaller.
下方電極６１の上面及びこれと接合されている圧電体層６２の下面は、高さのＲＭＳ変動が５０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The thickness of a selection object oxide layer is 30-40 nm, and the temperature when an oscillation threshold current is minimized is ≤60°C.
そして、被選択酸化層の厚さは３０ｎｍから４０ｎｍの範囲内であり、発振の閾値電流が最小となるときの温度は６０℃以下である。 - 特許庁 - In the cationic microfibrilated plant fiber, an average diameter of the fiber, which has been cationically modified with a compound containing a quaternary ammonium group, is 4-200 nm.
四級アンモニウム基を含有する化合物でカチオン変性された繊維径の平均値が４〜２００ｎｍであるカチオン性ミクロフィブリル化植物繊維。 - 特許庁 - To provide an oriented oxide film that is formed on an optional substrate and excellently oriented from the substrate to the thickness direction by a region within 1,750 nm.
任意の基板上に成膜され、基板から厚み方向に１７５０ｎｍ以内の領域で良好に配向した配向酸化物膜を提供する。 - 特許庁 - In the substrate 1, the value of average roughness Ra of one side of a main surface 1a of the substrate 1 is preferably 0.01-3.0 nm.
基板１においては、基板１の一方の主表面１ａの平均粗さＲａの値が０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a method for producing a metal-doped calcium silicate mesoporous powder which achieves the design of the central pore radius within the range of about 5-30 nm.
約５〜３０ｎｍの範囲で中心細孔半径の設計が可能な金属ドープ型珪酸カルシウムメソポーラス粉体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The arithmetic average roughness Ra of the secondary structure surface possesses a region of 50 nm or less in a range of at least 0.25 μm standard length.
二次構造体表面は、その算術平均粗さＲａが、少なくとも0.25μｍの基準長さの範囲において50nm以下である領域を有する。 - 特許庁 - An optical filter 161 which transmits only light of 250 to 2,500 nm in wavelength is disposed between the placing table 120 and the light irradiation part 160.
載置台１２０と光照射部１６０との間には、３５０ｎｍ〜２５００ｎｍの波長の光のみを透過させる光フィルタ１６１が配置されている。 - 特許庁 - An illuminance of the light having a wavelength of 380 nm or shorter on a surface to be treated of the object to be treated is, preferably, 7 mW/cm^2 or higher.
また、前記被処理物の被処理面における波長３８０ｎｍ以下の光の照度は、７ｍＷ／ｃｍ^2 以上であることが好ましい。 - 特許庁 - The adsorption sheet may mix, adsorb, or blot the fluorescent dye in a group of polymeric beads having 10 nm to 100 μm and level them in a sheet shape.
吸着シートは、蛍光色素を１０ｎｍ〜１００μｍ径のポリマービーズ群に混入、吸着、あるいは染み込ませて、シート状に均してもよい。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for removing particles equal to or less than 100 nm in size from the surface including a silicon wafer, a photomask substrate, photomask blanks, etc.
シリコンウエハー、フォトマスク基板、フォトマスクブランクス等を含む表面から１００ｎｍ以下の微粒子を除去する装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - The conductor layer 7 has a thickness of at least 150 nm on the side face of the ridge 12 having a sandglass-like cross section.
また、導電体層７は、リッジ部１２の側面において少なくとも１５０ｎｍの厚みを有し、リッジ部１２は砂時計形の断面形状を有する。 - 特許庁 - To provide a diffusion plate in which the peak-to-valley height or refractive index difference can easily be adjusted to ≤100 nm and made variable and to provide a method for producing the diffusion plate.
凹凸または屈折率差の間隔を簡単に１００ｎｍ以下にできるとともに可変できる拡散板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Notably, in an MIMcap according to the present invention, a k-value of the dielectric layer is 50 to 100, and an EOT of the MIM capacitor is 0.35 to 0.55 nm.
特に、本発明に係るＭＩＭｃａｐにおいて、誘電体層のｋ値は５０〜１００であり、ＭＩＭキャパシタのＥＯＴは０．３５ｎｍ〜０．５５ｎｍである。 - 特許庁 - The crystalline particles B have a crystalline size of 12 nm or less.
１．５≦ｄｍａ／ｄｘａ≦５．０、５０≦ｄｍａ≦２５０（ここで、ｄｍａは結晶性粒子Ａの平均粒子径（ｎｍ）、ｄｘａは結晶性粒子Ａの結晶サイズ（ｎｍ）である。） - 特許庁 - To provide an ultrafine spherical carbon particle which has a diameter of 30-500 nm and specifically exerts chemically, thermally and physically excellent functions.
直径３０〜５００ｎｍの球状とし、化学的、熱的、物理的に優れた機能を特異的に発現する超微細球状炭素粒子を提供する。 - 特許庁 - In a fine granular copper powder, copper particles having both of a short diameter and a long diameter of less than 100 nm and applied an oxidizing-resistant treatment on the surface are individually dispersed.
短径と長径がいずれも１００ｎｍ未満で，表面に耐酸化性処理が施された銅の粒子が個々に分散している微粒子銅粉である。 - 特許庁 - It is more preferably that the region in the length 500 μm satisfying the above conditions being ≥90% linear density in the length 50 nm in the LT direction.
上記条件を満たす長さ５００μｍの領域が、ＬＴ方向の長さ５０ｍｍのうちに線密度９０％以上であるとより好ましい。 - 特許庁 - A pin structure comprised of the InGaAsN layer has a bandgap of 1.0 eV to 1.05 eV, and the depletion region width is at least 500 nm.
ＩｎＧａＡｓＮの層からなるｐｉｎ構造は１．０ｅＶと１．０５ｅＶとの間のバンドギャップを有し、空乏領域幅が少なくとも５００ｎｍである。 - 特許庁 - A silicon oxide film with a thickness of 1 nm or less that becomes the base layer of the lamination gate insulation film is formed on the wafer to measure thickness by the light modulation reflection spectral method.
ウエハ上に積層ゲート絶縁膜のベース層となる１ｎｍ以下のシリコン酸化膜を形成し、光変調反射分光法で厚みを測定する。 - 特許庁 - The disclosed process fills up the gap of <300 nm between metallic functions with a high aspect ratio conductive function (≥3).
開示の工程は３００ｎｍ未満の金属機能間の空間を高アスペクト比導電性機能（３以上）の大幅に改良されたギャップフィルをもたらすものである。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which off leak current can be suppressed sufficiently even if a length of a gate is 100 nm or less, and to provide a method for manufacturing it.
ゲート長が１００ｎｍ以下であってもオフリーク電流を十分に抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this inkjet recording method, irradiation energy is in the range of 2-200 mJ/cm^2 when the light wavelength of the active beam on the recording medium is in the range of 150-270 nm.
記録媒体上の活性光線の光波長１５０〜２７０ｎｍにおける照射エネルギーが２〜２００ｍＪ／ｃｍ^2であるインクジェット記録方法。 - 特許庁 - To provide a surface emitting laser element of a long wavelength band having a wavelength of 1,260 nm or more, which is excellent in temperature characteristic and is designed with the optimum detuning amount.
温度特性に優れた最適なディチューニング量で設計された、波長１２６０ｎｍ以上の長波長帯の面発光レーザ素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for synthesizing copper nanoparticles with size of a few of 10 nm in mass having a narrow particle size distribution and an excellent dispersibility.
狭い粒度分布を有し、分散性に優れた数十ナノメートルの大きさの銅ナノ粒子を大量に合成できる銅ナノ粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To further suppress degradation of the heat-insulating member, the wavelength permissivity of the ultraviolet ray shielding member, at 350 nm or below, should be 1% or below.
ここで断熱部材の劣化を一層効果的に抑えるには、紫外線遮断部材の３５０ｎｍ以下の波長透過率を１％以下とするのが好ましい。 - 特許庁 - To provide a metal magnetic particle powder having high coercive force, while being fine particle, particularly, the average long axis diameter of microparticle being 5-60 nm.
本発明は、微細な粒子、殊に、平均長軸径が５〜６０ｎｍの微粒子でありながら、高い保磁力を有する金属磁性粒子粉末を提供する。 - 特許庁 - The heat resistant glass of the pale brown or purple and the glass of the colors exclusive thereof are classified by light having a wavelength of 630 to 700 nm.
６３０ｎｍ〜７００ｎｍの波長を有する光によって、薄茶色或いは紫色の耐熱ガラスとそれ以外の色のガラスとを分別する。 - 特許庁 - (4) The average reflectance to a light having wavelength of 400-700 nm of at least on one side surface is 95.0% or higher and the total light transmittance is 5.0% or lower.
（４）少なくとも片側表面の波長４００〜７００ｎｍの平均反射率が９５.０％以上、全光線透過率が５.０％以下である。 - 特許庁 - The antifoaming agent comprises a metal oxide having an average particle diameter of 1-1,000 nm; and the lubricating oil composition is formed by containing the metal oxide.
平均粒径が１〜１０００ｎｍの金属酸化物を含有する消泡剤及び該金属酸化物を含有させてなる潤滑油組成物を提供する。 - 特許庁 - The electroconductive particulates are made of carbon having a particle size of 10 nm substantially, while the insulating film is made of an organic substance such as high polymer resin.
上記導電性微粒子として、粒径が略１０ｎｍのカーボンを採用し、上記絶縁膜としては、高分子樹脂のような有機物を採用している。 - 特許庁 - To provide an easy production method of mesoporous silica particles having mesopores of less than 1.4 nm, and to provide composite mesoporous silica particles retaining a fragrant material.
１．４ｎｍ未満のメソ細孔を有するメソポーラスシリカ粒子の簡便な製造方法、及び香料を保持した複合メソポーラスシリカ粒子を提供する。 - 特許庁 - The epoxy resin composition comprises an epoxy resin (A), barium sulfate particles (B) having an average particle diameter of not more than 100 nm, and dicyandiamide (C).
本発明は、エポキシ樹脂（Ａ）、平均粒子径が１００ｎｍ以下の硫酸バリウム粒子（Ｂ）およびジシアンジアミド（Ｃ）からなるエポキシ樹脂組成物である。 - 特許庁 - The rubber composition for the sidewall includes a rubber component containing isoprene-based rubber, zinc oxide having an average primary particle diameter of ≤200 nm, and carbon black.
イソプレン系ゴムを含むゴム成分と、平均一次粒子径が２００ｎｍ以下の酸化亜鉛と、カーボンブラックとを含むサイドウォール用ゴム組成物に関する。 - 特許庁 - The average particle size of the p-type organic semiconductor nanoparticle 1 and that of the n-type organic semiconductor nanoparticle 2 are each preferably 10-100 nm.
ｐ型有機半導体ナノ粒子１、及びｎ型有機半導体ナノ粒子２の平均粒子径は、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下とすることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a method for production of nickel nanoparticles which can suitably obtain nickel nanoparticles with a particle diameter of ≤50 nm by a simple process using liquid phase reaction.
液相反応による簡易な方法で５０ｎｍ以下の粒径のニッケルナノ粒子を好適に得ることができるニッケルナノ粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - There is also provided control of photophysical properties of dye molecules encapsulated within silica particles with sizes equal to or less than 30 nm.
本発明は概して、３０ｎｍまで又はそれ以下の大きさのシリカ粒子内に包埋された色素分子の光物理的特性の制御を提供する。 - 特許庁 - To provide a diazonium salt having excellent optical fixability by a light source with a wavelength longer than 400 nm; and to provide a recording material hardly causing discoloration of the surface of the ground.
４００ｎｍより長波長の光源での光定着性に優れたジアゾニウム塩、および、地肌着色の少ない記録材料を提供すること。 - 特許庁 - The average pit size opening can range, for example, from 40 nm to about 10 μm, and can include a plurality of average pit sizes in some cases.
平均くぼみ開口寸法は、例えば４０ｎｍ〜約１０μｍに及ぶことがあり、場合によっては複数の平均くぼみ寸法を含むことができる。 - 特許庁 - In forming the anti-ferromagnetic layer 6 of Ir/Mn alloy, the second magnetic layer 5 is formed at a film formation rate which is 0.078 nm/s or less.
反強磁性層６をＩｒ−Ｍｎ合金によって形成する場合には、第２の磁性層５を０．０７８ｎｍ／ｓ以下の成膜レートで形成する。 - 特許庁 - In this masking tape, an adhesive layer is formed on one side of a base material layer having ≤10% light transmittance of 300-380 nm wave length.
波長３００〜３８０ｎｍの光線透過率が１０％以下である基材層の片面に粘着剤層が形成されてなることを特徴とするマスキングテープ。 - 特許庁 - The surface roughness of the main surface of the substrate 51 on the side formed with the antireflection film 52 is specified to over 0 to ≤1.5 nm in center line average height (Ra).
反射防止膜５２が形成される側の基板５１の主表面の表面粗さは、中心線平均粗さ（Ra）で、０ｎｍ超１．５ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - The resist composition for EUV shows a sensitivity E0_KrF for KrF light at 248 nm wavelength higher than a sensitivity E0_EUV for EUV light.
２４８ｎｍのＫｒＦ光での感度Ｅ０_ＫｒＦが、ＥＵＶ光での感度Ｅ０_ＥＵＶより大きいことを特徴とするＥＵＶ用レジスト組成物。 - 特許庁
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