「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 100 101 102 103 104 105 106 107 108 .... 287 288 次へ＞- The optical polyester film has a degree of transparency of ≥83.5%, and a surface roughness (Ra) of one surface thereof of ≥9.0 nm.
透明度が８３．５％以上であり、一方のフィルム表面の粗さ（Ｒａ）が９．０ｎｍ以上であることを特徴とする光学用ポリエステルフィルム。 - 特許庁 - If, on the other hand, Np is greater than Nm, -1 is added to the reference value levels E4+i, E4-i to shift the reference value levels E4+i, E4-i by 1 to a minus side.
一方、ＮｐがＮｍよりも大きい場合には、参照値レベルＥ4+i、Ｅ4-iに−１を加算し、参照値レベルＥ4+i、Ｅ4-iをマイナス側に１だけシフトさせる。 - 特許庁 - The catalyst of the cobweb-like structure is composed of a branched thread-like composition and a vacancy and the hole diameter of the vacancy is 30 to 600 nm.
前記くもの巣状構造の触媒は分岐した糸状組織と空孔から構成されており、前記空孔の孔径が３０ｎｍから６００ｎｍである。 - 特許庁 - Furthermore, only the uppermost surface of the resin substrate hydrolyzed by UV light with a wavelength of 200 nm or below is hydrolyzed and the substrate resin is not almost deteriorated.
さらに、２００ｎｍ以下のＵＶ光により加水分解した樹脂基板は最表面のみ加水分解されており、基板樹脂の劣化はほとんどない。 - 特許庁 - The active layer 15 has a multiple quantum well structure comprising a plurality of pairs of well layers and barrier layers, with film thickness of each well layer being 4-20 nm.
活性層１５は、複数対の井戸層と障壁層を有する多重量子井戸構造からなり、各井戸層の膜厚は4nm以上20nm以下である。 - 特許庁 - The light-transmitting cover material 3 is made of a material having a light transmission ratio of about ≤1% to light in an area having a wavelength of about 500-600 nm.
光透過性被覆材３は、略５００〜６００ｎｍの波長領域の光に対する透過率が略１％以下の材料が用いられる。 - 特許庁 - A depth of each opening 28A, i.e. a thickness of the resin block layer 28 is larger than a thickness (for example, tens of nm) of the n-type contact layer 27.
各開口２８Ａの深さ、すなわち、樹脂ブロック層２８の厚さは、ｎ型コンタクト層２７の厚さ（例えば、数十ｎｍ）よりも厚くなっている。 - 特許庁 - To provide a light emitting element including a semiconductor light source which emits radiation at about 250-500 nm and a phosphor composition radioactively coupled to the semiconductor light source.
約２５０から５００ｎｍの放射線を発する半導体光源と放射的に結合される蛍光体組成物を備えた発光素子の提供。 - 特許庁 - A film thickness t_2 of the metal layer 1051 is 40-200 [nm], and a surface part thereof serves as a reflection part having a predetermined reflection factor.
この内、金属層１０５１の膜厚ｔ_２は、４０[ｎｍ]以上２００[ｎｍ]以下であり、その表面部が所定の反射率を有する反射部となっている。 - 特許庁 - The thin layer contains a pyridobisimidazole fiber with root mean square roughness of the fiber surface of 30 nm or less and a resin.
本発明の薄層シートは、繊維表面の二乗平均粗さが３０ｎｍ以下であるピリドビスイミダゾール繊維と、樹脂とを含有することを特徴とする。 - 特許庁 - The cellulose ester film has a planar orientation degree S represented by following formula (I) of 0.0004 or less, and has the retardation Rt in the direction of film thickness of less than 10 nm.
下記式（Ｉ）で表される面配向度Ｓが０．０００４以下であり、且つ、膜厚方向のリタデーションＲｔが１０ｎｍ未満であるセルロースエステルフィルム。 - 特許庁 - The stripping liquid is a hydrocarbon-based solvent of which the viscosity is 1.3 mPa s or less and the dissolving speed with respect to the adhesive is 30 nm/sec or more.
剥離液は、粘度が１．３ｍＰａ・ｓ以下であり、かつ接着剤に対する溶解速度が３０ｎｍ／ｓｅｃ以上である炭化水素系溶剤である。 - 特許庁 - To provide a GaN-based III-V compound semiconductor light emitting device having high efficiency of light emission and high reliability at a light-emitting wavelength of ≥440 nm.
４４０ｎｍ以上の発光波長で、高発光効率かつ高信頼性のＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a heterocyclic-substituted aromatic compound detecting or trapping a target molecule sized ≤1 nm in a liquid sample within a short time with high sensitivity.
液体試料中の分子サイズ１ｎｍ以下の標的分子を、短時間に感度良く検出、捕捉できる複素環置換芳香族化合物を提供。 - 特許庁 - To form an extremely thin insulating film of a sub-nanometer to several nanometers (nm) in thickness on a silicon surface, and to actualize a low-voltage operating MOS device using the same.
シリコン表面に厚さがサブナノから数ナノメートル（ｎｍ）レベルの極薄の絶縁膜を形成し、これを利用して、低電圧動作ＭＯＳデバイスを実現する。 - 特許庁 - It is preferable that in the negative electrode material, the thickness of the natural polysaccharide or its derivative to cover the surface of the graphite be 1-20 nm.
前記負極材料において、黒鉛の表面を被覆する天然多糖類またはその誘導体の厚みは、１〜２０ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - The ethylene polymer pellet has a kneading torque at 160°C of 2-15 Nm and a specific surface area of 1,800-3,000 mm^2/g.
１６０℃における混練トルクが２〜１５Ｎｍであるエチレン系重合体のペレットであって、比表面積が１８００〜３０００ｍｍ^２／ｇであるペレット。 - 特許庁 - To provide a light emitting device that facilitates manufacture and emits light in larger brightness especially in a short wavelength region of ultraviolet-blue (about 250-500 nm).
容易に製造することができ、特に紫外〜青色（２５０〜５００ｎｍ程度）の短波長領域でより大きい輝度で発光する発光素子を提供する。 - 特許庁 - The colored coating material layer 3 has ≤0.7% ultraviolet light transmittance in 300 nm wave length when the thickness is ≤7 μm.
着色塗料層３が、その厚みが７μｍである場合に波長３００ｎｍの紫外線透過率が０．７％以下となる紫外線透過能を有する。 - 特許庁 - There is provided the variant luciferase obtained by mutating wild type luciferase, emitting red light having wavelengths of ≥620 nm, and having a larger emission intensity than the wild type luciferase.
野生型ルシフェラーゼに変異を入れることにより、620nm以上の赤色発光を生み出す野生型より発光強度が増強された変異型ルシフェラーゼ。 - 特許庁 - The long size sheet 12 is composed of a resin composition containing a thermoplastic resin and a colored component and shields the light with wavelength of 650 nm or less.
長尺状のシート１２は、熱可塑性樹脂及び着色成分を含む樹脂組成物からなり、波長６５０ｎｍ以下の光を遮断できるものである。 - 特許庁 - The dental material comprises a hardenable resin, a non-heavy metal oxide particle and a heavy metal oxide which have an average diameter less than approximately 300 nm.
硬化性樹脂、約３００ｎｍより小さい平均直径を有する非重金属酸化物粒子及び重金属酸化物を含む歯科材料。 - 特許庁 - The solder resist composition comprises: a photopolymer; the white pigment; a photoinitiator which is activated by light of 400 nm or more wavelength; and a fluorescence dye.
ソルダーレジスト組成物は、感光性樹脂、白色顔料、波長４００ｎｍ以上の光で活性化する光重合開始剤、及び蛍光染料を含有する。 - 特許庁 - The polycrystalline semiconductor film includes a texture structure self-organizedly formed on a surface of the polycrystalline semiconductor film, and the root-mean square roughness of the surface is ≥4 nm.
多結晶半導体膜の表面に自己組織化的に形成されたテクスチャ構造を有し、その表面の二乗平均粗さが４ｎｍ以上である。 - 特許庁 - To provide a photocatalyst material having a bandgap between 750-1,008 nm (1.23-1.65 V) and stable in water under light irradiation.
７５０ｎｍ〜１００８ｎｍ（１．２３〜１．６５Ｖ）の間にバンドギャップを有し、かつ光照射下の水中で安定である光触媒材料を提供する。 - 特許庁 - The green LED chip 1 has a GaN-based compound semiconductor as a light-emitting layer, and its dominant wavelength is, for example, 510 to 535 nm.
緑色ＬＥＤチップ１は、ＧａＮ系化合物半導体を発光層として有し、例えば、ドミナント波長が５１０ｎｍ〜５３５ｎｍの範囲である。 - 特許庁 - Preferably, the laminated film is constituted so that an average transmittance of the wavelength band 400-1,000 nm thereof is ≥10 and ≤70%.
好ましくは、前記積層フィルムの波長帯域４００ｎｍ〜１０００ｎｍの平均の透過率が１０％以上７０％以下となるように構成する。 - 特許庁 - (2) The substrate with a transparent electrode described in (1) has the structure formed of the same material as that of the transparent substrate and having a height of 100 to 800 nm.
（２）前記構造体が透明基板と同じ材質で形成されており、その高さが１００〜８００ｎｍである（１）に記載の透明電極付き基板。 - 特許庁 - These beams enter a fourth nonlinear optical crystal 11, where the beams are subjected to wavelength conversion by sum frequency generation to generate a light beam at a wavelength of 198.5 nm.
これらの光は第４の非線形光学結晶１１に入射し、和周波発生により波長変換されて、波長１９８．５ｎｍの光になる。 - 特許庁 - To provide a (meth)acrylic cured product exhibiting excellent transparency in the ultraviolet range of 450 nm or less and excellent light resistance to ultraviolet rays and blue light.
４５０ｎｍ以下の紫外線領域においても優れた透明性を示し且つ紫外線や青色光に対する耐光性に優れた（メタ）アクリル系硬化物。 - 特許庁 - M has an absorption of an exciting energy near 350 to 500 nm, for example, adding element selected from the group consisting of rare earth element of Ce, Yb, Tm, etc.
但し、上記式中のa、b、cは0≦a＜1.0、O<b≦0.1、0≦c≦0.1であり、Ｍは350〜500nm付近に励起エネルギの吸収を持つ、例えばCe、Yb、Tm等の希土類元素から選ばれる添加元素である。 - 特許庁 - Recording information is reproduced by domain wall migration by using an optical system whose light beam for reproduction has a beam waist diameter 2W0 of <900 nm.
再生用光ビームのビームウェスト径２Ｗ_O が、２Ｗ_O ＜９００ｎｍを満たす光学系を用いて磁壁移動による記録情報の再生を行う。 - 特許庁 - To provide a new nano-structural material that has pores of regular, several tens nm size and also exhibits high thermal stability, and to provide its preparation method.
数十ｎｍサイズの規則正しい細孔を持ち、さらに熱的にも安定性が高い新規なナノ構造材料およびその作製方法を提供する - 特許庁 - In the rare earth permanent magnet, HfC particles having an average particle diameter of 5 to 100 nm are dispersed in an amount of 0.2 to 3.0 atom% into an R-Fe-B-based alloy (R: rare earth elements).
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系合金（Ｒ：希土類元素）中に、平均粒径が５〜１００ｎｍのＨｆＣ粒子を０．２〜３．０atom％分散させた。 - 特許庁 - To provide a method for producing a dispersion of titanium oxide particles, by which a dispersion in which titanium oxide is dispersed in the form of particles having an average particle diameter of ≤20 nm is produced in a short period of time.
酸化チタンが平均粒子径２０ｎｍ以下で分散されている分散液を、短時間で製造することができる方法を提供する。 - 特許庁 - The luminescent fine particles 21 are formed to set the average particle diameter in the normal direction smaller than 1/4 of a value obtained by dividing 800 nm by the refractive index of the phosphor.
発光微粒子２１は、法線方向平均粒径が８００ｎｍを蛍光体の屈折率で割った値の１／４未満となるように形成されている。 - 特許庁 - The inkjet recording ink essentially consists of a colorant, heat-conductive microparticles (with a mean particle diameter of 100 nm or smaller) dispersed in an aqueous medium, and a water-soluble or -dispersible resin.
少なくとも着色剤、水性液媒体中に分散してなる熱伝導性微粒子（平均粒子径１００ｎｍ以下）及び水性樹脂を含有する。 - 特許庁 - To obtain a glass substrate having a touchdown height equal to or less than 6 nm while having a predetermined relation and range of surface roughness and minute undulation.
基板表面における表面粗さ、微小うねりを所定の範囲・関係にすることによって、タッチダウンハイトが６ｎｍ以下のガラス基板を得る。 - 特許庁 - An ultraviolet emission type phosphor having a peak of conversion efficiency in 300-340 nm is applied to the inside surface of the arc tube 11.
そして、発光管１１の内側の表面には、３００ｎｍ〜３４０ｎｍの間に変換効率のピークを持つ紫外線発光型蛍光体を塗布する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a mold which can form the oxidation films with few depth unevenness of a pore, even if the gap of the pore is ≥180 nm.
細孔の間隔が１８０ｎｍ以上のものであっても、細孔の深さムラが少ない酸化皮膜を形成できるモールドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The use of the raw material powder with an average particle size of ≤30 nm enables easy deformation of the molded product, lowers the deformation temperature and yields a good micromachinability.
原料粉末を平均粒径を３０ｎｍ以下とすることにより、成形体が変形しやすくなり、変形温度が低下して、微細加工性が良くなる。 - 特許庁 - This refrigerator includes a storage chamber, a light source for irradiating the light of 315-380 nm to the storage chamber, and an oxygen enriching device.
貯蔵室と、貯蔵室に３１５ｎｍ〜３８０ｎｍの光を照射する光源と、前記貯蔵室に酸素を供給する酸素富化装置とを備える。 - 特許庁 - The total amount of shape error amplitude of 7 crest and 9 crest on raceway surfaces 1a, 2a of the inner ring 1 and the outer ring 2 is managed to be not more than 10 nm.
内輪１及び外輪２の軌道面１ａ、２ａにおける各７山及び９山の形状誤差振幅の合計が１０nm以下となるように管理する。 - 特許庁 - After laminating a second silicon substrate 31b to form a space 34, the substrate 31a is peeled leaving a thickness of 80 nm, to be an SOI layer 37.
第２のシリコン基板３１bを貼り合せて空間３４を形成した後、第１のシリコン基板３１aを厚さ８０nmを残して剥離してＳＯＩ層３７とする。 - 特許庁 - To provide a method of simulating a chemical amplification type resist, which fully improves the accuracy thereof to be effective in the practical use, even for patterns having line widths of 100 nm or less.
化学増幅型レジストのシミュレーションにおいて、その精度を向上させ、100nm以下の線幅のパターンにおいても実用に耐えるものを提供する。 - 特許庁 - The particles in the dispersion to be coated and dried on the supporting body are preferable to contain 70% or more of all numbers of particles within the range of ±50 nm of mean particle sizes.
支持体に塗布・乾燥する分散液中の微粒子が平均粒径±５０ｎｍの範囲に全微粒子数の７０％以上を含むことが好ましい。 - 特許庁 - Then the island structure 124 is used as a mask as shown in (b) to etch the BOE 121 with an etching liquid to 55 nm depth to form a grooved fine structure 125.
続いて、(b)に示すように島構造１２４をマスクとし、ＢＯＥ１２１をエッチング液により深さ５５ｎｍエッチングし、錐状の微細構造１２５を形成する。 - 特許庁 - The average grain size of the primary particle of the titanium oxide of 1 to 50 nm and the approximately spherical shape of ≥0.75 in the ratio of the major axis and minor axis of the powder are preferable.
酸化チタン一次粒子の平均粒径が１〜５０ｎｍ、粉体の長径と短径との比が０．７５以上の概略球形であることが好適である。 - 特許庁 - Superoxide anion decomposing agent composed of platinum fine powder having a particle size of 6 nm or less as observed under a microscope which is prepared under a metal salt reduction method.
金属塩還元反応法により調製され、顕微鏡下で観察した場合に粒径が6nm以下の白金の微粉末からなるスーパーオキサイドアニオン分解剤。 - 特許庁 - Such a phthalocyanine dye has a high absorption coefficient of the maximum absorption wavelength of 680 to 750 nm and of a near infrared laser.
このようなフタロシアニン染料は６８０−７５０ｎｍの最大吸収波長と近赤外線レーザーに対する高い吸収係数を有している。 - 特許庁
