「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 96 97 98 99 100 101 102 103 104 .... 287 288 次へ＞- The treating liquid has a pH ranging from 4 to 9, and exhibits a polishing rate both of an insulating film and a conductive film at a rate of 10 nm/min or less.
ｐＨが４以上９以下であり、絶縁膜および導電膜の研磨速度が１０ｎｍ／ｍｉｎ以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a defect observation method which enables a user to make observation with simple work in a high-magnification observation mode as fine as about 100 nm.
１００ｎｍ程度の微細な欠陥を高倍率観察モードにおいて簡単な作業で観察できる欠陥観察方法を提供する。 - 特許庁 - A BET value of the covered fluorescent material is 1.0 to 10 times the BET value which is measured before the fluorescent material is covered, and an average thickness of the cover is 10 to 500 nm.
被覆された蛍光体のＢＥＴ値は被覆前の１．０〜１０倍であり、被覆の平均厚さは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。 - 特許庁 - A protection film, for example, made of unillustrated Au or the like with a thickness of about 30-50 nm is formed on the Ni layer 4 by the sputtering.
さらに、Ｎｉ層４上にスパッタリングによって例えば厚さ３０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の図示しないＡｕなどからなる保護膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a molecular fluorine (F2) laser, which effectively selects one of emission lines which emit light rays of a wavelength of 157 nm or so and an F2 laser, which is equipped with a means that makes a selected emission line narrow in band width.
１５７ｎｍ（波長）の近傍の複数のエミッションラインの１つを効率的に選択する分子フッ素（Ｆ_2 ）レーザを提供する。 - 特許庁 - The centerline mean roughness Ra measured in the range of a length of 50 to 200 μm on the uppermost surface of the above epitaxial layer is 3 nm or lower.
エピタキシャル層の最表面で、長さ５０〜２００μｍの範囲において測定した中心線平均粗さＲａが３ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The dispersion value 2 to 8 (ps/nm/km) controls an FMW and can also control the cumulative dispersion and therefore, there is no need for a dispersion compensator.
分散値２〜８（ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ）はＦＷＭを制御し、又累積分散も制御できるので、分散補償器を必要としない。 - 特許庁 - A distribution type compensator 11 has in-plane retardation of 18±5 nm in a rectangular effective area comprising long sides and short sides.
分布型補償器１１は、長辺と短辺からなる矩形形状の有効領域において、面内のリターデーションが１８ｎｍ±５ｎｍである。 - 特許庁 - Here, it is desirable that the excited light has the wavelength of about 1,400±50 nm for efficiently exciting both optical fibers TDF 31 and EDF 32.
なお、励起光は、ＴＤＦ３１とＥＤＦ３２の両方を効率よく励起するために１４００±５０ｎｍ程度であることが望ましい。 - 特許庁 - To provide a light emitting device with high light emitting intensity by combining a stimulation source which emits the light of 350 to 415 nm and a phosphor.
３５０−４１５ｎｍの光を発生する励起源と蛍光体を組み合わせ、かつ、高い発光強度を有する発光装置を提供する。 - 特許庁 - The polishing solution contains an oxidant, a metal oxide dissolving agent, a metal anticorrosive agent, and water, and has an etching rate of 1.0 nm/minute or below at a temperature of 25°C.
酸化剤、酸化金属溶解剤、金属防食剤及び水を含有し、エッチング速度が２５℃で１．０ｎｍ／分以下である研磨液。 - 特許庁 - In addition, if the target preheat temperature is ≥800°C, the oxygen blowing velocity of the oxidizing gas to be blown into the converter is set to be ≥20 Nm^3/minute.
更に、予熱目標温度が８００℃以上の場合には、転炉内に吹き込む酸化性ガスの酸素吹込速度を２０Nm^3／分以上とする。 - 特許庁 - It is preferable to have ≤50% mean value of spectroscopic transmittance of visible light in 380-800 nm wave length region in the fabric.
この織物の波長領域３８０〜８００ｎｍにおける可視光線の分光透過率平均値は５０％以下であることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a phase change optical recording medium which can obtain a favorable characteristic for optical recording, reproduction and rewriting with a light beam near a wavelength of 400 nm.
波長４００ｎｍ付近の光で良好な光記録、再生、書換特性が得られる相変化型光記録媒体を提供する。 - 特許庁 - This cell culture substrate has an average surface roughness of 10 to 30 nm, and comprises a substrate and an approximately bar-like structure on the surface of the substrate.
細胞培養基板表面の平均粗さが１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、基板表面に略棒状の構造体を有する。 - 特許庁 - The fiber has also a wave-length dispersion gradient less than 0.03 ps/nm2.km in its absolute value within 1530-1580 nm of wave-length range.
ファイバはさらに、１５３０〜１５８０ｎｍの波長範囲で絶対値が０．０３ｐｓ／ｎｍ^２・ｋｍ未満の波長分散勾配を有する。 - 特許庁 - The adsorbent for blood cell removal is formed by a hydrophobic high-molecular resin and has a surface center line average roughness (Ra) of 5 to 100 nm.
血球除去用吸着体を、疎水性高分子樹脂で形成し、表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を５〜１００ｎｍにする。 - 特許庁 - The thickness of the interposing layer is preferably 10-50 nm, and the chemical component system of the interposing layer is desirably the same as the oxide layer.
特に該介在層の厚みが、１０ないし５０ｎｍのもの、さらに該介在層の化学成分系が酸化物層と同じものが望ましい。 - 特許庁 - A second carbon black has a mean primary grain size of 30 nm, a specific surface of 800 m^2/g, and a DBP absorption of 360 ml/100 g.
第二カーボンブラックは、平均一次粒径３０ｎｍ、比表面積８００ｍ^2 ／ｇ、ＤＢＰ吸収量３６０ｍｌ／１００ｇである。 - 特許庁 - The surface roughness Ra of the first main surface of the GaN substrate is set at 20 nm or smaller and that of the second main surface set to 20 μm or smaller.
ＧａＮ基板の第１の主面の表面粗さＲａを２０ｎｍ以下、第２の主面の表面粗さＲａを２０μｍ以下とする。 - 特許庁 - The second carbon black has an average primary grain size of 30 nm, a specific surface of 800 m^2/g, and a DBP absorbing amount of 360 ml/100g.
第二カーボンブラックは、平均一次粒径３０ｎｍ、比表面積８００ｍ^2 ／ｇ、ＤＢＰ吸収量３６０ｍｌ／１００ｇである。 - 特許庁 - Thus, the material enhances solely a wave range of the blue color (about 420-500 nm) by which the Thysanoptera, Parnara guttata, etc., are strongly attracted.
これにより、アザミウマ類やイチモンジセセリ等が強く誘引される青色（４２０ｎｍ〜５００ｎｍ付近）の波長のみを増加させることができる。 - 特許庁 - The 1 mm and larger material is used to grow the metal fluoride single crystal having improved transmission properties in a range of 120-220 nm.
１ｍｍ以上の材料を用いて、１２０〜２２０ｎｍの範囲の透過特性が改善された金属フッ化物単結晶を成長させる。 - 特許庁 - To provide a method of forming a wiring pattern with very fine wire width of 100 nm or less on various kind of printed boards by an ink jet printing process.
インクジェット印刷工程により、各種プリント基板上に１００ｎｍ以下の微細線幅の配線パターンを形成する方法を提供する。 - 特許庁 - A prescribed period for which the velocity increases from Ni to Nm is divided into n periods, and the loss of torque of the engine is measured at each divided period and stored.
速度ＮｉからＮｍにまで加速する所定時間をｎ分割し、各分割毎のエンジンのトルク損失分を測定記憶しておく。 - 特許庁 - Mirror surface grinding is applied to the molding surface 2 being the substrate of the mold 1 for molding the optical element using grindstone particles with a mean particle 6 size of 10-150 nm.
光学素子を成形する金型１の素地の成形面２を平均粒径１０〜１５０ｎｍの砥粒６を用いて鏡面研磨する。 - 特許庁 - If the width of the high impurity concentration is not wider than 30 nm, a perfect depletion type operation can be performed and, further, the decline of a threshold voltage can be suppressed.
高濃度領域６の幅が３０ｎｍ以下であれば、完全空乏型の動作が実現し、且つ、閾値電圧の低下が抑制される。 - 特許庁 - The glass composition contains Tb_2O_3, Ce_2O_3 and B_2O_3, and in the glass composition, the peak wavelength of emission light of Ce^3+ originating in Ce_2O_3 is ≤390 nm by the incorporation of the B_2O_3.
Tb_2O_3、Ce_2O_3およびB_2O_3を含有し、当該B_2O_3を含有することにより前記Ce_2O_3に由来するCe^3+の発光ピーク波長が390nm以下であるガラス組成物とする。 - 特許庁 - In this fiber, the deodorizing and antimicrobial particles are such that a deodorizing and antimicrobial agent is carried on metal oxide particles, wherein the metal oxide particles are 10-500 nm in average size, consisting mainly of a titanium oxide.
前記金属酸化物粒子は平均粒子径が１０〜５００ｎｍの範囲にある、酸化チタンを主成分とする粒子である。 - 特許庁 - The thin film has a small center-line average height of surface roughness, preferably 5 nm or less.
本発明の半導体素子には、表面の中心線平均粗さが小さく、好ましくは５ｎｍ以下であるシリコン多結晶薄膜が用いられる。 - 特許庁 - The fog-resistant coating material is obtained by formulating a phosphoric acid compound binder and oxide particles having 1-300 nm average particle diameter.
リン酸化合物バインダーおよび平均粒径が１〜３００ｎｍの酸化物粒子を配合してなることを特徴とする防曇性コーティング材料。 - 特許庁 - The absolute value of the wavelength dependency of the optical absorption rate of the second fluorescent body 52 at the first wavelength is regulated to be equal to or lower than 0.6%/nm.
第２蛍光体５２の、第１波長における光吸収率の波長依存性の絶対値が、０．６％／ｎｍ以下になるようにする。 - 特許庁 - As the photocatalyst, titanium dioxide, the average primary particle diameter of which is not more than 100 nm and which has an anatase-type crystal structure, is especially preferable.
光触媒としては、平均一次粒子径が１００ｎｍ以下で、アナターゼ型の結晶構造を有する二酸化チタンが特に好ましい。 - 特許庁 - Damage having a large aspect ratio is formed on a surface of silicon carbide by being irradiated with a non-polarization laser beam having a wavelength ≥500 nm.
無偏光でかつ波長５００ｎｍ以上のレーザ光を照射して、シリコンカーバイドの表面にアスペクト比の大きい損傷を形成する。 - 特許庁 - The fine particles preferably have particle size shorter than the wavelength of the visible light and the average diameter of the primary particles is 4-500 nm.
超微粒子は可視光線の波長より小さい粒径を有し、１次粒子の平均粒径が４〜５００ｎｍの範囲にあることが好ましい。 - 特許庁 - To transfer a designated pattern well even when an exposure light over the wavelength of 200 nm is used in an exposure process using a resist mask.
レジストマスクを用いた露光処理において波長２００ｎｍを越える露光光を用いる場合でも、所定のパターンを良好に転写する。 - 特許庁 - The amount of steam charged into a gasification furnace is controlled so that the concentration of soot particles contained in a gasification gas is 1.5 g/Nm^3 or higher.
ガス化ガスに含まれるすす粒子濃度が１．５ｇ／Ｎｍ^３ 以上になるように、ガス化炉に投入する水蒸気量を調節する。 - 特許庁 - In a lithography projection system, for example, for ultraviolet light of wavelength of 13 nm is generated by an undulater 10 of an electron storage ring.
リソグラフ投影装置において、例えば波長１３ｎｍの超紫外放射光が電子貯蔵リングのアンジュレータ１０によって発生される。 - 特許庁 - Metal constituting the metal nano particle A is silver single body, and an average particle size of the metal nano particle A may be 1-10 nm.
前記金属ナノ粒子（Ａ）を構成する金属は銀単体であり、金属ナノ粒子（Ａ）の平均粒子径は１〜１０ｎｍであってもよい。 - 特許庁 - The compound semiconductor substrate has the surface roughness Rms of 0.2 nm or less measured by the method for inspecting the compound semiconductor substrate.
化合物半導体基板は、上記化合物半導体基板の検査方法により測定される表面粗さＲｍｓが０．２ｎｍ以下である。 - 特許庁 - Next, plasma oxidation is carried out (step S18) and many protrusions of about 5 nm in height are selectively formed only in the substrate region of the air bearing surface.
次に、プラズマ酸化を行い（ステップＳ１８）、エアベアリング面の基体領域にのみ、高さが５ｎｍ程度の多数の凸部を選択的に形成する。 - 特許庁 - To make it possible to obtain coherent light of higher output with a light source device with which the coherent light of nearly 248 nm in wavelength is obtainable.
波長がほぼ２４８ｎｍのコヒーレント光を得る光源装置において、より高出力なコヒーレント光を得ることができるようにすること。 - 特許庁 - A turbidity meter 10 measures the turbidity of inspection water by transmission high with wavelength close to 660 nm and supplies the measured value to a chlorophyll (a) concentration computing element 12.
濁度計10は、660nm付近の波長の透過光で検水の濁度を測定し、この測定値をクロロフィルａ濃度演算器12に供給する。 - 特許庁 - To obtain a resist material which causes neither surface roughness nor pattern roughness to exposure light of which the wavelength is 300 nm band or less.
波長が３００ｎｍ帯又はそれ以下の露光光に対して、表面荒れ及びパターンラフネスが生じないレジスト材料を得られるようにする。 - 特許庁 - To provide an infrared transmi filter excellent in productivity with a small number of layers and for cutting a wavelength of 4,000 nm or less.
少数層で生産性に優れた赤外線透過フィルター、しかも４，０００ｎｍ以下の波長をカットした赤外線透過フィルターを提供する。 - 特許庁 - and an expression (2):1.20≤N≤1.60, with N representing the refractive index of the antireflection layer and d representing the thickness (nm) of the antireflection layer.
９２．５／Ｎ ≦ ｄ ≦ ２５０／Ｎ （１） １．２０ ≦ Ｎ ≦ １．６０ （２）（式中、Ｎは反射防止層の屈折率、ｄは反射防止層の厚み（ｎｍ）である。） - 特許庁 - The disclosed antibacterial treating liquid is characterized by consisting of the colloidal solution containing the platinum particles having 1 to 10 nm mean particle diameter.
本発明の抗菌処理液は、平均粒径が１〜１０ｎｍの白金粒子を含むコロイド溶液からなることを特徴とするものである。 - 特許庁 - The tread rubber is composed of a rubber containing carbon nano-fibers having an average diameter of 0.7-500 nm and an average length of 0.01-1,000μm.
本発明のトレッドゴムは、平均直径が０．７〜５００ｎｍ、平均長さが０．０１〜１０００μｍのカーボンナノファイバーを含有するゴムからなる。 - 特許庁 - To provide a measuring method of an analyte capable of measuring with high sensitivity by using a single membrane liposome having high stability and a small size below 200 nm.
安定性の高い２００ｎｍ以下の小さな一枚膜リポソームを用いて、高感度に測定できるアナライトの測定方法を提供する。 - 特許庁 - At that time, the larger the revolution number Nm of the motor detected or presumed from the object other than the resolver 100, the offset threshold value OFS_TH is set to the large value.
このとき、レゾルバ１００以外から検出又は推定したモータ回転数Ｎｍが大きいほど、オフセット閾値ＯＦＳ_THを大きく設定する。 - 特許庁
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