「nm」を含む例文一覧(14378)

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  • Preferably, the minute projections each have an average height of 200 to 3,000 nm, an average maximum diameter of 50 to 300 nm and an average pitch of 50 to 300 nm.
    前記微細な突起は、好ましくはそれぞれ２００ｎｍ〜３０００ｎｍの平均高さと、５０ｎｍ〜３００ｎｍの平均最大径を有し、５０ｎｍ〜３００ｎｍの平均ピッチで形成されている。 - 特許庁
  • As for the surface of the glass substrate after a polishing process, an arithmetic average roughness Ra is ≤0.2 nm, a waviness Wa is ≤0.5 nm and a fine waviness μWa is ≤0.2 nm.
    研磨工程後のガラス基板の表面の算術平均粗さＲａが０．２ｎｍ以下、うねりＷａが０．５ｎｍ以下であり、さらに微小うねりμＷａが０．２ｎｍ以下であること。 - 特許庁
  • Subsequently, a ratio of a strength of an interference light having a wavelength of 600 nm to an integration value of the strength of the interference light in a wavelength region of 400 nm to 800 nm is obtained.
    続いて、波長が６００ｎｍの干渉光の強度の、４００ｎｍから８００ｎｍまでの波長領域についての干渉光の強度の積分値に対する比を求める。 - 特許庁
  • The laminated wave plate is characterized in that it functions in a pinpoint way as a quarter wave plate at wavelengths of 400 nm, 650 nm and 785 nm in a range to be used.
    又、本積層波長板は、使用する帯域の波長４００ｎｍ、６５０ｎｍ、及び７８５ｎｍにおいてピンポイント的に１／４波長板として機能することが特徴である。 - 特許庁
  • A cutoff wavelength in length of 22 m is ≤1,300 nm and the absolute value of a dispersion slope in the range of wavelength 1,300 nm-1,625 nm is ≤0.1 ps/nm2/km.
    ２２ｍ長におけるカットオフ波長は１３００ｎｍ以下、そして１３００ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長範囲における分散スロープの絶対値は０．１ｐｓ／ｎｍ^2／ｋｍ以下である。 - 特許庁
  • An amorphous silicon film whose film thickness is not less than 60 nm is formed on a substrate, the film is irradiated with a laser with wavelength of 390 nm to 640 nm, and the polycrystalline silicon film is formed.
    基板上に膜厚６０ｎｍ以上の非晶質シリコン膜を形成し、それに波長３９０ｎｍ〜６４０ｎｍのレーザを照射して多結晶シリコン膜を形成する。 - 特許庁
  • The phosphor efficiently absorbs ultraviolet light at wavelengths of about 277 nm and 380 nm and emits green light having an emission peak at a wavelength of 530 nm and a short afterglow time.
    波長２７７ｎｍ及び波長３８０ｎｍ付近の紫外光を効率よく吸収して、波長５３０ｎｍに発光ピークを有する残光時間の短い緑色を発光する。 - 特許庁
  • Moreover, in the light filter 1, light transmittance is 2% or less at the wavelength from 300 nm to 395 nm, and the transmittance is nearly 50% or less at the wavelength of 405 nm.
    また、光フィルタ１は、波長が３００ｎｍから３９５ｎｍまでの光の透過率が２％以下であり、波長が４０５ｎｍの光の透過率が略５０％以下とされる。 - 特許庁
  • In a semiconductor light emitting element having electrodes including a Pt layer adjacent an Au layer 14, a Ti layer 12 of 50 nm, a Pt-Mo layer 13 of 50 nm, an Au layer 14 of 300 nm are laminated on a P-GaAs cap layer 9.
    Au層に隣接したPt層を含む電極を備えた半導体発光素子において、P-GaAsキャップ層９上にTi層12を50nm、Pt-Mo層13を50nm、Au層14を300nmの厚さで順次積層して形成した。 - 特許庁
  • The carbon coil may be composed of a carbon nanocoils with a coil having an average outer diameter of 3-1000 nm, an average cross section diameter of 0.3-200 nm, an average pitch length of 1-300 nm, and an average coil length of 800 nm-2 cm.
    前記カーボンコイルは、コイルの平均外直径３〜１０００ｎｍ、平均断面直径０．３〜２００ｎｍ、ピッチの平均長さ１〜３００ｎｍ、及びコイルの平均長さ８００ｎｍ〜２ｃｍを有するカーボンナノコイルで構成されていてもよい。 - 特許庁
  • The light reflection film-cum-membrane side electrode is composed of two- layer metal film of a TiN film 36 provided as a lower layer and having a film thickness of 10 nm to 70 nm and an Al film 38 provided thereon and having a film thickness of 50 nm to 150 nm.
    光反射膜兼メンブレン側電極は、下層に膜厚が１０ｎｍから７０ｎｍのＴｉＮ膜３６と、その上に設けられた膜厚が５０ｎｍから１５０ｎｍのＡｌ膜３８との２層金属膜で構成されている。 - 特許庁
  • In a preferable manner, the photo-reactive chiral compound has the isomerizing absorption band in 490-570 nm or 630-690 nm and further the wavelength of the circularly or elliptically polarized light is 490-570 nm or 630-690 nm.
    光反応型キラル化合物が４９０〜５７０ｎｍ若しくは６３０〜６９０ｎｍに異性化可能な吸収を有し、かつ円偏光若しくは楕円偏光の波長が４９０〜５７０ｎｍ若しくは６３０〜６９０ｎｍである態様が好ましい。 - 特許庁
  • After an SiGe layer 14 is formed on a silicon layer 13 of a substrate 21, a P++ doped SiGe layer 15 with a thickness about 10 nm-100 nm is formed and then an SiGe layer 16 with a thickness of about 500 nm-1000 nm is formed.
    基板２１のシリコン層１３上にＳｉＧｅ層１４を形成した後、Ｐ^^^++ドープのＳｉＧｅ層１５を膜厚１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度に形成し、続いてＳｉＧｅ層１６を膜厚５００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度に形成する。 - 特許庁
  • The laminate is characterized by forming a layer having a cellulose crystal structure consisting of a cellulose crystal in which the diameter of an average minor axis is ≥2 nm and ≤200 nm, and the diameter of an average major axis is ≥500 nm and ≤2,000 nm on a resin substrate.
    樹脂基材上に、平均短軸径が２ｎｍ以上、２００ｎｍ以下、平均長軸径が５００ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下であるセルロース結晶からなるセルロース結晶構造体を含む層が形成されてなることを特徴とする積層体。 - 特許庁
  • This light emitting device 200 has a light emitting element 206 for emitting the light of a wavelength of 410 nm, 360 nm, 470 nm or 405 nm, and the phosphor layer 209 arranged on the light emitting element 206 and including the phosphor 210.
    ４１０ｎｍ、３６０ｎｍ、４７０ｎｍ又は４０５ｎｍの波長の光を発光する発光素子２０６と、前記発光素子２０６上に配置され、蛍光体２１０を含有する蛍光層２０９とを具備する発光装置２００である。 - 特許庁
  • The color filter includes, on a substrate and successively from the substrate side, a color layer of at least one color and a transparent conductive film having a surface roughness (Ra) of 0.5 nm to 2.5 nm and an average minor diameter of crystal grains of 15 nm to 35 nm.
    基板上に、該基板側から順に、少なくとも１色の着色層と、表面粗さ（Ｒａ）が０．５ｎｍ以上２．５ｎｍ以下であり、結晶子の平均短径が１５ｎｍ以上３５ｎｍ以下である透明導電膜と、を有するカラーフィルタである。 - 特許庁
  • The recess distance Lrgd between the gate and the drain is set to 800 nm-3000 nm, an overlay distance Lgd between the gate and the drain is set within ±400 and the thickness (t) of the dielectric film 5 is set to 300 nm-600 nm.
    ゲート・ドレイン間リセス距離Ｌrgdは、８００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下に設計され、ゲート・ドレインオーバーレイ距離Ｌgdは、Ｌrgd±４００ｎｍ以内に設計され、誘電体膜５の膜厚ｔは、３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下に設計される。 - 特許庁
  • A diagnosis irradiation part 2 is equipped with a first light emitting element 10 emitting an exciting light of 379 nm-419 nm first specific wavelength λ_p1 and a second light emitting element 20 emitting a beam of exciting light of 634 nm-674 nm second specific wavelength λ_p2.
    診断照射部２は、３７９ｎｍ〜４１９ｎｍの第１特定波長λ_ｐ１の励起光を発する第１発光素子１０と、６３４ｎｍ〜６７４ｎｍの第２特定波長λ_ｐ２の励起光を発する第２発光素子２０を備えている。 - 特許庁
  • In this image display device equipped with the metal back on a phosphor and formed by coating the metal back with a getter, the thickness of the metal back is controlled to not less than 55 nm and not more than 120 nm, and the thickness of a getter material is controlled to not less than 40 nm and not more than 200 nm.
    蛍光体上にメタルバックを備え、該メタルバックをゲッタにより被覆してなる画像表示装置において、メタルバックの厚さを５５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下とし、ゲッタ材の厚さを４０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とする。 - 特許庁
  • To obtain a photosensitive resin composition having high sensitivity not only to a g-line (wavelength; 436 nm) or an i-line (wavelength; 365 nm) of a conventional high-pressure mercury vapor lamp but to a light source of a short wavelength such as a KrF excimer laser (248 nm) or an ArF excimer laser (193 nm) and also having high plasma resistance when used as a resist.
    レジスト用途において、従来の高圧水銀灯のg線（波長436nm）、i線（波長365nm）、KrFエキシマレーザー（248nm）やArFエキシマレーザー（193nm）などの短波長の光源に対しても高感度であり、プラズマ耐性が高い感光性樹脂組成物を得る。 - 特許庁
  • Color polarizing filters 6, 8, 10 have a characteristic of a transmittivity of 20% or below in the absorption axis for wavelength bands of wavelength of 550 nm or below for the filter 6, a wavelength of 520 nm or over and a wavelength of 710 nm or below for the filter 8, and a wavelength of 600 nm or over for the filter 10 respectively.
    カラー偏光フィルタ６，８，10はそれぞれ波長５５０ｎｍ以下、波長５２０ｎｍ以上波長７１０ｎｍ以下、波長４８０ｎｍ以下および波長６００ｎｍ以上の波長域で吸収軸の透過率が２０％以下である。 - 特許庁
  • In addition, by controlling the substituted amount of ZnO and/or the substituted amount of SrO, the maximum value of the emission spectrum of an exciting light having a wavelength of 200 nm to 350 nm can be controlled within a range of 300 nm to 400 nm.
    また、ＺｎＯの置換量及び／又はＳｒＯの置換量を調整することで、波長２００ｎｍから３５０ｎｍの励起光における発光スペクトルの極大値を３００ｎｍから４００ｎｍの範囲内で調整することができる。 - 特許庁
  • The fluorescence L3 generated from the organism 10 to be measured is received by a CCD imaging element 125, which is tipped with a mosaic filter 123 consisting or a filter transmitting light in the wavelength band of 480 nm±70 nm and a filter transmitting light in the wavelength band of 630 nm±70 nm, by way of an image fiber 103.
    測定部10から発せられる蛍光L3は、イメージファイバ103 を介して、透過帯域４８０nm±７０nmのフィルタと透過帯域６３０nm±７０nmのフィルタが組み合わされたモザイクフィルタ123 がオンチップされたＣＣＤ撮像素子125 に受光される。 - 特許庁
  • The preferable molecular absorption material is such a material that fine pores composed of a mesopore having a pore diameter of 1 nm or more and 100 nm or less and a micropore having a pore diameter of 0.2 nm or more and less than 1 nm formed on the pore wall of the mesopore are periodically formed.
    分子吸着材料としては、孔径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下のメソ孔と該メソ孔の孔壁に形成された孔径０．２ｎｍ以上１ｎｍ未満のマイクロ孔とからなる細孔が、周期的に形成されたものが好適である。 - 特許庁
  • The titanyl phthalocyanine crystal has a maximum visible-infrared absorption spectrum peak at 780 nm±10 nm and a sub-absorption peak with intensity of 3/4 or less of the maximum absorption peak at 700 nm±10 nm.
    可視光線−赤外線吸収スペクトルで７８０ｎｍ±１０ｎｍの波長で最大吸収ピークを持ち、また７００ｎｍ±１０ｎｍで最大吸収ピークの３／４以下の強度を持つ副吸収ピークを表すことを特徴とするチタニルフタロシアニン結晶。 - 特許庁
  • To provide an image forming material having satisfactory low absorbance in a visible light wavelength region from 400 nm to 750 nm and a sufficiently high absorbance in a near infrared light wavelength region from 750 nm to 1,000 nm.
    ４００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の可視光波長領域における吸光度が十分に低く、かつ、７５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の近赤外光波長領域における吸光度が十分に高い画像形成材料を提供すること。 - 特許庁
  • The rubber composition comprises 100 pts.wt. diene rubber, 5-80 pts.wt. silica (A) having ≥5/nm^2 silanol bonded amount per unit surface area and 5-80 pts.wt. silica (B) having ≤4/nm^2 silanol bonded amount per unit surface area.
    ジエン系ゴム１００重量部、単位表面積当りのシラノール基結合量が５個／nm^2 以上のシリカ（Ａ）５〜８０重量部及び単位表面積当りのシラノール基結合量が４個／nm^2 以下のシリカ（Ｂ）５〜８０重量部を含んでなるゴム組成物。 - 特許庁
  • Further, the optical fiber has a cable cut-off wavelength λ_CC less than 1,260 nm; a mode field diameter contained between 8.6 μm and 9.5 μm at wavelength of 1,310 nm; a wavelength of zero wavelength dispersion contained between 1,300 nm and 1,324 nm; and a dispersion slope less than 0.092 ps/nm^2-km.
    ファイバはまた、１２６０ｎｍ未満のケーブルカットオフ波長λ_ｃｃと、１３１０ｎｍの波長において８．６μｍと９．５μｍの間に含まれるモードフィールド径と、１３００ｎｍと１３２４ｎｍの間に含まれるゼロ波長分散の波長と、０．０９２ｐｓ／ｎｍ^２−ｋｍ未満の分散勾配とを有する。 - 特許庁
  • The photochromic compound contained in a photosensitive layer of the reversible image display medium is composed of a photochromic compound 1 of which the maximum absorption wavelength in the colored state is ≥400 nm and <500 nm, a photochromic compound 2 of which the maximum absorption wavelength is ≥500 nm and <600 nm and a photochromic compound 3 of which the maximum absorption wavelength is ≥600 nm and <700 nm.
    可逆画像表示媒体の感光層に含有されるフォトクロミック化合物は、発色状態での極大吸収波長が４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の範囲にあるフォトクロミック化合物（１）と、５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の範囲にあるフォトクロミック化合物（２）と、６００ｎｍ以上７００ｎｍ未満の範囲にあるフォトクロミック化合物（３）とから構成される。 - 特許庁
  • The surface roughness Ra of the clay thin film is ≤100 nm.
    粘土薄膜の表面粗さＲａは１００ｎｍ以下である。 - 特許庁
  • Preferably, the thickness of the film formed by curing the first composition is preferably 50-1,000 nm, and the thickness of the film formed by curing the second composition is set to 100-1,000 nm.
    また好ましくは第二組成物を硬化させてなる被膜の厚さを１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下にする。 - 特許庁
  • The thickness of the oxide film is desirably controlled to 5 to 200 nm.
    前記酸化膜厚みは５〜２００ｎｍであることが望ましい。 - 特許庁
  • Further, the first laser light source emits a red laser of 637 nm, and the second laser light source emits a red laser of about 658 nm.
    また、第１レーザ光源は、６３７ｎｍの赤色レーザ、第２レーザ光源は６５８ｎｍ程度の赤色レーザを出射する。 - 特許庁
  • This heat insulating sheet has a porous skeleton whose average pore size is ≥10 nm and ≤70 nm, and whose porosity is 90-99%.
    平均空孔径が１０ｎｍ以上、７０ｎｍ以下、空孔率が９０〜９９％の多孔性骨格を有する断熱シート。 - 特許庁
  • The thickness D_W of a well layer 19a is 4 nm or more.
    井戸層１９ａの厚さＤ_Ｗは４ｎｍ以上である。 - 特許庁
  • The side of a malaxation surface of a dental malaxation base material is so arranged to exhibit a color with a low reflection factor of light with a length of 470 nm±80 nm.
    歯科用練和基材の練和面側を、波長４７０ｎｍ±８０ｎｍの光の反射率が低い色で構成する。 - 特許庁
  • To classify the superfine particles of nm level by excellent resolvality in a disk type superfine particles classifying device.
    円盤型超微粒子分級装置において、nmレベルの超微粒子を良好な分解能で分級することを目的とする。 - 特許庁
  • The third laser light source emits a green laser of about 532 nm, and the fourth laser light source emits a blue laser of about 476 nm.
    第３レーザ光源は、５３２ｎｍ程度の緑色レーザ、第４レーザ光源は、４７６ｎｍ程度の青色レーザを出射する。 - 特許庁
  • The average particle size of the metallic particles is preferably 5 nm to 5 μm.
    金属粒子の平均粒径は５ｎｍ〜５μｍが好ましい。 - 特許庁
  • The high elasticity electrode 3 is 400 nm or larger in thickness.
    高弾性電極３の膜厚は４００ｎｍ以上とする。 - 特許庁
  • The value of the average roughness Ra of one main surface 10a of the substrate is 0.01 nm or more and 3.0 nm or less.
    また、前記基板の一方の主表面１０ａの平均粗さＲａの値が０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下である。 - 特許庁
  • The diameter of the nano-bubbles is in a range of 1-1,000 nm.
    前記ナノバブルの直径は１〜１０００ｎｍの範囲にある。 - 特許庁
  • The cellulose fiber is coated with a lignophenol derivative and has an average fiber diameter of not less than 2 nm and not more than 200 nm.
    リグノフェノール誘導体を被覆した、平均繊維径が２ｎｍ以上、２００ｎｍ以下であることを特徴とするセルロース繊維。 - 特許庁
  • The metal nanoparticle may have a particle size of about 2 to 20 nm.
    金属ナノ粒子は約２〜約２０ｎｍの粒径を有し得る。 - 特許庁
  • Nanofiltration using a nanofilter having a pore size of 80 nm at a maximum is performed to remove a virus from liquid factor VII compositions.
    液体因子VII組成物からウイルスを除去するため、最大80 nmの細孔サイズを有するナノフィルターを使用するナノ濾過を行う。 - 特許庁
  • The phosphor is excited by a light having a wavelength of 250-500 nm and shows a light emission peak within a wavelength scope of 490-580 nm.
    この蛍光体は波長２５０〜５００ｎｍの光で励起した際に波長４９０〜５８０ｎｍの間に発光ピークを示す。 - 特許庁
  • The first silicide layer 50 has a thickness of not less than 30 nm.
    第１シリサイド層５０の膜厚は３０ｎｍより大きい。 - 特許庁
  • The dyestuff shows peaks at both of around 400 to 500 nm and around 620 nm in a visible ray absorption spectrum.
    可視光吸収スペクトルが４００〜５００ｎｍ付近と６２０ｎｍ付近との双方にピークを有する色素を提供する。 - 特許庁
  • The average thickness of the C-covered layer 2a is 5 to 30 nm.
    Ｃ被覆層２ａの平均厚さは５乃至３０ｎｍである。 - 特許庁
  • The average intermolecular distance L represented by formula (n is mol concentration [mol/L] of mixed fullerene; N_A is Avogadro's number; R is diameter [nm] of fullerene molecule) of fullerene in the resin composition is 3nm-12nm.
    式中、ｎはフラーレンの配合モル濃度[mol/L]を、Ｎ_Ａ はアボガドロ数を、Ｒはフラーレン分子の直径[nm]を表わす。 - 特許庁
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