「nm」を含む例文一覧(14378)

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  • Thickness t1 of the first protection layer 13A and thickness t2 of the second protection layer 13B are 2 nm or more respectively, it is desirable that sum of both thickness are 6 nm or more to 14 nm or less.
    第１の保護層１３Ａの厚みｔ１および第２の保護層１３Ｂの厚みｔ２はそれぞれ２ｎｍ以上であり、合計の厚みｔ３は６ｎｍ以上１４ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁
  • Herein, a peak value for the light transmittance of the internal electrode is in a range of peak wavelength ±100 nm of the emission spectrum of the multilayer organic electroluminescent element and a half-value width for the peak of the light transmittance in a range of between 1 nm and 350 nm.
    ここで、内部電極の光透過率のピーク値は多層有機発光素子の発光スペクトルのピーク波長±100nmの範囲にあり、光透過率のピークの半値幅は１nm以上350nm以下である。 - 特許庁
  • An averaged reflectivity R1 of the reflective surface for a light having a wavelength of 400 to 550 nm and an averaged reflectivity R2 for a light having a wavelength larger than 550 nm and not larger than 700 nm satisfy the relation R1>R2≥70%.
    反射面の波長４００〜５５０ｎｍの光の平均反射率Ｒ１と波長５５０ｎｍを超え７００ｎｍ以下の光の平均反射率Ｒ２が、Ｒ１＞Ｒ２≧７０％を満足する。 - 特許庁
  • Ro≤10 nm, and -20 nm≤Rt≤20 nm (wherein, X represents a substitution degree of the acetyl group; and Y represents a substitution degree of the propionyl group or the butyryl group).
    式（１）２．７０≦Ｘ＋Ｙ≦２．９５ 式（２）０．５≦Ｙ≦２．３ Ｒｏ≦１０ｎｍ −２０ｎｍ≦Ｒｔ≦２０ｎｍ 式中Ｘはアセチル基の置換度を表し、Ｙはプロピオニル基またはブチリル基の置換度を表す。 - 特許庁
  • The titanium dioxide cerium oxide composite has ≥20 cumulative value of the absorbance (cumulative absorbance) in the range from 380 nm to 410 nm with an interval of 1 nm.
    ニ酸化チタン酸化セリウムコンポジットにおいて、３８０〜４１０ｎｍにおける1ｎｍ間隔の吸光度の累積値（累積吸光度）が２０以上である事を特徴とするニ酸化チタン酸化セリウムコンポジットを提供する。 - 特許庁
  • Moreover, the average secondary particle diameter of the abrasive grains is 1 to 1000 nm, and the abrasive grain contains a first abrasive grain having the average secondary particle diameter of 5 to 39 nm and a second abrasive grain having the average secondary particle diameter of 40 to 300 nm.
    及び前記砥粒が、平均２次粒径５〜３９ｎｍの第一の砥粒と平均２次粒径４０〜３００ｎｍの第二の砥粒とを含むことを特徴とする金属用研磨液を含む。 - 特許庁
  • The boron nitride nanohorns each having a bottom surface diameter of 100-200 nm, a length of 500-1,000 nm, and a wall thickness of about 20 nm can be manufactured by heating the mixture and gaseous ammonia at 1,600-2,000°C for 1-3 h.
    １６００〜２０００℃で１〜３時間加熱することにより、底面の直径１００〜２００ｎｍ、長さ５００〜１０００ｎｍ、壁の厚さ約２０ｎｍの窒化ホウ素ナノホーンを製造することができる。 - 特許庁
  • The member for operating the cell is regulated so that the shape of the needle-shaped body as a cell layer-activating member may be a tapered shape having a tip diameter of 200-400 nm, a root diameter of 300-1,500 nm, and an aspect ratio represented by [length/root diameter] of 10-20.
    細胞層作用部材としての針状体の形状を、先端直径200〜400 nm、根本直径300〜1500nmで、且つ、「長さ／根元直径」で表されるアスペクト比が１０〜２０であるテーパー形状とする。 - 特許庁
  • To provide an optical information recording medium which is suitable for high-density and high-speed recording with a recording wavelength of 360-450 nm, in particular about 400 nm (for example, 405 nm), and also provide its recording method.
    ３６０〜４５０ｎｍ、とくに４００ｎｍ前後（たとえば４０５ｎｍ）の記録波長による高密度および高速の記録に適した光情報記録媒体およびその記録方法を提供する。 - 特許庁
  • The preferable diameter of the particles 5 to 50 nm.
    本発明の粒子の一次粒径の数値は好ましくは５〜５０nmである。 - 特許庁
  • The thickness of the semiconductor layer 11 is set to 10 to 100 nm.
    そして、半導体層１１の厚さを、１０〜１００ｎｍとする。 - 特許庁
  • For example, an A/D conversion part 127 whose position-expressed resolution is 1 nm can be used to implement position detection in 0.1 nm units.
    たとえば、位置換算値１ｎｍの分解能のＡ／Ｄ変換部１２７を用いて０．１ｎｍ単位の位置検出を行うことができる。 - 特許庁
  • The thickness of each p-type GaAs layer is 10 nm or less.
    各ｐ型ＧａＡｓ層の厚さはそれぞれ１０ｎｍ以下である。 - 特許庁
  • The barrier layer 8 has a film thickness of ≤50 nm.
    バリア層８は、膜厚が５０ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁
  • The core particle, more preferably, has an average diameter of 0.8-3.5 nm, and the thickness of the shell layer is controlled between 0.2-1 nm.
    より好ましくは、コア粒子の平均直径は０．８ｎｍ以上、３．５ｎｍ以下、シェル層の厚さは０．２ｎｍ以上、１ｎｍ以下である。 - 特許庁
  • The cluster diamond has 30 to 500 nm cluster diameter and 30 to 200 nm average cluster diameter.
    クラスターダイヤモンドのクラスター径が３０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲にあり、平均クラスター径が３０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下の範囲にある。 - 特許庁
  • Preferably, the film thickness of the thin film is about 25 nm and aluminum to be deposited has a granular structure of 10 to 20 nm in diameter.
    この際、薄膜の膜厚を約２５ｎｍとして、付着するアルミニウムが直径１０〜２０ｎｍの粒状構造であることが好ましい。 - 特許庁
  • Excited oxygen is detected from optical emission at 777 nm.
    励起された酸素は、７７７ｎｍの光学放射から検出される。 - 特許庁
  • The thickness of the gate insulation film 103a is 2.4 nm or less.
    また、ゲート絶縁膜１０３ａの膜厚は、２．４ｎｍ以下である。 - 特許庁
  • The dielectric powder has an average particle diameter of 20-300 nm.
    誘電体粉末は、平均粒子径が２０ｎｍ〜３００ｎｍである。 - 特許庁
  • The negative electrode active material having a long chain organic compound on the surface thereof with a grain diameter of 1 nm to 100 nm is used.
    負極活物質は、その表面に長鎖有機化合物を有し、かつ、粒径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるものを用いる。 - 特許庁
  • The resultant plate-like phosphor emits infrared fluorescence of 1063 nm by exciting using ultraviolet light of 354 nm.
    この焼成体は板状の蛍光体であって、３５４ｎｍの紫外光で励起すると、１０６３ｎｍの赤外光の蛍光を発する。 - 特許庁
  • The rubber composition for a tire comprises a rubber component and rod-like silica having an average width of 3-35 nm and an average length of 50 nm to 5 μm.
    ゴム成分と、平均幅３〜３５ｎｍ、平均長さ５０ｎｍ〜５μｍの棒状シリカとを含むタイヤ用ゴム組成物に関する。 - 特許庁
  • Here, the absorption coefficient for light having a wavelength not shorter than 500 nm and not longer than 780 nm can be lower than 7 cm^-1.
    ここで、波長が５００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光に関する吸収係数を７ｃｍ^-1未満とすることができる。 - 特許庁
  • It is also desirable that the silicon nanowire is 8 nm or less in thickness.
    また、シリコンナノワイヤの太さが８ｎｍ以下であることが望ましい。 - 特許庁
  • A preferable thickness of the interface layer is to be from 10 to 100 nm.
    前記界面層の好ましい厚さは、１０〜１００ｎｍである。 - 特許庁
  • The surface roughness of the porous SiO2 film 22 is controlled to ≥2 nm.
    多孔質ＳｉＯ_２膜２２の表面粗さを２ｎｍ以上にする。 - 特許庁
  • The mean particle size of the fine powder particle is 0.1 nm to 100 μm.
    微細粉粒の平均粒子径は０．１ｎｍ〜１００μｍである。 - 特許庁
  • A length of a gate electrode 33 (gate length) is 100 nm or less.
    ゲート電極３３の長さ（ゲート長）は、１００ｎｍ以下である。 - 特許庁
  • When the texture is formed only on the light-receiving surface MPS side, the thickness of rear-surface side silicon nitride film 4 is 100 nm-300 nm.
    また、受光面ＭＰＳ側にのみテクスチャ形成される場合、裏面側の窒化シリコン膜４の膜厚を１００ｎｍ〜３００ｎｍとする。 - 特許庁
  • On a die surface to contact with a work, ripples 24 with a cycle of 100-1,000 nm and a depth of 10-100 nm are formed.
    被加工材料と接触する金型表面に、周期１００〜１０００ｎｍ、深さ１０〜１００ｎｍのリップル２４を形成する。 - 特許庁
  • A distal end diameter of the projection part 3 is 10 nm or more and 30 μm or less.
    突起部３の先端径は、１０ｎｍ以上３０μｍである。 - 特許庁
  • To provide a method for precisely measuring the depth distribution of dopants injected in a flat substrate at a depth of several ten nm, in a nondestructive manner.
    平坦な基板に数十nmの深さに注入した不純物の深さ分布を非破壊で精度よく測定する方法を提供する。 - 特許庁
  • The porous silica film has a pore diameter of 0.5-100 nm, a void content of 35% or more and surface roughness Ra of 10 nm or less.
    空孔径０．５〜１００ｎｍ、空隙率３５％以上であり、かつ表面粗さＲａ＝１０ｎｍ以下であることを特徴とする多孔性シリカ膜。 - 特許庁
  • The wavelength of visible light is 400-780 nm.
    可視光の波長は４００乃至７８０ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁
  • This percutaneous absorbent comprises a physiologically active component using a polymer (nonaparticle) having 1 nm to 500 nm particle diameter.
    本発明の経皮吸収剤は、1nm〜500nmの粒径を有する高分子（ナノ粒子）を用いて生理活性成分を含有することにより得られる。 - 特許庁
  • The active layer 25 is provided to generate light having a peak wavelength in a range of 480 nm or more and 600 nm or less.
    活性層２５は波長４８０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲にピーク波長を有する光を発生するように設けられる。 - 特許庁
  • The coating composition comprises a silicone emulsion having an average particle size ranging from 50 nm to 800 nm.
    エマルジョンの平均粒子径が５０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲にあるシリコーンエマルジョン溶液を含有することを特徴とするコーティング組成物。 - 特許庁
  • A light emitting element having a luminous wavelength of 440 nm or higher can be fabricated by making the well layer have a thickness of 3 nm or higher.
    井戸層の厚みを３ｎｍ以上にすることによって、発光波長４４０ｎｍ以上の発光素子を作製することができる。 - 特許庁
  • The ultraviolet rays 3 are far-ultraviolet rays of 1-190 nm wavelength.
    紫外線３は、１〜１９０ｎｍの波長の遠紫外線である。 - 特許庁
  • The alkali earth metal oxide has a crystallite diameter of not larger than 1 nm.
    アルカリ土類金属酸化物の結晶子径が１ｎｍ以下である。 - 特許庁
  • The peak wavelength λmax in a light grain distribution of the active layer is about 1530 nm, and the band gap wavelength of the diffraction grating is about 1510 nm.
    活性層の光利得分布のピーク波長λ_maxは約１５３０ｎｍ、回折格子のバンドギャップ波長は約１５１０ｎｍである。 - 特許庁
  • The semiconductor laser 1 generates a laser beam with a wavelength of 635 nm.
    半導体レーザ１は、波長６３５ｎｍのレーザ光を生成する。 - 特許庁
  • The main wavelength of the UV rays is 165 to 175 nm.
    紫外線の主となる波長が１６５ｎｍ〜１７５ｎｍであること。 - 特許庁
  • The tube 3 absorbs the light of a wavelength of 1,000 nm or more.
    筒３は１０００ｎｍ以上の波長の光を吸収する。 - 特許庁
  • The UV-reflecting layer 8 shows high reflectivity in the wavelength range of plasma emission (>172 nm) and shows high permeability in a visible light wavelength range.
    UV反射層(8)は、プラズマ発光の波長領域(>172 nm)では高い反射性を示し、可視光波長領域では高い透過性を示す。 - 特許庁
  • The wavelength dispersion in the wavelength range of 900-1,200 nm is -20 to +20 ps/nm/km.
    ９００ｎｍ〜１２００ｎｍの波長範囲内において波長分散は−２０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上＋２０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下である。 - 特許庁
  • It is enough that the thickness of the layer of the silicon oxide layer 107 is about 5 nm.
    酸化シリコン層１０７は、層厚５ｎｍ程度であればよい。 - 特許庁
  • Further, the optical control reflective film has a low reflection band even at a wavelength of 780 nm.
    さらに、波長７８０ｎｍでも、低反射帯域としている。 - 特許庁
  • The hollow part 14 has a microscopic diameter in the units of nm-μm.
    中空部１４は、ｎｍ〜μｍ単位の微小な直径を有する。 - 特許庁
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