「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 .... 287 288 次へ＞- The average particle size of the silica sol is preferably in the range of 70-500 nm.
シリカゾルの平均粒子径は、７０〜５００ｎｍであるのが好ましい。 - 特許庁 - The particle powder of silver has a specific surface area (CS) of 50 m^2/cm^3 or larger, diameters of crystal grains (Dx) of 50 nm or smaller when measured by an X-ray technique, basic centers of 10.0/nm^2 or less, and acidic centers of 10.0/nm^2 or less.
比表面積（ＣＳ）が５０ｍ^2／ｃｍ^3以上、Ｘ線結晶粒子径（Ｄｘ）が５０ｎｍ以下、塩基性点が１０.０個／ｎｍ^2以下および酸性点が１０.０個／ｎｍ^2以下の銀粒子粉末である。 - 特許庁 - The method for inducing the shoots of the plant is characterized by culturing the cells, organs or tissues of a plant under light quality conditions comprising the light wavelengths of blue light of 420 to 500 nm, green light of 500 to 570 nm, or red light of 590 to 700 nm and a light intensity of 2 to 50 μmol/m^2/s.
植物の細胞、器官又は組織を、420〜500nmの青色光、500〜570nmの緑色光又は590〜700nmの赤色光の光波長と2〜50μmol/m^2/sの光強度とから成る光質条件下で培養する。 - 特許庁 - The average thickness of the second film 4 is preferably 50-600 nm.
第２の膜４の平均厚さは、５０〜６００ｎｍであるのが好ましい。 - 特許庁 - Subsequently, a fine crystal type iron-base alloy magnet having a homogenous microstructure with an average crystal grain size between 5 nm and 40 nm inclusive and a standard deriation σ of 2.5 nm or lower is manufactured by a thermal crystallization treatment.
次に、結晶化熱処理によって、結晶粒径の平均が５ｎｍ以上４０ｎｍ以下、標準偏差σが２．５ｎｍ以下の均質微細組織を有する微細結晶型鉄基合金磁石を作製する。 - 特許庁 - A supply layer 5 is an n-type InAlAs layer with a thickness of 4 nm.
供給層５は、厚さが４ｎｍのｎ型ＩｎＡｌＡｓ層である。 - 特許庁 - The used ZnO particles are 5-100 nm in nano level.
ＺｎＯ粒子は５〜１００ｎｍのナノレベルのものを用いることができる。 - 特許庁 - Thus, it is possible to obtain ultrafine olivine type compound particles having a particle diameter of 200-800 nm.
200〜800nmの粒径を有するオリビン型化合物超微粒子が得られる。 - 特許庁 - The metal particles have a particle diameter, ranging from 1 to 50 nm.
そして、前記金属粒子は、平均粒径が１〜５０ｎｍで構成する。 - 特許庁 - The produced titanium oxide particles 10 have a particle size of about 400 nm.
製造された酸化チタン粒子１０の粒径は、約４００ｎｍである。 - 特許庁 - The average primary particle size of the inorganic particles is around 1-100 nm.
前記無機粒子の平均一次粒径は１〜１００ｎｍ程度である。 - 特許庁 - A solid polymer electrolyte membrane containing: a polymer with a sulfonic acid group; and metal oxide particles with number average primary particle size of 1 nm to 20 nm and number average secondary particle size of 30 to 200 nm.
スルホン酸基を有する重合体、および数平均一次粒子径が１ｎｍ〜２０ｎｍであって、数平均二次粒子径が３０ｎｍ〜２００ｎｍである金属酸化物粒子を含む固体高分子電解質膜。 - 特許庁 - The ultrafine particles are also characterized in that they have an average particle size of 5-500 nm.
超微粒子の平均粒径が５〜５００ｎｍである特徴も持つ。 - 特許庁 - When a film thickness of 200 nm is obtained, a film thickness distribution reaches ±4%.
２００ｎｍの膜厚を得た時に膜厚分布は±４％となった。 - 特許庁 - In the dispersion compensating optical fiber 32, wavelength dispersion DDCF is -40 ps/nm/km or below and the ratio (SDCF/DDCF) of wavelength dispersion DDCF to the dispersion slope SDCF is 0.005/nm or above at the wavelength of 1,550 nm.
分散補償光ファイバ３２は、波長１５５０ｎｍにおいて、波長分散Ｄ_DCFが−４０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下であり、波長分散Ｄ_DCFと分散スロープＳ_DCFとの比（Ｓ_DC_F／Ｄ_DCF）が０．００５／ｎｍ以上である。 - 特許庁 - Nickel conductive film of 20 nm is formed in a master disk by a sputtering method.
原盤に２０ｎｍのＮｉ導電膜をスパッタリング法で形成した。 - 特許庁 - A capacitive element 32A holds the potential of a data holding node Nm, and also selectively boosts the data holding node Nm according to the data held at the data holding node Nm corresponding to the activation period of the set line 6.
容量性素子３２Ａは、データ保持ノードＮｍの電位を保持するとともに、セット線６の活性化期間に対応して、データ保持ノードＮｍの保持データに応じて、データ保持ノードＮｍを選択的に昇圧する。 - 特許庁 - To provide a fluorescent substance that is excited by light of any wavelength in a wavelength range of 350-500 nm and has an emission peak wavelength of not less than 540 nm to not more than 560 nm and to provide a process for producing the fluorescent substance.
３５０〜５００ｎｍの波長範囲のいずれかの波長の光で励起され、発光ピークの波長が５４０ｎｍ以上５６０ｎｍ以下である蛍光体およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Also, a transparent filter 14W is provided with permeability of 50% to the rays of light whose wavelength is 365 nm to 420 nm and permeability of 90% or more to the rays of light whose wavelength is 450 nm or more.
また、透明フィルタ１４Ｗは、３６５ｎｍ〜４２０ｎｍの波長の光に対して５０％の透過率を有し、かつ４５０ｎｍ以上の波長の光に対して９０％以上の透過率を有する。 - 特許庁 - The average thickness of the second film 4 is preferably 50-400 nm.
第２の膜４の平均厚さは、５０〜４００ｎｍであるのが好ましい。 - 特許庁 - To realize an additional improvement in an S/Nm (signal-to-medium noise ratio).
Ｓ／Ｎｍ（出力対媒体ノイズ比）の更なる向上を実現する。 - 特許庁 - The negative dispersion fiber 11 has such characteristics that the absolute value of the dispersion slope is ≤0.03 ps/nm^2/km and the total dispersion is ≤-5 ps/nm at a prescribed wavelength within a region of 1450 to 1600 nm.
負分散ファイバ１１は、１４５０ｎｍ〜１６００ｎｍの範囲内の所定波長において、分散スロープの絶対値が０．０３ｐｓ／ｎｍ^２／ｋｍ以下であり、且つ全分散が−５ｐｓ／ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The wavelength of light emitted from the light source is 200 to 380 nm.
また、光源が発射する光の波長は、２００〜３８０ｎｍである。 - 特許庁 - As an average particle diameter of titanium dioxide, 2.0-10 nm is preferable.
また、二酸化チタンの平均粒径は2.0〜10nmの範囲内にあることが好ましい。 - 特許庁 - ILLUMINATION SYSTEM FOR PROJECTION EXPOSURE APPARATUS WITH WAVELENGTHS OF LESS THAN OR EQUAL TO 193 NM
波長≦１９３ｎｍによる投影露光装置用の照明システム - 特許庁 - An outer diameter of the titania nanotube is preferable to be 3 to 10^5 nm.
また、チタニアナノチューブは、外径が３〜１０^5ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - The rugged structure including a plurality of protrusions and recesses is disposed on the substrate, and a pitch of the rugged structure is within a range of 30 nm or more and 500 nm or less and a depth of the rugged structure is more than 100 nm.
前記凹凸構造は、前記基板上に複数配置され、凹凸構造の周期が３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内であり、かつ前記凹凸構造の深さが１００ｎｍ以上である。 - 特許庁 - To stably maintain a dye having the maximum absorption wavelength in 800 to 1,100 nm, 640 to 700 nm, or 570 to 600 nm with the lapse of time and to maintain the shield effect for a long period of time, in a liquid crystal display.
液晶ディスプレイにおいて、８００〜１１００ｎｍ、６４０〜７００ｎｍ、または５７０〜６００ｎｍに最大吸収波長を有する色素が、経時的に安定に維持され、長期間遮断効果を維持すること。 - 特許庁 - In doing so, a film thickness of the affected layer preferably reaches 100 nm or less.
その際、加工変質層の膜厚が100nm以下になることが好ましい。 - 特許庁 - The expression (1) is indicated by 200 nm≤Rth≤1,000 nm, and the expression (2) is indicated by 0≤R550≤200 nm.
（１）２００ｎｍ≦Ｒｔｈ≦１，０００ｎｍ（２）０≦Ｒ５５０≦２００ｎｍ［上記式中、Ｒｔｈは、波長５５０ｎｍにおけるフィルム厚み方向の位相差を示し、Ｒ５５０は、波長５５０ｎｍにおけるフィルム面内の位相差を示す。 - 特許庁 - Surface roughness of the optical component polished by using the finishing method but is not etched yet is less than 0.5 nm, the surface roughness after polishing and etching is less than 0.6 nm, and step height of the surface roughness is less than 6 nm.
本方法を用いて得られた光学素子の、研磨されたがエッチングされない表面の粗さが０．５ｎｍ未満、研磨およびエッチング後の表面の粗さが０．６ｎｍ未満、およびステップ高が６ｎｍ未満である。 - 特許庁 - In this photocatalytic material, gold fine particles having an average particle size of 1-20 nm are deposited and fixed on the surface of titanium dioxide the primary particles of which have an average particle size of ≥5 nm and <30 nm.
本発明の光触媒材料は、一次粒子の平均粒径が５ｎｍ以上、３０ｎｍ未満である二酸化チタンの表面に、平均粒径が１〜２０ｎｍの金微粒子を担持固定させたことを特徴とする。 - 特許庁 - The second silicon oxide film OX2 has a thickness not larger than 1 nm.
第２のシリコン酸化膜ＯＸ２は１ｎｍ以下の厚みを有している。 - 特許庁 - The back coat layer contains (a) carbon black having 15-25 nm average particle diameter, (b) carbon black having 60-80 nm average particle diameter and (c) CaCO3 and/or BaSO4 having 30-75 nm average particle diameter as the nonmagnetic powder.
該バックコート層は、非磁性粉末として、(a) 平均粒径が１５〜２５ｎｍのカーボンブラックと、(b) 平均粒径が６０〜８０ｎｍのカーボンブラックと、(c) 平均粒径が３０〜７５ｎｍのＣａＣＯ_3 及び／又はＢａＳＯ_4 とを含有する。 - 特許庁 - The film thickness of the microcrystal silicon thin film 5 is 70 nm and thicker.
また、マイクロクリスタルシリコン薄膜５の膜厚は７０ｎｍ以上である。 - 特許庁 - The thickness of the interlayer is preferably 0.5-20 nm.
該中間層の厚みが、０．５ｎｍ〜２０ｎｍである態様などが好ましい。 - 特許庁 - It is preferable that the wavelength of the excitation light 4 is 985 to 1000 nm.
前記励起光４の波長は９８５〜１０００ｎｍが好ましい。 - 特許庁 - When a sum frequency light at about 193 nm is generated from a first coherent light of 950 to 1,100 nm wavelengths and from a second coherent light of 200 to 250 nm wavelengths, a CLBO crystal 1 is cooled.
波長９５０ｎｍ〜１１００ｎｍの第１のコヒーレント光と、波長２００ｎｍ〜２５０ｎｍの第２のコヒーレント光から、ほぼ１９３ｎｍの和周波光を発生させるに際し、ＣＬＢＯ結晶を冷却する。 - 特許庁 - The complex fluorescent substance has an emission peak wavelength ranging from 510 to 560 nm and the inorganic fluorescent substance has an emission peak wavelength ranging from 570 to 700 nm or 420 to 480 nm.
このうち錯体蛍光体は５１０〜５６０ｎｍの波長範囲に発光ピークを有するものとし、無機蛍光体は５７０〜７００ｎｍまたは４２０〜４８０ｎｍの波長範囲に発光ピークを有するものとする。 - 特許庁 - To provide a phototherapy apparatus prevented from radiating noxious ultraviolet rays with wavelength less than 280 nm and radiating useful ultraviolet rays of 280-400 nm and infrared rays of 650-1,500 nm.
有害な２８０ｎｍ未満の紫外線が照射されず、有用な２８０ｎｍ乃至４００ｎｍの紫外線、及び６５０ｎｍ乃至１５００ｎｍの赤外線を照射することができる光線治療器を提供する。 - 特許庁 - The initial layer 53 is formed at a thickness of 5 nm with low oxygen partial pressure.
初期層５３は、低酸素分圧にて５ｎｍの厚さで形成する。 - 特許庁 - As the two wavelength areas, it is preferable to consider the light absorption spectrum of hemoglobin and to use narrow band light (a half value width of 20 nm or less) of a central wavelength of 545 nm and a central wavelength of 650 nm.
２つの波長領域として、ヘモグロビンの光吸収スペクトルを考慮して、中心波長５４５ｎｍ及び中心波長６５０ｎｍの狭帯域光（半値幅２０ｎｍ以下）を用いることが好ましい。 - 特許庁 - To heighten the radiation luminance of extreme ultra-violet rays whose wavelength is 13.5 nm.
波長１３． ５ｎｍの極端紫外線の放射輝度を上げること。 - 特許庁 - Thereby illuminance in 320-340 nm can be improved.
これにより、３２０〜３４０ｎｍの照度の向上を図ることができる。 - 特許庁 - The crystallite diameter of the Ba_XSr_1-XCO_3 is ≤40 nm.
Ｂａ_ｘＳｒ_１−ｘＣＯ_３の結晶子径が４０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - To provide a polymerizable resin composition, having adequate sensitivity to light having a wavelength of about 436 nm, about 408 nm or about 365 nm in exposure and allowing a coating film or pattern, having a high transmittance to be formed.
露光時に４３６ｎｍ付近、４０８ｎｍ付近、３６５ｎｍ付近の波長の光に十分な感度をもち、かつ透過率の高い塗膜またはパターンを形成することができる重合性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - The colored layer material with ≥70% maximum transmissivity at 465 to 620 nm is adjusted so that 380 to 465 nm mean transmissivity becomes larger than 620 to 780 nm mean transmissivity.
４６５ｎｍ〜６２０ｎｍの最大透過率が７０％以上の着色層材料において、３８０ｎｍ〜４６５ｎｍの平均透過率が６２０ｎｍ〜７８０ｎｍの平均透過率よりも大きくなるように調整する。 - 特許庁 - In the electroless plating layer, the total thickness t is 20 to 100 nm.
無電解めっき層はその総厚みｔが２０〜１００ｎｍである。 - 特許庁 - The ultraviolet ray means light in a wavelength region of 320 to 370 nm.
紫外線は３２０ｎｍ〜３７０ｎｍの波長領域の光をいう。 - 特許庁 - To provide an optical device with low reflectance for UV rays in the range from approximately 180 nm to approximately 370 nm wavelength, especially about 248 nm wavelength and for a large incident angle up to at least about 40° angle.
約１８０ｎｍと約３７０ｎｍの間、特に約２４８ｎｍの波長範囲の紫外線に対して、そして少なくとも約４０°までの大きい入射角度に対して、低反射率である光学的デバイスの提供。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
