「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 .... 287 288 次へ＞- The β-chitin nanofiber has preferably an average fiber width of at most 100 nm.
β−キチンナノファイバーは、平均繊維幅が100mn以下のものが好ましい。 - 特許庁 - A spacer layer 4 is an intrinsic InAlAs layer with a thickness of 3 nm.
スペーサ層４は、厚さが３ｎｍの真性ＩｎＡｌＡｓ層である。 - 特許庁 - Preferably, the wavelength of the near-infrared rays is 800-2,500 nm.
近赤外線の波長は、８００〜２５００ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - This fiber aggregate comprises small diameter gas phase growth carbon fibers having an average diameter of 3 to 50 nm and large diameter gas phase growth carbon fibers having an average diameter of >50 nm and ≤500 nm.
平均直径が３〜５０ｎｍの細径気相成長炭素繊維と、平均直径が５０ｎｍを超え、かつ５００ｎｍ以下である大径気相成長炭素繊維とを含有することを特徴とする繊維集合体。 - 特許庁 - The catalyst is formed on the base material at a speed of 0.5 nm/s.
前記触媒は０．５ｎｍ／ｓの速度で前記基材に形成される。 - 特許庁 - A peak wavelength of the ultraviolet radiation is preferably 100-400 nm.
また、紫外線のピーク波長は、１００〜４００ｎｍであるのが好ましい。 - 特許庁 - An LD 111 has an infrared light LD of wavelength 780 nm for CD system, a red color light LD of wavelength 650 nm for DVD system, and a blue color light LD wavelength 405 nm for HD DVD system.
ＬＤ１１１は、ＣＤ系用の波長７８０ｎｍの赤外光ＬＤ、ＤＶＤ系用の６５０ｎｍの赤色光ＬＤ、及び、ＨＤ ＤＶＤ系用の波長４０５ｎｍの青色光ＬＤを有する。 - 特許庁 - The nickel film 21 is 60 nm thick on a silicon oxide film 20.
ニッケル膜２１の厚さは、シリコン酸化膜２０上で６０ｎｍとする。 - 特許庁 - To provide a synthetic quartz glass optical member which suppresses light absorption at about 240 nm and 270 nm and has a high transmittance to the UV in a wavelength range of ≤400 nm and a method for producing the same.
２４０ｎｍおよび２７０ｎｍ付近を中心とする光吸収が抑えられ、４００ｎｍ以下の紫外線波長域で高い透過率を有する合成石英ガラス光学部材とその製造方法の提供。 - 特許庁 - The major side length of a semiconductor chip is 0.5 nm or shorter in top view.
半導体チップの平面長辺寸法を０．５ｍｍ以下とする。 - 特許庁 - An n-side GRIN-SCH (Grated Index-Separate Confinement Heterostructure) layer 4 is constructed with three layers, that is, a 1.0Q layer 4a with 20 nm thickness, a 1.1Q layer 4b with 20 nm thickness and a 1.2Q layer 4c with 20 nm thickness from the n-type InP substrate side.
ｎ側ＧＲＩＮ−ＳＣＨ層４は、ｎ型ＩｎＰ基板側から厚さ２０ｎｍの１．０Ｑ層４ａ、厚さ２０ｎｍの１．１Ｑ層４ｂ、厚さ２０ｎｍの１．２Ｑ層４ｃの３層で構成される。 - 特許庁 - When the film thickness of 200 nm is obtained, the film thickness distribution is ±4%.
２００ｎｍの膜厚を得たときに膜厚分布は±４％となった。 - 特許庁 - The synthetic quartz glass before hydrogen impregnation processing has the suppressed defect corresponding to the fluorescence peak in 280 nm band and the suppressed defect corresponding to the fluorescence peak in 390 nm band, and after the hydrogen impregnation processing, has the suppressed defect corresponding to the fluorescence peak in 280 nm band, the suppressed defect corresponding to the fluorescence peak in 390 nm band and the suppressed defect corresponding to the fluorescence peak in 650 nm.
水素含浸処理前の合成石英ガラスは、２８０ｎｍ帯の蛍光ピークに相当する欠陥、及び３９０ｎｍ帯の蛍光ピークに相当する欠陥が抑圧されており、水素含浸処理により、２８０ｎｍ帯の蛍光ピークに相当する欠陥、及び３９０ｎｍ帯の蛍光ピークに相当する欠陥、６５０ｎｍ帯の蛍光ピークに相当する欠陥が抑圧されている。 - 特許庁 - The antibacterial-antifungal agent uses zinc oxide as the principal ingredient comprising planar aggregates of the zinc oxide particle having 50-100 nm of average particle size and manifesting lnT360 nm/lnT100 nm≥10 (Tx nm: optical transmission factor at wave length X nm), especially having following morphological characteristics.
平均粒子径が５０〜１００nmである一次粒子が面状に集合した酸化亜鉛であって、かつ、そのｌｎＴ_360nm ／ｌｎＴ_400nm （Ｔ_xnm ：Ｘnmの透過光での透過率）の値が１０以上である酸化亜鉛、特に、以下の形態上の特徴を有する、上記の酸化亜鉛を有効成分とする抗菌防黴剤を提供することにより、上記の課題を解決し得ることを見出した。 - 特許庁 - The sheet member for a projection device exhibits the maximum absorption wavelength in the range from 530 to 570 nm in the 400 to 800 nm wavelength region, 30 to 80% transmittance at the maximum absorption wavelength, ≤150 nm half width of the maximum absorption band, and transmittances at 450 nm and 620 nm higher by ≥5% than the transmittance at the maximum absorption wavelength.
波長４００〜８００ｎｍにおける最大吸収波長が５３０〜５７０ｎｍの範囲にあり、該最大吸収波長における透過率が３０〜８０％、該最大吸収帯の半値幅が１５０ｎｍ以下であり、波長４５０ｎｍおよび波長６２０ｎｍにおける透過率がそれぞれ該最大吸収波長における透過率より５％以上高いプロジェクション装置用シート状部材。 - 特許庁 - The illuminating fluorescent substance excited by the near ultraviolet light at 340-380 nm wavelength and emitting the white light comprises a red fluorescent substance at 625-750 nm peak wavelength or an orange fluorescent substance at 575-675 nm peak wavelength, a green fluorescent substance at 500-600 nm peak wavelength and a blue fluorescent substance at 400-500 nm peak wavelength.
波長３４０ｎｍ〜３８０ｎｍの近紫外光によって励起されて白色発光する照明用蛍光体であって、ピーク波長６２５ｎｍ〜７５０ｎｍの赤色蛍光体またはピーク波長５７５ｎｍ〜６７５ｎｍの橙色蛍光体と、ピーク波長５００ｎｍ〜６００ｎｍの緑色蛍光体と、ピーク波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色蛍光体とを含有している。 - 特許庁 - The first conductive layer 28 has a thickness of 600 nm or above.
第１導電層２８の厚みは、600nm以上であることを特徴としている。 - 特許庁 - The surface is provided with protruded parts having a mean height of 50 nm-1 mm at a mean interval of 50 nm-1 mm in order to condense gas.
表面がガスを凝縮させるために５０ｎｍ〜１ｍｍの平均的高さおよび５０ｎｍ〜１ｍｍの平均的間隔を有する隆起部を備えている。 - 特許庁 - The antistatic layer 14 includes an antistatic component (for example, an electroconductive polymer) and a binder resin, and has an average thickness Dave of not less than 1 nm and less than 100 nm.
帯電防止層１４は、帯電防止成分（例えば導電性ポリマー）とバインダ樹脂とを含み、平均厚みＤaveが１ｎｍ以上１００ｎｍ未満である。 - 特許庁 - The LED element 15IR emits an infrared ray of 800-1000 nm.
ＬＥＤ素子１５ＩＲは、８００〜１０００ｎｍの赤外光を発する。 - 特許庁 - In addition, the heights of the projecting linear defects are ≤10 nm.
なお、凸形状の線状形状欠陥の高さは１０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - Specifically, the optical film includes fibers of average fiber size of 10 nm or more and 800 nm or less, and the optical transparent resin.
特定範囲の屈折率差を有する、ナノオーダーの平均繊維径を有する繊維と光学透明樹脂とによる複合材料から光学用フィルムを形成する。 - 特許庁 - A thickness of the thin film metal layer is preferably 1 nm or less.
そして、薄膜金属層の厚さは１ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - The at least one high refractive index layer 18 has the thickness of less than 40 nm, and the coating 14 has the thickness substantially exceeding 380 nm as a whole.
少なくとも１つの高屈折率層１８は４０ｎｍ未満の厚さをもっており、コーティング１４は全体で約３８０ｎｍを超える厚さをもつ。 - 特許庁 - The particle size distribution of the titanium oxide powder obtained by measurement preferably has peaks in both ranges of 1-50 nm and 200-500 nm.
また、酸化チタン粉末の粒度分布を測定したとき、粒度分布のピークが１〜５０ｎｍと２００〜５００ｎｍの範囲にそれぞれ存在することが好ましい。 - 特許庁 - Or, the 1st and 2nd dielectric films are 37.5-47.5 nm, the metal film is 5.5-6.5 nm, total of both dielectric films is 77.5-92.5, the 2nd dielectric film/the 1st dielectric film is 0.85-1015.
あるいは、第１及び第２誘電体膜：37.5〜47.5nm、金属膜：5.5〜6.5nm、両誘電体膜の合計：77.5〜92.5nm、第２誘電体膜厚／第１誘電体膜厚：0.85〜1.15とする。 - 特許庁 - The average thickness of the electric insulating film 15a is 100-400 nm.
電気絶縁性皮膜１５ａの平均厚さは１００〜４００ｎｍである。 - 特許庁 - The liquid crystal display device has a selective reflection type filter 40 reflecting light having 585 nm±15 nm wavelength on a backlight 24 side of a selective absorbing type color filter 14.
５８５ｎｍ±１５ｎｍの波長の光を反射する選択反射型フィルタ４０を、選択吸収型カラーフィルタ１４よりもバックライト２４側に持つ。 - 特許庁 - an opposing interval between the bottom shield layer and the leading edge of the magnetic pole is set smaller than 60 nm, and the film thickness of the bottom shield layer is set larger than 90 nm.
ボトムシールド層と磁極部のリーディングエッジとの対向間隔は６０ｎｍより小さく規定し、ボトムシールド層の膜厚は９０ｎｍより大きく規定する。 - 特許庁 - Each of the silver fine particles is almost a planar particle having two principal planes, and has a thickness of ≤50 nm and a major axis of ≤5,000 nm.
本発明の銀微粒子は、粒子が２つの主面を有する略板状であり、その厚さが５０ｎｍ以下、長径が５０００ｎｍ以下である構成とする。 - 特許庁 - The upper surface of the silicon nitride film 504 lies at a position in a range from a position lower by 50 nm to a position higher by 50 nm for the surface of the semiconductor element forming region 516.
シリコン窒化膜５０４の上面は、半導体素子形成領域の表面に対して５０ｎｍ低い位置から５０ｎｍ高い位置までの間にある。 - 特許庁 - Preferably, the average particle size of the metal particles is 50 nm or less, the ultraviolet irradiation is done at 380 nm or less, and the temperature for heating is 200°C or lower.
金属粒子の平均粒径が５０ｎｍ以下、紫外光照射は３８０ｎｍ以下、加熱処理温度は、２００℃以下とすることが好ましい。 - 特許庁 - A coated metal plate obtained by applying the coating material on a metal plate, exhibits a high reflectance near 555 nm, a peak of visibility with human eyes.
この塗料を金属板に塗布した塗装金属板は、人間の目の視感度のピークである555 nm近傍での反射率が高い高反射性を示す。 - 特許庁 - In the ink, preferably, a pigment having ≥100 nm average particle diameter is mixed with a pigment having ≤60 nm average particle diameter in (1:1) to (1:5) weight ratio.
平均粒子径が１００ｎｍ以上の顔料と、平均粒子径が６０ｎｍ以下の顔料とが、重量比で１：１〜１：５の範囲で混合されている。 - 特許庁 - The ultra fine particle of cadmium sulfide provides an exciton absorption band having a half-width of 35 nm or less and an exciton luminous band having a half-width of 30 nm or less.
半値幅が３５ｎｍ以下のエキシトン吸収帯を与え、かつ半値幅が３０ｎｍ以下のエキシトン発光帯を与える硫化カドミウム超微粒子。 - 特許庁 - The average particle diameter of the metal oxide is preferably 10 to 100 nm.
金属酸化物の平均粒径は１０〜１００ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - Further, fine pores formed between the oxides are made into mesofine pores on an nm scale, and a large specific surface area and a large fine pore volume can be realized.
また酸化物どうしの間に形成される細孔もnmスケールの微細なメソ細孔となり、高比表面積と高細孔容積を実現できる。 - 特許庁 - In addition, the design film thickness of the oxide semiconductor film is set to 30 nm±15 nm, thus optimizing field effect mobility μ, On/Off ratio and S value.
また、酸化物半導体膜の設計膜厚を３０ｎｍ±１５ｎｍにすることにより、電界効果移動度μ、Ｏｎ／Ｏｆｆ比、Ｓ値を最適化する。 - 特許庁 - An MQW (Multiple Quantum Well) absorption layer 5 is constructed with eight layers of well layers 5A respectively with 10 nm thickness and barrier layers 5B respectively with 5 nm thickness.
ＭＱＷ吸収層５は、各々の厚さが１０ｎｍである８層の井戸層５Ａと各々の厚さが５ｎｍである障壁層５Ｂで構成される。 - 特許庁 - This resin composition is obtained by incorporating alumina particles with 1-10 nm minor axis length, 20-400 nm major axis length and 5-80 aspect ratio, and expressed by the general formula: Al_2O_3nH_2O, into a resin.
短軸長さ1〜10nm、長軸長さ20〜400nm、アスペクト比が5〜80であって、 Al_2O_3・ｎH_2Oなる一般式で表されるアルミナ粒子を樹脂中に含有させて樹脂組成物を得る。 - 特許庁 - To enable an F2 laser device to select one from among a plurality of sepctral lines, which are separated slightly from each other in the vicinity of 157 nm by means of a wavelength selecting optical device.
レーザー装置の１５７ nm付近で僅かに離間した複数のスペクトルの線をうちの１つの線を波長選択光学装置によって選択する。 - 特許庁 - A size of the carbon black particle is within the range of around 13 to 95 nm.
カーボン・ブラックの粒子のサイズは、約１３〜９５ｎｍの範囲内にある。 - 特許庁 - Total volume of the fine pore having ≤1 nm diameter can be ≥90% per total volume of the fine pore having ≤2 nm diameter.
直径が１ｎｍ以下である細孔の容積の合計は、直径が２ｎｍ以下である細孔の容積の合計に対して９０％以上とすることができる。 - 特許庁 - The total diffusion quantity of NZDSF is +480 ps/nm, chirp coefficient α of an LN modulator is +0.6 and the compensation diffusing quantity is get at -480 ps/nm.
ＮＺＤＳＦの総分散量は、＋４８０ｐｓ／ｎｍ、ＬＮ変調器のチャープ係数αは、＋０．６、補償分散量は、−４８０ｐｓ／ｎｍとする。 - 特許庁 - To provide a wire grid polarization plate having excellent polarization separation performance and high optical symmetry for the incident light ranging from 435 nm to 500 nm.
４３５から５００ｎｍの入射光に対して、優れた偏光分離性能と高い光学対称性を示すワイヤグリッド偏光板を提供すること。 - 特許庁 - In some embodiments, the substrate may include a nanofibrous scaffold made of fibers having a diameter from about 1 nm to about 20,000 nm.
いくつかの実施形態では、この基材は、約１ｎｍから約２０，０００ｎｍの直径を有するファイバーから作られるナノファイバー足場を含んでもよい。 - 特許庁 - A method for photorejuvenation includes irradiation of light of wavelength in a range of about 550-600 nm with a maximum intensity of preferably about 585 nm.
光若返りの方法が、略５５０−６００ｎｍの範囲内、かつ好ましくは約５８５ｎｍの最大強度を有する波長の光による照射を含む。 - 特許庁 - The one-dimensional nanostructures have the uniform diameters of less than approximately 200 nm.
一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。 - 特許庁 - To provide a polymerizable composition having high sensitivity to light of 365 nm or 405 nm wavelength and allowing a cured film with excellent intra-film curability to be formed.
波長３６５ｎｍや４０５ｎｍの光に対する感度が高く、膜内部硬化性に優れた硬化膜を形成可能な重合性組成物を提供する。 - 特許庁 - The average particle diameter of the antimony pentoxide microparticle is in the range of 5 to 50 nm.
五酸化アンチモン微粒子の平均粒子径が５〜５０ｎｍの範囲にある。 - 特許庁
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