「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 16 17 18 19 20 21 22 23 24 .... 287 288 次へ＞- The fired compact is a plate-like phosphor and emits blue fluorescence having a peak at about 410 nm when excited by 295 nm UV light.
焼成体は板状の蛍光体であって、２９５ｎｍの紫外光で励起すると、４１０ｎｍ付近にピークを有する青色の蛍光を発する。 - 特許庁 - To provide a high power and high efficiency light emitting diode, capable of emitting infrared light having the peak wavelength of ≥850 nm, particularly ≥900 nm.
高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。 - 特許庁 - The titanium oxide nanoparticle aggregate comprises titanium oxide particles (A) having an average primary particle diameter of not more than 20 nm, and has an average diameter of 30 to 500 nm.
平均１次粒子径が２０ｎｍ以下の酸化チタンナノ粒子（Ａ）からなり、平均直径が３０〜５００ｎｍである、酸化チタンナノ粒子集合体。 - 特許庁 - Sputtering particles are made to fly from a helicon sputtering source 52 by setting a film deposition rate of a gold thin film 12 to the range from 0.01 nm/s to 0.6 nm/s.
金薄膜１２の成膜速度を０．０１ｎｍ／ｓ以上、０．６ｎｍ／ｓ以下の範囲に設定し、ヘリコンスパッタ源５２からスパッタ粒子を飛翔させる。 - 特許庁 - A high-output low-pressure ultraviolet lamp sealing an amalgam which exhibits a high output in the vicinity of 254 nm wavelength and in the vicinity of 185 nm wavelength is used as the lamp 20.
紫外線ランプ２０は、２５４ｎｍ付近及び１８５ｎｍ付近が高出力であるアマルガム封入の高出力低圧紫外線ランプとする。 - 特許庁 - In the pillar region 8, the pillar whose diameter is 200 nm, pitch is 400 nm, height is 5 μm, shape is columnar, and aspect ratio is 25 is provided with high density.
ピラー領域８には直径が２００ｎｍ、ピッチが４００ｎｍ、高さが５μｍの円柱状で、アスペクト比が２５のピラーを高密度に配置した。 - 特許庁 - Pumping light sources 12a, 12b generate pumping lights in a 980 nm band.
励起光源１２ａ，１２ｂは９８０ｎｍ帯の励起光を発生する。 - 特許庁 - Further, the mixed doped GaN layer 6a is ≤25 nm in thickness.
また、混合ドープＧａＮ層６ａの膜厚は２５ｎｍ以下に形成される。 - 特許庁 - A photocatalytic TiO2 film 20 having 100 to 1000 nm thickness is formed on the surface of a mirror, and further, a porous SiO2 film 22 having 10 to 50 nm thickness is formed thereon.
鏡の表面に１００〜１０００ｎｍの光触媒ＴｉＯ_２膜２０を成膜し、その上に１０〜５０ｎｍの多孔質ＳｉＯ_２膜２２を成膜する。 - 特許庁 - The average particle size of the resin-coated titanium oxide is preferably ≤400 nm.
樹脂被覆酸化チタンの平均粒子径は４００ｎｍ以下が好ましい。 - 特許庁 - The maximum surface roughness of the top surface of the contact plug 6 is 0.2 nm or less.
コンタクトプラグ６の上面の最大表面粗さは、０．２ｎｍ以下である。 - 特許庁 - To provide dispersion compensating optical fibers which compensate dispersion in the case where a transmission fiber having zero dispersion in about 1,310 nm are used in a 1,550 nm band, and to provide a transmission system.
約1310nmにおいて零分散を有する伝送ファイバを1550nm帯で使用した場合の分散を補償する分散補償光ファイバと伝送システムを提供する。 - 特許庁 - (a) The average diameter of the ultrafine single filaments is 200-2,000 nm.
ａ）極細単糸繊維の平均直径が２００〜２０００ｎｍであること。 - 特許庁 - Preferable rosary-like silica has a primary particle diameter of 50 nm or less by a BET method, and a particle diameter by a dynamic light scattering method is 60 nm or larger.
好ましい数珠状シリカは、ＢＥＴ法による１次粒径が５０ｎｍ以下、動的光散乱法による粒径が６０ｎｍ以上となるものである。 - 特許庁 - When there is no diffusion preventing film on either the upper or the lower interface, the physical film thickness must be in a range of 3.2 nm or larger and 5.0 nm or smaller.
上界面にも下界面どちらにも拡散防止膜がない場合には、物理膜厚を３．２ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の範囲にする必要がある。 - 特許庁 - The uneven parts (13) preferably have a depth of 10 nm to 10 μm.
上記凹凸部（13）は、深さが１０ｎｍ〜１０μｍであるのが好ましい。 - 特許庁 - The first semiconductor laser 22A emits blue light having a wavelength of 460 nm, and the second semiconductor laser 22B emits violet light having a wavelength of 415 nm.
第１の半導体レーザー２２Ａは、波長４６０ｎｍの青色光を発し、第２半導体レーザー２２Ｂは、波長４１５ｎｍの青紫色光を発する。 - 特許庁 - The patterning of the negative electrode is made by using a short pulse laser beam of a wavelength in the range 100 nm-400 nm and a light-emitting time at one time of 500 ns or less.
陰極のパターニングを、波長が１００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲であって且つ一回の発光時間が５００ｎｓ以下の短パルスレーザを用いて行う。 - 特許庁 - Tungsten carbide fine particles with a particle size of 2 to 10 nm are made carried by the carrier.
粒径が２〜１０ｎｍのタングステンカーバイト微粒子を担体に担持させてなる。 - 特許庁 - A P-type GaN layer 18 of at least 2 nm and at most 100 nm in thickness is formed on the P-type clad layer 16, and a metal film 20 is formed.
Ｐ型クラッド層１６上にＰ型ＧａＮ層１８を２ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さで形成して金属膜２０を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for producing an aromatic polyether which is more improved to reduce discoloring around 400 nm and 600 nm and is excellent in transparency.
４００nm付近および６００ｎｍ付近の着色をより一層低減せしめた、透明性に優れた芳香族ポリエーテルの製造方法を提供する。 - 特許庁 - High-output low-pressure ultraviolet lamps sealing an amalgam which exhibit a high output in the vicinity of 254 nm wavelength and in the vicinity of 185 nm wavelength are used as the ultraviolet lamps 20.
紫外線ランプ２０は、２５４ｎｍ付近及び１８５ｎｍ付近が高出力であるアマルガム封入の高出力低圧紫外線ランプとする。 - 特許庁 - To provide iron oxyhydroxide particles having a major axis length of 200 nm or less, preferably 100 nm or less, and having a narrow particle size distribution.
２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の長軸長を有し、かつ粒度分布が狭いオキシ水酸化鉄粒子を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The steam-collecting layers 7, 8 contain therein a plurality of dispersed porous particles of 0.3 nm≤d≤15 nm in average porosity diameter d.
各水蒸気捕集層７，８は，その層７，８内に分散し，且つ平均細孔径ｄが０．３ｎｍ≦ｄ≦１５ｎｍである複数の多孔質粒子を含有する。 - 特許庁 - The film thickness of the surface protective layer is preferably not more than 50 nm.
ここで、表面保護層の膜厚は、５０ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - The well layer includes quality reformed three layers of 1 nm InGaN thin films.
井戸層は改質された３層の１ｎｍのＩｎＧａＮ薄膜からなる。 - 特許庁 - It is preferable that the film thickness of the aluminum oxide film 14 is ≤2 nm.
アルミニウム酸化膜１４の膜厚は２ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - The paramagnetic garnet single crystal contains Tb as the host rare-earth element and has a light transmittance of over 99% with respect to light in a wavelength region of 1,030 nm to 1,090 nm.
常磁性ガーネット単結晶はTbをホスト希土類元素とし、1030nm以上かつ1090nm以下の波長域の光に対して99%超の光透過率を有するものとする。 - 特許庁 - Secondly, a leak at a short wavelength side (400-480 nm) is formed by a LED main body and a peak at a long-wavelength side (650-700 nm) is formed by a substrate placing the LED.
第２に、短波長側（400〜480nm）のピークをＬＥＤ本体で生成させ、長波長側（650〜700nm）のピークは、そのＬＥＤを載置する基板で生成させるようにする。 - 特許庁 - To obtain a low-price wide-band high-power ASE light source excited by a low excitation power which includes the 1550 nm and 1580 nm bands.
少ない励起パワーで高出力かつ１５５０ｎｍ帯及び１５８０ｎｍ帯を含む広帯域のＡＳＥ光源を低価格になる構成で得る。 - 特許庁 - The fine particles preferably have an average particle diameter of 5-100 nm.
さらには、微粒子の平均粒径が５〜１００ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - The joining plane of the glass transmits the light treated in the optical parts and has about 3 nm to about 10 nm rms surface roughness.
ガラスの接合平面は、光学部品で処理される光が通過する面であり、ｒｍｓ値で約３ｎｍないし約１０ｎｍの表面粗さを有している。 - 特許庁 - The arithmetic average roughness (Ra) and the maximum projection height (Rp) on a second surface of the base material 11 are preferably 5-50 nm and 40-300 nm, respectively.
基材１１の第２の面における算術平均粗さ（Ｒａ）は、５〜５０ｎｍであり、最大突起高さ（Ｒｐ）は、４０〜３００ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - Preferably, the thickness of the film is 0.5-5 nm.
リチウム導電膜の厚さは、０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下とすることが好ましい。 - 特許庁 - The resist 1 should have an exposure section dissolution speed of 250 to 700 nm/second, and an non-exposure section dissolution speed of 0.05 to 0.4 nm/second.
このレジスト１は、露光部溶解速度が２５０乃至７００ｎｍ／秒であり、未露光部溶解速度が０．０５乃至０．４ｎｍ／秒であるものを使用する。 - 特許庁 - A Pb (Zr, Ti)O3 film 17 is deposited 100 nm and then an SrRuO3 film 18 which is to be an upper part electrode is deposited 100 nm.
次いで、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_3 膜１７を１００ｎｍ，及び上部電極となるＳｒＲｕＯ_3 膜１８を１００ｎｍ順次堆積する。 - 特許庁 - The inorganic insulating layer 11 includes first inorganic insulating particles 11a that has a grain size of 3 nm to 110 nm, each of the first inorganic insulating particles 11a being coupled to each other.
無機絶縁層１１は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であるとともに互いに結合した第１無機絶縁粒子１１ａを含む。 - 特許庁 - This composition is prepared by dispersing, in a polymer, particles obtained by pulverizing an inorganic porous substance and having particle sizes of 1 nm to 1,000 nm.
無機多孔質体を粉砕して得た、粒径１ｎｍ〜１０００ｎｍの粒子と、該粒子を分散する重合体と、からなる複合組成物とする。 - 特許庁 - In another method, a specimen is illuminated with light having a wavelength lower than about 350 nm and with light having a wavelength more than about 350 nm.
別の該方法は、約３５０ｎｍより下の波長を有する光と、約３５０ｎｍより上の波長を有する光を用いて試験片を照明する。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium, in which favorable recording and reproduction can be possible with laser with the wavelength of 300-500 nm, especially purple-blue laser with the wavelength of 400-410 nm, and a new hydrazone compound.
波長３００〜５００ｎｍのレーザーで良好な記録および再生が可能な光記録媒体および新規なヒドラゾン化合物を提供する。 - 特許庁 - The illuminator 4 comprises an LED (light emitting diode) 4a emitting red light and LED 4b emitting green light of a wavelength some 500 nm to some 600 nm.
照明４は、赤色を発光するＬＥＤ４ａと波長５００ｎｍ程度〜６００ｎｍ程度の緑色を発光するＬＥＤ４ｂとからなる。 - 特許庁 - The fine whisker has a diameter of 20 to 200 nm, and a length of 0.1 to 0.5 mm.
微細ウィスカーが、直径２０〜２００ｎｍ、長さ０．１〜０．５ｍｍである。 - 特許庁 - The core part 21 is composed of a synthetic resin with an average thickness of 0.2-0.6 nm.
芯部２１は、平均厚みが０．２〜０．６ｍｍの合成樹脂からなる。 - 特許庁 - A magenta fixing tool 10 has a fixation lamp 10a whose light emission peak is 380 nm, and a bleaching lamp 10b whose light emission peak is 365 nm.
マゼンタ用定着器１０は、発光ピークが３８０ｎｍである定着ランプ１０ａと、発光ピークが３６５ｎｍである漂白ランプ１０ｂとを備えている。 - 特許庁 - The resulting bismuth vanadate fine particles have an average minor axis size of 1-100 nm, an average major axis size of 30 nm to 1 μm and an average aspect ratio of 5-50.
得られたバナジン酸ビスマス微粒子は平均短軸が１〜１００ｎｍ，平均長軸が３０ｎｍ〜１μｍ、平均アスペクト比が５〜５０である。 - 特許庁 - Preferably, the copper vapor deposition layer on the coating layer is 0.02-1 nm thick, and the metal oxide layer is 10-100 nm thick.
樹脂系塗工層上に設ける銅蒸着層が、０．０２〜１ｎｍの厚さであり、金属酸化物層の厚さが、１０〜１００ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - The film thickness of the Y_2O_3 barrier layer is desirably 50 nm to 5 μm.
前記Ｙ_２Ｏ_３バリア層の膜厚は、好ましくは、５０ｎｍ〜５μｍである。 - 特許庁 - In the reflection decreasing material, a maximum value for a difference in the amplitude of a reflection factor in a region from a light wavelength 500 nm to 650 nm is 1% or lower.
この減反射材は、光の波長５００ｎｍから６５０ｎｍの領域における反射率の振幅の差の最大値が１％以下である。 - 特許庁 - To provide DNA of Nm (Neisseria meningitidis) and a means for obtaining the DNA by constructing a bank (library) exclusively comprising Nm-specific DNA.
ＮｍのＤＮＡおよびそれらを取得する手段をそれらＮｍ特異性ＤＮＡからもっぱらなるバンク（ライブラリ−）を構築することによって、提供する。 - 特許庁 - To provide an optical filter for a picture display device with a sharp absorption (λmax 500-620 nm, ≤50 nm half width) at a specified wavelength.
特定波長においてシャープな吸収（λmax５００〜６２０ｎｍ、半値巾５０ｎｍ以下）を有する画像表示装置用の光学フィルターを提供すること。 - 特許庁
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