「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .... 287 288 次へ＞- The first exciting beam is defined as the light beam in the wavelength near 980 nm, while the second exciting beam is defined as the light beam in the wavelength near 790 nm.
第一の励起光を９８０ｎｍ付近の波長帯域の光、第二の励起光を７９０ｎｍ付近の波長帯域の光とする。 - 特許庁 - The thickness of the buffer layer 102 is formed into nearly 250 nm and that of the superconductor layer is formed into nearly 100 to 120 nm.
緩衝層１０２は、膜厚２５０ｎｍ程度に形成され、超伝導体層１０３は、膜厚１００〜１２０ｎｍ程度に形成されている。 - 特許庁 - It is preferable that the film thickness of the first anti-ferromagnetic layer formed of alloy containing Mn is 8 nm-19 nm.
その際、前記Ｍｎを含む合金からなる第一の反強磁性体層の膜厚は８ｎｍ以上１９ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - The movable range of an indenter 1 is 100 μm and its resolution is 1 nm, and the movable range of a sample stage 5 is 20 nm and its resolution is 1 μm.
圧子１の可動範囲は１００μｍで分解能は１ｎｍ、試料ステージ５の可動範囲は２０ｍｍで分解能は１μｍとする。 - 特許庁 - An optical filter transmitting only a light whose wavelength region is 380 nm-770 nm (visual light region) is employed for a blade of the iris aperture 25b'.
アイリス絞り２５ｂ’の絞り羽に、波長領域が約３８０ｎｍ〜７７０ｎｍ（可視光領域）の光のみを透過する光学フィルタを用いる。 - 特許庁 - The ultraviolet ray exposed to the photocatalyst preferably has its peak wavelengths at 180 to 190 nm and 250 to 260 nm.
また、光触媒に照射される前記紫外線は、１８０−１９０ｎｍと２５０−２６０ｎｍとにピーク波長を有することが好ましい。 - 特許庁 - The substrate layer has a thickness of 2 nm or more and 100 nm or less and includes an Al-containing intermediate layer that contains a nitride semiconductor containing Al.
下地層は、２ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有し、Ａｌを含む窒化物半導体を含むＡｌ含有中間層を含む。 - 特許庁 - The conductive particulates are metal particulates whose average particulate size is ≥1 nm and ≤100 nm and the particulates are fused with each other.
そして、導電性微粒子が平均粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の金属微粒子であり、粒子同士が融着されている。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting element 18 emits ultraviolet light or short-wavelength visible light that has a peak wavelength in a wavelength region of 370 nm to 420 nm.
半導体発光素子１８は、３７０ｎｍ〜４２０ｎｍの波長域にピーク波長を有する紫外線又は短波長可視光を発する。 - 特許庁 - By this method, the hollow spherical particles formed from gallium nitride and having particle diameters of 15-20 nm and film thicknesses of 3.5-4.5 nm can be manufactured.
これにより、直径１５〜２０ｎｍ、肉厚３．５〜４．５ｎｍを有する窒化ガリウムからなる中空の球状粒子を製造することができる。 - 特許庁 - A Cu film 8 of 100 nm thick is deposited on TaN 7 by sputtering, and a Cu film 9 of 500 nm thick is formed thereon by electrolytic plating.
ＴａＮ７上に１００ｎｍ厚のＣｕ膜８をスパッタ成膜し、さらに電解メッキにより５００ｎｍ厚のＣｕ膜９を成膜する。 - 特許庁 - The mold has recesses whose cross sections are rectangular, and preferably the width of the recesses is ≥150 nm and the depth is ≤700 nm.
当該金型は横断面が矩形状の凹部を備え、凹部の幅は１５０ｎｍ以上であり、深さは７００ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - A Cu film 8 of 100 nm thick is formed on TaN 7 by sputtering and a Cu film 9 of 500 nm thick is formed thereon.
ＴａＮ７上に１００ｎｍ厚のＣｕ膜８をスパッタ成膜し、さらに電解メッキにより５００ｎｍ厚のＣｕ膜９を成膜する。 - 特許庁 - This invention relates to the complex, wherein the rod-like silica having an average width of 3 to 35 nm and an average length of 50 nm to 5 μm is dispersed in a rubber composition.
平均幅３〜３５ｎｍ及び平均長さ５０ｎｍ〜５μｍの棒状シリカをゴム成分中に分散させた複合体に関する。 - 特許庁 - The average grain size of the spherical particle ranges from 20 to 150 nm, and that of the non-spherical particle ranges from 5 to 100 nm.
球状粒子の平均粒子径が２０〜１５０ｎｍの範囲にあり、非球状粒子の平均粒子径が５〜１００ｎｍの範囲にある。 - 特許庁 - It is preferable that the average fiber diameter of carbon fiber is 1-500 nm, especially 10-100 nm in which pinning of lines of magnetic flux occurs effectively is preferable.
カーボンファイバーの平均繊維径は１〜５００ｎｍが好ましく、特に磁束線ピン止めが効率的に起こる１０〜１００ｎｍが好ましい。 - 特許庁 - The particle size of the core is in the range of about 2 nm (20 Å) to about 12.5 nm (125 Å), with a deviation of less than 10% in the core.
コアの粒子サイズは、約２ｎｍ（２０Å）〜約１２．５ｎｍ（１２５Å）の範囲であり、コアにおいて１０％未満の偏差を持つ。 - 特許庁 - Firstly, a first luminous layer forming light rays at 400-480 nm wavelength and a second luminous layer for forming light rays at 650-700 nm wavelength in one LED.
第１に、１個のＬＥＤ内に、波長400〜480nmの光を生成する第１発光層と650〜700nmの光を生成する第２発光層とを形成する。 - 特許庁 - 1st semiconductor laser 1 oscillating in a 650 nm band and 2nd semiconductor laser 2 oscillating in a 780 nm band are arranged proximately.
６５０ｎｍ帯で発振する第１の半導体レーザ１と、７８０ｎｍ帯で発振する第２の半導体レーザ２が近接配置されている。 - 特許庁 - The metal portion has a thickness ranging from 10 nm or more to 100 nm or less along the direction toward the second semiconductor layer from the first semiconductor layer.
金属部は、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿った厚さが１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下である。 - 特許庁 - Particles having 5 nm to 20 μm average particle size, particularly in the range from 40 nm to 5 μm are used as an inorganic oxide carrier or a carbon carrier.
無機酸化物担体またはカーボン担体には、平均粒子径が５ｎｍ〜２０μｍ、特に４０ｎｍ〜５μｍの範囲にある粒子を用いる。 - 特許庁 - It has a chromatic dispersion in the vicinity of 5ps/nm×km and a dispersion slope in the vicinity of 0.03ps/nm^2×km at a wavelength of 1550nm.
それは１５５０ｎｍの波長で５ｐｓ／ｎｍ・ｋｍ近傍の色分散と０．０３ｐｓ／ｎｍ^２・ｋｍ近傍の分散スロープを有する。 - 特許庁 - The thickness of the metal thin film layer is preferably 1 nm-500 μm, and the thickness of the polyimide resin layer is preferably 10 nm-500 μm.
金属薄膜層の厚さは、好ましくは１ｎｍ〜５００μｍであり、ポリイミド樹脂層の厚さは、１０ｎｍ〜５００μｍであることが好ましい。 - 特許庁 - When the TiO2 film 10 is 80 nm thick, the peak of the reflectance appears near 450 nm wavelength and the mirror surface 14 shows a blue color.
ＴｉＯ_２膜１０の膜厚が８０ｎｍの時、反射率のピークは、波長が４５０ｎｍ付近に現れ、鏡表面１４は青色を呈する。 - 特許庁 - When the polishing liquid is within shelf life, etching rate is limited to 1.0 nm/min or lower at a polishing rate 87 to 93 nm/min.
提案材料と保存期間内で研磨速度８７〜９３ｎｍ／分でエッチング速度が１．０ｎｍ／分以下に抑制されることを特徴とする。 - 特許庁 - The SiOCN layer 16 is a layer comprising a region on the surface of which nitrogen is segregated, and the thickness is set to be, for example, 1 nm-100 nm.
ＳｉＯＣＮ層１６は、表面に窒素が偏析した領域からなる層であって、その厚みは、たとえば１ｎｍ〜１００ｎｍとする。 - 特許庁 - Provided is an operator section 123 which calculates a filtered torque command T"[Nm] from the limited torque command T'[Nm] and the transmission characteristic G(z).
制限後トルク指令値Ｔ’［Ｎｍ］および伝達特性Ｇ（ｚ）からフィルタ後トルク指令値Ｔ”［Ｎｍ］を演算する演算部１２３を備える。 - 特許庁 - The light emitting element comprises a LED or the like (green LED 33), with its light emission wavelength of 520 nm to 530 nm.
発光素子はＬＥＤ等で構成されており（緑ＬＥＤ３３）、その発光波長は５２０ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲内のものを使用する。 - 特許庁 - Two InGaAs quantum well layers 5A and 5B are different in light-emitting peak wavelengths from each other by 50 nm or more to 120 nm or less.
そして、二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、５Ｂの発光ピーク波長の差が５０ｎｍ以上で且つ１２０ｎｍ以下となっている。 - 特許庁 - The lightproof film 8 shuts out 80% or more of ultraviolet rays with a wavelength of 320 to 400 nm and visible rays with a wavelength of 400 to 500 nm.
遮光フィルム８は、波長３２０〜４００ｎｍの紫外線と、波長４００〜５００ｎｍの可視光線とを８０％以上遮断する。 - 特許庁 - The diffraction grating thus manufactured exhibits the flat characteristic over the whole region as the result of measuring the diffraction efficient of 200 nm to 800 nm.
このようにして作製した回折格子は、２００ｎｍから８００ｎｍの回折効率を測定した結果、全域でフラットな特性を示した。 - 特許庁 - A wavelength photosensitive hologram 330 is used for producing the optical pickup of a compact DVD by coupling about 780 nm laser beams and about 650 nm laser beams.
７８０ｎｍのレーザビームと６５０ｎｍのレーザビームを結合し、コンパクトＤＶＤの光学ピックアップを製造する波長感光性ホログラムである。 - 特許庁 - Thereby, the cerium(IV) oxide nanotubes each having such a tubular structure that the diameter is 20-500 nm and the length is several hundred nm to several μm can be obtained.
これにより、直径２０〜５００ｎｍで長さ数百ｎｍ〜数μｍのチューブ構造を有する酸化セリウム（IV）ナノチューブを得ることができる。 - 特許庁 - A wavelength 1557.34 nm component and the wavelength 1545.32 nm component among the core adjusting beams are reflected by the optical fiber gratings 14, 15.
調心光のうち波長１５５７．３４ｎｍ成分および波長１５４５．３２ｎｍ成分は光ファイバグレーティング１４，１５により反射される。 - 特許庁 - A plurality of inkjet recording inks comprise a composition having different inherent absorption peaks in the wavelength region between 750 nm and 1,500 nm.
複数のインクジェット式記録用インクが、７５０ｎｍ以上１５００ｎｍ以下の波長領域に異なる固有の吸収ピークを有する組成物。 - 特許庁 - The titanium oxide powder obtained by this method has an absorbance of 20-40% within a wavelength range of 400-550 nm, and exhibits high photocatalytic function by visible light.
この方法で得られた酸化チタン粉末は、波長400〜550 nmにおける吸光度が20〜40％であり、可視光による高い光触媒機能を有する。 - 特許庁 - The color filter characteristically consists of the green pixel containing a coloring agent having ≥460 nm and ≤475 nm threshold wavelength of the light transmittance.
透過率の閾波長が４６０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下である着色剤を含む緑色画素からなることを特徴とするカラーフィルター。 - 特許庁 - The oxide semiconductor particles have particle sizes of mainly 200-1,000 nm, and the ceramic particles have particle sizes of mainly 1-1,000 nm.
前記酸化物半導体粒子の粒径は主として２００〜１０００ｎｍであり、前記セラミック粒子の粒径は主として１〜１０００ｎｍである。 - 特許庁 - As the light source 1, for example, a halogen lamp having a wavelength band (400-850 nm) near a visible ray wavelength band (400-800 nm) is used.
光源１には、たとえば可視光線波長域（４００〜８００ｎｍ）に近い波長域（４００〜８５０ｎｍ）を有するハロゲンランプを用いる。 - 特許庁 - The peak wavelength λ_max in the optical gain distribution of the active layer is approximately 1,530 nm, and the bandgap wavelength of the diffraction grating is approximately 1,510 nm.
活性層の光利得分布のピーク波長λ_ｍａｘは約１５３０ｎｍ、回折格子のバンドギャップ波長は約１５１０ｎｍである。 - 特許庁 - The photoelectric conversion material is a novel iso violanthrone system compound high in sensitivity to a short-wavelength light of 350 nm to 600 nm.
該光電変換材料は、３５０ｎｍ〜６００ｎｍの短波長光に対して高感度を有する新規なイソビオランスロン系化合物である。 - 特許庁 - The center region 5b transmits the laser beam of 635 nm wavelength, as it is but diffracts the laser beam at 780 nm wavelength, to cause the diameter of the beam to increase.
中央領域５ｂは、波長６３５ｎｍのレーザビームをそのまま透過させるが、波長７８０ｎｍのレーザビームを回折により拡径させる。 - 特許庁 - Preferably, the value of retardation at a wavelength of 632.8 nm is ≤15 nm and the inorganic laminar compound is synthetic mica.
波長６３２．８ｎｍにおけるレターデーション（Ｒｅ）の値が、１５ｎｍ以下である態様、無機層状化合物が、合成雲母である態様等が好ましい。 - 特許庁 - The ten-point mean roughness of the surface of the endless belt is measured with a scanning probe microscope and is in a range from not less than 2.1 nm to not more than 11.0 nm.
走査型プローブ顕微鏡によって測定した表面の十点平均粗さが、２．１〔ｎｍ〕以上、かつ、１１．０〔ｎｍ〕以下である。 - 特許庁 - Thickness of each TiO_2 thin film 31 and each SiO_2thin film 32 is 74 nm and total film thickness t2 of the optical thin film 30 is 666 nm.
各TiO2の薄膜３１及び各SiO2の薄膜３２の厚さは共に７４ｎｍであり、光学薄膜３０総膜厚ｔ２は６６６ｎｍである。 - 特許庁 - Interlayer distances by step of the active material found by a powder X-ray diffractometry is 0.33-0.36 nm in the pre-treating step, 0.5-2.1 nm in the oxidizing step, and 0.34-0.5 nm in the reducing step.
粉末Ｘ線回折法で求めた活物質の段階別層間距離は、前処理段階において０．３３〜０．３６ｎｍ、酸化段階において０．５〜２．１ｎｍ、及び還元段階において０．３４〜０．５ｎｍである。 - 特許庁 - The diamond coating film 102 is a polycrystalline film, and has a mean crystal particle size of 1 nm to 500 nm, a denseness of 60% to 99%, and a film thickness of 5 nm to 100 μm.
ダイヤモンド被膜１０２は多結晶であり、平均結晶粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、緻密度が６０％以上９９％以下であり、膜厚が５ｎｍ以上１００μｍ以下である。 - 特許庁 - Under the requirement 1, the plating catalyst or its cursor is contained in a range of 3×10^-20 mol/nm^3 to 30×10^-20 mol/nm^3, in terms of the metal element content within a depth of 25 nm from the surface of the resin layer.
条件１：樹脂層表面から深さ２５ｎｍの範囲内に、金属元素量換算で３×１０^−２０ｍｏｌ／ｎｍ^３〜３０×１０^−２０ｍｏｌ／ｎｍ^３の範囲でめっき触媒又はその前駆体を含むこと - 特許庁 - The mesoporous carbon molecular sieve has an average primary particle diameter of about 500 nm or less, an average mesopore diameter of about 3 nm to about 6 nm, and a BET surface area of about 500 to about 2,000 m^2/g.
約５００ｎｍ以下の平均一次粒子径、約３ｎｍないし約６ｎｍの細孔平均メソ孔径、及び約５００ないし約２，０００ｍ^２／ｇのＢＥＴ表面積を有するメソポーラスカーボンモレキュラーシーブである。 - 特許庁 - The film thickness of the AlGaN barrier layer is set to 3-8 nm.
ＡｌＧａＮ障壁層の膜厚は３ｎｍ〜８ｎｍとされている。 - 特許庁
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