「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 .... 287 288 次へ＞- A needlelike structure composed of AlN with a height of 0.5 nm to 5 nm is formed on a main surface of a specified single crystal substrate.
所定の単結晶基板の主面上に、高さが０．５ｎｍ〜５ｎｍのＡｌＮからなる針状構造を形成する。 - 特許庁 - The film thickness of the gate electrode 106a is 50-250 nm, while that of the gate electrode 106b is 100-350 nm.
ゲート電極１０６ａの膜厚は５０〜２５０ｎｍであり、ゲート電極１０６ｂの膜厚は１００〜３５０ｎｍである。 - 特許庁 - The silica particles have an average primary particle diameter of 80 nm to 150 nm and a water content of not more than 1.5 wt.%.
シリカ粒子は、平均一次粒子径が８０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、かつ水分量が１．５重量％以下である。 - 特許庁 - A polishing liquid contains abrasive gains of ≤70 nm in secondary size.
また、砥粒の二次粒子径が、７０ｎｍ以下である研磨液。 - 特許庁 - The insulating layer 2 has an arithmetic surface roughness of ≤100 nm.
絶縁層２の算術表面粗さが１００ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The writing auxiliary layer 8 has 3 to 5 nm film thickness and the separation layer 21 has 3 to 5 nm film thickness.
書き込み補助層８の膜厚は３ｎｍ以上５ｎｍ以下であり、分離層２１の膜厚は３ｎｍ以上５ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The wavelength λ1 is in the range of 348-468 nm.
波長λ１は、３４８〜４６８ｎｍの範囲内となっている。 - 特許庁 - The film forming rate of the Cu(hfac)(tmvs) raw material is controlled to about 10 nm/min, and the film forming rate of the Cu(hfac)(atms) raw material is controlled to about 400 nm/min.
Cu(hfac)(tmvs)系原料の成膜速度は約１００ｎｍ／分、Cu(hfac)(atms)系原料の成膜速度は約４００ｎｍ／分である。 - 特許庁 - Sum frequency generation means 3 and 4 generate sum frequency light having the wavelength of 185 to 250 nm or 185 to 213 nm.
和周波発生手段３，４は、波長が１８５〜２５０ｎｍもしくは波長１８５〜２１３ｎｍの和周波光を発生する。 - 特許庁 - To quickly evaluate the press workability of zinc-base plated steel iron having oxide film of 10 nm-100 nm thickness on the plate surface, in a nondestructive manner.
めっき表層に厚さ10nm〜100nmの酸化膜を有する亜鉛系めっき鋼板のプレス成形性を非破壊で迅速に評価する。 - 特許庁 - The second ferromagnetic layer is formed between the front end layer and the tunnel barrier layer, and has thickness of about 0.5 nm to about 2 nm.
第２強磁性層が、前端層とトンネル障壁層との間に形成されていて、約０．５ｎｍ〜約２ｎｍの厚さを有する。 - 特許庁 - Next, a hole implanting layer 17A is formed in the thickness of 1 nm or more and 30 nm or less just above the first electrode 14.
次いで、第１電極１４の直上に、正孔注入層１７Ａを１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の厚みで形成する。 - 特許庁 - An optically anisotropic layer has an Re retardation value in 10-100 nm range, and further inequalities (I) and (II) are satisfied, (I) 0.1<Re(40')/Re(632.8 nm)<2.0,
（Ｉ） ０．１＜Ｒｅ（４０゜）／Ｒｅ（６３２．８ｎｍ）＜２．０（II） ０．１＜Ｒｅ（−４０゜）／Ｒｅ（６３２．８ｎｍ）＜１．０［各レターデーション値は、波長６３２．８ｎｍの光で測定したもの。 - 特許庁 - Further, the 16 LED chips 120 have peak wavelengths of 400 to 700 nm at intervals of 20 nm.
また、１６個のＬＥＤチップ１２０は、ピーク波長が４００〜７００ｎｍであり、ピーク波長の間隔が２０ｎｍずつ異なっている。 - 特許庁 - Noble metal colloid is mixed to gasoline or light oil for a vehicle or the like as super fine particles from 2 nm to 3 nm.
貴金属コロイドを車両等のガソリン又は軽油にサイズ２ナノメートルから３ナノメートルの超微粒子状態で混入する。 - 特許庁 - The particle diameter of the crosslinked acrylic rubber fine particles is 10 to 200 nm.
架橋アクリルゴム微粒子の粒径が１０〜２００ｎｍである。 - 特許庁 - A filter 30 cuts off a wavelength component of 800-900 nm.
フィルタ３０は、８００〜９００ｎｍの波長成分をカットする。 - 特許庁 - The transmissivity with a wavelength 400 nm is estimated to be approximately 4-6%.
波長400nmの透過率は4乃至6％程度と見積もられた。 - 特許庁 - The fluorescent light 3 has a borosilicate glass cylinder 6 eliminating a wavelength of 280-300 nm and a wavelength of 340-550 nm.
蛍光灯３は、２８０〜３００ｎｍの波長と３４０〜５５０ｎｍの波長とを除去するホウケイ酸ガラスシリンダ６を有している。 - 特許庁 - The wavelength of the laser is controlled to be 193 nm to 10.6 μm.
上記レーザーの波長が１９３ｎｍ〜１０．６μｍとされる。 - 特許庁 - The laser beam is radiated due to the pulse oscillation within the range of wavelength of 520 nm to 540 nm from the side of the semiconductor thin film 4.
レーザー光は、半導体薄膜４側から５２０ｎｍ〜５４０ｎｍの波長範囲で、パルス発振により照射される。 - 特許庁 - A semiconductor laminated layer 25a includes an active layer 27 having a light emitting peak within a wavelength of ≥400 nm and ≤550 nm.
半導体積層２５ａは、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長範囲内の発光ピークを有する活性層２７を含む。 - 特許庁 - A 780 nm wavelength band laser 12 and a 650 nm wavelength band laser 14 are formed on an n-type GaAs substrate 10.
ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に７８０ｎｍ帯波長レーザ１２と６５０ｎｍ帯波長レーザ１４が形成されている。 - 特許庁 - The use of alexandrite allows oscillation in the near-infrared, specifically in a 50 nm range surrounding 755 nm.
アレキサンドライトを使用することによって、赤外線近傍、特に７５５ｎｍ周辺の５０ｎｍの範囲における発振が可能となる。 - 特許庁 - To enable WDM transmission by utilizing the whole wavelength range of 1,300 nm-1,625 nm as a signal wavelength band.
１３００ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長範囲全体を信号波長帯域として利用してＷＤＭ伝送を可能にする。 - 特許庁 - A table control section 161 manages uni-cast queues 21-11,..., 21-1m, 21-21,..., 21-2m,..., 21-n1,..., 21-nm and multi-cast queues 22-1,..., 22-n.
テーブル制御部１６１は、ユニキャストキュー２１-11，〜，２１-1m、２１-21，〜，２１-2m、…、２１-n1，〜，２１-nm、及びマルチキャストキュー２２-1，〜，２２-nを管理している。 - 特許庁 - The average crystalline particle size of the particulates is preferably 3-350 nm.
その平均結晶子径は３〜３５０ｎｍとするのが好ましい。 - 特許庁 - The conductive film 30 contains conductive particles, and an average particle diameter of the conductive particles is 1 nm or more and 100 nm or less.
導電性被膜３０は、導電性粒子を含み、導電性粒子の平均粒径は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 - 特許庁 - Since the blooming variation is ±10 nm, the ratio of this line-width variation to the blooming variation is about 1/5.
ボケの変動が±10nmなのでその比率は約1/5である。 - 特許庁 - It is preferable that the transition-metal complex layer 9 has a film thickness of 10 nm or less, and it is further preferable that the complex layer has a film thickness of 2 nm or less.
遷移金属錯体層９は、膜厚１０ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは膜厚２ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The substrate for the optical display device has surface roughness with ≤0.9 nm Ra (arithmetic mean roughness) and ≤1.5 nm Rms (root- mean-square roughness).
本発明の光学デバイス用基板は、Ｒａが０．９ｎｍ以下でかつＲｍｓが１．５ｎｍ以下の表面粗さを有する。 - 特許庁 - Preferably, the film thickness of a reflection layer is in a range of 120-180 nm and the groove width of the reflection layer is in a range of 85-150 nm.
また、反射層の膜厚を１２０〜１８０ｎｍとし、反射層の溝幅を８５〜１５０ｎｍとすることが好ましい。 - 特許庁 - The PV values of the surface around the part where the cutting edge is formed so as to be 3-300 nm on the rake face and 3-2000 nm on the flanks.
切刃が形成される周辺の面のＰＶ値は、すくい面が３〜３００ｎｍ、逃げ面が３〜２０００ｎｍとする。 - 特許庁 - The entire NiSi layer 110 has a thickness not larger than 50 nm.
ＮｉＳｉ層１１０全体の層厚が５０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The thickness of the transition inhibiting layer 104 is 40 nm-0.7 μm.
転位阻止層１０４の厚みは４０ｎｍ〜０．７μｍである。 - 特許庁 - To realize an L band optical amplifier of 980 nm band excitation.
９８０ｎｍ帯励起のＬバンド光増幅器を実現する。 - 特許庁 - An average crystal grain diameter of the ZnO-based thin film is 200 nm or larger, and variations of the grain diameters are 30 nm or less in terms of a standard variation.
ＺｎＯ系薄膜の平均結晶粒径を２００ｎｍ以上、粒径ばらつきが標準偏差で３０ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - An average particle diameter of the inorganic filler is 100 nm or less.
前記無機充填材の平均粒径が１００ｎｍ以下である。 - 特許庁 - An exciting light source 14 generates a 1,450 nm or 1,550 nm excitation light inducing Raman amplification to the optical fibers 12b.
励起光源１４は、光ファイバ１２ｂにラマン増幅を起こさせる１４５０ｎｍ又は１５５０ｎｍの励起光を発生する。 - 特許庁 - The metal nano particles can have a particle diameter of about 2-20 nm.
金属ナノ粒子は約２〜約２０ｎｍの粒径を有し得る。 - 特許庁 - To provide a production method that is capable of efficiently obtaining fine fibers having an average fiber diameter of 1 nm to 1000 nm.
平均繊維直径が１ｎｍ〜１０００ｎｍの微細繊維を効率よく得ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁 - Further, an optically anisotropic layer having retardation Re of from 0 nm to 200 nm is provided on the hybrid film to prepare an optically compensatory film.
また、このハイブリッドフィルムに、レターデーションＲｅが０〜２００ｎｍである光学異方性層を設け、光学補償フィルムとする。 - 特許庁 - In this situation, the wavelength of each laser may be made not longer than 410 nm.
この場合、レーザの波長を、４１０ｎｍ以下にするとよい。 - 特許庁 - The wavelength of radiated visible laser beam is preferably from 630 nm to 650, most preferably 635 nm.
照射される可視光レーザー光の波長は、６３０ｎｍ〜６５０ｎｍであることが好ましく、６３５ｎｍであるのが最も好ましい。 - 特許庁 - The first emission peak wavelength (λp) has a difference of 10 nm or more and 80 nm or less against the second emission wavelength (λp).
第１の発光ピーク波長（λｐ）は、第２の発光ピーク波長（λｐ）に対し１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の差を有する。 - 特許庁 - Further, particulate-shaped oxides with the average particle diameters of 5 to 500 nm are present at the surface of the plating phase other than the flat part.
また、平坦部以外のめっき相表面には、平均粒径が5nm以上500 nm以下の微粒子状の酸化物が存在している。 - 特許庁 - As a backlight 31, an irradiation source with peak brightness wavelength within the range of 620 nm to 660 nm is used.
バックライト３１としては、ピーク輝度の波長が６２０ｎｍ以上６６０ｎｍ以下の範囲にある光を照射するものを用いる。 - 特許庁 - The average particle size of inorganic particulates is about 2-1,000 nm.
無機微粒子の平均粒子径は２〜１０００ｎｍ程度である。 - 特許庁 - The etalon plates comprise a material that is substantially transparent at 157 nm.
エタロン・プレートは１５７ｎｍでほぼ透明な材料からなる。 - 特許庁 - To provide a 1/4 wavelength plate which can be advantageously and commonly used for lights of two reference wavelengths of 785 nm and 660 nm.
２つの基準波長：７８５ｎｍ、６６０ｎｍの光に対して良好に共用できる１／４波長板を実現する。 - 特許庁
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