「nm」を含む例文一覧(14378)

<前へ 1 2 .... 146 147 148 149 150 151 152 153 154 .... 287 288 次へ>
  • In the dispersion, the fine particles with the diamond structure have a median diameter of 4-100 nm when measured by a particle size distribution meter in which laser beam diffraction and scattering are taken a measuring principle.
    ダイヤモンド構造を有する微粒子が、レーザー光回折・散乱を測定原理とした粒度分布計で測定したときの、メジアン径が、4〜100nmであるである分散体。 - 特許庁
  • To provide a storage medium using an organic dye material capable of performing recording/reproduction with light having ≤620 nm wavelength and a recording method and a recording apparatus using the same.
    本発明は620nm以下の波長の光で記録/再生できる有機色素材料を用いた記憶媒体、及びそれを用いる記録方法,記録装置を提供することである。 - 特許庁
  • The cosmetics comprise a silica-coated metallic oxide powder having 0.1-100 nm silica coat thickness and ≤6 mmH_2O/min photocatalytic activity measured by a tetralin autoxidation method.
    シリカ膜厚が0.1〜100nmであり、テトラリン自動酸化法により測定した光触媒活性度が6mmH_2 O/min.以下であるシリカ被覆金属酸化物粉を含有する化粧料。 - 特許庁
  • To enables excellent immersion lithogoraphy through a simplified process and to obtain a rectangular pattern which has high sensitivity through exposure to light of 180 to 250 nm in wavelength from an ArF excimer laser.
    簡略化されたプロセスにより良好な液浸リソグラフィーを可能とし、ArFエキシマレーザー等の波長180〜250nmの露光によって高感度で矩形形状のパターンを得る。 - 特許庁
  • The negative electrode active material, containing metal nanocrystal composites, comprising metal nanocrystals having a particle diameter of about 20 nm or smaller and a carbon coating layer, formed on a surface of the metal monocrystal, are provided.
    粒径20nm以下の金属ナノ結晶と、金属ナノ結晶の表面上に形成された炭素コーティング層とからなる金属ナノ結晶複合体を含む負極活物質である。 - 特許庁
  • The fine particle is prepared by coating a porous composite oxide particle comprising silica and an inorganic oxide other than silica with a porous silica-based inorganic oxide layer having a thickness of 0.5-20 nm.
    微粒子は、シリカとシリカ以外の無機酸化物とからなる多孔質の複合酸化物粒子が、厚さが0.5〜20nmである多孔質のシリカ系無機酸化物層で被覆されてなる。 - 特許庁
  • This is the carbon active material for the lithium secondary battery containing a thin film or a cluster layer of metal or metal oxide in which coating of a thickness of 1 to 300 nm is applied to the carbon surface.
    炭素表面に1〜300nm厚さでコーティングした金属、又は金属酸化物の薄膜若しくはクラスター層を含むことを特徴とするリチウム二次電池用炭素活物質である。 - 特許庁
  • A light absorption spectrum before the recording (in the unrecorded area) is a spectrum having a wide width, and absorbance Ah405 at a reproduction wavelength of 405 nm has a sufficiently large value.
    記録前(未記録領域で)の光吸収スペクトルは幅の広いスペクトルになっており、405nmの再生波長での吸光度Ah405は充分に大きな値になっている。 - 特許庁
  • The titanium oxide coating film is formed by adhering the titanium oxide sol, volatilizing the solvent, heating at a temperature of ≥200°C and then irradiating an electromagnetic wave with a wavelength of <650 nm.
    この酸化チタンゾルを付着させ溶媒を揮発させた後、200℃以上での加熱焼成処理、波長650nm未満の電磁波照射処理により酸化チタン塗膜を形成する。 - 特許庁
  • The strontium carbonate fine powder has an average projected area-equivalent diameter of primary particles of 5-80 nm and a variation coefficient to the average projected area-equivalent diameter within 40%.
    一次粒子の投影面積相当径の平均が5〜80nmの範囲にあり、その投影面積相当径の平均に対する変動係数が40%以内にある炭酸ストロンチウム微粉末。 - 特許庁
  • In this embodiment, the nickel plated layer is made extremely thinner than before so as to have a thickness of 25 nm or below to set the ultraviolet transmissivity of the die to 10% or above.
    この実施の形態においては、ニッケルめっき層の厚さを従来に比べて極めて薄くし、25nm以下とすることにより、紫外線透過率を10%以上としている。 - 特許庁
  • The substrate for flexible printed circuit comprises a thin film layer of copper and a sheet-like substrate of aromatic polyamide wherein the thin film layer of copper has a thickness of 50-500 nm.
    銅薄膜層と芳香族ポリアミドからなるシート状基材とからなり、かつ銅薄膜層の厚みが50nm以上500nm以下であることを特徴とする、フレキシブルプリント回路用基板。 - 特許庁
  • On this optical recording disk 1, information is recorded by irradiation by the light having a prescribed wavelength λ_L in the wavelength region of 400-420 nm, from the light-transmitting layer 5 side.
    この光記録ディスク1では、光透過層5側から400〜420nmの波長域における所定の波長λ_Lを有する光を照射することにより情報の記録が可能である。 - 特許庁
  • The component (C) has 20-100 nm primary particle diameter, and is preferably aluminum-doped zinc oxide, zinc antimonate, antimony-doped tin oxide, indium-doped tin oxide, phosphorus-doped tin oxide and/or antimony oxide.
    (C)が、20〜100nmの一次粒径を持ち、アルミニウムドープ酸化亜鉛、アンチモン酸亜鉛、アンチモンドープ酸化錫、インジウムドープ酸化錫、リンドープ酸化錫及び/又は酸化アンチモンが好ましい。 - 特許庁
  • In this measuring method of the light transmittance of the synthetic quartz glass at the wavelength of 165 nm or below, measurement is executed with the temperature dispersion in a synthetic quartz glass sample controlled within ±1%.
    波長165nm以下における合成石英ガラスの光透過率の測定方法において、合成石英ガラス試料内の温度ばらつきを±1℃以内に制御した状態で測定する。 - 特許庁
  • To provide an ultraviolet sensor which is excellent in a heat resistance and durability, and can consecutively monitor ultraviolet rays in the vicinity of a wavelength of 254 nm without calibrating for adjusting a sensitivity.
    耐熱性・耐久性に優れ、感度調整のための校正を行うことなく波長254nm付近の紫外線を連続的に監視することができる紫外線センサを提供する。 - 特許庁
  • The silicon particle superlattice consists of a plurality of silicon particles, wherein an average particle diameter of the silicon particles is 1-50 nm and a coefficient of variation of particle diameter is ≤20%.
    複数のシリコン粒子から構成されるシリコン粒子超格子であって、該シリコン粒子の平均粒径が1〜50nm、粒径の変動係数が20%以下であるリコン粒子超格子。 - 特許庁
  • To increase the wavelength of an InGaN-based nitride semiconductor optical element, having a long wavelength (of 440 nm or more) of blue or longer, while suppressing segregation or degradation of crystallinity.
    青色以上の長波長(440nm以上)を有するInGaN系窒化物半導体光素子において、In偏析や結晶性の劣化を抑制しながら、長波長化を実現する。 - 特許庁
  • To provide a method of producing microfibrous cellulose comprising mechanically defibrating cellulose fiber so as to easily provide microfibrous cellulose with a fiber width of 2-1000 nm.
    セルロース繊維を機械的に解繊することによって、繊維幅が2〜1000nmの微細繊維状セルロースを容易に得ることができる微細繊維状セルロースの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The organic-inorganic composite comprises tetragonal zirconia particles having 1-20 nm average dispersed particle size and a hydrophilic resin containing a nitrogen atom at a main or side chain.
    平均分散粒径が1nm以上かつ20nm以下の正方晶ジルコニア粒子と、主鎖あるいは側鎖に窒素原子を含有する親水性樹脂とを含有してなる有機無機複合体。 - 特許庁
  • The metal oxide for the photocatalytic deodorizing and bactericide consists of ≥1 kind of fine particles having ≤35 nm mean particle diameter among titanium oxide, a zinc-doped titanium oxide and a nitrogen-doped titanium oxide.
    光触媒消臭及び除菌用金属酸化物は酸化チタンと亜鉛ドープ酸化チタンと窒素ドープ酸化チタンの内の1種以上からなる平均粒径35nm以下の微粒子である。 - 特許庁
  • The absorbance of the made filtrate is measured at an absorption wavelength in the vicinity of 292 nm by using an ultraviolet-visible spectrophotometer and the quantity of lignin is determined by comparing the measurement value with an analytical curve.
    作製したろ液を、紫外可視分光光度計を用い、292nm付近の吸収波長で吸光度を測定し、測定値と検量線とを比較をして、リグニン量を定量する。 - 特許庁
  • The method for producing the immobilized cutinase for synthetic reaction of an ester comprises immobilizing cutinase under a condition of pH 6-7 onto a carrier having pores having 2-20 nm average pore diameter.
    平均孔径が2〜20nmの細孔を有する担体に、pH6〜7の条件下でクチナーゼを固定化することを特徴とするエステル合成反応用固定化クチナーゼの製造方法である。 - 特許庁
  • Ozone is dissolved in a liquid containing the organoarsenic compound and the ozone dissolved liquid is irradiated with ultraviolet rays with a medium wavelength of 200-300 nm to convert the organoarsenic compound to the inorganic arsenic compound.
    有機ヒ素化合物を含む液にオゾンを溶解し、これに200〜300nmの中波長紫外線を照射することを特徴とする有機ヒ素化合物の無機化方法。 - 特許庁
  • Preferably, the metal nanowire includes 50 wt.% or more of metal nanowire with its diameter of 50 nm or less and its length of 5 μm or, as metal volume in a whole metal particles.
    該金属ナノワイヤーが、直径50nm以下であり、かつ長さ5μm以上の金属ナノワイヤーを、全金属粒子中に金属量で50質量%以上含む態様が好ましい。 - 特許庁
  • This is a particle-dispersing resin sheet that comprises an epoxy resin having a dicyclopentadiene structure and an inorganic oxide having an average particle size of 1 nm-100 mm dispersed therein.
    ジシクロペンタジエン型骨格を有するエポキシ系樹脂と、平均粒径1nm〜100μmの無機酸化物とを含み、前記無機酸化物が分散されている粒子分散系樹脂シート。 - 特許庁
  • When generating power by supplying fuel containing hydrogen and oxygen to the anode 24 and the cathode 30 respectively, ultraviolet rays of the wavelength not longer than 410 nm are irradiated on the cathode 30.
    アノード24とカソード30とにそれぞれ水素と酸素とを含有する燃料を供給して発電する際に、カソード30に波長が410nm以下の紫外線を照射する。 - 特許庁
  • The hexagonal boron nitride single crystal is characterized in that it has ultraviolet ray emission having maximum light-emission intensity at a wavelength of 215 nm at least at room temperature.
    本発明の六方晶窒化ホウ素単結晶は、少なくとも室温において波長215nmに最大発光強度を有する紫外線発光を有してなることを特徴とする。 - 特許庁
  • In the electrode pad 103, at least a surface layer of a region where the wire is bonded is formed by ruthenium or ruthenium oxide, and the film thickness of the surface layer is 20 nm or thicker.
    電極パッド103において、ワイヤがボンディングされている領域の少なくとも表層はルテニウム又は酸化ルテニウムにより構成され、その表層の膜厚は20nm以上である。 - 特許庁
  • A cycloolefin polymer having carbon-to-carbon unsaturated bonds is hydrogenated by using a hydrogenation catalyst prepared by allowing a support having a means pore diameter of 30-300 nm to carry a metal.
    平均細孔径が30nm以上300nm以下である担体に金属を担持した水素化触媒を用いて、炭素−炭素不飽和結合を有する環状オレフィン重合体を水素化する。 - 特許庁
  • Here, the deposition rate of the CeO_2 thin film in the deposition step is ≥30 nm/min, and the temperature of the oriented metal substrate in the deposition step is 750-1,100°C.
    そして、成膜工程におけるCeO_2膜の成膜速度は30nm/分以上であり、成膜工程における、配向性金属基板の温度は750℃以上1100℃以下である。 - 特許庁
  • In the case of a liquid crystal display device, the gate insulation film of a TFT driven on a low voltage (3.3 V or 5 V) is constituted of one layer of an insulation film 113 and is turned to the thickness of 30 nm for instance.
    液晶表示装置の場合、低電圧(3.3V又は5V)で駆動するTFTのゲート絶縁膜を1層の絶縁膜113で構成し、例えば30nmの厚さとする。 - 特許庁
  • Thereby, average surface roughness Ra of the disk substrate is made to be ≤0.3 nm, square mean inclined angle Δa is made to be ≥0.02 rad and density of texture grooves is made to be ≥50 pieces/μm.
    これにより、ディスク基板の平均面粗さRaを0.3nm以下とし、2乗平均傾斜角Δaを0.02rad以上とし、テクスチャ溝の密度を50本/μm以上とする。 - 特許庁
  • An upper λ/2 retardation film is disposed between the upper substrate and the upper polarizer, and includes Δnd1 of 250 to 270 nm and a slow axis forming at an angle of 156 to 176° in the clockwise direction with respect to the absorption axis.
    上部λ/2位相差フィルムは、250〜270nmのΔnd1及び吸収軸から時計方向に156〜176°であるスロー軸を有し、上部基板と上部偏光板との間に位置する。 - 特許庁
  • The zinc oxide thin film compounded on a silicon board keeps emitting only band edge light (875-380 nm) but hardly emits blue light or a visible light region even after it is subjected to a thermal treatment.
    シリコン基板上に合成した酸化亜鉛薄膜に関して、熱処理後もバンド端発光のみ(875-380nm)を維持し、青ないしは可視領域の発光を伴わない熱処理方法。 - 特許庁
  • The material comprises fluorinated apatite obtained by preparing a neutral aqueous solution at 30 to 100°C in which P and Ca are mixed and then F is supplied thereto, and precipitating crystals having a grain size of not more than 100 nm.
    PとCaを混合し、その後、Fを投下した30〜100℃の中性水溶液から粒度100nm以下の結晶として析出させたフッ化アパタイトで構成される。 - 特許庁
  • As to the surface on the side whereon the stock solution is cast, the number of projections of which the height from the surface is 350 nm or above is set preferably to be 200 pieces/mm^2 or below.
    また、原料溶液が流延される側の表面は、該表面からの高さが350nm以上の突起の数が200個/mm^2以下に好ましくは設定されている。 - 特許庁
  • The ferromagnetic powder is plate-shaped nitrided iron powder which is mainly composed of Fe_16N_2, wherein an average plate diameter is in a range of 10 to 35 nm, and an average plate-shaped ratio is in a range of 1.5 to 4.5.
    前記強磁性粉末は、Fe_16N_2を主成分とし、平均板径が10〜35nmの範囲であり、かつ平均板状比が1.5〜4.5の範囲である板状窒化鉄粉末である。 - 特許庁
  • The color image screen includes improved blue emitting phosphor layer which is furnished with a first blue emitting phosphor and a second phosphor to exhibit light emission in the range 380-450 nm.
    本発明によるカラー画像スクリーンの青色発光蛍光体層は第1の青色発光蛍光体と、380−450nmの範囲内の発光を示す第2の蛍光体とを具える。 - 特許庁
  • The copper wiring has a width of not more than 70 nm and a ratio D/W of an average crystal particle diameter D to a wiring width W is ≥1.3 in a surface parallel to the side surface of a trench.
    銅配線の配線幅が70nm以下で、トレンチの側面と平行な面における平均結晶粒径Dと配線幅Wの比D/Wを1.3以上にする。 - 特許庁
  • To provide a reproduction method for performing highly accurate multivalue reproduction without complicating a learning method, even in a high density state where a cell length is, for example, 160 nm or less.
    セル長が、例えば、160nm以下の高密度化状態であっても、学習方法が複雑になることなく、確度の高い多値再生が可能な再生方法を提供する。 - 特許庁
  • Since even the silicon nitride film 20 of 7 nm or less fills the role as the excellent carbon stopper, a carbon concentration in an STI 12 is set to 10E 17 atoms/cm^3 or less, and stable transistor characteristics are obtained.
    nm以下のシリコン窒化膜20でも良好なカーボンストッパーとしての機能を果たすので、STI12中のカーボン濃度を10E17atoms/cm^3以下にし、安定したトランジスタ特性を得る。 - 特許庁
  • A sheet-like composition is formed by making a gel sheet contain the carbon dioxide in an amount of 150 ppm to 3,000 ppm, wherein the gel sheet has a light transmittance of at least 70% at a wavelength of 550 nm and comprises a water-containing gel.
    波長550nmに於ける光透過率が少なくとも70%以上で含水ゲルからなるゲルシートに二酸化炭素を150ppm〜3,000ppm含有してなるシート状組成物。 - 特許庁
  • The vapor phase-grown carbon fiber is a rigid fiber having an average diameter of 20-200 nm, an average length of 5-20 μm and an average of the flexing index, defined by expression (1) below, of 5-15.
    気相成長炭素繊維は、平均直径が20〜200nm、平均長さが5〜20μmであり、下記式(1)で定義される屈曲指数の平均値が5〜15の剛直な繊維である。 - 特許庁
  • Further, it is preferable that the micropore surface area in the micropores of pore size 1 to 1,000 nm among open pores communicating with the film surface layer occupies ≥50% of total micropore surface area.
    また、膜表層に連通する開気孔のうち、孔径1〜1000nmの細孔における細孔表面積が全細孔表面積の50%以上を占めることが好ましい。 - 特許庁
  • There is provided the sound-absorbing material which comprises aromatic polyamide nanofibers each having a diameter of 10-500 nm on a cross section orthogonal to the axis of the fiber and has a sound-absorbing rate of ≥60% at a frequency of 4,000 Hz.
    繊維軸と直交する断面直径が10〜500nmの芳香族ポリアミドナノファイバーからなり、周波数4000Hzの吸音率が60%以上である吸音材である。 - 特許庁
  • The thickness of the metal coated film 4 is desirably set to a degree that does not permit the electron beam of the X-ray analyzer to pierce and that does not close the filter pores 3 and is preferably set to 40-100 nm.
    金属被覆膜4の膜厚は、X線分析装置の電子線が貫通しない程度で、ろ過穴3を塞がない程度が望ましく、40nm〜100nmが好適である。 - 特許庁
  • The stacked structure comprises an AlGaInP-based compound semiconductor material, and the p-type clad layer 6 in the stacked structure has a thickness of 600 to 800 nm.
    この積層構造部は、AlGaInP系化合物半導体材料により構成され、この積層構造部のうちp型クラッド層6は、600nm以上800nm以下の厚さを有する。 - 特許庁
  • To provide a powder material for catalytic carriers, which is based on ceria nanoparticles each having <20 nm average particle size and a rectangular parallelepiped shape, and to provide a method for producing the powder material.
    平均粒径が20nm未満であって直方体形状を有するセリアナノ粒子を主体とする触媒担体用粉体材料、及び該粉体材料を製造する方法の提供。 - 特許庁
  • To provide a light emitter which has a broad excitation band within a wavelength range of 300-400 nm and efficiently emits a light, by an easy method requiring no firing at an elevated temperature.
    本発明は、高温による焼成を必要とせず、簡便な方法で300〜400nmの波長域にブロードな励起帯を有し、高い効率で発光する発光体の提供を目的とするものである。 - 特許庁
<前へ 1 2 .... 146 147 148 149 150 151 152 153 154 .... 287 288 次へ>

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.