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＜前へ 1 2 .... 174 175 176 177 178 179 180 181 182 .... 287 288 次へ＞- An SiGe mixed crystal layer 14 is formed on a first Si layer 13 of an SOI substrate 10, and a second Si layer 16 which has a thickness of 55 to 550 nm thicker than the thickness of the first Si layer is formed on the SiGe mixed crystal layer.
ＳＯＩ基板１０の第１Ｓｉ層１３上にＳｉＧｅ混晶層１４を形成し、ＳｉＧｅ混晶層上に第１Ｓｉ層の厚さより厚い５５〜５５０ｎｍの厚さの第２Ｓｉ層１６を形成する。 - 特許庁 - The optical glass has an internal transmittance at the thickness of 2 mm of ≥80% and a refractive index of ≥1.85 to light with a wavelength of 405 nm, and is composed of, by molar percentage, ≥20% TeO_2 and ≤15% alkali metal oxides.
波長４０５ｎｍの光に対する厚み２ｍｍにおける内部透過率≧８０％かつ屈折率≧１．８５であって、モル％でＴｅＯ_２≧２０％、アルカリ金属酸化物≦１５％である光学ガラス。 - 特許庁 - Part of ultraviolet rays of 400 nm or less in wavelength radiated from the discharge lamp 2 passes through the mesh of the filters 4 and is reflected by the inner surface of a case 1 to activate the photocatalyst filters 4 from the back faces.
光触媒フィルタを複数枚空気通過方向に重ねて用いることにより、汚染物質の捕捉率を高めることができ、結果として空気清浄能力を高めた空気清浄装置を得ることができる。 - 特許庁 - A preform 18 has ≥1,150 ppm OH content, ≤5 nm/cm stress birefringence, ≥1×10^18 molecule/cm^3 H_2 content, ≤20 ppm Cl content and max. 500 ppb content of trace impurities of Cr, Co, Fe, Ni, Cu, V, Zn, Al, Li, K and Na and contains no layered structure.
OH含有量≧1150ppm、応力複屈折≦5nm/cm、H_2含有量≧1×10^18分子/cm^3、Cl含有量≦20ppm、微量不純物元素Cr、Co、Fe、Ni、Cu、V、Zu、Al、Li、K、Na含有量最大500ppbであり、且つ、実質的に層状構造を含まないプリフォーム１８とする。 - 特許庁 - The gas-barrier film keeps an inorganic vapor deposition layer 3 of a thickness of 5-300 nm and an inorganic filler-containing layer 5 containing 5-60 vol.% of an inorganic filler overlying at least one side of a plastic substrate 1 one after another.
プラスチック基材１の少なくとも一方の面に、厚さ５〜３００ｎｍの無機蒸着層３と、無機フィラーを５〜６０体積％含む無機フィラー含有層５とを順次積層することを特徴とするガスバリアフィルム。 - 特許庁 - Also the liquid crystal display device is provided with a light cut filter 18 which can shield a light included in a light absorption region of the polymer dispersed liquid crystal and whose cut wavelength range is ≤430 nm at the longest.
液晶表示素子に前記高分子分散型液晶の光吸収領域の光を遮光することができ、かつカット波長の範囲は最長でも４３０ｎｍを越えない光カットフィルター１８を備える。 - 特許庁 - This is the electrode having a network structure of a conductive wire material of which the wire diameter is 0.1 to 200 nm, and electric resistance of a binding place of the conductive wire material is 1 to 100 times the electrical resistance of the conductive wire material.
線径が０．１〜２００ｎｍである導電線材のネットワーク構造を有する電極であって、前記導電線材の結合箇所の電気抵抗が、前記導電線材の電気抵抗の１〜１００倍である。 - 特許庁 - Red phosphorus master pellets are characterized by comprising (A) 50-85 pts.mass of a thermoplastic resin A and (B) 15-50 pts.mass of the red phosphorus and having 10 nm to 1 μm maximum particle diameter of the red phosphorus in the master pellets.
（Ａ）熱可塑性樹脂Ａ５０〜８５質量部と、（Ｂ）赤燐１５〜５０質量部と、を含むマスターペレットであって、マスターペレット中の赤燐の最大粒径が１０ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする赤燐マスターペレット。 - 特許庁 - The gas sensor is constituted by providing a gas detecting material film on one side of an electric insulating substrate having a resistor thin film formed thereon and the thickness of the resistor thin film is 50 nm-10 μm.
ガスセンサは、抵抗体薄膜が形成された電気絶縁性基板の一方の面に、ガス検出材料膜を備えるガスセンサであって、抵抗体薄膜の膜厚が、５０ｎｍ〜１０μｍの範囲内にある。 - 特許庁 - The synthetic quarts glass comprises 0.8 to 1.5 wt.% fluorine concentration, <1 ppm OH concentration, and 0.7 to 3×10^18 molecule/cm^3 H_2 concentration, and having no light absorption peak in the vicinity of 163 nm.
フッ素濃度が０．８〜１．５重量％、ＯＨ濃度が１ｐｐｍ未満、Ｈ__２濃度が０．７〜３×１０^１８分子／ｃｍ^３であって、１６３ｎｍ付近に光吸収ピークを有しない合成石英ガラスである。 - 特許庁 - On the surface on the side in which an element is formed in a glass substrate 10 having, e.g. 3 mm thickness, for preventing electrification on the surface of the substrate 10, a thin film 11 having, e.g. 10 nm thickness is formed by a sputtering method or the like.
厚さが、例えば３ｍｍであるガラス基板１０の素子形成側表面には、基板１０の表面の帯電を防止すべく、スパッタ法等により厚さが、例えば１０ｎｍの薄膜１１が成膜されている。 - 特許庁 - The steel wire material to be subjected to a final wet wire drawing for producing a steel wire, has a brass-plated layer on the peripheral surface, and is regulated so as to have an average grain size of the plating in the brass-plated layer of ≤100 nm.
スチールワイヤを製造するための最終湿式伸線に供するスチールワイヤ材であって、周面にブラスめっき層を有し、該ブラスめっき層における、めっきの平均結晶粒径を100ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - This ink composition is obtained by including water, a shear viscosity reducing agent, and as a colorant, pref. 5-40 wt.% of a pearl pigment prepared by coating the surface of mica with titanium oxide to form a coating layer 40-60 nm thick, and pref. further 10-40 wt.% of titanium oxide as auxiliary colorant.
水、剪断減粘性付与剤、及び、着色剤として雲母の表面を酸化チタンで被覆した、被覆層の厚みが４０〜６０ｎｍのパール顔料を含むボールペン用水性白色インキ組成物。 - 特許庁 - To provide red or white color phosphor having high color rendering properties and a light emitting device having high color rendering properties and high luminescence intensity by combining the phosphor with a stimulation source which emits the light of 350 to 430 nm.
演色性が高い赤色又は白色蛍光体、及び、３５０−４３０ｎｍの光を発生する励起源と蛍光体を組み合わせ、演色性が高く、かつ、発光強度の高い発光装置を提供する。 - 特許庁 - Then, the resin 3 is hardened, and prescribed polishing, such as mechanical polishing or ion polishing, is applied to the observation surface of the observation object 2, to thereby form a sliced sample for observation having the thickness of 100 nm or less.
そして、この後、樹脂３を硬化させ、観察対象物２の観察面に、機械研磨やイオン研磨等、所定の研磨を施すことで、厚さ１００ｎｍ以下の薄片状の観察用試料を形成する。 - 特許庁 - The silicon dioxide fine particle is hydrophobic, hydrophilic or a mixture of both and has an average particle size of 5-100 nm (nanometer) and is in the form of an aggregate in the agent.
また、上記二酸化珪素の微粒子は、疎水性、親水性、又はこれらの混合物であり、上記二酸化珪素の微粒子の平均粒径は５〜１００ｎｍ（ナノメーター）であり、ここでは集合体を形成している。 - 特許庁 - This ultra-violet ray cured film is formed by irradiating an ultra-violet ray having a maximum radiation wave length of not greater than 315 nm on a cured layer material comprising a silicone alkoxide compound and a photo-catalyzing semi-conductor compound.
シリコンアルコキシド系化合物および光触媒性半導体化合物を含んでなる硬化層原料に、最大放射波長が３１５ｎｍ以下のＵＶを照射することにより形成される紫外線硬化層。 - 特許庁 - A fluorine-containing grease composition comprising a carbonate of a melting point of 250°C or higher and, desirably, inorganic particles having a primary particle diameter of 50 nm or smaller and a rolling apparatus prelubricated therewith are provided.
融点が２５０℃以上であるカルボン酸塩、好ましくは一次粒子径が５０ｎｍ以下である無機粒子を更に含有するフッ素系グリース組成物、並びに前記フッ素系グリース組成物を封入してなる転動装置。 - 特許庁 - The compact is made specific surface area measured by a nitrogen gas absorbing method is 80-250 m2/g, mean pore diameter is 1.5-30.0 nm, and heat conductivity is ≤0.4 W/mK.
その成形体は、窒素ガス吸着法により測定した比表面積が８０〜２５０ｍ^２／ｇ、平均細孔直径が１．５〜３０．０ｎｍとなるようにし、かつ、その熱伝導率が０．４Ｗ／ｍＫ以下となるようにする。 - 特許庁 - The rolling bearing lubricant comprises a base oil and/or a base grease and a total of 1-20 mass% ultrafine silica particles having an average particle diameter of ≤40 nm and/or fine silica particles having an average particle diameter of 0.1-10 μm.
基油または基グリース中に、平均粒径40nm以下の超微細シリカ粒子および／または平均粒径0.1 〜10μm の微細シリカ粒子を合計で１〜20質量％含有する転がり軸受用潤滑剤とする。 - 特許庁 - This inkjet recording head is constituted in such a manner that the thickness of the water repellent member 4 is 300 nm or higher, and an angle formed by a surface having an ink discharging energy generating element 2 and the water repellent member end surface of an ink feeding port section is 20° or higher.
撥水部材４の厚さが３００ｎｍ以上であり、かつ、インク吐出エネルギー発生素子２を有する面とインク供給口部の撥水部材端面とのなす角度が２０°以上である構成とする。 - 特許庁 - To provide a magnetic recording head having high corrosion resistance reliability, wherein coverage of a protective film is enhanced and a pinhole is hardly generated even when the protective film has ≤5 nm thin film thickness, to provide a manufacturing method therefor and to provide a carbon protective film forming device.
保護膜のカバレッジを向上し５ｎｍ以下の薄い保護膜としてもピンホールの発生の少ない耐食信頼性の高い磁気記録ヘッド及びその製造方法並びに炭素保護膜形成装置を提供する。 - 特許庁 - The surface of a polycrystalline silicon film doped with boron (B) or phosphorus (P) is oxidized by using ozone to form a silicon oxide film of 4-20 nm on the surface of the polycrystalline silicon.
上記の課題を解決するため、ボロン（Ｂ）またはリン（Ｐ）をドープした多結晶シリコン膜表面を，オゾンを用いて酸化処理することによって，多結晶シリコン表面に４〜２０ｎｍのシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁 - This resist film 11 is selectively irradiated with extreme-ultraviolet radiation 12 having a wavelength of 1 to 30 nm band to carry out patternwise exposure and the patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 14.
レジスト膜１１に対して、１ｎｍ帯〜３０ｎｍ帯の波長を持つ極紫外線１２を選択的に照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁 - At least one of an n-type nitride semiconductor layer or a p-type nitride semiconductor layer further has a clad layer made of a nitride semiconductor containing Al, and the thickness of the clad layer is 10 nm or less.
ｎ型窒化物半導体層またはｐ型窒化物半導体層の少なくとも一方が、Ａｌを含む窒化物半導体からなるクラッド層をさらに有し、前記クラッド層の膜厚を５０ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - From the intermediate and subsequent period in the service life of the photoreceptor drum 2, a semiconductor laser 43 with oscillation wavelength of 440 nm is also used and the electrostatic latent image is written to the photoreceptor drum 2 by scanning an exposure spot synthesized to one point.
感光ドラム２の寿命中期以降は、発振波長４４０ｎｍの半導体レーザー４３の併用を開始し、同一点に合成した露光スポットを走査して感光ドラム２に静電潜像を書き込む。 - 特許庁 - With this etching method, a high etching rate of 480-490 nm/min can be realized at etching of the silicon oxide film not forming a resist film thicker than needed, but relatively thinly.
本発明に係るエッチング方法は、レジスト膜を必要以上に厚くせずに比較的薄く形成することにより、シリコン酸化膜をエッチングする際に４８０〜４９０ｎｍ／ｍｉｎの高エッチングレートを実現する方法である。 - 特許庁 - A first laser pulse at a wavelength of ≤850 nm is made incident on a first surface of the semiconductor substrate having impurities implanted to a surface layer portion of the first surface, to heat the first surface of the semiconductor substrate.
第１の表面の表層部に不純物が注入された半導体基板の第１の表面に、波長８５０ｎｍ以下の第１のレーザパルスを入射させて、半導体基板の第１の表層部を加熱する。 - 特許庁 - To obtain a laser module comprising a semiconductor laser element having an oscillation wavelength in the range of 350-450 nm and arranged in an enclosed container in which a long lifetime is attained by suppressing the generation of organic volatile gas in the enclosed container.
発振波長が３５０〜４５０ｎｍの範囲にある半導体レーザ素子を密閉容器内に配置してなるレーザモジュールにおいて、密閉容器内での有機揮発ガスの発生を抑えて、高寿命化を達成する。 - 特許庁 - The electrostatic charge image developing toner is characterized by containing porous silicon nitride fine powder of volume average grain size 50 to 200 nm and BET specific surface area 40 to 120 m^2/g as an external additive on a toner base particle surface.
トナー母粒子表面に、外添剤として体積平均径５０〜２００ｎｍ、ＢＥＴ比表面積４０〜１２０ｍ^2/ｇの多孔質窒化珪素微粉末を含有することを特徴とする静電荷像現像用トナー。 - 特許庁 - The conductive paste comprises silver powder, glass frit and an organic vehicle, and at least 50% by weight of the silver powder is silver powder having a particle diameter of 4.5-7 μm and a crystallite diameter of 100 nm or greater.
銀粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含む導電性ペーストであって、上記銀粉末のうちの５０重量％以上は、粒子径４．５μｍ〜７μｍかつ結晶子径が１００ｎｍ以上である銀粉末である。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium enabling recording and playback by a short wavelength laser having 520-690 nm wavelength, excellent in durability and suitable for high density and high-speed recording and a dye for recording layers used for the recording medium.
波長５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザーでの記録および再生が可能でかつ、耐久性に優れた高密度、高速記録に適した光記録媒体及びこれに使用される記録層用色素を提供する。 - 特許庁 - This cover glass for solid-state imaging device is provided with an infrared cut filter in a multilayer structure on a light transmission surface and the light transmittance of ultraviolet rays, having a wavelength of about 350 nm being ≥50%.
本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、多層構造の赤外線遮断フィルタを光透過表面に備え、波長約３５０ｎｍの紫外線の光透過率が５０％以上であることを特徴とする。 - 特許庁 - The carbon nanotubes which have mainly 2-5 layers, whose inside diameter is 3-6 nm and which have a plurality of inflection points are synthesized by the manufacturing method and the obtained carbon nanotubes are cut and dispersed.
その製造方法は２〜５層を主体とし、内径３ｎｍ〜６ｎｍの範囲にあり、複数の屈曲点を有するカーボンナノチューブを合成し、得られたカーボンナノチューブを切断し分散させることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a double lens set which gives high transmittance even in a UV region in a shorter wavelength side than 400 nm, which is free from problems about solarization, which shows preferable spherical aberration and which is easily produced.
４００ｎｍより短波長側のＵＶ（紫外線）領域でも良好な透過率が得られ、且つソラリザーションの問題も発生せず、球面収差がよく、しかも製作が容易な２枚組レンズを提供する。 - 特許庁 - It can constitute a high-luminance light-emitting module when combined with a semiconductor light-emitting element of an emission peak wavelength of 350 to 420 nm.
（Ｍ_1-x，Ｅｕ_x）Ｐ_3Ｏ_9（式中、Ｍは希土類元素であり、０≦ｘ＜１である）該赤色発光蛍光体は、発光ピーク波長が３５０〜４２０ｎｍの半導体発光素子と共に、高輝度の発光モジュールを構成することができる。 - 特許庁 - The cigarette filter material is composed of a polysaccharide containing at least one kind of amino group selected from amino acid and aminosulfonic acid and silica gel having an average pore diameter of ≥20 nm.
たばこフィルタを、アミノ酸類およびアミノスルホン酸類から選択された少なくとも１種のアミノ基を有する多糖類と平均細孔径２０ｎｍ以上のシリカゲルとで構成されているたばこフィルタ用素材で構成する。 - 特許庁 - As to the grating coefficient between the GaAs and GaP, GaInP can be used as the window layer for the red color laser element because the GaInP becomes a shorter wave than a luminescent wavelength of 650 nm as the grating coefficient decreases.
ＧａＡｓとＧａＰの間の格子定数では、ＧａＩｎＰは格子定数の減少に伴って発光波長６５０ｎｍよりも短波となるので、赤色レーザ素子の窓層として用いることができる。 - 特許庁 - The yellow pigment layer is formed as such a layer as to have the maximum absorption in the region of a wavelength of 560 nm or less and to have a spectral characteristic larger than 80% of a transmissivity at the wavelength showing the minimum absorption.
黄色顔料層は、波長 560nm以下の領域に最大吸収を有し、かつ波長 570nmにおける透過率が、最小吸収を示す波長での透過率の80％より大きい分光特性を有する層とする。 - 特許庁 - The polarization beam splitter using translucent yttria ceramics of ≥75% in translucency ratio of five-ray light of a wavelength 600 nm at a thickness 4 m/m as a glass material and the color liquid crystal projector having the same.
硝材として厚さ４ｍ／ｍにおける波長６００ｎｍの五線光の透光率が７５％以上である透光性イットリアセラミックスを用いた偏光ビームスプリッターと、これを有するカラー液晶プロジェクタ。 - 特許庁 - The objective lens 11 used in an optical pickup or the like is formed by applying a photocatalystic material 3 showing a hydropholic property by being excited by light whose wavelength is ≤420 nm to the surfaces of lenses 14 and 15.
光ピックアップ等に用いる対物レンズ１１は、レンズ１４，１５表面に波長が４２０ｎｍ以下の光によって励起し親水性を示す光触媒材料３がコーティングされることにより形成される。 - 特許庁 - This method for producing an inorganic pigment aqueous dispersion comprises wet-grinding an inorganic pigment in an aqueous medium containing the inorganic pigment and a surfactant until the particle size of the inorganic pigment comes to ≤300 nm determined by light scattering method.
無機顔料と界面活性剤を含む水性媒体中で粒子径が光散乱法で３００ｎｍ以下になるまで湿式解砕して無機顔料の水分散体を製造する、無機顔料分散体の製造方法。 - 特許庁 - The UV shielding filter agent contains 100 mass% particulate titanium dioxide having 1-45 nm average particle diameter of primary particles and 0.1-200 mass% low molecular gelatin having a weight average molecular weight of 2,000-50,000.
本発明の紫外線遮蔽フィルター剤は、一次粒子の平均粒子径が１〜45nmの微粒子酸化チタン100質量％と、重量平均分子量が2000〜50000の低分子ゼラチン0.1〜200質量％とを含有することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an IR reflective black pigment containing no harmful element and having excellent IR reflecting property and a high reflectance at a wavelength of 1,500 nm in an IR region.
本発明は、有害な元素を含有せず、しかも優れた赤外線反射性を有し、赤外線領域波長１５００ｎｍにおいても高い反射率を有する赤外線反射性黒色顔料を提供する。 - 特許庁 - To provide an optical recording disc which has a recording layer containing an organic compound as a principal component and can record/reproduce data with the help of a bluish-purple laser beam with a wavelength of 390 to 420 nm.
有機化合物を主成分として含む記録層を備え、３９０ないし４２０ｎｍの波長の青紫色レーザー光を用いて、データを記録し、再生することができる光記録ディスクを提供する。 - 特許庁 - The flat plate Pt single crystal having a not smaller than 400 nm particle diameter is formed on a substrate by repeating an ion irradiation and a heating treatment by turns to the Pt thin film formed on the amorphous silica substrate.
非晶質シリカ基板上に形成されたPt薄膜にイオン照射と加熱処理を交互に繰り返すことにより、基板上に粒径４００ｎｍ以上の大きさを持つ平板状Pt単結晶を形成する。 - 特許庁 - Total loss is increased by increasing only the waveguide loss, a high-order quantum level is stimulated to expand the gain spectrum width of an active layer to 200 nm, thus providing the wide-band variable-wavelength semiconductor laser.
導波路損失のみを高めることで全損失を大きくして、高次の量子準位を励起させることで、活性層の利得スペクトル幅を２００ｎｍまで広げて、広帯域の波長可変半導体レーザを提供する。 - 特許庁 - When the catalyst particles preferable as the fuel cell is supported on the carbon nanohorn aggregate, the particle diameter of the catalyst particle is made fine to be ≤3 nm and the catalyst for the fuel cell exhibiting excellent catalytic performance is obtained.
このカーボンナノホーン集合体に燃料電池用として好ましい触媒粒子を担持すれば、触媒粒子の粒径を３ｎｍ以下と微細化でき、触媒能に優れた燃料電池用触媒とすることができる。 - 特許庁 - The light shielding layer SP is formed by dispersing a pigment in a photo-curable transparent resin and further contains a photopolymerization initiator which absorbs light of ≤400 nm wavelength and a pigment dispersant.
この遮光層ＳＰは、光硬化性透明樹脂に顔料を分散することによって形成され、さらに、光吸収波長が４００ｎｍ以下の光重合開始材及び顔料分散材を含んでいる。 - 特許庁 - Thus, the AlBGaN layer of a thickness of 100 nm or more can be formed without causing cracks, and the nitride semiconductor can be materialized which suppresses the resistance of the element and has a high breakdown voltage.
これによって、クラックを生じることなく、１００ｎｍ以上の厚いＡｌＢＧａＮ層を形成することができ、素子の抵抗を抑えつつ、降伏電圧の高い窒化物半導体を実現することができる。 - 特許庁
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