「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 171 172 173 174 175 176 177 178 179 .... 287 288 次へ＞- The immunogenic peptide having between about 9 and about 15 residues binds a cytotoxic T cell to at least two kinds of HLA-A3 molecules with a dissociation constant smaller than about 500 nM, and induces a cytotoxic T cell response.
細胞障害性Ｔ細胞を少なくとも2種のHLA-A3様分子に約500nMよりも小さな解離定数で結合して細胞障害性Ｔ細胞応答を誘導する、約９から約15残基の免疫原性ペプチド。 - 特許庁 - The resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 laser light having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 14.
レジスト膜１１に、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2レーザ光１３をマスク１２を介して照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁 - The G-color light including the wavelength of 580 nm is made incident on a wavelength selective phase plate 204 through a polarization beam splitter 103, a polarization beam splitter 105, a 1/2-wavelength plate 301, and a polarization beam splitter 106.
波長５８０ｎｍを含むＧ色光は、偏光ビームスプリッタ１０３、偏光ビームスプリッタ１０５、１／２波長位相板３０１、および偏光ビームスプリッタ１０６を経て波長選択性位相板２０４に入射される。 - 特許庁 - In a wiring board wherein a gold plating layer 10 is coated on the nickel plating layer 9 coated on the surface of a wiring conductor 2, the depth of the oxygen presence area of the surface of the gold plating layer 10 is 3 nm or less.
配線導体２の表面に被着させたニッケルめっき層９上に金めっき層10を被着させて成る配線基板であって、金めっき層10表面の酸素存在領域の深さを３ｎｍ以下とした。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition which excels in sensitivity to a light source having a wavelength of 350-430 nm and adhesion, has good contrast and storage stability, and can be developed with an alkaline aqueous solution.
３５０〜４３０ｎｍの波長を有する光源に対して、感度、密着性に優れ、かつコントラストおよび保存安定性の良好な、アルカリ性水溶液によって現像しうる感光性樹脂組成物の提供。 - 特許庁 - The protection layer has an extinction coefficient of 0.06 or less to light having a wavelength of 200 to 1000 nm.
保護層の消衰係数を波長２００〜１０００ｎｍの光に対して０．０６以下とすることにより、保護層からの電子放出性能を高く、放電遅れ時間を短くすることができ、高精細高画質表示が可能となる。 - 特許庁 - The nanoparticles are yttrium oxide of which the maximum diameter is nearly 30 nm, and the first micro-particles are silicone of which the maximum diameter is nearly 3.5 μm, and the second micro-particles are silicone of which the maximum diameter is nearly 12 μm.
ナノ粒子は、その最大径が略３０ｎｍの酸化イットリウムであり、第１マイクロ粒子は、その最大径が略３．５μｍのシリコーンであり、第２マイクロ粒子は、その最大径が略１２μｍのシリコーンである。 - 特許庁 - Provided is the feed for raining the Thunnidae fishes, containing a region for reflecting or emitting light having a main wavelength in 490-640 nm on a surface visible from outside.
本発明に係る飼餌料は、マグロ属魚類を飼育するための飼餌料であって、外部から視認可能な表面に、４９０〜６４０ｎｍを主波長とする光を反射するまたは発する領域を含んでいるものである。 - 特許庁 - To provide a reference light source for a fluorine laser device emitting light with the wavelength of 157 nm, which can be used as a projection aligner including a stepper, a scan exposure or the like in a practical sense.
波長１５７ｎｍの光を放出するフッ素レーザ装置用の基準光源であって、ステッパーやスキャン露光等の投影露光装置の光源として実用的意味において使用できる基準光源を提供すること。 - 特許庁 - The Raman strength of β-FeSi_2 which is measured at room temperature by Ar ion laser of 514.5 nm wave length as a light source for excitation, is 30% or more than that of Si as a substrate of β-FeSi_2.
励起用光源に波長５１４．５ｎｍのＡｒイオンレーザーを用いた室温において測定されるβ-FeSi_2のラマン強度が、前記β-FeSi_2の基板であるＳｉのラマン強度の３０％以上であることを特徴とする。 - 特許庁 - The position of the SHG element 12 is adjusted so that the variable wavelength semiconductor laser element 1 oscillates with a wavelength 800 nm and laser light impinges on a waveguide of the SHG element 13 suctionally held on a collet 12.
波長可変半導体レーザー素子１を波長８００ｎｍで発振させ、コレット１２に吸着保持したＳＨＧ素子１３の導波路にレーザー光が入射するように、ＳＨＧ素子１２の位置を調整する。 - 特許庁 - The conductive metal paste contains a metal filler, epoxy resin, a hardener, a compatible dispersant having compatibility with the epoxy resin, and metal colloid particles with a mean particle size of 100 nm or less.
金属フィラー、エポキシ樹脂、硬化剤、上記エポキシ樹脂と相溶性を有する相溶性分散剤、及び、平均粒子径が１００ｎｍ以下である金属コロイド粒子を含むことを特徴とする導電性金属ペースト。 - 特許庁 - To provide a method for industrially advantageously producing a fine magnesium powder which emits ultraviolet light having a peak wavelength in the range of 200-300 nm wavelength when excited with electron beams.
電子線に励起されると波長２００〜３００ｎｍの範囲にピーク波長を有する紫外光を発光する微細な酸化マグネシウム粉末を工業的に有利に製造することができる方法を提供する。 - 特許庁 - Perovskite type compound metal oxide particulates in which noble metal particulates exists throughout the perovskite type oxide particles and of which crystallite size is 1-20 nm are carried on carbon particles.
ペロブスカイト型酸化物粒子の全体にわたって貴金属微粒子が存在し、且つその結晶子サイズが１〜２０ｎｍであるペロブスカイト型複合金属酸化物微粒子を、カーボン粒子に担持させた構成とする。 - 特許庁 - The toner contains as toner base particles ≥80% by number of toner base particles carrying polymerization microparticles having a particle diameter of ≥100 nm deposited on the surface of suspension polymerization particles formed by suspension polymerization.
トナー母粒子として、懸濁重合で生成した懸濁重合粒子の表面に、粒子径１００ｎｍ以上の重合微粒子が固着したトナー母粒子を個数割合で８０％以上含有するトナー。 - 特許庁 - The image forming material contains a dye having a transmission density of <0.03 at 420 nm wavelength when the transmission density at the maximum absorption wavelength in methyl ethyl ketone is 1.0.
メチルエチルケトン中で極大吸収波長における透過濃度が１．０であるときに４２０ｎｍにおける透過濃度が０．０３未満である染料を含有することを特徴とする画像形成材料である。 - 特許庁 - The light source 106 comprises a fiber laser 602 for oscillating a laser beam of wavelength 1064 nm and a polling fiber 503 for converting the laser beam received from the fiber laser 502 to a second higher harmonic wave.
励起光用光源１０６は、波長１０６４ｎｍのレーザー光を発振するファイバーレーザー５０２と、ファイバーレーザー５０２から受光したレーザー光を第２高調波に変換するポーリングファイバー５０３とから成る。 - 特許庁 - The alkali-proof glutaminase consists of a silica porous body having a pore diameter larger than 3 nm as an average pore size and 1-20 mass% of metal contents within the silica porous body, and glutaminase.
平均細孔径が３ｎｍより大きい細孔径を備え、シリカ多孔体中の金属の含有量が１〜２０質量％であるシリカ多孔体と、グルタミナーゼとから構成される耐アルカリ性グルタミナーゼによって達成される。 - 特許庁 - The electrode material is composed of a spherical carbide in which the average particle diameter obtained by carbonizing at least one of spherical phenol resin particulates and spherical furan resin particulates is 1,000 nm or less.
本発明の電極材料は、球状のフェノール樹脂微粒子と球状のフラン樹脂微粒子の少なくとも一方を炭化して得られた平均粒子径が１０００ｎｍ以下の球状の炭化物から成る。 - 特許庁 - A layered catalyst layer comprises laminated sheet-like unit catalysts having an average thickness of 4-30 nm, and has a layered structure having a gap layer between the sheet-like unit catalysts.
層状触媒層であり、平均厚さが４ｎｍ〜３０ｎｍであるシート状単位触媒が積層されてなり、前記シート状単位触媒の間に空隙層を有する層状構造であることを特徴とする。 - 特許庁 - Cloth containing a polyester filament yarn A having a single fiber diameter of 10-1,000 nm and having a woven texture or knitted texture is dyed with a dye recipe containing an anthraquinone dye and an ultraviolet absorber.
単繊維径が１０〜１０００ｎｍのポリエステルフィラメント糸Ａを含み、かつ織物組織または編物組織を有する布帛を、アントラキノン系染料と紫外線吸収剤とを含む染料レサイプで染色加工する。 - 特許庁 - To provide a new polycyclic unsaturated hydrocarbon derivative useful as a monomer for producing radiation-sensitive resists which have good dry etching resistance and excellent transparency for radiations having wavelengths of ≤160 nm.
波長１６０ｎｍ以下の放射線に対する透明性が優れ、かつ耐ドライエッチング性の良好な感放射線レジストを製造するためのモノマーとして有用な新規な多環式不飽和炭化水素誘導体を提供する。 - 特許庁 - This agricultural mulching film comprises a film made of a polyolefin thermoplastic resin and has micropores, wherein the polyolefin thermoplastic resin contains ≥1% polyolefin having ≥2,850 nm molecular chain length.
ポリオレフィン系熱可塑性樹脂にて形成されたフィルムからなり、微細孔を有し、ポリオレフィン系熱可塑性樹脂は、分子鎖長が２８５０ｎｍ以上のポリオレフィンを少なくとも１％以上含む農業用マルチングフィルムとする。 - 特許庁 - The electric discharge lamp hermetically contains a material that emits light in a wavelength range of equal to or shorter than 220 nm, and an insulating conductor sheathed with an insulator made of a nonhalogenic substance is used as an insulating lead wire lead around at the outside of the tube for the electric discharge lamp.
220nm以下の波長域に発光する物質を封入して成る放電灯において、管体の外を引き回される絶縁導線として、非ハロゲン系の絶縁体で被覆された絶縁導体を使用する。 - 特許庁 - A step 11 of depositing an insulating film 4 having the thickness of the range of 0.3 to 2 nm and a step 12 of removing the impurity in the insulating film are repeated at a plurality of times to form the insulating film 4 having a predetermined thickness.
絶縁膜４の厚みを０．３〜２ｎｍの範囲に成膜する工程１１と前記絶縁膜中の不純物を除去する工程１２とを複数回繰り返すことによって、所定厚みの絶縁膜４とする。 - 特許庁 - The ultraviolet light-absorbing material consists of ≥1 kind of fine particles having ≤35 nm mean particle diameter among a cerium oxide-based ultraviolet light-absorbing agent, zinc oxide-based ultraviolet light-absorbing agent and titanium oxide-based ultraviolet light-absorbing agent.
紫外線吸収材料は酸化セリウム系紫外線吸収剤と酸化亜鉛系紫外線吸収剤と酸化チタン系紫外線吸収剤の内の１種以上からなる平均粒径３５ｎｍ以下の微粒子である。 - 特許庁 - Requirement (1): in a first precipitate comprising Al, at least one element chosen from group X, and Ge, precipitates having equivalent-circle diameters of ≥50 nm exist at a density of ≥200,000 pieces/mm^2.
（１）Ａｌと、前記Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素と、Ｇｅとを含む第１の析出物について、円相当直径５０ｎｍ以上の析出物が２００，０００個／ｍｍ^2以上の密度で存在する。 - 特許庁 - The galvanized steel sheet has a galvanized layer on at least one side of a steel sheet and a coating film having an average bulk thickness of 20-500 nm and an average porosity of ≥30% on the surface of the galvanized layer.
亜鉛系めっき層を少なくとも鋼板の片面に有し、該亜鉛系めっき層の表面に平均かさ厚さ20nm以上、500nm以下、かつ平均の空隙率が30%以上の皮膜を有する亜鉛系めっき鋼板。 - 特許庁 - The composition is obtained by incorporating fine silica particles having a primary particle size of 10-50 nm into a heat-curable clear coating material which contains as the vehicle a carboxy group-containing polymer (A) and an epoxy group-containing polymer (B).
ビヒクルとして（Ａ）カルボシキル基含有ポリマーと（Ｂ）エポキシ基含有ポリマーとを含有する熱硬化性クリヤー塗料に、１次粒子径が１０〜５０ｎｍであるシリカ微粒子を含有する熱硬化性クリヤー塗料組成物。 - 特許庁 - In the lighting device, visibility can be improved since light irradiated on an outermost irradiation range (a first irradiation range X1) becomes light (light from a blue color to a blue green color) close to a peak wavelength (about 507 nm) of visible sensitivity in scotopic vision.
最も外側の照射範囲(第１照射範囲X1)に照射される光が、暗所視における視感度のピーク波長(約507nm)に近い光(青色から青緑色の光)であるために視認性の向上が図れる。 - 特許庁 - The oxygen gas detector is equipped with a substrate, the thin film, which has gallium oxide crystals with a mean particle size of 10-50 nm, formed on the surface of the substrate and a pair of electrodes formed on the surface of the thin film.
基板と、前記基板表面に形成され、平均粒径が１０〜５０ｎｍの酸化ガリウム結晶を有する薄膜と、前記薄膜表面に形成された一対の電極とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁 - The decoder 22 decodes the setting signal SET<0:n-1>, asserts either a test mode selecting signal TM1-TM2^n-1 or normal operation mode selecting signal NM, and outputs it to a selector 24.
デコーダ２２は、動作モード設定信号ＳＥＴ＜０：ｎ−１＞をデコードし、テストモード選択信号ＴＭ１〜ＴＭ２^ｎ−１および通常動作モード選択信号ＮＭのいずれかをアサートしてセレクタ２４へ出力する。 - 特許庁 - Hereby, the particle counter capable of measuring, rapidly and simply on the spot, the particles, especially having a size below 50 nm, existing in a vapor-phase process device, and calculating the particle size distribution can be constituted.
これにより、気相プロセス装置内に内在する特に５０ｎｍ以下のパーティクルを迅速・簡便にその場計測した上、粒径分布を算出することが可能なパーティクルカウンタを構成することができることとなる。 - 特許庁 - An overexposure amount of the resist film 17 in the process (a) for the nitride film 16 to be leaved is ≥50 nm and the selection ratio of the nitride film 16 to the resist film 17 in the process (b) is 0.8 to 1.2.
残される窒化膜１６に対する工程（ａ）におけるレジスト膜１７のオーバー露光量は５０ｎｍ以上であり、工程（ｂ）における窒化膜１６のレジスト膜１７に対する選択比は０．８〜１．２である。 - 特許庁 - To provide a lithographic projection apparatus, in which a radiation sensor, which can detect the radiation having a wavelength shorter than 50 nm and has been disadvantageous for use in a lithographic projection apparatus of prior art, is positioned advantageously.
本発明は従来の技術では平板投影装置で使用するには不都合であった、波長が５０ｎｍ未満の放射線を検出可能な放射線センサが都合よく位置している平板投影装置を提供する。 - 特許庁 - Reflex lights of the illumination light and a disturbance light, which were reflected by the driver 12, enter to an infrared BPF 42, in which a center wavelength is 940 nm, through the visible light interruption filter 33, a polarizing filter 34 and an optical lens 41.
運転者１２により反射された照明光および外乱光の反射光は、可視光遮断フィルタ３３、偏光フィルタ３４および光学レンズ４１を介して、中心波長が940nmの赤外BPF４２に入射する。 - 特許庁 - The polyester film for vapor deposition has an ultraviolet transmittance of 20% or less at 380 nm, film haze of 1.5% or less, and a difference in a friction coefficient Δμ as defined by formula (1) of 0.15 or less.
３８０ｎｍの紫外線透過率が２０％以下であり、フィルムのヘーズが１．５％以下であり、下記式（１）で定義される摩擦係数の差Δμが０．１５以下であることを特徴とする蒸着用ポリエステルフィルム。 - 特許庁 - The polyimide film has a tensile modulus of 2 GPa or more, an Ra (average surface roughness) of 5-150 nm, and an Ra/σ [(average surface roughness)/(standard deviation of average surface roughness)] of 2-5,000 and is particularly from a polyimide in which the residue of an aromatic diamine has a diamine residue having a benzoxazole skeleton.
引張弾性率が２ＧＰａ以上、Ｒａ（平均表面粗さ）が５〜１５０ｎｍ、Ｒａ／σ（（平均表面粗さ）／（平均表面粗さの標準偏差））が２〜５０００であるポリイミドフィルムでる。 - 特許庁 - In this method of manufacturing the semiconductor device, the remaining layer 21c of an etching mask layer 21 remains in a thickness of ≥10 nm when the stamping face 31 of the nano-stamper 30 is pressed on the surface of the etching mask layer 21.
この半導体素子の製造方法では、ナノスタンパ３０の押印面３１をエッチングマスク層２１の表面に押し付ける際、エッチングマスク層２１の残層２１ｃが１０ｎｍ以上の厚さで残るようにしている。 - 特許庁 - The polarized light conversion element 50 has an antireflective layer 54 formed on one surface of a transparent substrate 51 and a 20 to 1,500 nm thick polarizing layer 57 formed of flat plate type pigment on the other surface.
透明基板５１の一方の面に反射防止層５４が形成され、他方の面に平板状色素からなる偏光層５７が２０〜１,５００nm の厚さで形成されている偏光変換素子５０が提供される。 - 特許庁 - The semi-transmissive reflective film is laminated with a layer containing at least a wire-like metal fine particle having ≥1 μm of major axis and ≥50 nm of minor axis, on at least one face of a synthetic resin base material.
合成樹脂基材の少なくとも片面に、少なくとも長軸が１μｍ以上及び短軸が５０ｎｍ以上であるワイヤー状金属微粒子を含んでなる層が積層された半透過反射フィルム。 - 特許庁 - A carbon material for secondary cell includes a tabular particle with an average particle thickness of 2-500 nm and an average aspect ratio (average particle diameter/average particle thickness) of not less than 10.
本発明による二次電池用炭素材は、平均粒子厚さが２ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内にあり、かつ、平均アスペクト比（平均粒子径／平均粒子厚さ）が１０以上である板状粒子を含んで成る。 - 特許庁 - The conductive paste includes conductive particles having an average particle size of 5-300 nm and a solvent comprising a compound having an isobornyl group, and has a thixo ratio in a range of 1.0-4.0, the thixo ratio being expressed in the following expression.
平均粒径が５〜３００ｎｍの導電性粒子と、イソボルニル基を有する化合物からなる溶剤とを含み、下記式で表されるチキソ比が１．０〜４．０の範囲であることを特徴とする導電性ペーストである。 - 特許庁 - The polycrystalline granulated silicon is made of particles which have a density of greater than 99.9% of the theoretical solid density and therefore have a pore content of less than 0.1% and have a surface roughness R_a of less than 150 nm.
密度が理論的真密度の９９.９％より大きく、こうして孔の割合は０.１％より小さく、表面粗度Ｒ_ａは１５０ｎｍより小さい粒子からなることを特徴とする、多結晶シリコン顆粒。 - 特許庁 - To provide a filter glass which is excellent in chemical durability, is good in absorption characteristics at the wavelength of 700 nm even in a thin plate having the thickness of about 0.3 mm, has high thermal shock resistance and is easy in thinning process.
化学的耐久性に優れ、肉厚０．３ｍｍ程度の薄板でも７００ｎｍにおける吸収特性が良好で、なおかつ耐熱衝撃性が高く薄肉への加工が容易なフィルタガラスを供給すること。 - 特許庁 - This thermotropic liquid crystalline polyester resin composition obtained by melt-kneading 100 pts.mass of a thermotropic liquid crystalline polyester, 0.1 to 5 pts.mass of metal oxide fine particles having an average particle diameter of ≤100 nm, and 0 to 150 pts.mass of a filler.
サーモトロピック液晶ポリエステル１００質量部に平均粒径１００ｎｍ以下の金属酸化物微粒子０．１〜５、充填材０〜１５０質量部を溶融混練して得られるサーモトロピック液晶ポリエステル樹脂組成物。 - 特許庁 - A silicon carbide single crystal thin film is subjected to the epitaxial growth on a (000-1) surface of a silicon carbide single crystal substrate with the surface roughness of ≤1.0 nm at the growing temperature of ≤1,500°C by the thermochemical vapor deposition method.
表面粗さが１．０ｎｍ以下である炭化珪素単結晶基板の（０００−１）面上に、熱化学蒸着法により、１５００℃以下の成長温度で炭化珪素単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁 - To obtain a photopolymerizable composition which exhibits high sensitivity to light of 300-600 nm wavelength, maintains high sensitivity even when a color material is added at a high concentration and forms a high quality photoset image free from a surface stain.
３００〜６００ｎｍの波長の光に高感度を示し、高濃度の色材料の添加においても高感度であり、又、地汚れのない高品質な光硬化画像を形成する光重合性組成物を提供する。 - 特許庁 - In a normally white type transmissive liquid crystal display panel which displays video by controlling retardation, such as an ECB mode, retardation of a liquid crystal layer in the absence of an applied voltage is set to 280 to 380 nm.
ＥＣＢモード等、リタデーションを制御することにより映像を表示するノーマリホワイト型の透過型液晶表示パネルにおいて、電圧無印加時の液晶層のリタデーションを２８０ｎｍ〜３８０ｎｍに設定する。 - 特許庁 - A high quality wafer includes Al_xGa_yIn_zN (in the formula, 0<y≤1 and x+y+z=1) characterized by the root square average surface roughness of less than 1 nm in an area of 10×10 μm^2 on the Ga side of the wafer.
ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^2面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
