「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 21 22 23 24 25 26 27 28 29 .... 287 288 次へ＞- The average thickness of the first film 3 is preferably 10-100 nm.
また、第１の膜３の平均厚さは、１０〜１００ｎｍであるのが好ましい。 - 特許庁 - It is also desirable that the average thickness of the buffer layer 12 is 10 nm or less.
また、バッファ層１２は、平均厚さが１０ｎｍ以下であるのが好ましい。 - 特許庁 - Finely divided silicas having a particle diameter of 1-200 nm are dispersed in the clear coating film.
クリア塗膜中に粒径が１〜２００ｎｍのシリカ微粒子を分散させる。 - 特許庁 - Preferably, the diameter of the artificial oxygen carrier is 200 nm at most.
人工酸素運搬体の径が、最大で２００ｎｍ以下であるものが好ましい。 - 特許庁 - A light transmitting protection layer is formed on the layer of the thickness of 10 nm or less.
厚さ１０ｎｍ以下の層上に、光透過性の保護層を形成する。 - 特許庁 - The thickness of the hydrophilic coating film is preferably 20-800 nm.
前記親水性被膜の厚みが２０ｎｍ〜８００ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - Further, the water-absorbing resin particles preferably have an average particle diameter of 10-500 nm.
また、吸水性樹脂粒子の平均粒径は１０〜５００μｍが好ましい。 - 特許庁 - To produce anodically oxidized porous alumina having a pore period of ≤35 nm.
３５ｎｍ以下の細孔周期を有する陽極酸化ポーラスアルミナを提供する。 - 特許庁 - (Carbon black A) average primary particle size: 10 to 40 nm, 100 mass parts.
（カーボンブラックＡ）平均一次粒径：１０ｎｍ乃至４０ｎｍ、１００質量部。 - 特許庁 - Further, the particle diameter d of the hyperfine particles 4 is 10 to 800 nm.
また前記超微粒子４の粒径ｄは１０ｎｍ≦ｄ≦８００ｎｍである。 - 特許庁 - The well layer consists of three layers of the reformed 1 nm InGaN thin film.
井戸層は改質された３層の１ｎｍのＩｎＧａＮ薄膜からなる。 - 特許庁 - A silicon substrate 1 is over-etched about 5 to 20 nm by anisotropic dry-etching.
異方性のドライエッチングにより、シリコン基板１が５nm〜２０nm程度オーバエッチングされる。 - 特許庁 - The hydroxyapatite particles of the present invention have a volume-mean particle diameter of 1-25 nm.
本発明のヒドロキシアパタイト粒子は、体積平均粒径が１〜２５ｎｍである。 - 特許庁 - The formulation contains unilamellar vesicles having an average size below 100 nm.
この処方物は平均粒度が１００ｎｍ未満のユニラメラ状小胞を含む。 - 特許庁 - The lighting parts use LEDs having a center wavelength of 780 nm.
それらの照明部は、中心波長７８０ｎｍのＬＥＤで照明を行う。 - 特許庁 - A temporary film 14 having a thickness of 20 nm is formed by drying.
乾燥することにより、厚さ２０ｎｍを有する仮膜１４が形成される。 - 特許庁 - Its refraction index is not smaller than 1.9 in a frequency range of 300-800 nm.
また、屈折率は波長３００〜８００ｎｍの範囲で１．９以上である。 - 特許庁 - The polymer may be used, for example, within a photoresist composition for sub-200 nm use.
該ポリマーは、例えばサブ２００ｎｍ用フォトレジストの中で用いることができる。 - 特許庁 - To efficiently generate a polarization-entangled photon couple of 1,550 nm in wavelength.
波長1550nmの偏光エンタングルド状態にある光子対を効率よく発生する。 - 特許庁 - (iv) A light transmittance of light having a wavelength of 400 nm is 60% or higher.
（iv）波長４００ｎｍの光の光線透過率が６０％以上である。 - 特許庁 - An average value of the primary particle diameters of the silica fine particles is 50 nm or less.
該シリカ微粒子の一次粒子直径の平均値が５０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - Preferably, the particle size of the primary particle of the copper phthalocyanine pigment is 40-360 nm.
銅フタロシアニン顔料の一次粒子の粒径は４０〜３６０ｎｍが好ましい。 - 特許庁 - The carbon nanotube having a hollow structure with a diameter of 15 to 100 nm can be obtained.
直径１５〜１００ｎｍの中空の構造を持つカーボンナノチューブが得られる。 - 特許庁 - The thickness of the first guide layer 4 and the second guide layer 8 is 100 nm or more.
第１ガイド層４、第２ガイド層８の厚さは１００ｎｍ以上である。 - 特許庁 - The retardation film turns out to have lower than 20 nm retardation value in the film plane.
この位相差フィルムは、フィルム面内のレターデーション値が２０nm未満のものとなる。 - 特許庁 - (3) The average dispersion diameter of the charge control agent is not more than 500 nm.
（３）含有される帯電制御剤の平均分散径が５００ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The average length of the chain-form colloidal particles is about 40 to 200 nm.
前記鎖状コロイド粒子の平均長さは４０〜２００ｎｍ程度である。 - 特許庁 - It is preferable that the conductive layer 32 has a thickness of 50 nm to 3 μm.
導電層３２は５０ｎｍ〜３μｍの厚みを有することが好ましい。 - 特許庁 - A reflecting sheet reflecting light from an LED as a light source and guiding it in a direction of a liquid crystal panel is imparted with: reflectance characteristics having a peak of reflectance between a wavelength of 400 nm and a wavelength of 500 nm out of visible light wavelengths from 380 nm to 780 nm; and a difference between a reflectance of a wavelength of 500 nm or more and the above reflectance peak value to be 5% or more.
本発明は、光源としてのＬＥＤからの光を反射して液晶パネルの方向に導く反射シートに、３８０ｎｍから７８０ｎｍの可視光波長のうち、波長４００ｎｍから５００ｎｍの間に反射率のピークを有し、波長５００ｎｍ以上の反射率と上記反射率ピーク値との差が５％以上とされた反射率特性を持たせたことを特徴とする。 - 特許庁 - In the phototherapy apparatus 1, a light source is constituted by a xenon flash tube 3, and a spectral filter 7 allows the transmission of primarily fist wavelength components with a wavelength of 280 nm-approximately 400 nm and second wavelength components with a wavelength of more than approximately 740 nm, and substantially cutting off the wavelength components between the first wavelength components and the second wavelength components, at least approximately 400 nm-740 nm.
光源がキセノンフラッシュランプ３からなり、分光フィルタ７が、主として、波長約２８０ｎｍ〜約４００ｎｍの第１波長成分と、波長約７４０ｎｍ以上の第２波長成分とを透過し、これらの第１波長成分と第２波長成分との間の少なくとも約４００ｎｍ〜約７４０ｎｍの波長成分を実質的に遮断する特性を有する、光線照射治療器１。 - 特許庁 - The full color hologram in which multiple recording or multilayer recording is performed with different four main wavelengths for reproducing has one reproducing wavelength in the region from 550 to 560 nm near 555 nm peak wavelength in the specific luminosity curve, and has other three reproducing wavelengths in the regions for the three primary colors of red, blue and green from 615 to 680 nm, from 380 to 470 nm and from 485 to 515 nm, respectively.
異なる４つの再生主波長で多重記録又は多層記録されたフルカラーホログラムにおいて、比視感度曲線のピーク波長５５５ｎｍ付近の５５０ｎｍ〜５６０ｎｍに再生波長の１つを有し、かつ、赤、青、緑の３原色領域の６１５ｎｍ〜６８０ｎｍ、３８０ｎｍ〜４７０ｎｍ、４８５ｎｍ〜５１５ｎｍの３つの領域に他の３つの再生波長を有するフルカラーホログラム。 - 特許庁 - To manufacture a nano wire formed of a semiconductor material and a metallic material with a diameter of 1 to 10 nm and a length of 50 nm or longer or a nano dot with a diameter of 10 nm or smaller by utilizing the electrode reaction of a nano chip.
本発明は、従来不可能であった直径が1〜10nm、長さが50nm以上の半導体材料及び金属材料からなるナノワイヤ−もしくは、直径10nm以下のナノドットの作製をナノチップの電極反応を利用して可能とすることを目的とする。 - 特許庁 - The invention relates to a microlithography projection optical system for wavelengths of 248 nm or less, preferably 193 nm or less, in particular for EUV lithography for wavelengths ranging between 1-30 nm for imaging an object field in an object plane 100 onto an image field in an image plane 102.
物体面１００の物体フィールドを像面１０２の像フィールドに結像する、波長が２４８ｎｍ以下、好ましくは１９３ｎｍ以下、特に波長が１〜３０ｎｍの範囲のＥＵＶリソグラフィー用のマイクロリソグラフィー投影光学系に関する。 - 特許庁 - The first inner protective film 23 is a biaxial resin film of which the absolute value of an in-plane phase difference value is within a range from 40 to 500 nm and the absolute value of the phase difference value in a thickness direction at a wavelength of 590 nm is within a range from 20 to 500 nm.
また、第１の内側保護フィルム２３は、面内の位相差値の絶対値が４０〜５００ｎｍの範囲にあり、波長５９０ｎｍにおける厚み方向の位相差値の絶対値が２０〜５００ｎｍの範囲にある二軸性樹脂フィルムからなる。 - 特許庁 - A reflecting mirror 4 has a reflecting plate 70, which is set to exhibit a highest reflectance with respect to a laser beam emitted from a light source, such as a KrF excimer laser (248 nm), an ArF excimer laser (193 nm) or an F_2 laser (157 nm).
反射ミラー４は、例えばＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ_2レーザ（１５７ｎｍ）等の光源から射出されるレーザ光に対して反射率が最も高くなるように設定された反射基板７０を有する。 - 特許庁 - In a wavelength band of about 630 nm to 690 nm, a spectral characteristic change amount of a wavelength band for transmitting light in at most 10% or less in light of a wavelength to be used for the DVD(R) is 0.5%/nm or less (B).
（Ｂ）おおよそ６３０ｎｍ〜６９０ｎｍの波長帯域においてＤＶＤに用いられる波長の光の多くとも１０％以下の光を透過させるための波長帯域の分光特性変化量が０．５％／ｎｍ以下である。 - 特許庁 - For example, in combination which uses the glass substrate and silicon as a semiconductor component, a semiconductor laser of wavelength 405 nm whose wavelength range is at least 350 nm and at most 480 nm, and which has especially GaN in an active layer, is preferably used as the source of light 120.
たとえば、ガラス基板とシリコンを半導体部材とする組合せにおいては、波長範囲を３５０ｎｍ以上で４８０ｎｍ以下、特にＧａＮを活性層に持つ波長４０５ｎｍの半導体レーザを発光源１２０に使用するとよい。 - 特許庁 - Preferably, an absolute value of in-plane retardation Re_0 with respect to light of wavelength 550 nm of the optical element in which the liquid crystal cell, the first retardation plate and the second retardation plate are regarded as one body is (190 nm to 360 nm)×(2m+1).
液晶セルと第１の位相差板と第２の位相差板とを一体とみなした光学素子の波長５５０ｎｍの光に対する面内レターデーションＲｅ_０の絶対値が、（１９０ｎｍ〜３６０ｎｍ）×（２ｍ+１）であることが好ましい。 - 特許庁 - To obtain a microscope objective lens which can be used not only for the light of wavelength 248 nm but also for the ultraviolet rays of short wavelength 193 nm to 157 nm by making each of all the lens components constituting 1st and 2nd lens groups a single lens arranged separated with air spacing with each other and making the objective lens satisfy specified conditions.
倍率が１００倍程度で、開口数が０．９程度の大口径で、２４８ｎｍの波長光のみならず、１９３ｎｍや１５７ｎｍの短波長の紫外光でも利用することのできる顕微鏡対物レンズ。 - 特許庁 - To provide a write-once optical recording medium and a coloring matter for the same recording which are able to ensure an excellent recording by a laser beam with the wave length of 300 to 500 nm and/or 500 to 700 nm and/or 700 to 900 nm as well as reproducing.
波長３００〜５００ｎｍおよび／または５００〜７００ｎｍおよび／または７００〜９００ｎｍのレーザーで良好な記録および再生が可能な追記型光記録媒体ならびに追記型光記録用色素を提供する。 - 特許庁 - In an image recording material having a photopolymerizable layer undergoing a reaction by laser beams with 350-450 wavelength and an oxygen shielding layer, the photopolymerizable image recording material having a support with 0.05 or higher optical density (OD) in 350-450 nm exposure wavelength is provided.
波長350〜450 nmのレーザー光により反応する光重合性層、および酸素遮断層を有する画像記録材料において、支持体が350〜450 nmの露光波長において0.05以上の光学濃度（OD）を有する光重合性画像記録材料を提供する。 - 特許庁 - In a wavelength band of about 750 nm to 830 nm, a spectral characteristic change amount in a wavelength band for transmitting light in at least 90% or more of a wavelength to be used for the CD(R) is 0.5%/nm or less (C).
（Ｃ）おおよそ７５０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域においてＣＤに用いられる波長の少なくとも９０％以上の光を透過させるための波長帯域の分光特性変化量が０．５％／ｎｍ以下である成膜を有する。 - 特許庁 - To provide a laminated wave plate that functions as a quarter wave plate at wavelengths of 400 nm, 650 nm and 780 nm necessary for an optical pickup coping with optical disks of CD, DVD and a blue laser disc as well.
ＣＤ、ＤＶＤの光ディスクの他、ブルーレーザディスクにも対応する光ピックアップに必要な波長である４００ｎｍ、６５０ｎｍ、及び７８０ｎｍにおいて、１／４波長板として機能する積層波長板を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A peak position of impurity density of the N-type impurity layer is at a depth of equal to or less than 100 nm from the surface of the P-type silicon substrate 1, and a film thickness of the P-type impurity layer 4 is larger than 0 nm and equal to or less than 20 nm.
Ｎ型不純物層の不純物濃度のピーク位置が、Ｐ型シリコン基板１の表面からの深さが１００ｎｍ以下の位置に存在しており、Ｐ型不純物層４の膜厚は、０ｎｍよりも大きく且つ２０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The negative electrode active material contains monoclinic titanium dioxide the average pore diameter of which is not less than 8 nm and not more than 25 nm, and in which the volume occupied by pores having the diameter of not more than 10 nm is not less than 10% and not more than 30% of the total pore volume.
平均細孔直径が８ｎｍ以上２５ｎｍ以下で、かつ直径１０ｎｍ以下の細孔の占める容積が全細孔容積の１０％以上３０以下％である単斜晶系二酸化チタンを含む負極活物質である。 - 特許庁 - The multi-beam semiconductor laser element 5 has emitting points 6, 7 at wavelengths 650 nm and 870 nm, respectively, and the emitting point 6 at the wavelength 650 nm is positioned on the same axis as the outline center 12 of an enclosure 1.
マルチビーム半導体レーザ素子５は波長６５０ｎｍの発光点６及び波長７８０ｎｍの発光点７を有しており、波長６５０ｎｍの発光点６は外囲器１の外形中心１２と同一軸上になるように位置決めしている。 - 特許庁 - The metal nano fiber-containing composition is characterized by comprising a metal nano rod of which a long axis is less than 400 nm and an aspect ratio is larger than 1 and a metal nano wire of which the long axis is 400 nm or longer and a short axis is 50 nm or shorter.
長軸が４００ｎｍ未満であってアスペクト比が１より大きい金属ナノロッドと、長軸が４００ｎｍ以上であって短軸が５０ｎｍ以下である金属ナノワイヤーとを含有することを特徴とする金属ナノ繊維含有組成物。 - 特許庁 - To provide an ArF excimer discharge lamp to carry out light emission of a narrow band of the maximum peak wavelength of a wavelength of 193 nm without detecting a plurality of remarkable peak wavelengths of 240 to 260 nm and 280 to 300 nm.
２４０〜２６０ｎｍおよび２８０〜３００ｎｍの波長域にも複数の顕著なピーク波長が検出されることなく、１９３ｎｍの波長を最大ピーク波長とした狭帯域の発光をするＡｒＦエキシマ放電ランプを提供すること。 - 特許庁 - The protective layer has an uneven structure where projections and recessions continue periodically, and the uneven structure satisfies t≤390/nb (nm) and h/t≥0.4 when the period is n(nm), height is h(nm), and the refractive index of the protective layer is nb.
保護層は、凹部および凸部が周期的に連続な凹凸構造を有するものであり、凹凸構造は、周期をｔ（ｎｍ）、高さをｈ（ｎｍ）、保護層の屈折率をｎｂとするとき、ｔ≦３９０／ｎｂ（ｎｍ）およびｈ／ｔ≧０．４を満たすものである。 - 特許庁 - A transparent conductive thin film is composed of a metal thin film containing silver with a thickness of 5 to 20 nm, has volume resistivity of 10^-4 Ω cm or less, and has transmissivity of 70% or more for any of light with a wavelength of 300 nm, light with a wavelength of 500 nm, and light with a peak wavelength.
厚さ５〜２０ｎｍの銀を含む金属薄膜からなり、体積抵抗率が１０^−４Ω・ｃｍ以下であり、波長３００ｎｍと波長５００ｎｍとピーク波長のいずれかの光の透過率が７０％以上である。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
