「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 22 23 24 25 26 27 28 29 30 .... 287 288 次へ＞- The light source 2 comprises superimposing UV-B which has wavelength components of about 280-340 nm, and UV-C which cuts wavelength components of about 255 nm or below among wavelength components of about 100-280 nm, and irradiating the UV-B and UV-C to a plant P.
光源２は、略２８０〜３４０ｎｍの波長成分を有するＵＶ−Ｂと、略１００〜２８０ｎｍの波長成分のうちの略２５５ｎｍ以下の波長成分がカットされたＵＶ−Ｃとを重畳して植物Ｐに照射する。 - 特許庁 - In a wavelength band of about 380 nm to 440 nm, a spectral characteristic change amount in the wavelength band for transmitting light at most in 10% or less in light of a wavelength to be used for the Blu-ray(R) disc is 0.5%/nm or less (A).
（Ａ）おおよそ３８０ｎｍ〜４４０ｎｍの波長帯域においてブルーレイディスクに用いられる波長の光の多くとも１０％以下の光を透過させるための波長帯域の分光特性変化量が０．５％／ｎｍ以下である。 - 特許庁 - A mixed phosphor on a fluorescent screen 2 of a monochrome cathode ray tube 1 consists of a blue luminescence phosphor for a wavelength band of 450-480 nm, a green luminescence phosphor for a wavelength band of 520-550 nm, and a red luminescence phosphor for a wavelength band of 600-630 nm.
モノクローム陰極線管１の蛍光面２の混合蛍光体は、波長４５０〜４８０ｎｍの青色発光蛍光体、波長５２０ｎｍ〜５５０ｎｍの緑色発光蛍光体、波長６００〜６３０ｎｍの赤色発光蛍光体である。 - 特許庁 - The LED element 212 emits light having about 460 nm (first wavelength) of the main wavelength, the phosphor emits fluorescence having about 560 nm (second wavelength), and the LED element 222 emits the light having about 635 nm (third wavelength) of the main wavelength.
ＬＥＤ素子２１２は、約４６０ｎｍ（第一の波長）を主波長とする光を発し、蛍光体は、約５６０ｎｍ（第二の波長）を主波長とする蛍光を発し、ＬＥＤ素子２２２は、約６３５ｎｍ（第三の波長）を主波長とする光を発する。 - 特許庁 - The second reflective multilayer film 20 reflects light of wavelength 405 nm, Nb_2O_5 has little light absorption at wavelength 405 nm and, therefore, the light of wavelength 405 nm is not absorbed but is reflected by the second reflective multilayer film 20.
第２の反射多層膜２０では波長４０５ｎｍの光が反射されるが、Ｎｂ_２Ｏ_５は波長４０５ｎｍにおける光吸収が少ないため、波長４０５ｎｍの光は光吸収されずに第２の反射多層膜２０により反射される。 - 特許庁 - This fluorescent lamp comprises red phosphor with maximum luminescent wavelength of 600 to 620 nm, green phosphor with maximum luminescent wavelength of 520 to 555 nm, and blue phosphor with maximum luminescent wavelength of 440 to 460 nm.
本発明による蛍光ランプは最大発光波長が６００〜６２０ｎｍである赤色蛍光体、最大発光波長が５２０〜５５５ｎｍである緑色蛍光体、及び最大発光波長が４４０〜４６０ｎｍである青色蛍光体とから構成される。 - 特許庁 - Optical fibers 103 and 113 which have an optical resonator whose wavelength is 695 nm and that whose wavelength is 635 nm and to which praseodymium ion/ytterbium ion are added are connected to one thulium ion added optical fiber 108 having an optical resonator whose wavelength is 455 nm and to the other fiber.
波長４５５nmの光共振器を有するツリウムイオン添加光ファイバ１０８の一方に波長６９５nm、他方に６３５nmの光共振器を有するプラセオジウムイオン／イッテルビウムイオン添加光ファイバ１０３，１１３をそれぞれ接続する。 - 特許庁 - For this device, a lower electrode layer is formed on a silicon substrate, thereafter a Co50Fe film of 50 nm is formed as a magnetization fixed layer 1, and Cu of 6 nm as a nonmagnetic intermediate layer 2 and a Co50Fe film as a magnetization free layer 3 of 2.5 nm are formed thereon.
シリコン基板上に下部電極層を形成した後、磁化固定層１としてＣｏ５０Ｆｅ膜を５０ｎｍ成膜し、その上に非磁性中間層２としてＣｕを６ｎｍ、さらに磁化フリー層３としてＣｏ５０Ｆｅ膜を２．５ｎｍ成膜する。 - 特許庁 - To provide an apparatus for rapidly analyzing the crystal structure of a surface crystal layer that is several nm to tens of nm thick or the crystal structure of a thin-film crystal, a crystal domain size, and the ratio of a domain when a plurality of domains having different orientations are present.
サブnmから数10nmの厚さの表面結晶層、あるいは、薄膜結晶の結晶構造、結晶ドメインサイズ、および、方位の異なる複数の結晶ドメインが存在する場合のドメインの割合を迅速に解析するための装置である。 - 特許庁 - The base film is an alloy film of Ti and W containing W by ≥25 at.% and ≤60 at.% in Ti and has ≥5 nm and ≤25 nm thickness.
下地膜は、ＴｉにＷを２５原子％以上、６０原子％以下含有するＴｉおよびＷの合金膜とし、その膜厚を５ｎｍ以上、２５ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - To obtain a good pattern shape when a resist pattern is formed by carrying out patternwise exposure using light of 1 nm band to 180 nm band as light for exposure.
露光光として１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の光を用いてパターン露光を行なってレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。 - 特許庁 - This developer contains 0.05-3.0 wt.% of a metallic oxide having particle size satisfying 1.0≤(length of the major axis)/(length of the minor axis) ≤1.5 and 100 nm≤(length of the major axis)≤2,000 nm.
１．０≦（長径）／（短径）≦１．５、１００ｎｍ≦（長径）≦２０００ｎｍを満足する金属酸化物０．０５ないし３．０重量％とを含有する現像剤を使用する。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition which exhibits satisfactory transmittance when an exposure light source of ≤250 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm) is used and has small PEB time dependency and large exposure latitude, and also to provide a pattern forming method using the same.
２５０ｎｍ以下、特に露光光源がＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）である場合に好適なポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a small-sized and low-cost soft X-ray generator which generates soft X rays in the window region of water having the wavelength range of 2.3 nm to 4.4 nm.
２．３ｎｍ−４．４ｎｍの波長を持つ水の窓領域の軟Ｘ線を発生する軟Ｘ線発生装置であって、小型で安価な軟Ｘ線発生装置を提供する。 - 特許庁 - A layer structure 5 showing a retardation value of larger than 0 nm and not more than 60 nm is formed between at least one of the polarizing plates 3, 4 and the liquid crystal cell 2.
偏光板３、４の少なくとも一方と液晶セル２との間には、リタデーション値が０ｎｍより大きくて６０ｎｍ以下である層構造５が設けられている。 - 特許庁 - This Ir powder has a bimodal particle size distribution where one peak exists in a region of >25 nm particle size D and the other peak exists in a region of <25 nm particle size D.
Ｉｒ粉末は，粒径Ｄ＞２５nmの領域に１つのピークが，また粒径Ｄ＜２５nmの領域に１つのピークがそれぞれ存在する二山形の粒度分布を有する。 - 特許庁 - An element composition ratio of Al and Ni in the alloy layer 15 is represented by 1:4.6 to 1:10.6, and the thickness of the alloy layer 15 is represented by 20 nm to 100 nm.
この合金層１５におけるＡｌとＮｉとの元素組成比は１：４．６〜１：１０．６であり、合金層１５の厚さは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下になっている。 - 特許庁 - To provide a recording medium allowing the recording, reproducing and overwriting at either optical wavelengths of 635 nm and 420 nm in a phase transition optical information recording medium.
相変化光情報記録媒体において、光の波長６３５ｎｍと光の波長４２０ｎｍのいずれの波長でも記録、再生、オーバーライトが可能な記録媒体を得る。 - 特許庁 - Preferably, the number of projections having heights of 100 nm or higher and/or the number of pits having depths of 100 nm or deeper on the film surface is 2/0.1 mm2 or less.
ポリオレフィン系フィルム表面に存在する１００nm以上の高さの突起および／または１００ｎｍ以上の深さの窪みが、２個／０．１mm^2より少ないことが望ましい。 - 特許庁 - The optical glass contains, by mol, 0.5 to 80% Bi_2O_3, and whose photoelastic constant in 546 nm is 0 to 2.0×10^-5 (nm cm^-1Pa^-1).
モル％で、Ｂｉ_２Ｏ_３を０．５〜８０％含有し、５４６ｎｍにおける光弾性定数が０〜２．０×１０^−５（ｎｍ・ｃｍ^−１・Ｐａ^−１）である光学ガラスである。 - 特許庁 - The filler is a nano filler having an average particle size of a primary particle of 5 nm or more and 800 nm or less, or a filler having a reactive functional group on a surface thereof.
上記フィラーは、１次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上、８００ｎｍ以下であるナノフィラーであるか、又は反応性官能基を表面に有するフィラーである。 - 特許庁 - The low refractive index layer is formed by solidifying a low refractive index layer coating liquid containing hollow silica fine particles with an average grain diameter of 10 nm to 100 nm and a polymerizable binder.
低屈折率層は、平均粒子径が１０〜１００ｎｍの中空シリカ微粒子と重合性バインダーとを含有する低屈折率層塗布液を硬化させて形成される。 - 特許庁 - Preferably the cumulative volume (V_100) of micro pore having radius 100 nm to 100 μm is 0.1 times or more of the cumulative volume (V_1.8) of micro pore having radius 1.8 nm to 100 μm.
好ましくは半径１００ｎｍ〜１００μｍの細孔の累積容積(Ｖ_100)が、半径１．８ｎｍ〜１００μｍの細孔の累積容積(Ｖ_1.8)の０．１倍以上である。 - 特許庁 - In order to obtain such distribution, the reference wavelength λM is set to be λM=501.1 nm and an actual shape is decided by phase ×501.1 nm/[2π(n-1)] based on a prescribed reference phase pattern.
このような配分のためには、基準波長λ_M=501.1nmに設定し、所定の基準位相パターンに基づき、位相×501.1nm/(２π(ｎ−１))により実形状を定める。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium capable of recording and reproducing data using noteworthy laser beams with 300-500 nm wavelength as a high-density optical recording medium, especially bluish purple laser beams with 400-410 nm wavelength by forming a recording layer of an imide compound.
波長３００〜５００ｎｍのレーザーで良好な記録および再生が可能な光記録媒体および新規なイミド系化合物を提供する。 - 特許庁 - In addition, the range of platinum fine powder described in claim 1 is "6 nm or less", it covers the range of the electrochemically bioactive fine particles used in cited document, which is 1 to 3 nm.
さらに、請求項1に記載された白金の微粒子の範囲は「6nm以下」であり、引用文献で使用された電気化学的生理活性微粒子の範囲である1～3nmを含む。 - 特許庁 - In this filter, a filter layer comprises fibers of fiber diameters of 1-500 nm, and has a value showing the maximum frequency in the pore size distribution of 10 nm-2 μm.
濾過層が繊維径１ｎｍ〜５００ｎｍである繊維を含んでなり、ポアサイズの分布において最大頻度を示す値が１０ｎｍ〜２μｍであることを特徴とするフィルター。 - 特許庁 - The thickness of a hydrophilic coat 26 is set to about 15 nm, and the thickness of a photocatalyst coat 28 between the hydrophilic coat 26, and a glass board 24 is set to about 240 nm.
親水性被膜２６の厚さを約１５ｎｍとすると共に、この親水性被膜２６とガラス基板２４との間の光触媒被膜２８の厚さを約２４０ｎｍとした。 - 特許庁 - Average roughness in a polycrystalline silicon film is controlled to 5 nm or more and 10 nm or less, thus stably obtaining a transistor having a sufficient driving current.
多結晶シリコン膜の平均粗さを５ｎｍ以上１０ｎｍ以下に制御することで十分な駆動電流を持つトランジスタを安定して得ることが可能となる。 - 特許庁 - A1/A2 computing section 128 calculates the ratio of the light intensity A1 near 480 nm and the light intensity A1 near 500 nm A1/A1 for each image element of the CCD image sensor.
Ａ１／Ａ２算出部128 は、ＣＣＤ撮像素子125 の画素毎に、４８０nm近傍の光強度Ａ１と５００nm近傍の光強度Ａ２の比Ａ１／Ａ２を算出する。 - 特許庁 - The highly thermal conductive Si-containing material contains an Si phase in which a lattice constant at room temperatures exceeds 0.54302 nm, and is also controlled to ≤0.54311 nm.
室温における格子定数が０．５４３０２ｎｍを超過し、且つ０．５４３１１ｎｍ以下に制御されたＳｉ相を含む高熱伝導性含Ｓｉ材料である。 - 特許庁 - The S/O formulation for percutaneous drug delivery comprises: a drug; and a gold nanorod having an absorption band in the region of 650 to 2,000 (preferably, of 680 to 1,200 nm, more preferably, of 700 to 900 nm).
薬物と、650〜2000nm（好ましくは680〜1200nm、より好ましくは700〜900nm）の領域に吸収帯を有する金ナノロッドとを含む、経皮薬物送達用S/O製剤を提供する。 - 特許庁 - At a slip occurrence time t2, engagement of a first clutch is started by increase in the torque capacity tTc1, and a motor is controlled so that its number of revolutions Nm becomes an engine starting target value.
スリップ発生時t2に、第1クラッチをトルク容量tTc1の増大により締結開始させ、モータを、その回転数Nmがエンジン始動用目標値となるよう制御する。 - 特許庁 - The optical element is used for the optical pickup unit for reproducing and/or recording information by using a light flux of a wavelength λ (350 nm≤λ≤450 nm).
本発明の光学素子は、波長λ（３５０ｎｍ≦λ≦４５０ｎｍ）の光束を用いて情報の再生及び／又は記録を行う光ピックアップ装置に用いられる。 - 特許庁 - To provide an ultraviolet absorber and a resin composition, causing no bleed out, blocking ≤380 nm ultraviolet rays, and transmitting ≥400 nm visible light.
ブリードアウトを生ずることなく３８０ｎｍ以下の紫外線をカットし、４００ｎｍ以上の可視光は透過する紫外線吸収剤及び樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - The average thickness of the atoms layers 4a is ≥0.36 nm and that of the atomic layers 4b is ≥0.28 nm.
読み出し層４を構成する積層膜において、Ｇｄ原子層４ａの平均膜厚を０．３６ｎｍ以上、ＦｅＣｏ原子層４ｂの平均膜厚を０．２８ｎｍ以上とする。 - 特許庁 - A superlattice sub-collector 108 where Mg doped Al_0.6Ga_0.4N130 with thickness of 5 nm and GaN150 with thickness of 5 nm are alternately laminated is grown by 0.5 μm.
その後、５ｎｍ厚のＭｇドープＡｌ_０．６Ｇａ_０．４Ｎ１３０と５ｎｍ厚のＧａＮ１５０とを交互に積層した超格子サブコレクタ１０８を０．５μｍ成長する。 - 特許庁 - For instance, these objects may be separated by a distance less than about 1,000 nm, and in visible light, the objects may be separated by a distance less than about 300 nm.
例えば、これらの物体は、約１０００ｎｍ未満の距離で隔てられていてもよく、可視光の場合には、約３００ｎｍ未満の距離で隔てられていてもよい。 - 特許庁 - This SiGe source/drain forms hetero-junction and metallic bonding with the Si main part by overlapping each other with a tolerance of less than about 10 nm, preferably 5 nm.
このＳｉＧｅソース／ドレインは、Ｓｉ本体と、約１０ｎｍ未満、好ましくは５ｎｍ未満の許容差で互いに重なるヘテロ接合および金属学的接合を形成する。 - 特許庁 - Furthermore, 1st and 2nd reception PIN-PDs integrated in the single board of a PD unit respectively receive signal lights with wavelength bands of 650 nm, 780 nm.
また、ＰＤユニット１５の単一の基板に集積化された第１,第２受信用ＰＩＮ−ＰＤにより、波長６５０nmと波長７８０nmの受信信号光を夫々受信する。 - 特許庁 - The thickness of a p-side well layer nearest the p-type semiconductor layer is 4 nm or more and the thicknesses of all the well layers except for the p-side well layer are less than 4 nm.
ｐ形半導体層に最も近いｐ側井戸層の厚さは、４ｎｍ以上であり、ｐ側井戸層を除く全ての井戸層の厚さは４ｎｍ未満である。 - 特許庁 - The surface of the active layer 10A is etched as far as 1 nm to 1 μm with an etching solution after a separation is made, and the final thickness of the active layer 10A is set at 200 nm or below.
剥離後の活性層１０Ａの表面を、エッチング作用を有する溶液により１ｎｍ〜１μｍだけエッチングし、最終活性層厚を２００ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - The film 4 is provided over the whole of the interior of the substrate 1 in a thickness of 400 to 1000 nm at a position beyond 200 nm, for example, as seen from the rear 1b.
酸化膜４は裏面１ｂから見て例えば２００ｎｍ以遠において、４００〜１０００ｎｍの厚さで半導体基板１の全体に亘って設けられている。 - 特許庁 - To solve a problem of having difficulty in detecting sensitively a small particle of about 30 nm size by a conventional particle monitor of a laser scattering method, after appearance of a 45 nm node.
従来のレーザー散乱方式のパーティクルモニタでは、４５nmノード以降で課題となる３０nmレベルの微小なパーティクルを感度良く検出することが困難となる。 - 特許庁 - The optical film has a spectral transmittance of ≥50% and ≤95% at 390 nm and ≤5% spectral transmittance at 350 nm.
３９０ｎｍにおける分光透過率が５０％以上９５％以下であり、かつ３５０ｎｍにおける分光透過率が５％以下であることを特徴とする光学フィルム。 - 特許庁 - This monochromatic light is the one having 630-690 nm wave length (red light) and/or the one having 400-460 nm wave length (blue light or violet light).
前記単色光は、好ましくは、６３０〜６９０ｎｍの単色光（赤色光）／及び又は４００〜４６０ｎｍの単色光（青色光、紫色光）である。 - 特許庁 - Furthermore, when the texture is formed both on the rear surface MPP and on the light-receiving surface MPS, the thickness of rear-surface side silicon nitride film 4 is set to 40 nm-230 nm.
さらに、裏面ＭＰＰと受光面ＭＰＳとのいずれにもテクスチャ形成される場合、裏面側の窒化シリコン膜４の膜厚を４０ｎｍ〜２３０ｎｍとする。 - 特許庁 - Further, when texture formation is made on both the rear surface MPP and the light reception surface MPS, the film thickness of the silicon nitride film 4 at the rear surface side is set to 40 nm-230 nm.
さらに、裏面ＭＰＰと受光面ＭＰＳとのいずれにもテクスチャ形成される場合、裏面側の窒化シリコン膜４の膜厚を４０ｎｍ〜２３０ｎｍとする。 - 特許庁 - The porous silica has a specific surface area of 150 m^2/g or more, a pore volume of 0.1 mL/g or more, a pore diameter of 0.5 nm or more and 10 nm or less.
上記多孔質シリカの比表面積は１５０ｍ^２／ｇ以上であり、細孔容積は０．１ｍＬ／ｇ以上であり、細孔径は０．５ｎｍ以上、１０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - When there are diffusion prevention films on both the upper and lower interfaces of a High-K film, a physical film thickness must be in a range of 2.4 nm or larger and 5.0 nm or smaller.
Ｈｉｇｈ−Ｋ膜の上界面と下界面どちらにも拡散防止膜がある場合には、物理膜厚を２．４ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の範囲にする必要がある。 - 特許庁
