「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 25 26 27 28 29 30 31 32 33 .... 287 288 次へ＞- By forming the diffraction grating of GaInAsP having λ_g of approximately 1,510 nm, absorption hardly takes place at the oscillation wavelength close to 1,550 nm.
λ_ｇ が約１５１０ｎｍのＧａＩｎＡｓＰで回折格子を形成することにより、発振波長の１５５０ｎｍ付近の波長に対しては、殆ど吸収が起らない。 - 特許庁 - The wavelength converter includes an optical fiber having a dispersion slope whose absolute value at the wavelength of, for example, 1,550 nm, is 0.01 ps/nm^2/km or less.
この発明に係る波長変換器は、例えば波長１５５０ｎｍにおいて絶対値が０．０１ｐｓ／ｎｍ^2／ｋｍ以下の分散スロープを有する光ファイバを含む。 - 特許庁 - The noble metal particles of 4 to 20 nm are carried on the porous inorganic oxide of the upstream catalyst section and those of 2 to 10 nm are carried on the porous inorganic oxide of the downstream catalyst section.
上流触媒部の多孔質無機酸化物に４〜２０ｎｍ、下流触媒部の多孔質無機酸化物に、２〜１０ｎｍの貴金属粒子を担持させる。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium capable of recording and reproducing with a laser of 300-900 nm in wavelength to be noted as a high density optical recording medium, especially with a blue purple laser of 400-410 nm in wavelength by using the heterocyclic compound as a recording layer.
波長３００〜９００ｎｍのレーザーで良好な記録および再生が可能な光記録媒体および新規な複素環式化合物を提供する。 - 特許庁 - Further, it is so constructed that transmittance of the transmissive cover at 360 nm be 5 to 20%, that at 380 nm not more than 70%, and total visible transmittance be 75%.
また、透光性カバーの３６０ｎｍの透過率は５〜２０％、３８０ｎｍの透過率が７０％以下、総合可視透過率が７５％に構成されている。 - 特許庁 - If a second pattern (110) is formed by using an SOG film, a hard mask pattern (111) having a pitch of 30 nm can be formed by using ASML1400 ArF DRY equipment that has, for example, a resolution ability of 60 nm.
SOG膜による第２パターン(110)を形成すれば、例えば、60nmの解像能力を有するASML1400 ArF DRY装備を用いて30nmのピッチを有するハードマスクパターン(111)を形成できる。 - 特許庁 - To obtain a good pattern shape when a resist pattern is formed by carrying out pattern exposure using light of 1 nm band to 180 nm band as light for exposure.
露光光として１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の光を用いてパターン露光を行なってレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。 - 特許庁 - Preferably, the clay-like mineral has a multi-layered structure, has an average diameter of 100 to 500 nm, when seen from the layer direction, and has each layer thickness of 0.8 to 1.2 nm.
好ましくは、粘土状鉱物は多層構造を有し、層方向から見たときの平均直径が１００〜５００ｎｍであり、それぞれの層厚が０．８〜１．２ｎｍである。 - 特許庁 - Assuming that the average particle diameter is D(nm), and that thickness of the protection layer 140 is TH (nm), the protection layer 140 is formed to satisfy an inequality: 20≤TH/D≤500.
また、保護層１４０は、平均粒子径をＤ（ｎｍ）、保護層１４０の厚みをＴＨ（ｎｍ）としたとき、２０≦ＴＨ／Ｄ≦５００となる形態とされている。 - 特許庁 - The red light-emitting phosphor is represented by the formula: (Eu_1-x, Bi_x)P_5O_14 (wherein 0<x≤0.2), desirably has an excitation peak wavelength of 350 to 420 nm, more desirably 385 to 405 nm.
下記一般式で表されることを特徴とし、励起ピーク波長が３５０〜４２０ｎｍであることが好ましく、３８５〜４０５ｎｍであることがさらに好ましい。 - 特許庁 - This shoe sole 1 contains silica of a primary grain diameter of 5 nm or more and 30 nm or less by 10 parts or more and 40 parts or less to 100 parts of base rubber 100.
この靴底１は、一次粒子直径が５ｎｍ以上３０ｎｍ以下のシリカを、基材ゴム１００部に対して１０部以上４０部以下含んでいる。 - 特許庁 - At this stage, the thickness of the silicon oxide film is set at a value within a range of 32 to 48 nm.
ここで、シリコン酸化膜の厚みを、３２〜４８ｎｍの範囲内の値とする。 - 特許庁 - High-intensity line spectrum can be attained at 156 and 165 nm during electric discharge.
放電中、１５６ｎｍ、１６５ｎｍにおいて高強度の輝線スペクトルが得られる。 - 特許庁 - The second reflection layer 23 contains silver (Ag) and has 10 to 30 nm film thickness.
第２反射層２３は、銀（Ａｇ）を含有し、且つ、膜厚が１０〜３０ｎｍである。 - 特許庁 - Typically, the amorphous Al_2O_3 film has a thickness within a range of 3-15 nm.
一般的に、上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜は、３ｎｍ〜１５ｎｍの厚みを有する。 - 特許庁 - A conductor wiring 12 having a thickness of 400 nm is formed on an IC board 11.
ＩＣ基板１１上に４００ｎｍの厚さの導体配線１２を形成する。 - 特許庁 - In this way, equiaxed crystals having an average crystal grain size of <1,000 nm are obtained.
これにより、平均結晶粒径が１０００ｎｍ未満である等軸晶を得る。 - 特許庁 - The average particle size of secondary particles of colloidal silica is preferably 60 nm or smaller.
コロイダルシリカの二次粒子の平均粒子径は好ましくは６０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The chain shaped colloid particle has an average length of about 40-200 nm.
前記鎖状コロイド粒子の平均長さは、例えば４０〜２００ｎｍ程度である。 - 特許庁 - Xenon gas emits UV rays R0 having a wavelength of about 172 nm by radiation.
キセノンガスは、放電により波長が約１７２ｎｍの紫外線Ｒ０を放出する。 - 特許庁 - The near UV laser used emits light at the wavelength of λ=320 to 360 nm.
近紫外線レーザーには波長λ＝３２０〜３６０ｎｍの波長のレーザーを用いる。 - 特許庁 - To provide a red semiconductor laser of the 650 nm band, which has a low threshold current.
閾値電流が低い６５０ｎｍ帯の赤色半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁 - The film thickness of the p-type amorphous silicon film 24 is 6 to 80 nm.
ｐ型非晶質シリコン膜２４の膜厚は、６ｎｍ以上８０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The thickness T1 of the upper electrode 16 is formed at more than 50 nm deep.
上部電極１６は、厚みＴ１が５０ｎｍを越える寸法に形成される。 - 特許庁 - Also, it is appropriate as a structure to shield a light of 1,013 nm in central wavelength.
中心波長１０１３ｎｍの光を遮断する構造としても好適である。 - 特許庁 - To reduce the threshold current of a semiconductor laser device having a 780 nm band InGaAsP well layer.
７８０nm帯ＩnＧaＡsＰ井戸層半導体レーザ素子の低閾値電流化を図る。 - 特許庁 - The oil-based composition comprises pigment with 10-1,000 nm of particle diameter.
また、前記顔料の粒子径は１０ｎｍ〜１０００ｎｍである油性インキ組成物。 - 特許庁 - The length of the short/long cup stacked type carbon nanotube is preferably 500 nm or less.
また、短長カップスタック型カーボンナノチューブの長さは５００ｎｍ以下が好ましい。 - 特許庁 - To improve high-speed recording characteristics by recording light of a wavelength ≤700 nm.
波長７００ｎｍ以下の記録光による高速記録特性の向上を図る。 - 特許庁 - The resultant TiN/TiO_2/HfSiO/SiO_2/Si structure satisfies the conditions: EOT<1.0 nm, low leakage current, and hysteresis<20 mV.
形成されたTiN/TiO_2/HfSiO/SiO_2/Si構造は、EOT<1.0nm, 低リーク電流, ヒステリシス<20mVを満たしている。 - 特許庁 - The spherical mesoporous carbon is composed of carbon nanorods having an interval of >2 nm.
カーボンナノロッドから構成され、その間隔が２ｎｍ超である球状メソポーラスカーボン。 - 特許庁 - To provide a metal halide lamp capable of irradiating light having a wavelength ranging from 300 to 330 nm.
３００nm〜３３０nmの波長の光を照射できるメタルハライドランプを提供する。 - 特許庁 - Thus, the optical pickup which uses light at 190 to 450 nm wavelength can be obtained.
波長１９０〜４５０ｎｍの光を用いる光学ピックアップを得ることができる。 - 特許庁 - (1) This aqueous dispersion comprises silicone elastomer particles of a mean particle diameter of ≤100 nm.
１． 平均粒径が１００ｎｍ以下であるシリコーンエラストマー粒子の水性分散液。 - 特許庁 - To obtain synthetic quartz glass having stable light transmissivity at 157.6 nm wavelength.
波長１５７．６ｎｍおける光透過率が安定している合成石英ガラスを得る。 - 特許庁 - The first light emitting means 21 emits light having a wavelength of 1,185 nm.
第１の発光手段２１は１１８５ｎｍの波長を有する光を放射する。 - 特許庁 - The electron injection layer 4 is formed of lithium with the film thickness 0.1-0.7 nm.
前記電子注入層４は膜厚が０．１〜０．７ｎｍのリチウムで形成される。 - 特許庁 - The second light emitting means 22 emits light having a wavelength of 1,710 nm.
第２の発光手段２２は１７１０ｎｍの波長を有する光を放射する。 - 特許庁 - The third light emitting means 23 emits light having a wavelength of 1,750 nm.
第３の発光手段２３は１７５０ｎｍの波長を有する光を放射する。 - 特許庁 - A laser diode 16 outputs 1,455 nm laser beam as a Raman pump light source.
レーザダイオード１６はラマンポンプ光源として、１４５５ｎｍのレーザ光を出力する。 - 特許庁 - The particle has an average diameter of 100 nm or less and is mono-dispersed.
粒子は，その平均直径が１００ｎｍ以下でありかつ単分散している。 - 特許庁 - A polishing quantity is desirably set to 500 nm or more, and main processing pressure is set to 80 g/cm^2 or more.
研磨量は、５００nm以上が望ましく、主加工圧80ｇ／cm^2以上とする。 - 特許庁 - To obtain an alumina microporous membrane in which fine pores having the diameter of ≤2 nm are dispersed uniformly.
直径２ｎｍ以下の細孔を均一分散させたアルミナ質多孔膜を得る。 - 特許庁 - The polishing quantity is desirably set to 1 nm or more, and the main processing pressure is set to 30 g/cm^2 or less.
研磨量は、１nm以上が望ましく、主加工圧３０ｇ／cm^2以下とする。 - 特許庁 - To provide a magnetic sensor having the contact hole of a nm order size.
ｎｍオーダーサイズのコンタクトホールを有する磁気センサを提供することを目的とする。 - 特許庁 - A linear nanowire consisting of organic polymer has the diameter less than 300 nm.
発明１の有機高分子ナノワイヤーは、直径が300nm未満であることを特徴とする。 - 特許庁 - The ultraviolet rays are rays having wavelengths of 300 to 420 nm.
「紫外線」とは、主波長が波長３００〜４２０ｎｍの範囲内にあることをいう。 - 特許庁 - The pigment particulate preferably has an average particle size of 50-300 nm.
前記顔料微粒子の平均粒子径は５０〜３００ｎｍであるのが好ましい。 - 特許庁 - To generate light at ≤210 nm wavelength with high efficiency in a simple structure.
２１０ｎｍ以下の波長を有する光を、簡単な構成で、効率良く発生する。 - 特許庁 - To efficiently and continuously produce ferrite fine particles with a diameter of ≤100 nm.
粒子径１００ｎｍ以下のフェライト微粒子を、効率よく連続的に製造する。 - 特許庁
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