「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 29 30 31 32 33 34 35 36 37 .... 287 288 次へ＞- The second protective carbon layer has very thin thickness, e.g. 0.1-1.0 nm thickness.
第２保護炭素層は、非常に薄く、例えば、０．１乃至１．０ｎｍの厚さを有する。 - 特許庁 - To provide a generating apparatus for blue laser light with a 457 nm substantial wavelength.
実用的な波長４５７ｎｍの青色レーザ光の発生装置を提供することである。 - 特許庁 - The YAG laser is defocused with the diameter of spot adjusted to 10 to 200 nm and scans.
ＹＡＧレーザーはデフォーカスして、スポット直径を１０〜２００ｎｍに調整して走査する。 - 特許庁 - The light radiated from the light source 4 has a wavelength peak at 300 to 700 nm.
光源４から照射される光は、３００〜７００ｎｍに波長ピークを有している。 - 特許庁 - To provide a plastic lens attaining spectral transmittance of 0% at 400 nm.
４００ｎｍでの分光透過率を０％にすることが可能なプラスチックレンズを提供する。 - 特許庁 - The diameter of the linear nanofiber is 150 nm and the length is 10 μm as shown by the figure.
図において、線状のナノファイバーの直径は１５０ｎｍ、長さ１０μｍである。 - 特許庁 - It is preferable that the average primary grain size of the inorganic particulates is ≥5 nm.
また、前記無機微粒子の平均一次粒子径が５ｎｍ以上であることが好ましい。 - 特許庁 - IMPROVED ON-CHIP Cu INTERCONNECTION USING METAL CAP HAVING A THICKNESS OF 1 TO 5 NM
１ないし５ｎｍの厚さの金属キャップを用いる改良されたオンチップＣｕ相互接続 - 特許庁 - More specifically, the processing by a ductility mode is possible even when the thickness of cutting exceeds 85 nm.
より具体的には、85nm超の切り取り厚さでも延性モードによる加工が可能となる。 - 特許庁 - The diameter of the carbon nanotube is in a range of 2-100 nm and the length thereof is in a range of 1-500 μm.
前記カーボンナノチューブの直径が、２〜100nmの範囲にあり、長さが1〜500μmの範囲にある。 - 特許庁 - (1) Fiber diameter is 1-100 nm, (2) an aspect ratio is 50 or above, and (3) the content is 0.1-0.2 M.
繊維径：１〜１００ｎｍ （１） アスペクト比：５０以上 （２） 含有量：０．１Ｍ〜０．２Ｍ （３） - 特許庁 - The material is specifically porous silica having holes with diameters of around 10 nm.
特にこの材料は約１０ナノメータの直径を有する孔を備えた多孔質シリカである。 - 特許庁 - This dental canaliculus filler consists of calcium phosphate particles ≤900 nm in size.
粒子径が９００ｎｍ以下であるリン酸カルシウム粒子を象牙細管封鎖材に用いる。 - 特許庁 - The PDP filter is provided with a pigment having an absorption maximum in 570-600 nm wavelength region.
５７０〜６００ｎｍに吸収極大波長を有する色素を有するＰＤＰフィルタ。 - 特許庁 - X-RAY MICROSCOPE OF REFLECTOR TYPE AND INSPECTION SYSTEM WHICH INSPECT OBJECT ON WAVELENGTH ≤100 nm
波長≦１００ｎｍで物体を検査する反射型Ｘ線顕微鏡および検査系 - 特許庁 - The resin nanofiber has ≤100 nm average diameter and ≤50% crystallinity.
平均直径が１００ｎｍ以下であって、結晶度が５０％以下の樹脂ナノファイバー。 - 特許庁 - Ultraviolet ray L11 at 365 nm wavelength irradiates the surface of a DMD 101.
波長３６５ｎｍの紫外光Ｌ１１をＤＭＤ１０１の表面に入射させる。 - 特許庁 - In formula (1), λ represents the wavelength (nm) of the characteristic X-ray Kα1.
２θ＝２ｓｉｎ^-1（λ／２ｄ） （１）（λは特性Ｘ線のＫα1の波長（ｎｍ）を表す。） - 特許庁 - The toner containing the coloring agent particles having an average dispersion grain size of ≤200 nm is provided.
帯電制御剤粒子を平均分散粒径３００ｎｍ以下で含有するトナー。 - 特許庁 - The ultraviolet light-emitting material has a peak emission wavelength of 400 nm or lower.
紫外発光材料とは、発光波長のピークが４００ｎｍ以下にあるものを指す。 - 特許庁 - The fluctuations of in-plane retardation Re of the optical anisotropic body is within 10 nm or smaller.
光学異方体の面内レターデーションＲｅのばらつきが１０ｎｍ以内である。 - 特許庁 - The semiconductor light receiving element is intended to detect light of a wavelength of 450 nm or below.
波長４５０ｎｍ以下の光を受光対象光とする半導体受光素子である。 - 特許庁 - The semiconductor single-crystal film 13 consists of an epitaxial film whose film thickness is 100 nm or smaller.
半導体単結晶膜１３は、膜厚が１００ｎｍ以下のエピタキシャル膜である。 - 特許庁 - The optimum torque of the motor 10 is calculated from the estimated deferential gear friction value Nm.
更に、当該推定されたデフフリクション値［Ｎｍ］からモータ１０の最適トルクを算出する。 - 特許庁 - A thickness d_1 of an etalon substrate 11 formed by mechanical grinding is measured in the order of 10 nm.
機械研磨で成型されたエタロン基板１１の厚みd_1を10nmのオーダーで測定する。 - 特許庁 - Typically, the created transition metal (M) nanoparticles have the size with a diameter of 5 to 15 nm.
典型的には、生成する遷移金属（Ｍ）ナノ粒子のサイズは直径５〜１５ｎｍである。 - 特許庁 - For example, a silane-based plasma SiN or either of SiO, SiON and SiOF is stacked at 100 nm.
例えばシラン系プラズマＳｉＮもしくはＳｉＯ，ＳｉＯＮ，ＳｉＯＦのいずれかを１００ｎｍ堆積する。 - 特許庁 - Its primary particle is a nanoparticle with an average diameter of at most several tens of nm.
磁性酸化鉄の一次粒子は、数十ｎｍ以下の平均粒径をもつナノ粒子である。 - 特許庁 - The average dispersed particle diameter of the particulates is preferably 1 to 800 nm.
微粒子の平均分散粒子径が、1ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - To provide an optical filter which selectively absorbs light of 480-500 nm.
４８０〜５００ｎｍの光を選択的に吸収する光学フィルターを提供すること。 - 特許庁 - To provide a resin polymerized from a monomer transparent to sub-200 nm wavelength.
サブ２００ｎｍの波長で透過するモノマーから重合された樹脂を提供すること。 - 特許庁 - Absorbance of water equals to that of ethanol at the wavelength of 1,185 nm.
この１１８５ｎｍの波長は、水の吸光度とエタノールの吸光度とが等しくなる波長である。 - 特許庁 - A fourth light source part 4 emits an infrared laser beam L4 of 1,064 nm wavelength.
第４の光源部４が、波長１０６４ｎｍの赤外レーザ光Ｌ４を出射する。 - 特許庁 - Specifically, the tungsten film 6 has grains 6a possessing diameters of about 10-20 nm.
具体的にタングステン膜６は、直径が１０〜２０ｎｍ程度のグレイン６ａを有している。 - 特許庁 - To quickly and highly accurately measure the number of particles of 50 nm or less in a particle size for each particle size.
粒径５０ｎｍ以下の粒子の個数を、粒径別に迅速かつ高精度で測定する。 - 特許庁 - The thickness of the conductive organic film is preferably not less than 10 nm nor more than 5 μm.
導電性有機膜の厚さは１０ｎｍ以上、５μｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - The metal thin film 22 is made of Pt or Au and has a film thickness of 10-100 nm.
金属薄膜２２は、ＰｔまたはＡｕからなり、１０〜１００ｎｍの膜厚を有する。 - 特許庁 - The transparent conductive layer 212C preferably has a thickness within 5-30 nm range.
透明導電層２１２Ｃは、５〜３０ｎｍの範囲内の厚さを有することが好ましい。 - 特許庁 - To provide an optical amplifier system capable of being applied to an amplifier of a wavelength band of 1,600 to 1,650 nm.
1600〜1650nm波長帯域の増幅器に適用できる光増幅システムを提供する。 - 特許庁 - The power spectrum indicates that the transfer of the {622} reflections corresponds to a spacing of 0.082 nm.
そのパワースペクトルは、{622}反射の伝達が0.082nmの間隔に相当することを示している。 - 科学技術論文動詞集 - Samples were coated on one side with carbon 〜20 nm thick to reduce the effects of charging.
試料は、帯電の効果を減らすために約20nmの厚さのカーボンで片側を被覆された。 - 科学技術論文動詞集 - CBED can be applied to most crystals since they are free of defects in a small area 1 to 20 nm in diameter.
ほとんどの結晶は1〜20nm径の微小領域に欠陥がないので、CBEDが応用できる。 - 科学技術論文動詞集 - An electrode for a dye-sensitized solar cell contains a tungsten oxide powder having an average particle size of 548 nm or smaller, a first titanium oxide powder having an average particle size of 100 nm or smaller, and a second titanium oxide powder having an average particle size of 200 to 500 nm.
平均粒径５４８ｎｍ以下の酸化タングステン粉末、平均粒径１００ｎｍ以下の第一の酸化チタン粉末および平均粒径２００〜５００ｎｍの第二の酸化チタン粉末を具備したことを特徴とする色素増感太陽電池用電極。 - 特許庁 - Preferably, the light is reddish light α wherein a wavelength [nm] is in a range of 600-750, bluish light β wherein a wavelength [nm] is in a range of 435-500, and/or yellowish light γ wherein a wavelength [nm] is in a range of 570-600.
前記光は、波長［ｎｍ］が６００〜７５０の範囲にある赤色系の光α、波長［ｎｍ］が４３５〜５００の範囲にある青色系の光βおよび／または波長［ｎｍ］が５７０〜６００の範囲にある黄色系の光γであることが好ましい。 - 特許庁 - The material for a lithographic substrate has a structure wherein the base substrate is coated with a multilayer film comprising a carbon nitride, CN_XO_Y, or carbon oxide layer which is ≥500 nm and ≤20 μm in thickness and amorphous carbon layers which are ≥5 nm and ≤150 nm in thickness.
５００ｎｍ以上２０μｍ以下の厚さの窒化炭素層、窒化酸化炭素層あるいは酸化炭素層と、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の厚さの非晶質炭素層との多層膜によって、下地の基板が被覆された構造のリソグラフィ用基板材料とする。 - 特許庁 - At the time of manufacturing the magnet, the fine alloy powder is molded by adding at least one kind of fine Al powder having a mean particle diameter of ≤300 nm, fine Cu powder having a mean particle diameter of ≤80 nm, and fine Ag powder having a mean particle diameter of ≤100 nm to the fine alloy powder, and the molded body is sintered.
その際、原料合金微粉に対し、平均粒径が３００ｎｍ以下のＡｌ微粉、平均粒径が８０ｎｍ以下のＣｕ微粉、平均粒径が１００ｎｍ以下のＡｇ微粉のうち少なくとも一種を添加して成形し、焼結を行う。 - 特許庁 - For example, it can prevent reflection from a lower film in a lithography process using 248 nm KrF, 193 nm ArF and 157 nm F_2 lasers and can eliminate light and standing waves generated by a thickness change of a photoresist itself.
例えば、２４８ｎｍ（ＡｒＦ）、１９３ｎｍ（ＡｒＦ）および１５７ｎｍ（Ｆ_2）レ−ザ−を利用するリソグラフィー工程においては下部膜の反射を防止することができ、且つ光およびフォトレジスト自らの厚さの変化によって生じる定常波を除去することができる。 - 特許庁 - The multi-beam semiconductor laser component 5 has a luminous point 6 at a wavelength of 650 nm and a luminous point 7 at a wavelength of 780 nm, and the luminous point 7 at 780 nm wavelength is positioned to be on the same axis as the external center 12 of an envelope 1.
マルチビーム半導体レーザ素子５は波長６５０ｎｍの発光点６及び波長７８０ｎｍの発光点７を有しており、波長７８０ｎｍの発光点７は外囲器１の外形中心１２と同一軸上になるように位置決めしている。 - 特許庁 - In this sealant for a solar cell prepared by dispersing or dissolving a fluorescent substance in a transparent resin, the fluorescent substance absorbs light in a wavelength region of 350-400 nm more than light in a wavelength over 400 nm, and has an average particle size ≤20 nm.
透明樹脂に蛍光物質が分散又は溶解されてなる太陽電池用封止剤において、蛍光物質は、３５０ｎｍ〜４００ｎｍの波長域の光を４００ｎｍを越える波長域の光よりも多く吸収し、また、平均粒径が２０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - Preferably, the shielding rate of the ultraviolet rays having 280-320 nm wavelength is ≥90%, the shielding rate of the ultraviolet rays having 320-400 nm wavelength is ≥60%, and the transmittance of the visual light having 400-700 nm wavelength is ≥50% in the acrylic fiber.
好ましくは、波長２８０〜３２０ｎｍの紫外線の遮蔽率９０％以上、波長３２０〜４００ｎｍの紫外線の遮蔽率６０％以上、波長４００〜７００ｎｍの可視光の透過率５０％以上である、上記アクリル繊維である。 - 特許庁
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