It is preferable to satisfy a relation of B/A≤0.8, wherein, A[nm] is the surface roughness Ra of the porous film 81, and B[nm] is the surface roughness Ra of the transparent conductive film 80. 多孔質膜81の表面粗さRaをA[nm]とし、透明導電膜8の表面粗さRaをB[nm]としたとき、B/Aが0.8以下なる関係を満足するのが好ましい。 - 特許庁
The fluorescent material is mixed in such a manner that the minimum transmittance of the light-transmitting cover 102 containing the fluorescent material is 50-60% in the visible ray region (380 nm to 780 nm). このとき、蛍光材料を含む透光性カバーの可視光域(380nm−780nm)における最低透過率が5%以上60%以下となるように設定する。 - 特許庁
The wavelength of the inspection light L1 is set to correspond to an absorption coefficient of a predetermined value or more of the object film 93, i.e., set preferably to 550 nm or lower and more preferably 450 nm or lower. 検査光L1の波長は、対象膜93の所定以上の吸収係数に対応するように設定し、好ましくは550nm以下とし、より好ましくは450nm以下とする。 - 特許庁
In an incinerator, of which start-up and shutdown are made on the same day, 50-300 mg/Nm^3 of powder active-carbon and 600-3,000 mg/Nm^3 of sodium bicarbonate are added to the flue gas. 1日の間に起動、停止を行う焼却炉において、排ガスに対して粉末活性炭50〜300mg/Nm^3と重曹600〜3000mg/Nm^3とを添加する。 - 特許庁
The powder consists of a multiple oxide of Zn oxide and the oxide of a metal M which is not allowed to enter into solid solution with the Zr oxide, and in which the Zr oxide and the oxide of metal M are uniformly dispersed on an nm scale. Zr酸化物と、Zr酸化物と固溶しない金属Mの酸化物との複合酸化物よりなり、Zr酸化物と金属Mの酸化物とがnmスケールで均一に分散している。 - 特許庁
A method of manufacturing a semiconductor device comprises the step of polishing a bevel part 2 of a wafer 1 so that the surface roughness (Ra) of the bevel part 2 ranges from 0.4 nm or more to 1.4 nm or less. 半導体装置の製造方法は、ウェハ1のベベル部2の表面粗さ(Ra)が0.4nm以上1.4nm以下となるように、ベベル部2を研磨する工程を有する。 - 特許庁
The void tower speed is determined to be 0.15-1.0 Nm/sec in accordance with the particle size of the filling layer, and the void tower speed is determined to be 0.15-1.0 Nm/sec at a part A immediately above the lowermost tuyere. 空塔速度を充填層の粒径に応じて0.15〜1.0Nm/secとし、また、空塔速度を最下段羽口の直上部Aで0.15〜1.0Nm/secとする。 - 特許庁
The acicular body is the extra-fine one consisting substantially of an iron element, having a thickness of <1,000 nm, preferably, of ≤100 nm and preferably having an aspect ratio of at least 5. この針状体は、実質的に鉄元素からなる、太さが1,000nm未満、好ましくは100nm以下であって、好ましくはアスペクト比が少なくとも5の極細のものである。 - 特許庁
The nano fiber is composed of a thermoplastic polymer, has a number-average single fiber diameter of 1 to 200 nm, and the ratio of the area having a single fiber diameters of ≥200 nm is ≤3%. ナノファイバー:熱可塑性ポリマーからなり、数平均による単繊維直径が1nm以上200nm以下、単繊維直径200nm以上の面積比率が3%以下である繊維。 - 特許庁
The light 114 of a wavelength 386 nm is condensed to a pseudo phase matching crystal 116 by a lens 115 and is converted to the light 111 of a wavelength 193 nm by second optical harmonic generation. 波長386nmの光114は、レンズ115により水晶の擬似位相整合結晶116に集光され、第二光高調波発生により波長193nmの光117に変換される。 - 特許庁
The roughened growth surface of the substrate can have an average roughness R_a of at least about 1 nanometer (nm) and an average peak to valley height R_z of at least 10 nanometers (nm). 基板の粗面化成長表面は、少なくとも約1ナノメートル(nm)の平均粗度R_aと、少なくとも10ナノメートル(nm)の山から谷までの平均高さR_zを有し得る。 - 特許庁
To provide a new resin and a photoresist containing the same effectively forming an image by using radiation at 200 nm or shorter such as 193 nm radiation. 193nm放射線のような200nm以下の放射線を用いて効果的にイメージ形成することができる新規な樹脂およびかかる樹脂を含有するフォトレジストを提供する。 - 特許庁
The compounds (II) preferably contain a compound (IIa) having a maximum absorption wavelength of >920 to <950 nm and a compound (IIb) having a maximum absorption wavelength of 950-1,100 nm. 好ましくは、化合物(II)として、最大吸収波長が920nmを超え950nm未満である化合物(IIa)と、最大吸収波長が950〜1100nmである化合物(IIb)とを含む。 - 特許庁
The carbonaceous fiber is a carbon nanofiber having a mass fraction of 0.1-50 mass% in the carbon composite material, a fiber diameter of 5-200 nm, and a fiber length of 5-1,000 nm. 繊維状炭素質は、炭素複合材中における質量分率が0.1〜50質量%であり、繊維径5〜200nm、繊維長5〜1000nmのカーボンナノファイバーである。 - 特許庁
To provide a fluorescent lamp having a phosphor coating suitable for general lighting, basing on a vacuum ultraviolet radiation source generating especially a wavelength in the range of about 145 nm-185 nm. 一般照明に適した蛍光体被膜を備え、約145nm〜185nmの領域の波長を特に発生する真空紫外線放射源を基礎とする蛍光ランプを提供する。 - 特許庁
To provide an excellent positive resist composition showing sufficient transmitting property when a light source at ≤160 nm, specifically F_2 excimer laser light (157 nm), is used and having a small amount of outgas. 160nm以下、具体的にはF_2エキシマレーザー光(157nm)の光源使用時に十分な透過性を示し、且つアウトガス量の少ない優れたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁
The multi-wavelength semiconductor laser device comprises a first element section 20A for oscillating a laser beam at a wavelength of 660 nm and a second element section 20B for oscillating a laser beam at a wavelength of 780 nm, on a substrate 10. 基板10上に、波長660nmのレーザ光を発振する第1素子部20Aと、波長780nmのレーザ光を発振する第2素子部20Bとを有する。 - 特許庁
An organic photoreceptor of a function separation type having a surface layer is used as the member 1 and the wavelength of a laser beam source of the laser exposure device 3 is specified to 400 nm below 500 nm. 像担持体1として、表面層を有する機能分離型の有機感光体を用い、レーザ露光装置3のレーザ光源の波長を500nm以下の400nmとする。 - 特許庁
In addition, the pad 11 ideally shows a light transmittance of ≥30% over the optical wavelength region of 400-900 nm, more ideally, over the optical wavelength region of 450-900 nm. また、光透過性パッド11は、好適に、400〜900nmの光波長領域、より好適に450〜900nmの波長範囲にわたって30%以上の光透過率を示す。 - 特許庁
The light source 3 is made of a lump 31 radiating high stimulation ultraviolet rays of a 280-300 nm wavelength area, and a lump 32 radiating low stimulation ultraviolet rays of a 300-320 nm wavelength area. 光源3は、280〜300nm波長域の高刺激用紫外線の照射するランプ31と、300〜320nm波長域の低刺激用紫外線の照射するランプ32から成る。 - 特許庁
In the retardation film 1, a value of in-plane retardation Re (550) at 550 nm measurement wavelength is equal to or above a value of in-plane retardation Re (450) at 450 nm measurement wavelength. 位相差フィルム1では、測定波長550nmにおける面内位相差Re(550)の値が、測定波長450nmにおける面内位相差Re(450)の値以上である。 - 特許庁
Pulse light of 1064 nm wavelength output by a laser 3 is converted by higher harmonic generators 5 and 9 to 354.7 nm and input to OPOs 30 and 40 for parametric oscillation. レーザ3が出力する波長1064nmのパルス光を、高調波発生器5、9で354.7nmに変換し、OPO30、40に入力してパラメトリック発振を行う。 - 特許庁
A fluorescence photometer 11 measures the fluorescence lighting intensity of inspection water near an excitation light wavelength of 436 nm and a fluorescence reception light intensity wavelength of 670 nm, and supplies the measured value to the chlorophyll (a) concentration computing element 12. 蛍光光度計11は、励起光波長436nm付近及び蛍光受光度波長670nm付近で検水の蛍光光度を測定し、この測定値をクロロフィルa濃度演算器12に供給する。 - 特許庁
In particular, the absolute difference maximum |δD| between the wavelength dispersion in the specified wavelength band and the straight line (L1) giving the minimum deviation from the wavelength dispersion is set to ≤0.22 ps/nm/km. 特に、該特定波長帯域における波長分散と、該波長分散との偏差が最小になる直線(L1)との差分最大値の絶対値|δD|が0.22ps/nm/km以下に設定されている。 - 特許庁
The carbon black for an antireflection film has a crystalline state having ≥2.0 nm crystallite size Lc(002) and a grain aggregated state having 20-50 nm Stokes mode diameter Dst of aggregates. 結晶子の大きさLc(002)が2.0nm以上の結晶性状およびアグリゲートのストークスモード径Dstが20〜50nmの粒子凝集性状を備えることを特徴とする反射防止膜用カーボンブラック。 - 特許庁
To provide a positive type resist composition with high sensitivity and of high resolution which shows sufficient transparency when a light source of ≤160 nm, concretely of F2 excimer laser light (157 nm) is used. 160nm以下、具体的にはF_2エキシマレーザー光(157nm)の光源使用時に十分な透過性を示し、且つ高感度、高解像度のポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
An incident surface 141 of an objective lens 14 of the optical pickup apparatus 1 is provided with a common region where the light fluxes of a wavelength γ1 (655 nm) and a wavelength γ2 (785 nm) pass through. 光ピックアップ装置1の対物レンズ14の入射面141に、波長λ1(655nm)及び波長λ2(785nm)の光束が通過する共用領域部を設ける。 - 特許庁
The optical filter contains at least one kind of benzopyrromethene metal chelate compound having the maximum absorption wavelength in the range from 540 nm to 620 nm, particularly the compound exhibited by the formula (1) in a substrate. 基材中、540〜620nmに吸収極大を有するベンゾピロメテン金属キレート化合物、特に下記式(1)の化合物を少なくとも1種含有してなる光学フィルター。 - 特許庁
The optical fiber is characterized in that the mean transmission loss of signal light of 1383 nm in wavelength is smaller than that of signal light of 1310 nm in wavelength and the length is ≥1 km. 波長1383nmの信号光の平均伝送損失が、波長1310nmの信号光の平均伝送損失よりも小さく、長さが1km以上の光ファイバ。 - 特許庁
The coating liquid for forming the metallic film contains metal particles having an average particle size of 50 nm or less and a catalyst component capable of decomposing an organic material and having an average particle size of 50 nm or less. 金属膜形成用塗布液は、平均粒径が50nm以下の金属粒子及び有機物を分解可能な平均粒径が50nm以下の触媒成分を含有する。 - 特許庁
(λ_0 is the fluorescent peak wavelength (unit: nm) of the luminescent material in a solution, λ_1 is the fluorescent peak wavelength (unit: nm) of the luminescent material in a solid thin film). (ここで、λ_0は溶液中における発光材料の蛍光ピーク波長(単位:nm)を表し、λ_1は固体薄膜中における発光材料の蛍光ピーク波長(単位:nm)を表す。) - 特許庁
The black ink composition contains a water-soluble dyestuff containing a single compound wherein a visible absorption spectrum in an aqueous solvent shows an absorption maximum at 440-540 nm and a half width at 90-200 nm. 水溶媒における可視域吸収スペクトルの吸収極大が440〜540nm、かつ半値幅が90nm〜200nmを示す単一化合物を含む水溶性染料を含有する黒インク組成物。 - 特許庁
Further, as the threshold of the optical filter 11 is larger than 805 nm, indocyanine green having excitation light (whose wavelength is 805 nm) on the most infrared side among various fluorescent substances can be used. また、光学フィルター11の閾値が805nmより大きいため、各種の蛍光物質のうち、最も赤外側に励起光(波長805nm)があるインドシアニングリーンも利用することができる。 - 特許庁
The polyvinyl alcohol-based film is characterized by being 200 nm or less in the correlation length derived from light scattering measurements obtained using a He-Ne laser of 633 nm wavelength as light source. 光源として波長633nmのHe−Neレーザーを用いた光散乱測定の結果より導出される相関長が200nm以下であるポリビニルアルコール系フィルム。 - 特許庁
To provide an optical information medium realizing compatibility between the recording or reproduction using a laser beam of 350 to 500 nm wavelength and the recording or reproduction using a laser beam of 750 to 850 nm wavelength. 波長350〜500nmのレーザー光での記録又は再生と、波長750〜850nmのレーザー光での記録又は再生との両立を実現した光情報媒体を提供する。 - 特許庁
When a wavelength window indicating operating wavelength region is 1,530 to 1,565 nm, the dimensions of the optical waveguide are so selected that the cut-off wavelength of the waveguide attains ≤650 nm. 動作波長領域を示す波長ウインドウが1530nm〜1565nmであるときには、導波路のカットオフ波長が1650nm以下になるように光導波路の寸法を選定する。 - 特許庁
An intermediate layer of the electrophotographic photoreceptor includes an organic resin and rutile-type titanium oxide crystal particles which contain tin and have an average primary particle diameter of 3 nm or more and 9 nm or less. 電子写真感光体の中間層を、スズを含む平均一次粒子径3nm以上9nm以下のルチル型酸化チタン結晶粒子と有機樹脂とを含有する層とする。 - 特許庁
To solve problems due to deformation of a photoresist pattern in an etching process using the photoresist pattern exposed with a light source whose wavelength is of 157 nm to 193 nm, that is, an F_2 or ArF laser. 波長が157nmないし193nmである露光源、すなわちF2またはArFレーザで露光されたフォトレジストパターンを利用したエッチング過程における前記フォトレジストパターンの変形に伴う問題点を解決する。 - 特許庁
Also, the thickness of a silicon oxide film on an amorphous silicon surface before laser annealing is set to 1 nm or more and 5 nm or less, thus controlling the average roughness in the polycrystalline silicon film. また、多結晶シリコン膜の平均粗さはレーザーアニール前の非晶質シリコン表面のシリコン酸化膜厚を1nm以上5nm以下にすることで制御することが可能である。 - 特許庁
The boron nitride cluster can be manufactured as a boron nitride microbody which is cylindrical with a diameter of ≤500 nm and has nodules spaced 1-100 nm interval inside the cylinder. 前記窒化ほう素クラスターは、直径500nm以下の円筒状であり、1〜100nm間隔で円筒内部に節を有する窒化ほう素微小体として製造することができる。 - 特許庁
A light emitting layer 5 produces light having peak intensities in a wavelength range of 460 to 510 nm and a wavelength range 550 to 640 nm, respectively. 発光層5から460nm以上510nm以下の波長領域および550nm以上640nm以下の波長領域にそれぞれピーク強度を有する光が発生される。 - 特許庁
In the non-monocrystal semiconductor material 1, crystal silicon and crystal germanium 2 having a particle size of 1 nm to 5 nm lie scattered in an amorphous material 3 having silicon and/or germanium as a principal body. シリコン及び/又はゲルマニウムを主体とするアモルファス材料3中に粒径1nm〜5nmの結晶シリコン及び結晶ゲルマニウム2を散在させた非単結晶半導体材料1。 - 特許庁
The calcium oxide dispersion liquid contains calcium oxide fine particles having a median particle diameter (volume basis) of 1-200 nm and a maximum particle diameter of 10-1,000 nm, and an organic dispersion medium. 酸化カルシウム分散液は、少なくとも、メジアン粒径(体積基準)が1〜200nm、最大粒子径が10〜1000nmの酸化カルシウム微粒子および有機分散媒を含む。 - 特許庁
To provide a positive resist composition having satisfactory transmittance to ≤160 nm, concretely F_2 excimer laser light (157 nm) and excellent in line edge roughness and development defects. 160nm以下、具体的にはF_2エキシマレーザー光(157nm)に対する十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥性能が優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
Green light with high color purity can be outputted by passing the light from an organic illuminant having light-emitting wavelengths in the wavelength range of 450 nm to 520 nm through the fluorescence conversion filter. 波長450nm〜520nmに発光波長を持つ有機発光体からの光を、上記蛍光変換フィルタに通すことにより、色純度の高い緑色光を出力させることができる。 - 特許庁
Thereafter, carbon nanotubes are grown to form a high density assembly comprising carbon nanotubes having an average outer diameter of 4 nm and an average inner diameter of 3 nm, being vertical to the substrate and mutually highly parallel. その後、カーボンナノチューブを成長させると、平均外径4nm、平均外径5nmで、基板に垂直に、相互に平行性の高い高密度のカーボンナノチューブ集合体が形成される。 - 特許庁
To provide a phosphor blend excitable by electromagnetic radiation of about 315 to about 480 nm wavelength and emitting a visible light of about 490 to about 770 nm wavelength. 波長範囲約315〜約480nmの電磁放射線によって励起可能で、波長範囲約490〜約770nmの可視光を放出する蛍光材料ブレンドを提供する。 - 特許庁
The intermediate layer is formed of fine particles of a metal oxide and an ultraviolet curing binder, has refraction of 1.66-1.86 with light of 400 nm in wavelength and is 80-110 nm in film thickness. 前記中間層は、金属酸化物微粒子と紫外線硬化性バインダーとより形成され、波長400nmの光の屈折率が1.66〜1.86、膜厚が80〜110nmである。 - 特許庁
In light emitted from the phosphor containing resin layer 10, a ratio of the emission intensity of wavelength 500 nm to the emission intensity of wavelength 550 nm is 0.4 or more. 蛍光体含有樹脂層10から出射される光における波長550nmの発光強度に対する波長500nmの発光強度の割合が0.4以上である。 - 特許庁
A dichroic mirror 25B, a 805 nm bandpass filter 28 and a 930 nm bandpass filter 29 further spectrally separate the near infrared light into first and second near infrared lights of different wavelengths. ダイクロイックミラー25B、805nmバンドパスフィルタ28及び930nmバンドパスフィルタ29は、前記近赤外光を2つの異なる波長の第1及び第2の近赤外光に分光する。 - 特許庁