「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 35 36 37 38 39 40 41 42 43 .... 287 288 次へ＞- This laminated wiring is constituted by a Ti adhered layer 12 of 100 nm thick, a TiN barrier layer 14 of 30 nm thick, and an Al-Si wiring material layer 16 of 800 nm thick laminated in this order via an underlayer SiO2 film 10 on a semiconductor substrate.
半導体基板（図示せず）上に下地ＳｉＯ_2 膜１０を介して順に積層された厚さ１００ｎｍのＴｉ密着層１２、厚さ３０ｎｍのＴｉＮバリア層１４、及び厚さ８００ｎｍのＡｌ−Ｓｉ配線材層１６から積層配線が構成される。 - 特許庁 - The particle powder of copper selenide having an average primary particle size of ≥10 nm and <500 nm and a carbon content of ≤1 mass% is obtained by mixing a suspension of a particle powder of copper having an average primary particle size of 10-400 nm, an aqueous solution of a selenium compound and a reducing agent to react together.
平均１次粒径が１０〜４００ｎｍの銅粒子粉末の懸濁水と、セレン化合物水溶液と、還元剤とを混合することによって反応させ、平均１次粒径が１０ｎｍ以上５００ｎｍ未満で炭素含有量が１質量％以下のセレン化銅粒子粉末を得る。 - 特許庁 - Further, undercoat layers 71, 76 have thicknesses of 900 nm or less, light refractive indices within a range of 1.78+0.10/-0.08 to the light having the wavelength of 550 nm and within a range of 1.86+0.10/-0.08 to the light having the wavelength of 400 nm.
また、アンダーコート層７１，７６は、その厚みが９００ｎｍ以上となっており、かつその光屈折率が、波長５５０ｎｍの光に対して１．７８＋０．１０／−０．０８の範囲内となっており、波長４００ｎｍの光に対して１．８６＋０．１０／−０．０８の範囲内となっている。 - 特許庁 - A period in which a film reduction amount of the protective film composed of the first protective film formed by a spattering method and having a thickness of 100 nm, and the second protective film formed by a vacuum deposition method and having a thickness of 900 nm becomes 1,000 nm is set to twice or more of that of a conventional protective film.
スパッタリング法で形成した厚み１００ｎｍの第１の保護膜と、真空蒸着法で形成した厚み９００ｎｍの第２の保護膜とで構成される保護膜の膜減り量が１０００ｎｍになる時間は、従来の保護膜の２倍以上となる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor light emitting element, such as a high- output red semiconductor laser which stably oscillates in 635-nm band, 650-nm band, etc., at a high temperature, a visible semiconductor laser which oscillates at a wavelength shorter than 600 nm at a room temperature, a visible light emitting diode having a high luminous efficiency, etc.
本発明は、高温，高出力，安定動作する６３５ｎｍ，６５０ｎｍ帯等の赤色半導体レーザ、室温において６００ｎｍより短い波長で発振する可視半導体レーザや高発光効率の可視発光ダイオードなどの半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - The p-type contact layer 6 sequentially laminates an optical reflective metal film 7 consisting of Ag having a thickness of 150 nm, a diffusion preventing metal film 8 consisting of W having a thickness of 100 nm, and a cover metal film 9 consisting of Au having a thickness of 150 nm to from a p-type electrode 12.
ｐ型コンタクト層６の上には厚さが１５０ｎｍのＡｇからなる光学反射金属膜７と、厚さが１００ｎｍのＷからなる拡散防止金属膜８と、厚さが１５０ｎｍのＡｕからなるカバー金属膜９とが順次積層されたｐ型電極１２が形成されている。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition suitable for use of an exposure light source of light of ≤160 nm, in particular, of F_2 excimer laser light (of 157 nm), and practically having sufficient transparency when a light source of 157 nm is used and having little dependence on developing time.
１６０ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、現像時間依存性の小さいポジ型感光性組成物を提供すること。 - 特許庁 - To provide a positive type resist composition which is adequate for use of a light source for exposure of ≤200 nm, more particularly F_2 excimer laser light (157 nm), exhibits sufficient transparent characteristics in using the light source of 157 nm, and is little in line edge roughness, development defects and scum.
２００ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥及びスカムが少ないポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - A luminous flux of 405 nm is converged by a coupling lens 3A, a luminous flux of 660 nm is parallelized by a coupling lens 3B, and a luminous flux of 790 nm is diverged by a coupling lens 3C, and made incident on an objective lens 10 and forms a spot on each disk surface.
４０５ｎｍの光束は、カップリングレンズ３Ａにより収束光とされ、６６０ｎｍの光束はカップリングレンズ３Ｂにより平行光とされ、７９０ｎｍの光束はカップリングレンズ３Ｃにより発散光とされて対物レンズ１０に入射し、各ディスク面上にスポットを形成する。 - 特許庁 - To provide a positive type resist composition suitable for use under a light source for exposure which emits light of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm) and specifically to provide a positive type resist composition exhibiting satisfactory transmittance when a light source which emits light of 157 nm is used and having good contrast by dissolution.
１６０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ良好な溶解コントラストを有するポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁 - In the optical disk 1, the level of the double refraction is set within 60 nm, 60 nm and 40 nm for a read only disk, a WORM type disk and a rewriting type disk, respectively, in the state where two substrates 1a and 1b are stuck to each other.
この発明の光ディスク１においては、２枚の基板１ａ，１ｂが貼り合わせられた状態で、複屈折のレベルが、読み出し専用ディスクにおいては、６０ｎｍ、追記型ディスクにおいては、６０ｎｍ、書換え型ディスクにおいては、４０ｎｍ以内に、それぞれ設定される。 - 特許庁 - The catalyst consists of fine particles of an alloy of platinum and ruthenium held by carbon powder, and the alloy particles has an average particle diameter of 6 nm or less, and has a face-centered cubic lattice, having lattice constant for the crystal structure of within the range of 0.3923 to 0.3883 nm.
カーボン粉末に担持された白金とルテニウムの合金の微粒子からなり、該合金微粒子は平均粒子径が6nm以下であり且つ結晶構造の格子定数が0.3923〜0.3883 nmの範囲内の面心立方格子を有することを特徴とする燃料電池用カソ−ド触媒。 - 特許庁 - In a longitudinal section at the center of a base film 15 of a circular porous PTFE, a working electrode 12 is formed on a 100 nm thick Pt layer as a 1500 nm Au layer, and a counter electrode 14 and a reference electrode 13 are formed on both sides as a 100 nm Pt layer by sputtering.
円形の多孔質ＰＴＦＥの基膜１５上の中央縦に、作用極１２がＰｔ層１００ｎｍ厚さ上にＡｕ層１５００ｎｍ厚さで、その両側に対極１４と参照極１３がＰｔ層１００ｎｍ厚さでスパッタリングして形成される。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition suitable for the use of an exposure light source at ≤160 nm wavelength, in particular, for F_2 excimer laser light (at 157 nm wavelength), and specifically, to provide a positive resist composition showing sufficient transmittance and preferable contrast by dissolution when the light source at 157 nm wavelength is used.
１６０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ良好な溶解コントラストを有するポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁 - Each of the film layers 4a, 4b becomes a selectively reflective layer that penetrates 99.9% or more of the wavelength 809 nm of the exciting light and reflects 99.9% or more of the wavelength (1,064 nm) of a fundamental harmonic light and the wavelength (532 nm) of an output light by suitably controlling the film thicknesses of the film layers.
この各膜層４ａ、４ｂの膜厚を適宜に調整することで、励起光の波長８０９ｎｍを９９．９％以上透過し、基本波光の波長（１０６４ｎｍ）と出力光の波長（５３２ｎｍ）の波長を９９．９％以上反射する選択性反射層となる。 - 特許庁 - The ultrafine carbon fiber has 0.335 nm to 0.360 nm distance (d_002) between net planes evaluated by wide angle X-ray measurement and 1.0 to 150 nm thickness (Lc) of net plane group and 0.001 to 2 μm fiber diameter and substantially has not the branched structure.
広角Ｘ線測定で評価した網平面間の距離（ｄ_００２）が０．３３５ｎｍ〜０．３６０ｎｍの範囲にあり、網平面群の厚さ（Ｌｃ）が１．０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲にあり、繊維径が０．００１μｍ〜２μｍの範囲にあって、且つ実質的に分岐構造を有さない、極細炭素繊維。 - 特許庁 - The amorphous silicon film 12a is patterned to a width size of 45 nm three times as large as Wa in a photolithography processing, but slimming technique is employed to form the film to 30 nm and then the technique changes a surface layer into a silicon oxide film 15 through thermal oxidation, thereby forming the film to the size Wa of 15 nm.
非晶質シリコン膜１２ａは、フォトリソグラフィ処理でＷａの３倍の幅寸法４５ｎｍでパターニングされるが、スリミング技術で３０ｎｍに形成した上で、熱酸化により表層をシリコン酸化膜１５に変質させ、これによって寸法がＷａである１５ｎｍに形成される。 - 特許庁 - To provide a positive type resist composition suitable for use under a light source for exposure having a wavelength of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to provide a positive type resist composition which exhibits sufficient transmittance when a 157 nm light source is used, satisfies requirements for coating and prevents development defects.
１６０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ塗布性、現像欠陥を満足するポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁 - Disclosed are the dispersion shift optical fiber 1 which has a dispersion value D (2≤D≤8 (ps/nm/km)) and a ≤4 (ps/nm/km) maximum differnece in dispersion value in the whole wavelength band of 1460 to 1625 nm covering the S-band, C-band, and L-band and the optical communication system which uses the same.
Ｓ−バンド，Ｃ−バンドおよびＬ−バンドに亘る１４６０〜１６２５ｎｍの全波長帯域において、分散値Ｄが２≦Ｄ≦８（ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ）であり、かつ、分散値の最大差が４（ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ）以下である分散シフト光ファイバ１およびこれを用いた光通信システム。 - 特許庁 - As the soft magnetic thin band, the one having a host phase structure where crystal grains with a crystal grain size of ≤60 nm (excluding zero) are dispersed into an amorphous phase in ≥30% by a volume fraction at a position of 120 nm depth from the surface, and also having an amorphous layer within a width of 120 nm depth from the surface is used.
薄帯の表面より深さ１２０ｎｍの位置で結晶粒径が６０ｎｍ以下（０を含まず）の結晶粒が非晶質中に体積分率で30％以上分散した母相組織を有し、かつ薄帯の表面から深さ１２０ｎｍの幅内にアモルファス層を有するものを用いる。 - 特許庁 - The phosphor has a feature that the phosphor is excited in ultraviolet rays at least 290 nm to 310 nm by activating using trivalent praseodymium (Pr^3+), wherein the rare earth oxysulfide is to be a matrix, and is not excited in ultraviolet rays at about 365 nm such as black light.
希土類酸硫化物を母体とし、３価のプラセオジム（Ｐｒ^３＋）で付活することにより、少なくとも２９０ｎｍから３１０ｎｍの波長領域の紫外線により励起され、かつブラックライトのような３６５ｎｍ付近の紫外線では実質上励起されない特徴を有する蛍光体となる。 - 特許庁 - When a zone in the surface of a porous silicon region has an average pore diameter D (nm) and a pore number density N (pores/cm^2), a porous silicon region is formed by anodizing a silicon wafer so as to meet conditions, 0<N≤D×1.9×10^12 and 0.235 nm≤D<91 nm.
多孔質シリコン領域における表面近傍の領域が、平均孔径をＤ（ｎｍ）、孔数密度をＮ（個／ｃｍ^２）としたときに、０＜Ｎ≦Ｄ×１．９×１０^１２、０．２３５ｎｍ≦Ｄ＜９１ｎｍの条件を満たすようにシリコンウエハを陽極化成して多孔質シリコン領域を形成する。 - 特許庁 - In an optical filter with a transparent substrate and a filter layer, the filter layer has absorption maxima in wavelength regions of 750-850 nm, 851-950 nm and 951-1,100 nm.
透明支持体とフィルター層とを有する光学フィルターにおいて、フィルター層に、７５０乃至８５０ｎｍの範囲の吸収極大波長、８５１乃至９５０ｎｍの範囲の吸収極大波長および９５１乃至１１００ｎｍの範囲の吸収極大波長をそれぞれ設定する - 特許庁 - To provide a positive resist composition suitable when an exposure light source at ≤160 nm, in particular, F_2 excimer laser light (at 157 nm) is used, and specifically, to provide a positive resist composition showing sufficient transmitting property when a light source at 157 nm is used and having high resolution and an excellent pattern profile.
１６０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、高解像力であり、パターンププロファイルが優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - The niobium oxide powder has a spectral reflectance at 500 nm wavelength of ≥95%, a spectral reflectance at 400 nm wavelength of ≥75% and a spectral reflectance at 320 nm wavelength of ≤10% as measured on the basis of a standard white plate.
本発明は、標準白色板を基準として測定した波長５００ｎｍにおける分光反射率が９５％以上であり、波長４００ｎｍにおける分光反射率が７５％以上であり、波長３２０ｎｍにおける分光反射率が１０％以下である酸化ニオブ粉に関する。 - 特許庁 - The color filter array has a blue filter layer formed on a substrate, and the blue filter layer contains a triaryl methane dye having the absorption maximum at 550 to 650 nm wavelength and has ≥70% transmittance at 450 nm wavelength and ≤5% at 650 nm wavelength.
基体上に青色フィルタ層を有してなり、該青色フィルタ層は波長５５０〜６５０ｎｍに吸収極大を有するトリアリルメタン系色素を含有し、透過率が波長４５０ｎｍで７０％以上であり波長６５０ｎｍで５％以下であることを特徴とする色フィルタアレイ。 - 特許庁 - Film thickness of the semiconductor layer 11a of the first double-gate photosensor PSA is set to 50 nm, that of a semiconductor layer 11b of the second double-gate photosensor PSB to 150 nm, and that of a semiconductor layer 11c of the third double-gate photosensor PSC to 300 nm.
ここで、第１のダブルゲート型フォトセンサＰＳＡの半導体層１１ａの膜厚は５０ｎｍ、第２のダブルゲート型フォトセンサＰＳＢの半導体層１１ｂの膜厚は１５０ｎｍ、第３のダブルゲート型フォトセンサＰＳＣの半導体層１１ｃの膜厚は３００ｎｍに設定されている。 - 特許庁 - The rare earth element-doped nano ceria-based sintered body is characterized by having a relative density of 95% or more, an average particle diameter of 1×10^2 nm or more and 2×10^2 nm or less and a standard deviation (σ) expressing the spread of a particle diameter distribution of 6×10 nm or less.
本発明の希土類元素をドープしたナノセリア系焼結体は、相対密度９５％以上、平均粒子径が１×１０^２ｎｍ以上２×１０^２ｎｍ以下で、かつ粒子径分布の広がりを示す標準偏差（σ）が６×１０ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - The single-mode optical fiber transmits a light signal at a 1,310 nm wavelength in a single mode operation and has ≥6.6 μm mode field diameter at wavelength of 1,310 nm and ≤0.1 dB/10 turns bending loss in a 7.5 mm radius of curvature at wavelength of 1,650 nm.
シングルモード光ファイバは、波長１３１０ｎｍの光信号をシングルモード動作にて伝搬し、波長１３１０ｎｍにおけるモードフィールド径が６．６μｍ以上であり、波長１６５０ｎｍにおける曲率半径７．５ｍｍの曲げ損失が０．１ｄＢ／１０ターン以下である。 - 特許庁 - This is heat ray transmissive visible light reflecting body 31 which comprises a plastic foam, in which the entire reflection ratio A of the visible light of wavelength 550 nm is 30% or higher, in which the difference (B-C) of the transmissivity B of the heat wave of the wavelength 1,200 nm and the transmissivity C of the visible light of the wavelength 550 nm is 15% or higher.
プラスチック発泡体からなり、波長５５０ｎｍの可視光の全反射率Ａが３０％以上、波長１２００ｎｍの熱線の透過率Ｂと波長５５０ｎｍの可視光の透過率Ｃとの差Ｂ−Ｃが１５％以上である熱線透過可視光反射体３１とする。 - 特許庁 - In the optical film which has an acrylic polymer (A) including an N-benzylmaleimide unit (a) and a (meth)acrylic acid ester unit (b) as a constitutional unit, the optical film is formed by biaxial stretching so that an in-plane retardation Re is set at 0 to 5 nm, and a retardation Rth in a thickness direction is set at -5 nm to 5 nm.
Ｎ−ベンジルマレイミド単位（ａ）および（メタ）アクリル酸エステル単位（ｂ）を構成単位として含むアクリル系重合体（Ａ）を有する光学フィルムであって、二軸延伸により面内位相差Ｒｅを０〜５ｎｍ、厚さ方向の位相差Ｒｔｈを−５ｎｍ〜５ｎｍとした光学フィルムである。 - 特許庁 - The level of the double refraction of the optical disk 1 is set to be within 60 nm for a read-only disk, within 60 nm for a DRAW type disk and within 40 nm for a rewritable type disk, while two substrates 1a and 1b are stuck to each other.
この発明の光ディスク１においては、２枚の基板１ａ，１ｂが貼り合わせられた状態で、複屈折のレベルが、読み出し専用ディスクにおいては、６０ｎｍ、追記型ディスクにおいては、６０ｎｍ、書換え型ディスクにおいては、４０ｎｍ以内に、それぞれ設定される。 - 特許庁 - In the producing processes, an ink composition for ink-jet recording containing the colorant having the absorption wavelength region in 400 nm to 440 nm and an ink composition for ink-jet recording containing the colorant having the absorption wavelength region in 570 nm to 610 nm are ejected over the image display area of screen base material by an ink-jet recording method.
製造方法は、４００ｎｍ〜４４０ｎｍに吸収波長領域を有する着色剤を含有するインクジェット記録用インク組成物と、５７０ｎｍ〜６１０ｎｍに吸収波長領域を有する着色剤を含有するインクジェット記録用インク組成物とをインクジェット記録方法によってスクリーン基材の映像表示用領域に吐出することを含む。 - 特許庁 - In the producing processes, an ink composition for ink-jet recording containing the colorant having the absorption wavelength region in 400 nm to 440 nm and an ink composition for ink-jet recording containing the colorant having the absorption wavelength region in 470 nm to 510 nm are ejected over the image display area of screen base material by an ink-jet recording method.
製造方法は、４００ｎｍ〜４４０ｎｍに吸収波長領域を有する着色剤を含有するインクジェット記録用インク組成物と、４７０ｎｍ〜５１０ｎｍに吸収波長領域を有する着色剤を含有するインクジェット記録用インク組成物とをインクジェット記録方法によってスクリーン基材の映像表示用領域に吐出することを含む。 - 特許庁 - A light-scattering film includes a layer including at least a kind of light-scattering particles and a light-transparent resin on a support, wherein the light-scattering film comprises the light-scattering particles and the light-transparent resin, whose respective refractive indexes at 435 nm and 545 nm wavelength satisfy a prescribed relation, or has spectroscopic transmittances at 435 nm and 545 nm wavelength satisfy a prescribed relation.
支持体上に、少なくとも１種の光散乱粒子と透光性樹脂を有する層を有する光散乱フィルムであって、光散乱粒子及び透光性樹脂の波長４３５ｎｍ及び５４５ｎｍでのそれぞれの屈折率が特定の関係にあるか、又は該光散乱フィルムの波長４３５ｎｍ及び５４５ｎｍでの分光透過率が特定の関係にある光散乱フィルム。 - 特許庁 - The design of the color of make-up cosmetics is characterized by designing so that, in its spectrophotometric curve measured by packed in a color measuring cell, all points except the points at 600 nm and 540 nm exist below a straight line connecting a point at 600 nm and a point at 540 nm on the curve.
メークアップ化粧料の色の設計方法に於いて、測色用セルに充填して測定した分光光度曲線が、当該分光光度曲線上の６００ｎｍの点と５４０ｎｍの点とを結ぶ直線の下に６００ｎｍの点と５４０ｎｍの点を除く全ての点が存在する様に設計することを特徴とする、メークアップ化粧料の色の設計方法。 - 特許庁 - A metal dispersion liquid containing metal nano fine particles having about 0.5 nm to 200 nm particle size is applied onto the entire surface of a substrate and dried, locally irradiated with a laser beam emitting light at 300 nm to 550 nm wavelength to couple the metal fine particles to draw a wiring pattern, and cleaned to remove the metal dispersion liquid in an unnecessary part to form desired wiring on the substrate.
粒径が０．５ｎｍ〜２００ｎｍ程度の金属ナノ微粒子を含む金属分散液を、基板全面に塗布乾燥し、３００ｎｍ〜５５０ｎｍの波長の光を発生するレーザビームを局所的にあて金属微粒子を結合させることによって配線パターンをえがき洗浄して不要部分の金属分散液を除去し所望の配線を基板上に形成する。 - 特許庁 - The agricultural mulch film has: light transmitted with a main wavelength of between 400-600 nm; 20% or less of an average value of total light transmittance in a wavelength of 600-700 nm; 30% or less of the average value of total light transmittance in a wavelength of 700-740 nm; and 20% or more of the average value of total light transmittance in a wavelength of 750-850 nm.
透過する光の主波長が４００〜６００ｎｍの間にあり、６００〜７００ｎｍの波長における全光線透過率の平均値が２０％以下であり、７００〜７４０ｎｍの波長における全光線透過率の平均値が３０％以下であり、７５０〜８５０ｎｍの波長における全光線透過率の平均値が２０％以上である農業用マルチフィルム。 - 特許庁 - This device is provided with a discharge medium for radiating specified ultraviolet rays including the wavelengths of 185 nm and 254 nm by discharging, a discharge container, which airtightly stores the discharge medium and is configured to regulate the quantity of transmitted light of 185 nm to be radiated to the outside relatively to the quantity of transmitted light of 254 nm, for transmitting specified ultraviolet rays and a means for discharging the discharge medium.
放電により１８５ｎｍ及び２５４ｎｍの波長を含む特定の紫外線を放射する放電媒体と、放電媒体を気密に収容し、外部に放射される１８５ｎｍの透過光量を２５４ｎｍの透過光量に対して相対的に規制するように構成されている特定の紫外線を透過させる放電容器と放電媒体を放電させる手段とを備える。 - 特許庁 - The adhesive contains a saturated polyester resin, a flame retardant, a photoreactive curable resin, a first photopolymerization initiator having a maximum absorption spectrum at the side of a wavelength longer than 310 nm in the region of <360 nm, and a second photopolymerization initiator at the side of a wavelength longer than 360 nm in the region of <420 nm.
本発明の接着剤は、飽和ポリエステル樹脂と難燃剤と光反応性硬化樹脂と３１０ｎｍよりも長波長側での最大吸収スペクトルが３６０ｎｍ未満の領域にある第１の光重合開始剤と３６０ｎｍよりも長波長側での最大吸収スペクトルが４２０ｎｍ未満の範囲にある第２の光重合開始剤とが含有されている。 - 特許庁 - In the organic thin film including a platinum complex and a host material, the platinum complex has monomer emission in the range of 440 nm or more and 480 nm or less, and also an emission maximum wavelength originating in excimer emission in the range of 530 nm or more and 650 nm or less; and the platinum complex is a platinum complex with a specific structure containing a tetradentate ligand.
白金錯体、及びホスト材料を含む有機薄膜であって、該白金錯体が４４０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にモノマー発光を有し、かつ、５３０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲にエキシマー発光に由来する発光極大波長を有しており、前記白金錯体が、四座配位子を含む特定の構造の白金錯体である有機薄膜。 - 特許庁 - The transmission absorbance of the dye-containing layer at 750-1,500 nm wavelength of light for exposure is ≥0.4, that at 670 nm is ≤0.22 and the half-width of the absorption peak in the wavelength range of 750-1,500 nm is ≥40 nm.
透明支持体上の少なくとも一方の側に染料含有層を有し、該染料含有層の露光波長７５０ｎｍから１５００ｎｍにおける透過吸光度が０．４以上であり、６７０ｎｍにおける透過吸光度が０．２２以下であり、かつ７５０ｎｍから１５００ｎｍの波長領域における吸収ピークの半値幅が４０ｎｍ以上であることを特徴とする熱現像感光材料。 - 特許庁 - This hydrophilic thin film is obtained by laminating on a glass substrate an alkali shut off film of silicon oxide having ≤10 nm thickness, a porous TiO2 film with 100 nm to 250 nm thickness and having functions of photo-transmission and photo-catalysis, and further an inorganic oxide film having ≤10 nm thickness in this order.
ガラス基板の表面に酸化珪素よりなる１０ｎｍ以下の厚さのアルカリ遮断膜および光透過性および光触媒機能を持つ多孔質状ＴｉＯ２膜を１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の厚さで積層してなり、さらに前記多孔質ＴｉＯ２膜上に無機酸化物を１０ｎｍ以下に積層してなる防曇防汚ガラスを実現する親水性薄膜。 - 特許庁 - The filter array has a green filter layer formed on a substrate, and the green filter layer contains a copper phthalocyanine dye having the absorption maximum at 600 to 700 nm wavelength and a pyridone azo dye having the absorption maximum at 400 to 500 nm wavelength and has ≤5% transmittance at 450 nm wavelength and ≥62% at 535 nm wavelength.
基体上に緑色フィルタ層を有してなり、該緑色フィルタ層は波長６００〜７００ｎｍに吸収極大を有する銅フタロシアニン系色素および波長４００〜５００ｎｍに吸収極大を有するピリドンアゾ系色素を含有し、透過率が波長４５０ｎｍで５％以下であり波長５３５ｎｍで６２％以上であることを特徴とする色フィルタアレイ。 - 特許庁 - The image forming apparatus includes a photoreceptor containing titanyl phthalocyanine, having absorption in a wavelength region of 380-420 nm and in a wavelength region of 600-850 nm as a charge generating material; an exposure means whose exposure light has a wavelength of 380-420 nm; and a static eliminating means whose static eliminating light has a wavelength of 600-850 nm.
３８０〜４２０ｎｍの波長域と６００〜８５０ｎｍの波長域に吸収を有するチタニルフタロシアニンを電荷発生物質として含有する感光体と、露光光の波長が３８０〜４２０ｎｍである露光手段と、除電光の波長が６００〜８５０ｎｍである除電手段とを備えることを特徴とする画像形成装置により上記の課題を解決する。 - 特許庁 - The nickel particles with the dielectric particles are obtained by sticking dielectric particles to the surfaces of nickel particles, and when the average primary particle diameter of the nickel particles is expressed as A (nm) and the average primary particle diameter of the dielectric particles is expressed as B (nm), the nickel particles with the dielectric particles satisfy the relationship of 4≤[A(nm)]/[B(nm)]≤10.
上記課題を達成するため、ニッケル粒子表面に誘電材粒子を付着させた誘電材粒子付ニッケル粒子であって、当該ニッケル粒子の平均一次粒子径をＡ（ｎｍ）とし、当該誘電粒子の平均一次粒子径をＢ（ｎｍ）としたとき、４≦［Ａ（ｎｍ）］／［Ｂ（ｎｍ）］≦１０の関係を備えることを特徴とした誘電材粒子付ニッケル粒子を採用する。 - 特許庁 - The organic electroluminescent element 10 includes a first electrode 14, the organic layer 16 including at least a light emitting layer, and a second electrode 20, stacked in this order, in which the second electrode includes, starting from the organic layer side, an Al layer 18 having a thickness of 0.1 nm to 10 nm and an Ag layer 19 having a thickness of 3 nm to 50 nm.
第１電極１４と、少なくとも発光層を含む有機層１６と、第２電極２０とが、この順で積層されており、前記第２電極が、前記有機層側から、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚さを有するＡｌ層１８と、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さを有するＡｇ層１９とを含むことを特徴とする有機電界発光素子１０。 - 特許庁 - In the color filter for the liquid crystal display device constituted of colored pixels of three primary colors, the transmittance in wavelength 585 nm of the red pixel is 43 to 53%, the transmittance in wavelength 600 nm of the green pixel is 27 to 37% and the transmittance in wavelength 495 nm thereof is 46 to 56%, and the transmittance in wavelength 530 nm of the blue pixel is 52 to 62%.
三原色の着色画素で構成される液晶表示装置用カラーフィルタの、赤色画素の波長５８５ｎｍにおける透過率が４３％〜５３％、緑色画素の波長６００ｎｍにおける透過率が２７％〜３７％、且つ波長４９５ｎｍにおける透過率が４６％〜５６％、青色画素の波長５３０ｎｍにおける透過率が５２％〜６２％であること。 - 特許庁 - In a multicolored printing which carries out a full-color printing using an ink comprising at least cyan, magenta and yellow pigments, the yellow ink is an ink obtained by combining a yellow pigment having a maximum absorbance wavelength of 400 nm or larger but smaller than 420 nm, with a yellow pigment having a maximum absorbance wavelength of form 420 nm to 440 nm.
少なくともシアン顔料，マゼンタ顔料，イエロー顔料からなるインキを用いてフルカラー印刷を行う多色印刷において，イエローインキが分光スペクトルの最大吸収波長が４００ｎｍ以上４２０ｎｍ未満のイエロー顔料に加え，最大吸収波長が４２０ｎｍ以上４４０ｎｍ以下のイエロー顔料を組み合わせたインキであることを特徴とするフルカラー印刷用イエローインキ。 - 特許庁 - The film has a structure in which a conductive layer and a low reflectance layer are laminated in this order at least on one surface of a transparent base material film via a hard coat layer, and the conductive layer is laminated by a transparent conductive oxide layer with a film thickness of 10 nm to 50 nm and a metal layer with a film thickness of 2 nm to 8 nm in this order.
透明基材フィルム上の少なくとも片面に、ハードコート層を介して、導電層、低屈折率層がこの順序に積層され、該導電層が、１０ｎｍから５０ｎｍの膜厚を有する透明導電性酸化物層と２ｎｍから８ｎｍの膜厚を有する金属層がこの順序で積層した構造をもつことを特徴とした反射防止フィルム。 - 特許庁
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