「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 37 38 39 40 41 42 43 44 45 .... 287 288 次へ＞- A woven ticking is produced by using a filament yarn A having a single fiber diameter of 10-1,500 nm.
単繊維径が１０〜１,５００ｎｍのフィラメント糸Ａを用いて織物寝装側地を構成する。 - 特許庁 - TOP ANTIREFLECTIVE COATING COMPOSITION WITH LOW REFRACTIVE INDEX AT 193 NM RADIATION WAVELENGTH
１９３ｎｍの放射波長において低屈折率を有する上面反射防止コーティング組成物 - 特許庁 - The composition may contain a carbon black having a mean particle size of 10 to 90 nm.
また、前記樹脂組成物は、平均粒径が１０〜９０ｎｍのカーボンブラックを含んでいてもよい。 - 特許庁 - Micro particles 240 with particle sizes of 5-100 nm are dispersed in resin layer 220.
また、粒径が５から１００ｎｍの間であるナノ粒子２４０を樹脂層２２０内に分散させる。 - 特許庁 - The holes 13 are arranged in a square lattice shape, and a gap between the adjacent holes 13 is 500 nm.
孔１３は正方格子状に配列されており、その孔１３の間隔は５００ｎｍである。 - 特許庁 - It is also preferable that the particles have an equivalent volume average particle diameter D_50 of 1-70 nm.
前記粒子の体積換算平均粒径Ｄ_50が１〜７０ｎｍであることも好適である。 - 特許庁 - Relative deviation of phase difference between a pair of retardation films 8, 9 is restrained within ±30 nm.
一対の位相差板８，９は、位相差の相対的なズレが±３０ｎｍ以内に抑制されている。 - 特許庁 - A measuring instrument 300 irradiates a measurement laser light with the wavelength of 780 nm to the observation site.
計測装置３００は波長７８０ｎｍの計測用レーザ光を観察部位に照射する。 - 特許庁 - Then a silicon oxide film 212 of 40 nm in thickness is deposited on the silicon nitride film 211.
その後に、シリコン窒化膜２１１の上に、厚さ４０ｎｍのシリコン酸化膜２１２を堆積する。 - 特許庁 - The particles having an average interlayer spacing d002 of 0.3354-0.3400 nm are preferable, and natural graphite particles are more preferable.
さらに、平均層間距離d_002が0.3354nm〜0.3400nmのものが良く、天然黒鉛からなるものがさらに良い。 - 特許庁 - The porous tin phosphate has mesofine pores having a hexagonal fine pore configuration, and pore diameters of 2 to 6 nm.
細孔配置がヘキサゴナル状で細孔径が２〜６ｎｍのメソ細孔を有する多孔性リン酸スズ。 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR DETECTING 193 NM SPECTRAL LINE OF CARBON BY EMISSION SPECTROSCOPY
炭素の１９３ｎｍスペクトル線の検出に発光分光法を適用するための方法および装置 - 特許庁 - An organic EL element containing the complex as the luminescent layer emits light of 450-650 nm wavelength.
該錯体を発光層とする有機ＥＬ素子は、４００〜６５０ｎｍの波長領域で発光する。 - 特許庁 - The aluminum film 2e is formed on the transparent conductive film 2d so as to have a thickness of 0.5-1.0 nm.
アルミニウム膜２ｅは、透明導電膜２ｄ上に、０．５ｎｍ〜１．０ｎｍで形成されている。 - 特許庁 - The compound includes a structure which is represented by formula (1) and has a light absorption wavelength edge of 600 nm or more.
式（１）で表される構造を含み、光吸収端波長が600nm以上である化合物。 - 特許庁 - Preferably, the film thickness of the silicon oxide 11 is a value within the range from 0.3 to 0.9 nm.
好ましくは、酸化珪素１１の膜厚は、０．３ｎｍから０．９ｎｍの範囲内の値にある。 - 特許庁 - To obtain sufficient hardness even when a protective layer is formed with ≤3.0 nm thin film.
保護層を３．０ｎｍ以下の薄膜で形成した場合においても、十分な硬度を得ること。 - 特許庁 - (B) A thickness of the carbon portion of the nano structural hollow carbon material is in a range of 1-100 nm.
（Ｂ）ナノ構造中空炭素材料の炭素部の厚みが、１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲である。 - 特許庁 - The grain size of the particles is 1-3 nm and the particles contain 2-50 atom% of P.
前記粒子の粒径は１ｎｍ〜３ｎｍであり、Ｐを２原子％〜５０原子％含有する。 - 特許庁 - The interlayer distance d_002 of a plurality of crystallites 12 is set at d_002≥0.347 nm.
それら複数の結晶子１２の層間距離ｄ_002 はｄ_002 ≧０．３４７ｎｍに設定されている。 - 特許庁 - The carbide semiconductor regions 3-5 have surface roughness Ra of 0.05-1 nm.
炭化珪素半導体領域３〜５の表面粗さＲａは、０．０５ｎｍ以上１ｎｍ以下である。 - 特許庁 - A p-type GaAs layer 2 in a thickness of 300 nm is formed on an n-type GaAs substrate 1.
ｎ型ＧａＡｓ基板１上へ厚さ３００ｎｍのｐ型ＧａＡｓ層２を形成する。 - 特許庁 - The active layer 19 generates light having a peak wavelength in a wavelength range ≥510 nm.
活性層１９は、５１０ｎｍ以上の波長範囲にピーク波長を有する光を生成する。 - 特許庁 - Light-emitting diodes emitting light having wavelengths of ≤380 nm are used as the light sources 3.
光源３としては、波長が３８０ｎｍ以下の光を発する発光ダイオードを用いている。 - 特許庁 - Since the particle diameter R is represented by the formula: 0<R<50 nm, ozone foam scarcely receive buoyancy of ozone water.
粒径Ｒが、０<Ｒ<５０ｎｍであるからオゾン気泡はオゾン水の浮力をほとんど受けない。 - 特許庁 - The exposure wavelength of the heat-mode laser used for recording is preferably 760-1,200 nm.
記録に用いるヒートモードレーザーの露光波長は７６０〜１２００ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - A pig meat is irradiated with near-infrared ray for multi-variate analysis of a spectrum at wavelength 700-1100 nm.
豚肉に近赤外光を照射し、 700〜1100nmの波長におけるスペクトルを多変量解析する。 - 特許庁 - The acrylic rubber composition contains the acrylic rubber and calcium carbonate with a mean particle diameter of below 50 nm.
アクリルゴムと、平均粒子径が５０ｎｍ未満の炭酸カルシウムを含有するアクリルゴム組成物。 - 特許庁 - Thus, the light-emission wavelength of MQW56 becomes 1,450 nm and is shifted to the shorter wavelength.
これにより、ＭＱＷ５６は、その発光波長が１４５０ｎｍになって短波長シフト化される。 - 特許庁 - Carbon nanotubes having 1 nm to 10 μm outer diameter and approximately 20 μm length can be obtained with high density.
外径が１ｎｍ〜１０μｍ、長さが２０μｍ前後のカーボンナノチューブが高密度に得られる。 - 特許庁 - METHOD OF MAKING <200 NM WAVELENGTH FLUORIDE CRYSTAL LITHOGRAPHY/LASER OPTICAL ELEMENT
２００ｎｍより短波長で使用されるフッ化物結晶リソグラフィ／レーザ光学素子の作成方法 - 特許庁 - Ultraviolet rays with a wavelength of below 400 nm are emitted from a superhigh pressure mercury lamp 101.
超高圧水銀ランプ１０１から波長４００ｎｍ以下の紫外光を出射する。 - 特許庁 - The particle diameter of the conductive tin oxide sol by observation with transmission electron microscope is 2 to 25 nm.
前記導電性酸化スズゾルの透過電子顕微鏡観察による粒子径が２〜２５ｎｍである。 - 特許庁 - The transmission of the multilayered plate for UV radiation does not exceed 10% at a wavelength below 380 nm.
ＵＶ放射に対する多層プレートの透過は、３８０ｎｍ以下の波長で１０％を超えない。 - 特許庁 - The specified wavelength band is, preferably, included in 350 to 450 nm wavelength region.
前記特定の波長帯は、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長領域に含まれるのが好ましい。 - 特許庁 - In the film, the ultraviolet light of 300-400 nm is substantially shielded completely.
３００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線が、実質的に完全に遮蔽されてなることを特徴とする。 - 特許庁 - The fiber has favorably one maximum value of the wave-length dispersion within the wave-length range of 1400-1650 nm.
有利には、１４００〜１６５０ｎｍの波長範囲で波長分散の最大値が１つである。 - 特許庁 - The conductive film is set at 400 to 1000 nm in thickness and 10 to 30 Ω/(square) in sheet resistance.
また、導電膜の膜厚を４００〜１０００ｎｍ、シート抵抗値を１０〜３０Ω／□とする。 - 特許庁 - An Nm counter 803 counts the number of sample points included in the detection width (d) on a minus side.
Ｎｍカウンタ８０３は、マイナス側の検出幅ｄに含まれるサンプル点の個数をカウントする。 - 特許庁 - In the particle diameter distribution of the pigment, particle diameters of two peak parts are each ≤300 nm.
顔料の粒子径分布において、２つのピーク部の粒子径値がともに３００ｎｍ以下である。 - 特許庁 - (Carbon black B) average primary particle size: 80 to 150 nm, 100 to 500 mass parts.
（カーボンブラックＢ）平均一次粒径：８０ｎｍ乃至１５０ｎｍ、１００質量部乃至５００質量部。 - 特許庁 - Also, the center line mean roughness (Ra) of the surface of this ceramic film is set at not more than 30 nm.
また、このセラミックス膜の表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を３０ｎｍ以下とした。 - 特許庁 - A gate oxide film of a thickness of about 10 nm is formed in the second element active region.
そして、第２の素子活性領域内に、１０ｎｍ程度の厚さのゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁 - The magnetic powder contained in the uppermost layer especially preferably has ≤20 nm particle size.
最上層磁性層に含まれる磁性粉末の粒子サイズは２０ｎｍ以下が特に好ましい。 - 特許庁 - It is further preferable that the volume average particle diameter of the fine particles is within the range of 5-100 nm.
前記微粒子の体積平均粒径は、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲が好ましい。 - 特許庁 - The figure accuracy in the optical passage surface 2 of the optical element 1 is set to 0.1-150 nm by PV value.
光学素子１の光通過面２における面精度をＰＶ値で０．１〜１５０ｎｍとする。 - 特許庁 - A polishing speed of the insulation film and a conductive film by the processing liquid is 10 nm/min or below.
絶縁膜および導電膜の研磨速度が１０ｎｍ／ｍｉｎ以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - RMS of surface roughness is 1.3 nm or less, and the substrate with a good step condition can be obtained.
表面の高低差のＲＭＳは１．３ｎｍ以下、ステップ状態の良好な基板面が得られた。 - 特許庁 - The insulating film 130 is formed to a thickness of 250 nm or more on the metallic film 102.
絶縁膜１３０は金属膜１０２上において２５０ｎｍ以上の厚さで形成する。 - 特許庁 - The size of the inorganic powder is preferably in the range of about 0.1 nm to about 0.3 mm.
前記無機紛体のサイズが、略１ｎｍ乃至略０．３ｍｍの範囲にあることあ好ましい。 - 特許庁
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