「nm」を含む例文一覧(14378)

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  • Further, the clay mineral preferably has a polar group and an alkyl chain, and an interlayer distance of the clay mineral before dispersed in the surface layer is preferably 0.9 nm or more and 1.4 nm or less.
    また、粘土鉱物が極性基およびアルキル鎖を有することが好ましく、表面層に分散前の粘土鉱物の層間距離が０．９ｎｍ以上１．４ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁
  • The sacrifice layer 120 is constituted out of metals or alloys containing the metals whose corrosion potentials are lower than the one of the material constituting the anti-ferromagnetic layer 130, and the thickness of the sacrifice layer 120 falls within the scope of 0.1 nm to 1.0 nm.
    犠牲層１２０は、反強磁性層１３０を構成する材料よりも、腐食電位の低い金属又はそれらを含む合金で構成され、厚さが０．１ｎｍ〜１.０ｎｍの範囲にある。 - 特許庁
  • In the fine ruggedness, preferably, the average spacing (S) between local summits in a roughness curve is 10 to 1,000 nm, and the average roughness (Ra) is 1 to 100 nm.
    さらに、前記微細凹凸は、粗さ曲線の局部山頂の平均間隔（Ｓ）が１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、平均粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることことが好ましい。 - 特許庁
  • The optical film contains ≥10 mass% of saturated norbornene- based resin produced by polymerization in the presence of a catalyst containing at least one kind of metallocene and has a retardation of 20 nm to 300 nm.
    少なくとも１種のメタロセンを含む触媒の存在下で重合させてなる飽和ノルボルネン系樹脂を１０質量％以上含み、レターデーションが２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の光学フィルムである。 - 特許庁
  • The micelle-forming component forms a micelle in an aqueous solution having a pH of higher than 8 wherein the micelle has an average diameter of greater than 20 nm to smaller than 150 nm as measured by photon correlation spectrometry.
    ミセル形成成分は、ｐＨ値が８より高い水性溶液中でミセルを形成し、フォトン相関分光法によって測定されるミセルの平均直径は２０ｎｍより大きく１５０ｎｍより小さい。 - 特許庁
  • The pellicle film preferably comprises a fluororesin and the pellicle is used for light for exposure such as KrF excimer laser beam having 248 nm wavelength or ArF excimer laser beam having 193 nm wavelength.
    なかでもフッ素樹脂からなるペリクル膜が好ましく、波長２４８ｎｍのフッ化クリプトンエキシマレーザー光や、波長１９３ｎｍのフッ化アルゴンエキシマレーザー光の露光光に対して使用することができる。 - 特許庁
  • Ultraviolet illuminance of wavelength 220-400 nm in the recording head is less than 1% of ultraviolet illuminance of wavelength 220-400 nm on the recording medium.
    そして、記録ヘッドにおける２２０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長の紫外線照度が、記録媒体に照射される２２０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長の紫外線照度の１％未満である。 - 特許庁
  • To provide a silica glass optical material having high initial transmissivity to vacuum UV ray of 155 to 195 nm wavelength, high precision, high durability and excellent homogeneity and to provide its manufacturing method and a projection lens.
    波長155〜195 nmの真空紫外線に対して初期透過率が高く、高精度、高耐久性、均質性にも優れたシリカガラス光学材料およびその製造方法ならびに投影レンズを提供する。 - 特許庁
  • The antireflection film AR2 for interface antireflection has such a characteristic as to reduce reflection of light in the wavelength region of at least 500 nm to 550 nm, as the light of specific wavelength region.
    界面反射防止用の反射防止膜ＡＲ２は、特定波長域の光として、少なくとも５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長域の光の反射を低減する特性を有している。 - 特許庁
  • The first to fourth layers from the n-type InP substrate side of the barrier layers 5B are respectively constructed with 1.2Q layers with 5 nm thickness and the fifth to seventh layers are respectively constructed with InGaAlAs with 5 nm thickness corresponding to 1.15 μm bands.
    障壁層５Ｂはｎ型ＩｎＰ基板側から１〜４層は厚さ５ｎｍの１．２Ｑで構成され、５〜７層は厚さ５ｎｍの１．１５μｍ帯相当のＩｎＧａＡｌＡｓで構成される。 - 特許庁
  • The heat-insulation paint using the hollow nanoparticle made of the silica shell is obtained by uniformly dispersing the hollow particle made of the silica shell having an outside diameter ranging from about 10 nm to about 300 nm in a paint.
    約１０ｎｍから約３００ｎｍまでの範囲の外径を有するシリカ殻からなる中空粒子を塗料に均一分散してなるシリカ殻からなるナノ中空粒子を用いた断熱塗料。 - 特許庁
  • To provide a positive resist composition which exhibits sufficient transmittance to a light source of ≤160 nm wavelength, more specifically an F_2 excimer laser (157 nm), and has high sensitivity, high resolution and excellent dry etching resistance.
    １６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の光源使用時に十分な透過性を示し、且つ高感度、高解像でドライエッチング耐性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
  • In addition, on the outer circumferential face of the clad 22 of this optical fiber 2, there is provided a copper coating layer 23 with a thickness of 2 nm, on which a gold coating layer 24 with a thickness of 200 nm is provided.
    また、この光ファイバ２のクラッド２２の外周面上には厚さが２ｎｍの銅コーティング層２３が設けられ、この上には厚さが２００ｎｍの金コーティング層２４が設けられている。 - 特許庁
  • The magnetic nanoparticles contain platinum and/or gold in addition to iron oxide, have a mean particle size of not less than 5 nm and not more than 20 nm and a coercivity of not less than 0.1 KA/m and not greater than 16 KA/m.
    白金及び／又は金ならびに酸化鉄を含み、平均粒径が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、かつ保磁力が１６ＫＡ／ｍ以下０．１ＫＡ／ｍ以上である磁性微粒子。 - 特許庁
  • With this configuration, the first, second and third drive transistors TD1, TD2 and TD3 connected to the nodes N1, N2, ..., Nm-1 and Nm share a common source/drain.
    これによって、各ノードＮ１、Ｎ２、・・・、Ｎｍ-１、又Ｎｍに接続された第１、第２及び第３駆動トランジスタＴＤ１、ＴＤ２、ＴＤ３は、一つの共通したソース/ドレインを共有することができる。 - 特許庁
  • The optical recording medium contains ultrafine metallic particles, whose surface is modified by an adsorptive compound and which is selected from an eighth family and a 1B family having the average grain size of 1 nm-50 nm, in the recording layer of the same.
    表面を吸着性化合物で修飾した、平均粒径１ｎｍから５０ｎｍの第８族および第１Ｂ族から選ばれる金属超微粒子を記録層に含有する光記録媒体。 - 特許庁
  • The thickness Lc (004) of the crystallite of this carbon material is 10-80 nm in the direction of c-axis, and the thickness La (110) of the crystallite may be 10-190 nm in the direction of a-axis.
    前記炭素材料のｃ軸方向の結晶子の厚みＬｃ（００４）は１０〜８０ｎｍ程度であり、ａ軸方向の結晶子の厚みＬａ（１１０）は１０〜１９０ｎｍ程度であってもよい。 - 特許庁
  • Next, a surface roughening process is done on the part of the first conductive pattern 2 exposed inside the pore 3a of the second insulating layer 3 so that its average surface roughness Ra may become 20 nm or more and 200 nm or less.
    次に、第２の絶縁層３の孔部３ａ内で露出する第１の導体パターン２の部分の平均表面粗さＲａが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下となるように、粗面化処理を行う。 - 特許庁
  • The work function of the surface of the obtained ITO film 2 is set to 4.9 eV to 5.5 eV, the height difference of its surfaces is set to be 1 nm to 10 nm, and the specific resistance is made into 1.6×10-6 Ω.m or less.
    このようにして得られたＩＴＯ膜２の表面の仕事関数は４．９ｅＶ〜５．５ｅＶ、表面高低差は１ｎｍ〜１０ｎｍ、及び比抵抗は１．６×１０^-6Ω・ｍ以下とされる。 - 特許庁
  • A minute hole forming board 2 is anodized, and a porous board 10a, in which a plurality of cylindrical minute holes 6 with inner diameter of several nm to hundred of nm are arranged regularly.
    細孔形成用基板２を陽極酸化して、それぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔６が規則的に配列された多孔質基板１０ａを形成する。 - 特許庁
  • Thus, an extinction coefficient peak is provided in the range of 635 nm to 660 nm, and a coloring material satisfying (minimum value of extinction coefficient)/(maximum value of extinction coefficient) ≥ 0.6 is added in the range of 1 to 10 wt.%.
    このために、６３５nmから６６０nmの範囲で消衰係数のピークを有し、（消衰係数の最小値）／（消衰係数の最大値）≧０．６を満たす色素を１〜１０重量％の範囲で添加する。 - 特許庁
  • A paste composition contains: (A) magnetic particles whose secondary particles have a number average particle size of not less than 300 nm nor more than 1000 nm; and (B) resin having a weight average molecular weight of 200,000 or more.
    （Ａ）二次粒子の数平均粒径が３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である磁性粒子、（Ｂ）重量平均分子量２０万以上の樹脂を含有することを特徴とするペースト組成物。 - 特許庁
  • To provide a nitride phosphor that has an emission peak wavelength in a range of 600 nm or more, more specifically in a range of 620-650 nm and a high luminous intensity, to provide a process for producing the nitride phosphor and to provide a white light-emitting element.
    ６００ｎｍ以上、特に６２０〜６５０ｎｍに発光ピーク波長を有し、発光強度の高い窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法及び白色発光素子を提供する。 - 特許庁
  • The conductive powder is characterized in that the average particle diameter is 20-80 nm, the thickness of a coating film is 0.2-2 nm, and it contains iridium oxide in an amount of 4-30 mass% based on the total amount.
    導電粉は、平均粒径が２０〜８０ｎｍであり、かつ被覆膜の厚さが０．２〜２ｎｍであるとともに、酸化イリジウムを全量の４〜３０質量％含有することを特徴とする。 - 特許庁
  • The substrate for a magneto-optical recording medium consists of grooves each having width L0 and lands each having width L7, with the relation of the width L0 and width L1 represented by L0<L1 and L0 ranging from 10 nm to 80 nm.
    光磁気記録媒体用基板は、幅Ｌ_0のグルーブ溝と幅Ｌ_1のランドとからなり、前記幅Ｌ_0と前記幅Ｌ_1との関係がＬ_0<Ｌ_1であり、かつ前記幅Ｌ_0が１０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲にある。 - 特許庁
  • The polyester film for reflector has at least one surface whose average roughness (Ra) at the center line is within the range of 5.0-20 nm and the maximum height (Rt) is within the range of 30-500 nm.
    少なくとも片側の表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が５．０〜２０ｎｍの範囲であり、最大高さ（Ｒｔ）が３０〜５００ｎｍの範囲であることを特徴とする反射板用ポリエステルフィルム。 - 特許庁
  • The coating solution for forming the transparent conductive coating contains conductive fine particles having an average particle size of 1-200 nm, silica particles having an average particle size of 4-200 nm, and a polar solvent.
    平均粒子径が１〜２００ｎｍである導電性微粒子と、平均粒子径が４〜２００ｎｍであるシリカ粒子と極性溶媒とを含むことを特徴とする透明導電性被膜形成用塗布液。 - 特許庁
  • The thickness of the first kind of film layer is larger than the thickness of the second kind of film layer, and the thickness of the first kind of film layer is 10 nm or less and 1 nm or more.
    また、第１種類の薄膜層の厚みが第２種類の薄膜層の厚みよりも大きく、かつ、第１種類の薄膜層の厚みが１０ｎｍ以下であり、かつ、１ｎｍよりも大きくする。 - 特許庁
  • It is especially desirable that the amount of the carried platinum superfine particles is adjusted to ≥0.01 mass % and ≤3.0 mass % and that the average particle diameter of the titanium oxide powder is adjusted to ≥5 nm and ≤60 nm.
    特に、Pt超微粒子の担持量が、酸化チタンの重量に対して0.01質量％以上、3.0質量％以下としたり、酸化チタン粉末の平均粒径を5nm以上、60nm以下とすることが望ましい。 - 特許庁
  • To provide a conductive thin film with a high resistance of 10 K to hundreds of KΩ/square in sheet resistance and with little resistance unevenness, concerning one of ≥3 nm and ≤50 nm formed on a substrate.
    基板上に形成された３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の導電性薄膜について、シート抵抗で１０Ｋ〜数百ＫΩ／□の高抵抗でかつ抵抗バラツキの少ない導電性薄膜を提供する。 - 特許庁
  • It is preferable that each of the multiple insulating regions with different surface energy densities has a difference in surface energy density of 10 dyne/cm or more, and a difference in height of 0.5 nm or more and 100 nm or less.
    前記絶縁性の表面エネルギー密度の異なるそれぞれの領域の表面エネルギー密度差が１０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上で、段差が０．５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁
  • The film thickness of the oxidized layer 4 is controlled to about 10 to 5,000 nm in the recessed parts of the ruggedness and is made thicker than that in the recessed parts in the projecting parts so as to be controlled to about 10,000 nm.
    前記酸化層４の膜厚は、前記凹凸の凹部において約１０〜５０００ｎｍとし、凸部においては凹部の膜厚より厚く、約１００００ｎｍ以下になるように形成した。 - 特許庁
  • The metallic phase light-receiving unit 31M of the light-receiving unit 31 receives a metallic phase light of about 200-400 nm, and the gas phase light-receiving unit 31G receives the metallic phase light of 500 nm or thereabouts.
    受光部３１のメタリック相光受光部３１Ｍでは２００〜４００ｎｍ程度のメタリック相光を受光し、ガス相光受光部３１Ｇでは５００ｎｍ付近のメタリック相光を受光する。 - 特許庁
  • The luminous intensity of the diffracted light beams is enhanced and the display of the characters and the figures becomes possible by setting the pit interval to a value between 570 nm and 1,000 nm based on such a curve.
    かかる曲線に基づいて、ピット間隔を５７０ｎｍから１０００ｎｍの間の値にすることにより回折光の光度を高くすることができ、文字や図形の明確な表示が可能となる。 - 特許庁
  • The polyvinyl alcohol-based film has a width of not less than 3 m, wherein the in-plane retardation is not more than 30 nm and run-outs of the in-plane retardation in the film width direction are not more than 15 nm.
    幅が３ｍ以上であり、フィルム面内のリタデーション値が３０ｎｍ以下、かつ、フィルム幅方向における、フィルム面内のリタデーション値のふれが１５ｎｍ以下であるポリビニルアルコール系フィルム。 - 特許庁
  • A supporting substrate aggregate 400 is manufactured in which supporting substrate elements Q11-Q nm are arranged in a grid, and previously manufactured magnetic rotors 1 are each bonded on each of the elements Q11-Q nm.
    支持基板要素Ｑ１１〜Ｑｎｍを格子状に配列した支持基板集合体４００を製造し、支持基板要素Ｑ１１〜Ｑｎｍのそれぞれに、予め、製造した磁気回転子１を接着する。 - 特許庁
  • An amorphous Si thin film in film thickness of 35 nm is formed with reference to a substrate 2, it is patterned to be in a prescribed shape, and then an amorphous Si thin film in a film thickness of 50 nm is formed additionally.
    基板２に対して３５ｎｍの膜厚で非晶質Ｓｉ薄膜を形成し、これを所定形状にパターニングしてから５０ｎｍの膜厚で非晶質Ｓｉ薄膜を更に形成する。 - 特許庁
  • (a) The moisture amount contained in a transparent film is 100 ppm or less, (b) transmittance at 400 nm to 700 nm is 80% or more at 100 μm of film thickness, (c) linear expansion coefficient is 10 ppm or less.
    （ａ）透明フィルムに含まれる水分量が１００ｐｐｍ以下（ｂ）４００ｎｍ〜７００ｎｍでの透過率が膜厚１００μｍで８０％以上（ｃ）線膨張係数が１０ｐｐｍ以下 - 特許庁
  • The inorganic powder which is used has a primary particle diameter or an average particle diameter of about 0.1-50 μm, preferably about 0.5-20 μm (provided that when the inorganic powder is silicon oxide, the average particle diameter is about 1-50 nm, preferably 5-40 nm).
    無機粉末としては、一次粒径または平均粒径が約0.1〜50μm、好ましくは0.5〜20μm程度(ただし、酸化けい素にあっては平均粒径が約1〜50nm、好ましくは約5〜40nm程度)のものが用いられる。 - 特許庁
  • The near-infrared ray absorbing material contains a light emission agent [compound (I)] and a compound (II) having ≥700 nm spectra extinction maximum wave length in the range of 400-1600 nm measured in a solution.
    発光剤（化合物（Ｉ））と、溶液における４００〜１６００ｎｍの範囲での分光吸収極大波長が７００ｎｍ以上の化合物（ＩＩ）とを含有する近赤外線吸収材料。 - 特許庁
  • To provide a positive resist composition showing sufficient transmitting property when light source at ≤160 nm, specifically, F2 excimer laser light (at 157 nm) is used, and having high sensitivity, high resolution and high coating property.
    １６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の光源使用時に十分な透過性を示し、且つ高感度、高解像で塗布性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
  • The refractive index of the silica layer is specified to 1.55 to 2.50 (at λ=550 nm), the composition of the layer is specified to SiOxCy (wherein x=0.5 to 1.7 and y=0.2 to 2.0) and the extinction coefficient is specified to ≤0.018 (at λ=550 nm).
    シリカ層の屈折率を１．５５以上２．５０以下（λ＝５５０ｎｍ）とし、層の組成をＳｉＯ_xＣ_y（ｘ＝０．５〜１．７、ｙ＝０．２〜２．０）とし、消衰係数が０．０１８（λ＝５５０ｎｍ）以下とする。 - 特許庁
  • The electron injection layer 14e is configured by using a material having an azaaryl structure, and preferably has a thickness of not more than 10 nm, and more preferably not more than 7 nm.
    この電子注入層１４ｅは、アザアリール構造を有する材料を用いて構成されており、膜厚が１０ｎｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくは膜厚が７ｎｍ以下であることとする。 - 特許庁
  • To provide a positive resist composition having satisfactory transmittance when an exposure light source of ≤160 nm, concretely F_2 excimer laser light (157 nm) is used and ensuring improved line edge roughness and development defects.
    １６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥が改善されたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
  • This heat shrinkable polyester-based film is characterized by having 0-10% light transmittance at 280 nm wave length, also 10-60% light transmittance at 400 nm wavelength and also ≤15% film haze.
    波長３８０nmの光線透過率が０〜１０％、かつ波長４００nmの光線透過率が１０〜６０％であり、かつフィルムヘーズが１５％以下であることを特徴とする熱収縮性ポリエステルフィルム。 - 特許庁
  • Since the ultraviolet ray of 254 nm contributes to decomposing the peroxide, maintenance of the illuminance with the lapse of time of the ultraviolet ray of 254 nm restrains a formation quantity of the peroxide in a treating object liquid over a long period.
    ２５４ｎｍの紫外線は過酸化物を分解に寄与するので、２５４ｎｍの紫外線の経時的照度維持は、被処理液体中の過酸化物の生成量を長期にわたって抑制する。 - 特許庁
  • This colorant comprises a coloring matter having a hydrophilized surface and a main peak of light absorption spectra at ≤480 nm in a wavelength range of 380-700 nm in a dispersed state in a liquid.
    表面が親水化処理され、かつ液体に分散した状態で３８０〜７００ｎｍ波長域において４８０ｎｍ以下に吸収光スペクトルの主ピークを有する色素からなる色剤。 - 特許庁
  • The organic inorganic composite clear layer 3 includes an ultraviolet absorber, in which the transmittance of light with a wavelength of 350 nm is 10% or less, and the transmittance of light with a wavelength of 550 nm is 70% or more.
    前記有機無機複合クリア層３が紫外線吸収剤を含有すると共に、波長３５０ｎｍの光の透過率が１０％以下、波長５５０ｎｍの光の透過率が７０％以上である。 - 特許庁
  • The first and second photodetectors generate first and second photodetector signals indicative of the first and second weighted averages of the intensity of light in a wavelength band between 400 nm and 700 nm.
    第１及び第２の光検出器は、４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長帯域における光の強度の第１及び第２の加重平均を示す第１及び第２の光検出器信号を生成する。 - 特許庁
  • Ultraviolet rays having a wavelength of 172 nm to 310 nm are irradiated on this liquid film 41 by an ultraviolet rays lamp to decompose O_3 to generate various kinds of active oxygen, thereby dissolving and removing the resist.
    この液膜４１に紫外線ランプにより波長１７２ｎｍ〜３１０ｎｍの紫外線を照射し、Ｏ_3を分解することで各種の活性酸素を発生させ、これによりレジストを溶解除去する。 - 特許庁
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