「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 43 44 45 46 47 48 49 50 51 .... 287 288 次へ＞- The copper-containing silica glass contains 5-200 wtppm copper, emits fluorescence having the peak within 520-580 nm wavelength by irradiation with the ultraviolet light having 160-400 nm wavelength and exhibits ≥95% internal transmittance when the light having 530 nm wavelength is transmitted through the copper-containing silica glass having 2.5 mm thickness.
５ｗｔｐｐｍ以上２００ｗｔｐｐｍ以下の銅を含有し、波長１６０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫外光の照射により５２０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の領域にピークを持つ蛍光を発し、かつ、波長５３０ｎｍにおける厚さ２．５ｍｍあたりの内部透過率が９５％以上であるようにした。 - 特許庁 - The silica particle comprises cristobalite having 50-300 nm primary particle diameter.
１次粒径が５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲であり、クリストバライトからなることを特徴とするシリカ粒子。 - 特許庁 - The attached marine organism is preferably barnacles, mussels, hydrozoans or jellyfish polyps, the construction in seawater is the seawater inlet/outlet facility of the electric power plant, a coastal fish culture facility or a fishery facility, and the ultraviolet ray is UVA having a wavelength of 315-380 nm, especially 365 nm or 375 nm.
好ましくは、海棲付着生物は、フジツボ類、イガイ類、ヒドロ虫類、又はクラゲポリプであり、海水中の構造物は、発電所の海水取放水設備、沿岸水産養殖設備、又は漁業設備であり、紫外線は、３１５〜３８０ｎｍ、特に３６５ｎｍ又は３７５ｎｍの波長を有するＵＶＡである。 - 特許庁 - First, a resist 2 is applied on a base plate 1 made of Si or SiO_2 in such a manner that the thickness may become 350 nm or higher.
まず、Si又はSiＯ_２からなる基板１の上にレジスト２を350nm以上の厚さとなるように塗布する。 - 特許庁 - An optical control reflective film arranged above at least one of substrates opposed to each other across sealed liquid crystal has two low reflection bands at wavelengths of 405 nm and 660 nm and has a high reflection band of 4.75% in reflection factor at a wavelength of 510 nm between the low reflection bands.
封止された液晶を挟んで対向する基板の少なくとも一方の基板上方に配設される光制御反射膜が、波長４０５ｎｍと波長６６０ｎｍの２つに低反射低域を有しこの低反射帯域と低反射帯域との間に、波長５１０ｎｍで反射率４．７５％の高反射帯域を有する。 - 特許庁 - A 3C-SiC single crystal layer 3 having a thickness of 1 nm to 10 μm is formed on the Si single crystal substrate 2, and a C-BP single crystal layer 4 having a thickness of 1 nm to 10 μm and a compound semiconductor single crystal layer 5 having a thickness of 1 nm to 500 μm are formed in order on the 3C-SiC single crystal layer.
Ｓｉ単結晶基板２上に厚さ１ｎｍ〜１０μｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３が形成され、この３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層上に厚さ１ｎｍ〜１０μｍのＣ−ＢＰ単結晶層４及び厚さ１ｎｍ〜５００μｍの化合物半導体単結晶層５がこの順で形成されている。 - 特許庁 - The optical fiber of the distribution constant type Raman amplification transmission line has cable cutoff wavelength of ≤1,430 nm, a mode field diameter (MFD) of 7-9 μm at 1,450 nm wavelength, transmission loss of ≤0.285 dB/km, and a wavelength dispersion value of 0.1-4 ps/nm.
その分布定数型ラマン増幅光伝送路における光ファイバは、光ファイバは、ケーブルカットオフ波長が１４３０ｎｍ以下であり、波長１４５０ｎｍにおいてモードフィールド径（ＭＦＤ）が７μｍ以上９μｍ以下であり、かつ、伝送損失が０．２８５ｄＢ／ｋｍ 以下であり、波長分散値が０．１〜４ｐｓ／ｎｍ である。 - 特許庁 - The coating material for forming a transparent electroconductive film is obtained by mixing at least antimony-containing tin oxide having formed secondary particles having an average secondary particle diameter of 20 nm to 100 nm, a pigment having formed secondary particles having an average secondary particle diameter of not greater than 200 nm, and a silicon alkoxide or a partial hydrolyzate of the silicon alkoxide.
平均２次粒子径２０ｎｍ〜１００ｎｍの２次粒子を形成したアンチモンを含有した酸化錫と、平均２次粒子径２００ｎｍ以下の２次粒子を形成した顔料と、シリコンアルコキシドもしくはシリコンアルコキシドの部分加水分解物とを少なくとも混合してなる透明導電膜形成用塗料。 - 特許庁 - Then, actual electrolytic water is introduced to the flow cell 10, the interference filter 3 is arranged on the optical path, a light intensity at 292 nm is measured, the transmitted-light intensity at 292 nm of a mixed electrolytic water sample is measured, the band-pass filter 4 is arranged on the optical path, and the transmitted-light intensity at 400 nm is measured.
次に、実際の電解水をフローセル１０に導入し、干渉フィルタ３を光路上に配置して２９２ｎｍにおける光強度を測定し、混合電解水試料の２９２ｎｍでの透過光強度を測定し、続いてバンドパスフィルタ４を光路上に配置し４００ｎｍにおける透過光強度を測定する。 - 特許庁 - The light shielding film is deposited to 60 to 77 nm total film thickness.
この様な遮光膜を、全体としての膜厚が、６０ナノメートル〜７７ナノメートルの範囲となるよう成膜する。 - 特許庁 - The membrane 32 comprises the bridge member 34 which has an SiO_2 film 36 of 20 nm in film thickness as a lower layer and is laminated with an SiN film 38 of, for example, 100 nm in film thickness thereon and a membrane side electrode 14 commonly used as a light reflection surface consisting of an Al film of 100 nm in film thickness formed on the bridge member 34.
メンブレン３２は、下層に膜厚が２０ｎｍのＳｉＯ_2 膜３６を有し、その上に膜厚が例えば１００ｎｍのＳｉＮ膜３８を積層させたブリッジ部材３４と、ブリッジ部材３４上に形成された、膜厚１００ｎｍのＡｌ膜からなる光反射面兼メンブレン側電極１４とから構成されている。 - 特許庁 - The single mode optical fiber is characterized in that cable cutoff wavelength is ≤1,260 nm, that an effective core cross section at 1,550 nm wavelength is ≥100 μm^2, that bent loss when bent ten times with a bending radius of 20 mmϕ is ≤30 dB, and that zero-scattering wavelength is in the range of 1,300-1,324 nm.
波長１２６０ｎｍ以下のケーブルカットオフ波長、波長１５５０ｎｍにおける実効コア断面積が１００μｍ^２以上、曲げ径２０ｍｍφで１０回曲げた時の曲げ損失が３０ｄＢ以下、零分散波長が１３００ｎｍ〜１３２４ｎｍの範囲であることを特徴とするシングルモード光ファイバ。 - 特許庁 - In a touch panel sensor 30 with a protection cover 12, transparent conductors 40, 45 have thicknesses of 25 nm or less, and light refractive indices within a range of 1.97+0.14/-0.20 to light having a wavelength of 550 nm and within a range of 2.12+0.14/-0.20 to light having a wavelength of 400 nm.
保護カバー１２付タッチパネルセンサ３０において、透明導電体４０，４５は、その厚みが２５ｎｍ以下となっており、かつその光屈折率が、波長５５０ｎｍの光に対して１．９７＋０．１４／−０．２０の範囲内となっており、波長４００ｎｍの光に対して２．１２＋０．１４／−０．２０の範囲内となっている。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a retardation film which includes a haze value of 0.5 or less and Re (retardation value) of 50 nm or more.
ヘイズの値が０．５以下であり、５０ｎｍ以上であるＲｅを有する位相差フィルムを製造する。 - 特許庁 - This biaxially oriented polyester film having many fine protrusions formed on the ground surface portions, characterized in that the fine protrusions contain the protrusions having heights of 3 to 5 nm in the total protrusion number of 3,000,000 to 100,000,000 protrusions/mm2 and in that the average size of grains is 10 to 100 nm, when the height threshold value of the protrusions is 3 nm.
表面の地肌部分に微細な突起が多数形成された二軸配向ポリエステルフィルムであって、該微細突起は、突起高さが３〜５ｎｍである突起の総突起個数が３００万〜１億個／ｍｍ^2であり、かつ、突起の高さのしきい値が３ｎｍの時のグレインサイズの平均値が１０〜１００ｎｍである。 - 特許庁 - Stripe-like openings are provided to the lower electrode 103, for instance by providing a lower electrode film of 400 nm thickness, if the space between the adjacent openings is set at 600 nm, and the opening at 600 nm width, a capacitor with the lower electrode provided with openings as described can be increased in capacitance by 17% or so, as compared with one with a flat and lower electrode.
下部電極１０３にストライプ状の開口孔を設けることにより、例えば、下部電極膜厚４００ｎｍ、開口孔と開口孔の間隔を６００ｎｍ、開口孔の幅を６００ｎｍとすれば、平面状の下部電極を用いたものに比較して容量値を約１７％増やすことが可能となる。 - 特許庁 - The capacitor has the structure comprising an electrode with a primary surface 1 and secondary surface 5 and capacitor dielectric material 2 arranged on the surface of the primary surface of the electrode, where the primary surface of the electrode has the Ra value of no more than 200 nm, the Rz (din) value of no more than 2,000 nm and the W value of no more than 250 nm.
第１の表面１および第２の表面５を有する電極、および電極の第１の表面上に配置されたコンデンサ誘電物質２とを含み、ここで電極の第１の表面が２００ｎｍ以下のＲａ値、２０００ｎｍ以下のＲｚ（ｄｉｎ）値、および２５０ｎｍ以下のＷ値を有する構造。 - 特許庁 - (1) The base contains a blue dye and has a blue density of ≥0.15 and a yellow index of ≤0, or (2) the base has 58-78% average light transmittance in the 500-600 nm region, ≥75% maximum light transmittance in the 400-500 nm region and ≥75% maximum light transmittance in the 600-700 nm region.
支持体が青色染料を含有し、該支持体の青色濃度が０．１５以上、イエローインデックスが０以下である； ５００〜６００ｎｍの平均光線透過率が５８〜７８％、かつ４００〜５００ｎｍの最大光線透過率、６００〜７００ｎｍの最大光線透過率がいずれも７５％以上である支持体。 - 特許庁 - By this synthesis, a composite nanowire with a diameter of about 130 nm in which a silicon nanowire and a cadmium thiosilicate wire are parallelly jointed and a core-shell-type composite nanowire composed of a silicon core with a diameter of about 60 nm and a cadmium thiosilicate sheath with a diameter of 100-120 nm can be manufactured.
この合成により、珪素ナノワイヤーとカドミウムチオシリケートナノワイヤーとが平行方向に接合した、直径約１３０ナノメートルの複合ナノワイヤーや、珪素の芯の直径が約６０ｎｍでカドミウムチオシリケートの鞘の直径が１００〜１２０ｎｍのコア−シェル型の複合ナノワイヤーを製造することができる。 - 特許庁 - The small particle has a primary particle diameter of 5-15 nm and an average particle diameter of ≤7μm.
また、前記微小粒子の一次粒子径は５〜１５ｎｍであり平均粒子径は７μｍ以下である。 - 特許庁 - The pitch of the metal grid 20 is 70 nm and the aspect ratio in the cross section of the metal grid is 1:1.
金属格子２０のピッチは７０ｎｍであり、金属格子断面のアスペクト比は１：１である。 - 特許庁 - An optical circulator 40 makes 1,590 nm CW auxiliary light fall on the SOA 28 from the rear side.
光サーキュレータ４０は１５９０ｎｍのＣＷ補助光をＳＯＡ２８に後側から入射する。 - 特許庁 - To provide a top antireflective coating composition with a low refractive index at a radiation wavelength of 193 nm.
１９３ｎｍ放射波長において低屈折率を有する上面反射防止コーティングを提供する。 - 特許庁 - It is preferable that thickness of the oxide film 8 is below 100 nm to form stable oxide film 8.
さらに、安定した酸化膜８を形成するのに、その膜厚は100ｎｍ以下とするのが好ましい。 - 特許庁 - To provide an improved on-chip Cu interconnection that uses a metal cap having a thickness of 1 to 5 nm.
１から５ｎｍの厚さの金属キャップを用いた改良されたオンチップＣｕ相互接続を提供する。 - 特許庁 - To provide a polycarbonate resin molded product which is free from yellowish tone even after cutting longer side wavelength than 405 nm, in particular until 410 nm longer than 380 nm, and has high transparency and is not deteriorated even when irradiated with intense ultraviolet rays, and to provide an illumination cover and a lens.
黄色の補色である青色蛍光を発する蛍光増白剤を含有することで４０５ｎｍより長波長側、特に３８０ｎｍより長波長である４１０ｎｍまでをカットしても黄色味が無く透明感の高く、かつ強い紫外線下でも劣化しないポリカーボネート樹脂成型物、照明カバーおよびレンズを提供すること。 - 特許庁 - To obtain a high cutoff quantity in excess of 40 dB in a wide band exceeding 1 nm, with a simple constitution.
簡易な構成で、１ｎｍを越える広帯域で４０ｄＢを越える高遮断量を得ること。 - 特許庁 - Light transmittance in a visible region of 400-600 nm of the shading film is 10% or less.
遮光膜の可視領域４００ｎｍ〜６００ｎｍにおける光透過率が１０％以下であること。 - 特許庁 - The thickness of the impurities present on the substrate surface is controlled to ≤0.2 nm.
基板表面に存在する不純物の厚さを０．２ｎｍ以下とすることにより、前記課題を解決する。 - 特許庁 - As the quenched alloy, a nano crystal alloy in which an average crystal particle diameter is 100 nm or less is preferably used.
急冷合金としては、平均結晶粒径100nm以下のナノ結晶合金を使用することが望ましい。 - 特許庁 - The carbon nanohorn aggregate comprises many nanohorns 1 having pores 3 through which a substance having a diameter exceeding 0.7 nm is not passed and in which the minimum distance between carbon atoms 2, 2 not adjacent in the carbon atoms 2 constituting the pores is 0.24 nm to 0.70 nm.
直径０．７ｎｍを超える物質を通過させない孔３であって該孔を構成する炭素原子２のうち隣接しない炭素原子２，２間の最短距離ｄが０．２４ｎｍ以上０．７０ｎｍ以下の孔３を表面に有する多数のカーボンナノホーン１からなるカーボンナノホーン集合体によって、上記課題を解決する。 - 特許庁 - The Ti layer 31 has a thickness of smaller than 1 nm and light absorption does not take place in the Ti layer 31.
Ｔｉ層３１の厚さが１ｎｍ未満であり、Ｔｉ層３１で光吸収が生じない。 - 特許庁 - In this case, the film thickness of the Pt film constituting the adhesive conductive film 10 is set ≤0.5 nm.
ここで、接着導電膜１０を構成するＰｔ膜の膜厚は、０．５ｎｍ以下に設定する。 - 特許庁 - The sleeve is driven thereafter from a neutral position toward an IN-engaged position, when the Nm is reduced by inertia.
その後、慣性によりＮｍが減少中にて、スリーブがニュートラル位置からＩＮ位置に向けて駆動される。 - 特許庁 - A Co layer 21 having a thickness of 10 nm is continuously deposited on the Fe(001) upper electrode 23.
連続して、１０ｎｍ厚さのＣｏ層２１をＦｅ（００１）上部電極２３上に堆積した。 - 特許庁 - As the optical filter 11 has characteristics to cut all the light on the infrared side from a threshold wavelength larger than 805 nm and smaller than 815 nm, heat rays on the infrared side including wavelengths around 825 nm, which is substantially the first peak P of the radiation intensity of a xenon lamp 10, can be securely eliminated.
光学フィルター１１が、８０５ｎｍより大きく８１５ｎｍより小さい波長である閾値よりも赤外側の光を全てカットする特性のため、キセノンランプ１０の放射強度の実質的に最初のピークＰとなる８２５ｎｍ付近を含む赤外側の熱線を確実に除去することができる。 - 特許庁 - The spectral width of an upstream optical signal to be output from the E/O converter 100 is equal to or more than 0.5 nm.
Ｅ／Ｏ変換器１００の出力する上り光信号のスペクトル幅は、０．５ｎｍ以上である。 - 特許庁 - To improve adhesion strength of a plating film to a resin-metal composite layer as thin as 10-200 nm.
樹脂−金属コンポジット層の厚さが10〜 200nmと薄い場合でも、めっき皮膜の密着強度を向上させる。 - 特許庁 - Desirably, the particle diameter of the oxide particles dispersed in the structure of the coating layer is at maximum 25 nm.
好ましくは、被覆層の組織中に分散する酸化物の粒径は最大で２５ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The electroconductive layer 4 also desirably includes colloidal silica having a primary particle size of 5-80 nm.
導電層４は、さらに、一次粒子径が５ｎｍ〜８０ｎｍのコロイダルシリカを含有することが好ましい。 - 特許庁 - The micropore diameter of the zeolite is preferably at least 0.5 nm, and, in particular, the zeolite is preferably faujasite-type zeolite.
ゼオライトは細孔径が０．５ｎｍ以上であることが好ましく、特にフォージャサイト型ゼオライトが好ましい。 - 特許庁 - The maximum transmittance of the optical filter part for the light with a wavelength of 830 nm is 85% or more.
波長が８３０ｎｍである光についての光フィルタ部の透過率が８５％以上である。 - 特許庁 - The cellulose acetate film is controlled to have an Rth retardation value ranging from 30 to 70 nm.
また、セルロースアセテートフイルムは、Ｒｔｈレターデンション値が３０乃至７０ｎｍの範囲に制御されている。 - 特許庁 - The alloy particulates are produced by the production method, and the primary particle diameter is 200 nm or less.
合金微粒子は、上記の製造方法によって製造され、一次粒子径が２００ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The layer thickness D1 of the part coating the side face 23 of the mesa in the semiconductor layer is set in 850 nm or more.
半導体層においてメサの側面２３を覆う部分の層厚Ｄ１が８５０ｎｍ以上である。 - 特許庁 - An oxide film 10 of 1 nm or less is formed on a surface of a silicon substrate 1 of a (100) plane in plane orientation.
面方位が（１００）面のシリコン基板１の表面に、１ｎｍ以下の酸化膜１０を形成する。 - 特許庁 - A lower electrode 410 has a metal-containing oxidized layer 414 which is less than 2 nm in thickness on its surface layer.
下部電極４１０は、表層に、厚さが２ｎｍ以下の金属含有酸化層４１４を有している。 - 特許庁 - A great number of mesopores 26c of a mean pore diameter of 1-10 nm are formed in the MSS particles 26a.
ＭＳＳ粒子２６ａには、平均孔径１〜１０ｎｍのメソ孔２６ｃが無数に形成されている。 - 特許庁 - Preferably, the layer based on the molybdenum is not less than 20 nm thick, in particular, not less than 50 nm or not less than 80 nm, and most preferably, the layer includes at least one barrier layer that works as a barrier against, in particular, alkali metals and the barrier layer is inserted between the substrate and the electrode.
好ましくは、モリブデンに基づいた層が、少なくとも２０ｎｍ、特には少なくとも５０ｎｍ、又は、少なくとも８０ｎｍの厚さで、更に好ましくは、特にアルカリ金属に対してバリヤーとして働く、少なくとも１つのバリヤー層を備え、該バリヤー層が前記基材と前記電極の間に挿入されている。 - 特許庁 - The cathode 4 is a polarizable electrode made of an activated carbon whose most frequent value of micropore diameter is 1.5 nm or less.
負極４は細孔径の最頻値が１．５ｎｍ以下の活性炭を用いる分極性電極である。 - 特許庁
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