「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 47 48 49 50 51 52 53 54 55 .... 287 288 次へ＞- The radiation sensitive surface is sensitive to radiation wavelengths of 10 to 200 nm and/or charged particles.
放射感応性表面は、１０〜２００ｎｍの波長の放射および／または荷電粒子に感応する。 - 特許庁 - The porous material is composed of a deoxyribonucleic acid and has fine pores having a diameter of 1 nm to 100 μm.
デオキシリボ核酸からなり、直径が１ｎｍ乃至１００μｍの細孔が設けられた多孔質体。 - 特許庁 - The polymer has an absorbance at 193 nm of ≤1.0 (l/μm) and degree of dispersion of ≤1.4.
重合体は、１９３ｎｍにおける吸光度が１．０(１／μｍ)以下であり且つ分散度が１．４以下である。 - 特許庁 - A green sheet 4S reflects light of a visible range of ≥400 nm and light of near infrared region.
グリーンシート４Ｓが、４００ｎｍ以上の可視領域の光と、近赤外領域の光と、を反射する。 - 特許庁 - Light of 100 to 400 nm or ions are radiated to the substrate under a reduction atmosphere.
また還元雰囲気下で、基板に１００ｎｍ〜４００ｎｍの光照射もしくはイオン照射を行う。 - 特許庁 - The silicon nitride (SixNy) thin film has a thickness of 0.5 to 10 nm.
また前記窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）薄膜の厚さが０．５ｎｍから１０ｎｍであることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a light-emitting diode capable of emitting light having a wavelength of 200-300 nm with high efficiency.
波長２００ｎｍから３００ｎｍの間の光を高効率で発光する発光ダイオードを提供する。 - 特許庁 - Thereby, the method can quickly produce metallic nanoparticles having the particle sizes of 500 nm or less in large quantities.
これにより、粒径が５００ｎｍ以下の金属のナノ粒子を大量に迅速に生成することができる。 - 特許庁 - In this case, an LED 31 uses a blue LED and its light emitting wavelength peak is 450 nm.
ここで、ＬＥＤ３１は、青色ＬＥＤを用いてあり、その発光波長ピークは、４５０ｎｍである。 - 特許庁 - The colorant composition include pigment particles with an average particle size of less than 200 nm and binder polymer particles.
平均粒子径２００ｎｍ以下の顔料粒子と、バイダーポリマー粒子を含む着色剤組成物。 - 特許庁 - Light which provides the strength modulated light signal has a wavelength of 1,200 to 1,400 nm.
強度変調光信号を提供する光は、１２００ｎｍから１４００ｎｍの波長を有する。 - 特許庁 - In the method for producing the optical element, ultraviolet rays with a wavelength of 250 nm or shorter is transmitted.
２５０ｎｍもしくはそれよりも短い波長の紫外線を伝達する光学素子の製造法である。 - 特許庁 - The surface roughness of the barrier metal film 133-side surface of the polysilicon film 131 is 3 nm or above.
ポリシリコン膜１３１のバリアメタル膜１３３側の表面の表面粗さは、３ｎｍ以上である。 - 特許庁 - It is preferable that the injected micro bubbles MB have diameters of 10 nm to 20 μm.
特に導入する微小気泡ＭＢは直径が１０ｎｍ以上、２０μｍ以下であることが望ましい。 - 特許庁 - The shoes 1 contain small-diameter carbon black of 10 to 40 nm in particle diameter.
この靴底１は、粒子直径が１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の小径カーボンブラックを含んでいる。 - 特許庁 - An Y_2O_3 film comprises an aggregate of Y_2O_3 particles having a volume-average particle diameter of 10-300 nm.
体積平均粒径が１０ｎｍ〜３００ｎｍであるＹ_2Ｏ_3粒子の凝集体からなるＹ_2Ｏ_3皮膜。 - 特許庁 - Each crystal silicon nitride nanosheet has a size of not smaller than 1 μm×1 μm and a thickness of ≤20 nm.
並びに、大きさが1μｍ×1μｍ以上で、厚みが20nm以下である単結晶ナノシート窒化ケイ素ナノシート。 - 特許庁 - The silica gel composite membrane is preferably ≥60% in the transmittance of rays of light with a wavelength of 550 nm.
本発明のシリカゲル複合膜は、５５０ｎmの光線透過率が６０％以上であることが好ましい。 - 特許庁 - A polycrystalline thin-film transistor, crystalized through laser irradiation, is set to 1 nm or more in surface roughness.
レーザー照射により結晶化した多結晶薄膜トランジスタでは、表面粗さを1nmよりも大きくする。 - 特許庁 - Thereby, a calcium fluoride single crystal maintaining high transmissivity both at 140 nm and 190 nm wavelengths, almost free from lowering of the transmissivity in a wavelength range of 190 to 140 nm, and having total characteristics more suitable as an optical element material used in a short wavelength light source can be sorted.
そのため、１９０ｎｍ及び１４０ｎｍの両者における透過率を高く維持していると共に１９０ｎｍ〜１４０ｎｍでの透過率の低下が少なく、短波長光源に用いる光学素子材料としてより好適な総合特性を持つフッ化カルシウム単結晶を選別することができる。 - 特許庁 - To accurately find a film thickness of an electron injection layer having, for example, 10 nm or less of extremely thin film thickness.
例えば、１０ｎｍ以下の極薄い膜厚を有する電子注入層の膜厚を正確に求める。 - 特許庁 - The ultraviolet inhibiting layer 2 has a function of inhibiting the transmission of light with a wavelength of 400 nm or less.
この紫外線抑止層２は、波長４００ｎｍ以下の光の透過を抑止する機能を有する。 - 特許庁 - To amplify a wavelength multiplexed light under a flat gain profile, even in a 1580 nm band.
１５８０ｎｍ帯域においても平坦なゲインプロファイルにて波長多重光を増幅できるようにする。 - 特許庁 - The method for producing hollow silica nanoparticles having a primary grain size of 100 nm or less includes following steps (1) and (2).
下記工程（１）及び（２）を含む、一次粒径が１００ｎｍ以下の中空シリカナノ粒子の製造方法。 - 特許庁 - The vapor growth carbon fibers produced by the method have a fiber diameter of 5 to 50 nm.
前記製造方法により製造され、繊維径が５〜５０ｎｍである気相成長炭素繊維である。 - 特許庁 - Concretely, the preferable surface roughness Ra of the transparent conductive film 81 is 0.1 to 20 nm.
具体的には、透明導電膜８１の表面粗さＲａは、０．１〜２０ｎｍであるのが好ましい。 - 特許庁 - In addition, the particle diameter of the titanium oxide contained in the ultraviolet transmission preventing layer 2 is preferably 30 nm - 1μm.
また、紫外線透過抑止層２に含まれる酸化チタンの粒径は好ましくは３０ｎｍ〜１μｍである。 - 特許庁 - The particles have a maximum particle diameter D_max of ≤100 nm and the aqueous dispersion liquid has a pH of 1-7.
該粒子の最大粒径Ｄ_maxが１００ｎｍ以下であり、該水性分散液のｐＨが１〜７である。 - 特許庁 - To provice a laser length measuring device in which a length measuring displacement is within an absolute accuracy of ±2 to ±1 nm.
レーザ測長計による測長変位が、絶対精度で±２ｎｍから±１ｎｍ以内に収まるようにする。 - 特許庁 - The metal contains Al, and the thickness of the gate electrode is 10-100 nm.
また、金属は、Ａｌを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 - 特許庁 - Light L2 polarized in the x axis direction of 780 nm wavelength is exited by a semiconductor laser 612.
半導体レーザ６１２は波長７８０ｎｍのｘ軸方向に偏光した光Ｌ２を出射する。 - 特許庁 - Preferably a filter is used to filter out any wavelengths in the excitation light greater than about 500 nm.
フィルターを用いて、励起光の中の約500nmより長い、いかなる波長をも遮断することが好ましい。 - 特許庁 - The colored layer 5 absorbs light of wavelength 380-780 nm at an average absorptance of 35-90%.
着色層(5)は、波長３８０〜７８０ｎｍの光の平均吸収率が３５〜９０％の範囲である。 - 特許庁 - To provide a fluororesin film excellent in transparency and shielding property to UV light with wave length less than 360 nm.
透明性に優れ、３６０ｎｍ以下の紫外線遮断性に優れたフッ素樹脂フィルムの提供。 - 特許庁 - To provide a fluorine-containing polymer excellent in light permeation in vacuum ultraviolet region of ≤193 nm.
１９３ｎｍ以下の真空紫外領域で光の透過性に優れたフッ素含有ポリマーを提供。 - 特許庁 - The electrophotographic photoreceptor contains a combination of a ring-expanded porphyrin or a macrocyclic compound and a 400 nm laser.
環拡大ポルフィリンまたは、大環状化合物＋４００ｎｍレーザーを搭載した電子写真感光体。 - 特許庁 - The glass top plate 1 has a light transmittance of 50% or less in a 760-830 nm wavelength region.
ガラストッププレート１は、７６０〜８３０ｎｍの波長域において、光の透過率が５０％以下である。 - 特許庁 - The silica of the silica-calcium composite particles has a particle diameter of preferably 10-100 nm.
また前記シリカ−炭酸カルシウム複合粒子のシリカは、粒子径が１０ｎｍ〜１００ｎｍが好適である。 - 特許庁 - At least on the emission edge of the 650 nm wavelength band laser 14, a window region is formed.
少なくとも６５０ｎｍ帯波長レーザ１４の出射端面側に窓領域が形成されている。 - 特許庁 - The whole surface of the patterned photoresist 1a is irradiated with radiation 7 of 200 nm in wavelength (Fig. 2 (d)).
パターニングされたフォトレジスト１ａの全面に、波長２００nm以下の放射線７を照射する（図２（ｄ））。 - 特許庁 - It is preferable that the single layer carbon nanotubes have a peak of the diameter distribution within a range of 0.7-0.9 nm.
好ましくは、前記単層カーボンナノチューブは、直径分布のピークが０．７〜０．９ｎｍの範囲内にある。 - 特許庁 - To provide a process for making lithium titanate having closely controlled particle sizes in the range of 5 to 2,000 nm.
５nm〜2000nmの範囲に厳密に制御された粒子径を有するチタン酸リチウムの製造方法を提供する。 - 特許庁 - For example, the aluminum oxide particle is aluminum hydroxide particle having a particle diameter of 1-150 nm.
例えばアルミニウム酸化物粒子は水酸化アルミニウムの粒子であり、粒子径は１〜１５０ｎｍである。 - 特許庁 - Further, the negative dispersion fiber 13 has a total dispersion of ≤-5 ps/nm at the prescribed wavelength.
一方、負分散ファイバ１３は、上記所定波長において、全分散が−５ｐｓ／ｎｍ以下である。 - 特許庁 - To stably obtain laser beams which are continuously emitted at wavelengths of 185 to 200 nm with good energy efficiency.
波長１８５ｎｍ〜２００ｎｍで連続発光するレーザ光をエネルギー効率よく安定して得る。 - 特許庁 - ACRYLIC COMPOUND FOR SUB-200 NM PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD FOR PREPARATION OF THE COMPOUND AND USE OF THE SAME
サブ２００ｎｍ用フォトレジスト組成物のためのアクリル化合物並びにその作製及び使用方法 - 特許庁 - The wavelength of the laser beam emitted from the laser scriber is set within the range of 190-360 nm.
レーザスクライバから発生させられるレーザ光の波長を１９０ｎｍ〜３６０ｎｍの範囲に設定する。 - 特許庁 - The alloy particulates are produced by the above production method, and the primary particle diameter is ≤200 nm.
合金微粒子は、上記の製造方法によって製造され、一次粒子径が２００ｎｍ以下である。 - 特許庁 - At that time, the tungsten carbide particles having an average particle diameter of 100 to 300 nm can be used.
このとき、平均粒径１００ｎｍ〜３００ｎｍを有するタングステン炭化物粒子を用いることができる。 - 特許庁 - Light L1 polarized in the x axis direction of 650 nm wavelength is exited by a semiconductor laser 611.
半導体レーザ６１１は波長６５０ｎｍのｘ軸方向に偏光した光Ｌ１を出射する。 - 特許庁
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