「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 48 49 50 51 52 53 54 55 56 .... 287 288 次へ＞- The refractive index of the silicon oxide film is 1.500-1.590 in 400-700 nm wavelength range.
珪素酸化物の膜の波長４００ｎｍ〜７００ｎｍでの屈折率が１．５００から１．５９０であること。 - 特許庁 - In this case, the wavelength of the pumped light is set shorter than the wavelength of the signal light by 80 to 280 nm.
このときに、励起光の波長を、信号光波長の８０〜２８０ｎｍ短波長側に設定する。 - 特許庁 - The diamond like carbon layer constituting one layer of the optical multi-layered film has 2-10 nm thickness.
光学多層膜の一層を構成するダイヤモンドライクカーボン層は、厚みが２ｎｍ乃至２０ｎｍである。 - 特許庁 - (2) The inspecting method of the optical recording medium given in the (1) whose infrared wavelength is 900-1,100 nm.
（２）赤外線の波長が９００〜１１００ｎｍである（１）記載の光記録媒体の検査方法。 - 特許庁 - To provide an optical filter which has nearly uniform light transmissivity in a wavelength range of 350 to 2,500 nm.
波長３５０〜２５００ｎｍの領域における光透過率が、ほぼ均一な光学フィルターを提供する。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium capable of well recording with a laser having a wavelength of 350 to 500 nm.
波長３５０ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーで良好な記録が可能な光記録媒体を提供する。 - 特許庁 - An objective lens 106 is a finite system only for a laser beam for CD (wavelength 780 nm).
対物レンズ１０６は、ＣＤ用レーザ光（波長７８０ｎｍ）に対してのみ有限系となっている。 - 特許庁 - The telescope 205 is especially useful for far ultraviolet rays (DUV) by wave length being shorter than about 250 nm.
テレスコープ２０５は、約250nmよりも短い波長で遠紫外（ＤＵＶ）用途に関して特に有用である。 - 特許庁 - Meandering and long carbon fibers of 3.5-100 nm fiber diameter and 5 or more aspect ratio are used.
３．５〜１００ｎｍの線径と５以上のアスペクト比を有する曲がりくねった長炭素繊維を使用する。 - 特許庁 - The passivation film 11 is formed from an oxynitride (SiON) of silicon and has the thickness of, e.g. 1,000 nm.
パッシベーション膜１１は、シリコンの酸窒化物（ＳｉＯＮ）から成り、その厚さは、例えば１０００ｎｍである。 - 特許庁 - The crystal structure of titanium oxide is rutile type and titanium oxide has a particle diameter of ≤900 nm.
酸化チタンの結晶構造はルチル型で、粒径は９００ｎｍ以下であることを特徴としている。 - 特許庁 - The imaging apparatus 4 includes an optical filter 13 for removing light rays with wavelengths exceeding 450 nm.
撮像装置４は、４５０ｎｍを超える波長の光線を除去する光学フィルター１３を備える。 - 特許庁 - To provide a fuel cell having a Pt catalyst that has a particle diameter of less than 5 nm at an oxygen electrode.
5nm未満の粒径を有する新規なPt触媒を酸素極に有する燃料電池を提供する。 - 特許庁 - The density of the silanol groups on the surface of the silica powder thus produced is 2.50 groups/nm^2 or higher.
この方法により製造されたシリカ粉末表面のシラノール基密度は２．５０個／ｎｍ^2以上である。 - 特許庁 - To provide a technique for producing a carbon nanofiber having ≤100 nm diameter in a high yield.
直径１００ｎｍ以下のカーボンナノファイバーを高収率で得られるようにした技術を提供する。 - 特許庁 - From the result, it is predicted that pump light with a wavelength of 390-430 nm can be efficiently absorbed.
この結果から、波長390nmから430nmのポンプ光が効率的に吸収可能であることが予想された。 - 特許庁 - To provide an ultraviolet light emitting device for outputting ultraviolet light having a ≤370 nm wavelength at high luminance.
３７０ｎｍ以下の波長の紫外光を高輝度で出力する紫外発光素子を提供する。 - 特許庁 - The tribo-film is formed in a range of within 10 nm depth from the sliding surface of the hard carbon thin membrane.
トライボフィルムが硬質炭素薄膜の摺動表面から深さ１０ｎｍ以内の範囲に形成される。 - 特許庁 - (B) is inorganic fluoride particles having a refractive index of <1.45 at a wavelength of 589 nm.
（Ｂ）が、波長５８９ｎｍにおける屈折率が１．４５未満である無機フッ化物からなる粒子である。 - 特許庁 - The alloy fine powder is formed of an alloy having a melting point of ≤250°C, and the particle diameter thereof is controlled to ≤300 nm.
合金微粉末は、融点が２５０℃以下の合金にて形成し、粒径を３００ｎｍ以下とした。 - 特許庁 - The transparent film has thickness of 10-300 μm and 20-500 nm of retardation in the film plane direction.
厚みが１０〜３００μｍでフィルム平面方向の位相差が２０〜５００ｎｍの物性を有する。 - 特許庁 - The reason for ≥10 nm pore diameter is that catalytic reaction area is increased by the increased pore diameter.
細孔径を１０ｎｍ以上としたのは、径を大きくして、触媒反応面積を大きくするためである。 - 特許庁 - The phosphors satisfies one or more of the condition that: an external quantum efficiency of the blue phosphor excited with light having a wavelength of 395 nm is ≥77%; an external quantum efficiency of the green phosphor excited with light having a wavelength of 395 nm is ≥70%; an external quantum efficiency of the red phosphor excited with light having a wavelength of 395 nm is ≥50%.
３９５ｎｍの波長の励起光における各色蛍光体の外部量子効率は、青色蛍光体が７７％以上であること、緑色蛍光体が７０％以上であること、および赤色蛍光体が５０％以上であること、のいずれか１以上の条件を満たしている。 - 特許庁 - The white balance and brightness are both obtained by using the laser light for the interference exposure at a shorter wavelength than the wavelength of conventionally used light (for example, at 568 nm for the R region, 488 nm for the G region and 407 nm for B region) and by optimizing the modulation of the hologram structure (by 10 to 20% for example).
干渉露光の際に用いるレーザーの波長として従来用いられている波長より短い波長（例えば、Ｒ領域を５６８ｎｍ、Ｇ領域を４８８ｎｍ、Ｂ領域を４０７ｎｍ）を用い、かつホログラム構造の変調量を最適化する（例えば、１０〜２０％）ことにより、ホワイトバランスと明るさを両立させる。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition suitable when an exposure light source at ≤160 nm, in particular F_2 excimer laser light (at 157 nm), is used, and specifically, to provide a positive resist composition showing sufficient transmitting property when a light source at 157 nm is used, and having excellent coating property, resolution, exposure latitude and dissolution contrast.
１６０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、塗布性、解像性、露光ラチチュード、および溶解コントラストが優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - In the board to be used here, each of concaves and convexes on the board surface is desirable to be 500 nm or shorter in depth.
ここで用いる基板は、表面の凹凸が５００ｎｍ以下の基板であることが好ましい。 - 特許庁 - In the semiconductor nanoparticles including a doping agent in a semiconductor base material, the mean particle size of the particles is 0.1-20.0 nm, and the doping agent emits light by excitation light having the wavelength of 285 nm, and the semiconductor base material emits light by excitation light having the wavelength of 365 nm by a quantum size effect.
半導体母材中にドープ剤を含有する半導体ナノ粒子であって、粒子の平均粒径が０．１〜２０．０ｎｍであり、波長２８５ｎｍの励起光により該ドープ剤が発光し、かつ波長３６５ｎｍの励起光により該半導体母材が量子サイズ効果により発光することを特徴とする半導体ナノ粒子。 - 特許庁 - A UV absorbent composition is provided, containing a UV absorbent (A) and a silicon compound, wherein the UV absorbent (A) exhibits a maximum absorption wavelength of 350 nm to 400 nm and a half-value width of 55 nm or less, and a molar absorption coefficient of 20,000 or larger at the maximum absorption wavelength.
紫外線吸収剤Ａとケイ素化合物とを含む紫外線吸収剤組成物であって、前記紫外線吸収剤Ａが、極大吸収波長が３５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、半値幅が５５ｎｍ以下、極大吸収波長におけるモル吸光係数が２００００以上である、紫外線吸収剤組成物。 - 特許庁 - To produce a mesoporous body which has a controlled means fine pore diameter of 2 to 20 nm and has high heat resistance.
２〜２０nmの制御された平均細孔径を有する耐熱性の高いメソ多孔体を製造する。 - 特許庁 - It is preferable that the absorption edge of the transmittance, measured at a thickness of 10 mm, is 310 nm or less.
１０ｍｍ厚で測定した透過率の吸収端が３１０ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - A diameter of the submicrometer tube is 250-600 nm and a length is several tens to several hundreds μm.
サブマイクロメートルチューブの直径は２５０〜６００ｎｍであり、長さは数十μｍから数百μｍである。 - 特許庁 - The uneven shape having a period of 6 to 500 nm is formed on the surface of the active layer by forming the active layer that is comprised of Al_xGa_1-xN not containing indium and has a film thickness between 3 nm and 500 nm at a low temperature below 950°C lower than conventional crystal growth temperature (1,040°C to 1,100°C).
インジウムを含まないＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮよりなる活性層を従来の結晶成長温度（１０４０℃から１１００℃）より低温の、９５０℃以下で、且つ３ｎｍ以上５００ｎｍ以下の膜厚で形成することにより、活性層表面に周期が６〜５００ｎｍの凹凸形状を形成する。 - 特許庁 - Preferably, average grain size of WC is 0.5-10 nm and transition metal is additionally carried.
好ましくは、前記ＷＣの平均粒子径が０.５〜１０ｎｍであり、遷移金属がさらに担持される。 - 特許庁 - An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on a 6H-SiC substrate 11, then the temperature is turned to 1050°C and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm.
6Ｈ-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁 - The weak beam technique enables the loop analysis methods to be applied to loops down to about 5 nm in diameter.
ウィークビーム技法は、ループ解析法を直径 約5nmまでの(小さい)ループに適用することを可能にする。 - 科学技術論文動詞集 - Electron-microscope specimens thinner than 10 nm and of low atomic number behave as weak-phase objects.
10nmより薄く低い原子番号から成る電子顕微鏡の試料は、弱位相物体として振る舞う。 - 科学技術論文動詞集 - The porous molding comprises 80-98 wt.% filler and 2-20 wt.% carbon and is characterized by having pores having a mean pore diameter distribution having peaks in at least two regions of 2 to 5 nm and above 5 nm to 50 nm.
充填物質８０〜９８重量％と炭素２〜２０重量％とからなる多孔性成型体であり、該成型体は、２〜５ｎｍの領域と５ｎｍを超え５０ｎｍ以下の領域との少なくとも二領域に平均細孔直径のピークを示す細孔を有していることを特徴とする多孔性成型体。 - 特許庁 - The transmittances of the light emitted from the PDP for various wavelengths are: 50-80% for blue light of 454 nm, 40-80% for green light of 525 nm, 5-30% for orange light of 580-592 nm, 50-80% for red color of 610-630 nm, and 1-10% for near infrared ray of 850-950 nm.
ＰＤＰから放出された光の波長による透過率は、４５４ｎｍに該当する青色光の透過率が５０％ないし８０％であり、５２５ｎｍに該当する緑色光の透過率が４０％ないし８０％であり、５８０ｎｍないし５９２ｎｍに該当するオレンジ光の透過率が５％ないし３０％であり、６１０ｎｍないし６３０ｎｍに該当する赤色光の透過率が５０％ないし８０％であり、８５０ｎｍないし９５０ｎｍに該当する近赤外線の透過率が１％ないし１０％であることを特徴とする。 - 特許庁 - This film for the release films has the maximum protrusion height (Rmax (A)) at one side surface (surface A) thereof of 200 nm or smaller and a center surface roughness (SRa (A)) of 10 nm or smaller.
ポリエステルフィルムにおいて、一方の面（Ａ面）の最大突起高さ（Ｒｍａｘ（Ａ））が２００ｎｍ以下であり、かつ中心面平均粗さ（ＳＲａ（Ａ））が１０ｎｍ以下であることを特徴とする離型フィルム用ポリエステルフィルム。 - 特許庁 - This is the electrode material in which a surface is heat-treated in an oxidized gas atmosphere, a surface spacing is less than 0.36 [nm], and a carbon material is used, wherein the size of a crystallite Lc is larger than 1.1 [nm].
電極材であって、表面が酸化性ガス雰囲気で熱処理され、かつ面間隔が０．３６[ｎｍ]未満であり、結晶子の大きさＬｃが１．１[ｎｍ]より大きい炭素材料を用いたことを特徴とする。 - 特許庁 - Desirably, the cured film is one wherein colloidal silica of an average particle diameter of 1 to 200 nm and/or an inorganic ultraviolet absorber of an average particle diameter of 1 to 200 nm are further dispersed in the Si-O-bond-containing matrix.
さらに、平均粒径が１〜２００ｎｍのコロイダルシリカ及び／又は平均粒径が１〜２００ｎｍの無機系紫外線吸収剤が、Ｓｉ−Ｏ結合を有するマトリックス中に分散している硬化膜が好ましい。 - 特許庁 - This flame-retardant polymer composition comprises (A) a polymer, (B) a flame retardant and (C) an inorganic compound; wherein the mean particle size of the component C is ≥1 nm but <1,000 nm.
（Ａ）重合体、（Ｂ）難燃剤、（Ｃ）無機系化合物からなる難燃性重合体組成物において、（Ｃ）の平均粒子径が１ｎｍ以上で１０００ｎｍ未満であることを特徴とする難燃性重合体組成物。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition which exhibits sufficient transmittance when an exposure light source of ≤160 nm, specifically F_2 excimer laser light (157 nm) is used and shows improvement in surface roughness, development defects, scum, and resolving power.
１６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源使用時に十分な透過性を示し、表面ラフネス、現像欠陥、スカム、解像力が改善されたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - A metal installed in a liquid is subjected to energization heating using electric energy of ≥3 times to the vaporization energy of the metal so as to produce a nanosheet with a thickness of 1 to 50 nm and a size of 100 nm to 5 μm.
液体中に設置された金属を、当該金属の気化エネルギーに対して３倍以上の電気エネルギーを用いて通電加熱することにより厚さ１〜５０ｎｍ、大きさ１００ｎｍ〜５μｍのナノシートを製造する。 - 特許庁 - In the estimated spectroscopic data calculation unit 180, an estimated spectroscopic data value (q82) of 805 nm and an estimated spectroscopic data value (q61) of 700 nm are calculated for each pixel, using the RGB image signals and estimated spectroscopic matrix data.
推定分光データ算出部１８０では、画素毎に、ＲＧＢ画像信号と推定分光マトリクスデータを用いて、８０５nｍの推定分光データ値（ｑ８２）および７００nmの推定分光データ値（ｑ６１）を算出する。 - 特許庁 - When the rotational frequency Nm of a driving motor 21b becomes equal to the rotational frequency Np2 of the driven-side pulley 62 and a one-way clutch 44 is connected, the the change gear ratio increase control is stopped and normal control restarts.
時刻t4において、駆動モータ２１ｂの回転数Nmと従動側プーリ６２の回転数Np2とが一致して前記ワンウエイクラッチ４４が接続状態になると、変速比の上昇制御が停止されて通常制御へ以降する。 - 特許庁 - The thickness of the surface layer is regulated to 1-50 nm, and the average height (Ra) of the undercoat is regulated to ≥10 nm at the center line.
Ｓｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌから選ばれる１種又は２種以上の元素よりなる層の厚さを１ｎｍ〜５０ｎｍとし、下地Ｎｉ又はＮｉ合金めっきの中心線平均粗さ（Ｒａ）を１０ｎｍ以上とする。 - 特許庁 - The coating film is preferably a chemically adsorbed film having a film thickness of a few dozen to a few hundred nm which is bound to the surface of the product via at least a siloxane bond and more preferably a monomolecular film having a film thickness of a few nm which is bound to the surface of the fur or leather product via at least the siloxane bond.
さらに好ましくは、少なくともシロキサン結合を介して毛皮製品あるいは皮革製品表面に結合形成された数ナノメートルレベルの膜厚の単分子膜を形成する。 - 特許庁 - When single layer films of Au and Pt are formed and etched using an aqua regia based solution, etching rate of Au employed in the upper layer was about 100 nm/min and etching rate of Pt employed in the lower layer was about 80 nm/min.
ＡｕとＰｔのそれぞれ単層膜を形成し、王水系の溶液を用いてエッチングしたところ、上層に用いたＡｕはエッチングレートが約１００ｎｍ／分で、下層に用いたＰｔは８０ｎｍ／分であった。 - 特許庁 - The inorganic insulating film has a thickness of 5 nm or more and 500 nm or less, containing at least either an oxide, a nitride or a sulfide containing either Si, Al, Cr, Zr, Ta, Ti, Mn, Mg, or Zn.
無機絶縁膜の厚さは、５ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であり、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｎの何れかを含む酸化物、窒化物、硫化物のうちの何れかを少なくとも１つ含む。 - 特許庁
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