「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 52 53 54 55 56 57 58 59 60 .... 287 288 次へ＞- Concerning the optically anisotropic body, the ratio of its in-plane retardation value measured with 550 nm wavelength light Re(550) to that measured with 450 nm wavelength light Re(450), Re(450)/Re(550), is 1.007 or less.
光学異方体は、波長５５０ｎｍで測定した面内レターデーション値Ｒｅ（５５０）と波長４５０ｎｍで測定した面内レターデーション値Ｒｅ（４５０）との比Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が１．００７以下である。 - 特許庁 - To provide an optical film showing positive wavelength dependency across the entire wavelength region from 400 nm to 800 nm and capable of imparting specified retardation to transmitted light in the above wavelength region with a single sheet of the film.
４００〜８００ｎｍの波長領域全てにおいて正の波長依存性を示し、１枚で前記波長範囲において透過光に特定の位相差を与えることができる光学用フィルムを提供する。 - 特許庁 - This "write once"-type optical recording medium uses the recording layer containing a new squalirium compound or a cyclobutenedion compound having absorption in 600 to 700 nm or 350 to 520 nm wavelength region as organic coloring matter.
６００〜７００ｎｍまたは３５０〜５２０ｎｍの波長領域で吸収をもつ新規スクアリリウム化合物またはシクロブテンジオン化合物、および該化合物を有機色素として含む記録層を用いる追記型光記録媒体。 - 特許庁 - In an etching process P2, etching treatment is carried out under the environment wherein light of a short wavelength less than excitation wavelength of about 880 nm is blocked by an etching bath 62 and a lid 66 and not injected to the semiconductor wafer 46.
エッチング工程Ｐ２において、半導体ウェハ４６に880(nm)程度のその励起波長以下の短波長の光がエッチング槽６２および蓋６６で遮られて入射しない環境下でエッチング処理が行われる。 - 特許庁 - The photosensitive composition for the optical waveguide can include (C) an optical radical-polymerization initiator having a photosensitive wavelength equal to or longer than 400 nm and (D) an optical cationic polymerization initiator having a photosensitive wavelength less than 400 nm.
光導波路用感光性組成物は、（Ｃ）感光波長が４００ｎｍ以上である光ラジカル重合開始剤、および（Ｄ）感光波長が４００ｎｍ未満である光カチオン重合開始剤を含むことができる。 - 特許庁 - To provide an interlayer film excellent in an infrared ray shielding property at a wavelength region of not only 1,500 nm or more but also 1,500 nm or less and to provide laminated glass using the interlayer film.
波長領域１５００ｎｍ以上の赤外線遮蔽性のみならず、波長領域１５００ｎｍ以下の赤外線遮蔽性にも優れた中間膜、および該中間膜を用いてなる合わせガラスの提供。 - 特許庁 - The polymerizable composition comprises a polymerizable liquid crystal compound and a radical generator which has an absorption peak at a light wavelength of 320 to 380 nm and substantially has no absorption at a light wavelength of ≥420 nm.
重合性液晶化合物と、光の波長が３２０〜３８０ｎｍに吸収ピークを有し、かつ実質的に４２０ｎｍ以上に吸収を持たないラジカル発生剤とを含む重合性組成物である。 - 特許庁 - Preferably, the difference in the maximum absorption wavelength between the colored fine particle and the pigment fine particles is at most 25 nm, the colored fine particle has an average particle size of at most 100 nm, and the colored fine particle has a core-shell structure.
着色微粒子と顔料微粒子の最大吸収波長の差が２５ｎｍ以下であり、着色微粒子の平均粒径が１００ｎｍ以下であり、着色微粒子がコアシェル構造を有することが好ましい。 - 特許庁 - The inorganic film has a thickness ranging from 20 nm or more to 200 nm or less along the direction, is provided so as to cover a surface of the metal portion and the inner surfaces of the openings, and has permeability to light emitted from the light-emitting layer.
無機膜は、前記方向に沿った厚さが２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下で、金属部の表面及び開口部の内面を覆うように設けられ、発光層から放出される光に対して透過性を有する。 - 特許庁 - The nanoporous fiber has pores with ≤100 nm diameter and ≤1.5% area ratio expressed by the area of pores with ≥200 nm diameter over the whole cross-sectional area of the fiber.
上記目的は、直径１００ｎｍ以下の細孔を有するナノポーラスファイバーであって、繊維横断面全体に占める直径２００ｎｍ以上の細孔の面積比が１．５％以下であるナノポーラスファイバーにより達成される。 - 特許庁 - Further, the wavelength of the light made incident on the bismuth-substituted rare earths iron garnet single crystal is set to 1,030 nm to 1,090 nm, and the bismuth-substituted rare earths iron garnet single crystal is provided to one face or both faces of the garnet substrate.
更に、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶に入射する光の波長を1030nm以上かつ1090nm以下に設定し、ガーネット基板の片面又は両面にビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を設ける。 - 特許庁 - A press-molded product which is press-molded by using the releasing layer has such a surface roughness that the maximum height (Rmax) is not more than 500 nm, and a center line mean roughness (Ra) is not more than 50 nm, when measured by a method specified in JIS B0601.
また、この離型層を用いてプレス成形されたプレス成形体の表面粗さは、ＪＩＳ Ｂ０６０１で規定される最大高さＲ_maxが５００ｎｍ以下、中心線平均粗さＲ_aが５０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - To provide an excellent photosensitive resin composition having sufficient transmittance when a source of light having ≤160 nm wavelength, specifically F_2 excimer laser light (157 nm) is used and ensuring small line edge roughness and small dependence on development time.
１６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像時間依存性が小さく優れた感光性樹脂組成物を提供することである。 - 特許庁 - An additional oxidation process is carried out in an atmosphere that contains water vapor, whereby a silicon oxide film 162 of thickness 5 nm is formed on the first region 11a, and a silicon oxide film 172 of thickness 8 nm is formed on the second region 11b.
水蒸気を含む雰囲気中で追加酸化を行い、第１の領域１１ａに、膜厚５ｎｍのシリコン酸化膜１６_2 を、第２の領域１１ｂに膜厚８ｎｍのシリコン酸化膜１７_2 を形成する。 - 特許庁 - The PON also transmits a voice and a data to the end user on a band of 1,480 to 1,500 nm and still more receives the voice and the data from the end user on a band of 1,260 to 1,360 nm.
ＰＯＮはまた、１４８０〜１５００ｎｍ帯上でエンドユーザに音声およびデータを送信することもでき、さらに、１２６０〜１３６０ｎｍ帯上でエンドユーザから音声およびデータを受信することもできる。 - 特許庁 - At the forming of the wiring 12, an interval between conductors 12a and 12b, between which no contact hole is formed is set at 400 nm and that between conductors 12b and 12c between which a contact hole is to be formed is set at 1,000 nm (a).
このとき、コンタクトホールを形成しない導体配線１２ａ，１２ｂ間の間隔を４００ｎｍとし、コンタクトホールを形成すべき導体配線１２ｂ，１２ｃ間の間隔を１０００ｎｍとする（図１（ａ））。 - 特許庁 - In the magnetic tape having the width of 8 mm, for example, the thickness of the protective film in a region E_1 that is 1 mm from the upper edge part with respect to the width direction of the tape is 15±3 nm, and the thickness of the protective film in the other region E_2 is 10±3 nm.
例えばテープ幅８ｍｍの磁気テープにおいて、テープ幅方向の上エッジ部から１mmの領域Ｅ_1の保護膜厚を１５±３nm、それ以外の領域Ｅ_2の保護膜厚を１０±３nmに形成する。 - 特許庁 - Surface roughness of not more than 5.0 nm and the maximum roughness of not more than 55 nm are selected as a hole injection electrode made of a transparent conductive material, and diameters of foreign materials attaching on the electrode surface is to be not more than 3 μm.
透明導電材からなる正孔注入電極として、表面粗さが５．０ｎｍ以下、最大粗さが５５ｎｍ以下のものを選択し、該電極表面に付着した異物は直径が３μｍ以下とする。 - 特許庁 - Here, λ is set to a lower limit 400 (nm) of a visible light wavelength and Lc is set to a distance (nm) between an end of a light-shielding layer and an end of a channel region.
光導波路に侵入しうる光がチャネル部に到達しないようにするためには、第１絶縁体層の層厚ｔ（ｎｍ）、屈折率をｎとした場合、以下の式で表されるｔ＜（０．６１×λ）／（ｎ×ｓｉｎθ）。 - 特許庁 - An Si thin film 2 of thickness 100 nm is formed on a sapphire substrate 1 of thickness 300 μm, and an AlN intermediate layer 3 of thickness 200 nm is grown in crystal on the Si thin film 2 at a substrate temperature of 1000°C.
厚さ３００μｍのサファイア基板１上に、厚さ１００ｎｍのＳｉ薄膜２を形成し、基板温度１０００℃で，Ｓｉ薄膜２上に厚さ２００ｎｍのＡｌＮ中間層３を結晶成長する。 - 特許庁 - To provide a reflecting film of an optical recording medium, which has a high reflectivity of light in a range between a short wavelength of 380 nm and a long wavelength of 780 nm, and superior corrosion resistance, and to provide a sputtering target material for manufacturing it.
３８０ｎｍの短波長から７８０ｎｍの長波長まで光の反射率が高く、耐食性に優れた光学記録媒体の反射膜とそれを製造できるスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁 - The photoresists contain the adhesion promotion component including the Si containing group, exhibit good resolution and adhesion to underlying inorganic surfaces such as SiON, silicon oxide, silicon nitride and other inorganic surfaces, and particularly useful for the ion lithography applications and are useful for sub 300 nm, sub 200 nm, and a short wavelength image formation such as 248 nm, 193 nm, and EUV.
本発明のフォトレジストは、Ｓｉ含有基を含む接着促進成分を含有するフォトレジストであり、これを用いることでＳｉＯＮ、酸化ケイ素、窒化ケイ素および他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な解像度、接着性を示し、イオン注入リソグラフィ用途に特に有用であり、サブ３００ｎｍ、および２００ｎｍ、例えば２４８ｎｍ、１９３ｎｍおよびＥＵＶをはじめとする短波長像形成に有用である。 - 特許庁 - The medium (1) contains all of the photochromic compound groups: a group having a 450 to <550 nm maximum absorption wavelength in a coloring state, a group having a 550 to <650 nm maximum absorption wavelength in a coloring state, and a group having 400 to <500 nm and 600 to <700 nm maximum absorption wavelengths of its two or more absorption bands in a coloring state.
フォトクロミック化合物群は、発色状態における極大吸収波長がそれぞれ４５０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の範囲にあるものと、５５０ｎｍ以上６５０ｎｍ未満の範囲にあるものと、発色状態における吸収帯を２つ以上有するうちの２つの吸収帯の極大吸収波長が４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満及び６００ｎｍ以上７００ｎｍ未満の範囲にあるものと、のすべてを含有するものとする。 - 特許庁 - When filling the ultraviolet curing resin in the hole of the object, exposing the ultraviolet curing resin in the hole with the ultraviolet ray, and curing it, the exposure device of the ultraviolet curing resin irradiates the ultraviolet curing resin with the ultraviolet ray whose intensity distribution has an intensity peak wavelength 365 nm in a wavelength range 350-370 nm and an intensity peak wavelength 410 nm in a wavelength range 390-420 nm.
対象物の孔内に紫外線硬化型樹脂を充填し、この孔内の紫外線硬化型樹脂を紫外線により露光して硬化させるに際して、紫外線の強度分布が、波長範囲３５０〜３７０ｎｍにおける強度ピーク波長３６５ｎｍと、波長範囲３９０〜４２０ｎｍにおける強度ピーク波長４１０ｎｍを有した紫外線を、前記紫外線硬化型樹脂に照射する紫外線硬化型樹脂の露光装置である。 - 特許庁 - This insulating film is composed of a silica-based film having a coating film refractive index of 1.37-1.42 at 633 nm.
６３３ｎｍにおける塗膜屈折率が１．３７〜１．４２のシリカ系膜からなることを特徴とする絶縁膜。 - 特許庁 - It is preferable that the support layer has a mean pore diameter of 50 μm to 3 nm and porosity of 5 to 50%.
支持層は、平均細孔径５０μｍ〜３ｎｍ、および気孔率５〜５０％を有するものであるのが、好ましい。 - 特許庁 - A highly reflective film to a light of ≤450 nm is applied on the inner face 2a of a storing container 2.
収容容器２の内面２ａに、４５０ｎｍ以下の光に対する高反射率被膜が施されている。 - 特許庁 - The fine ruggedness on the surface of the flat parts is formed so that the average spacing (S_m) of a roughness curve is ≤700 nm.
めっき面平坦部の微細凹凸は、粗さ曲線の凹凸の平均間隔（Ｓ_m）が７００ｎｍ以下である。 - 特許庁 - Further, response characteristics become better by employing one not having pores of which the pore size is 8-20 nm.
さらに、８〜２０ｎｍの範囲にある細孔も有さないものを採用するとより応答特性が良好となる。 - 特許庁 - Pulse width of the excimer KrF laser is set as 5 ns, optical intensity is set as 100 mJ/cm2, and beam diameter is set as 30 nm.
エキシマＫｒＦレーザのパルス幅は５ｎｓ、光強度１００ｍＪ／ｃｍ^2、ビーム径は３０ｍｍとする。 - 特許庁 - The component (2) is particles which are within a range of 10 to 50 nm in volume average particle diameter that is obtained through a dynamic light scattering method.
（２）動的光散乱法により求められる体積平均粒子径が１０〜５０ｎｍの範囲の粒子。 - 特許庁 - To provide a fluorescent substance emitting the light by being excited by the light having a light emission peak at 370-460 nm.
３７０ｎｍ〜４６０ｎｍに発光ピークを有する光で励起されて発光する蛍光体を提供する。 - 特許庁 - It is also preferable that the raw material fine particles in which the average particle diameter of the primary particles is ≤200 nm is used.
原料微粒子として一次粒子の平均粒径が２００ｎｍ以下のものを用いることも好ましい。 - 特許庁 - An oxide film 8 having thickness exceeding 30 nm is formed on a face in contact with demineralized water W inside a container 2.
コンテナ２内部において、純水Ｗと接する面に30ｎｍを超える厚さの酸化膜８を形成する。 - 特許庁 - By this production method, a crystal of nano-vanadium which does not contain 0 and has a layer length of 100 nm or less is obtained.
かかる製造方法では、０を含まない層長が１００ｎｍ以下のナノバナジウムの結晶が得られる。 - 特許庁 - To obtain, in a GA_2S_4: Eu phosphor, high luminance even when a particle size is set to 1,000 nm or less.
ＧＡ_2Ｓ_4：ＥＵの蛍光体について、１０００ＮＭ以下の粒子サイズとしても、高い輝度が得られるようにする。 - 特許庁 - The char usually has a total specific surface area of ≥200 m^2/g and a mean pore diameter of 2.0-3.5 nm.
前記チャーは、通常、全比表面積が２００ｍ^2／ｇ以上、平均細孔直径が２．０〜３．５ｎｍである。 - 特許庁 - The surface roughness of the positive electrode 20's surface in contact with the planarized layer 30 is 0.5 nm or more.
そして、陽極２０は、その平坦化層３０と接する表面の表面粗さが０．５ｎｍ以上である。 - 特許庁 - A back light 31 is used which irradiates light with half value width to peak luminance 5 nm or more.
バックライト３１としては、ピーク輝度に対する半値幅が５ｎｍ以上である光を照射するものを用いる。 - 特許庁 - A silicon carbide single crystal treated to be ground to ≤0.9 nm surface roughness Rms is used as the seed crystal 5.
種結晶５として、表面粗さＲｍｓを０．９nm以下に研磨処理した炭化硅素単結晶を用いる。 - 特許庁 - A wafer is irradiated with ultraviolet rays to form an oxide film whose thickness is 1 nm or greater on the surface of the wafer.
ウェハに対して紫外線照射を行い、ウェハの表面に厚みが１ｎｍ以上の酸化膜を形成する。 - 特許庁 - The thickness of the Mg film deposited by the first unit deposition processing is 0.3-0.5 nm.
１回目の単位成膜処理において堆積されるＭｇ膜の膜厚は、０．３ｎｍ以上０．５ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The formation of the upper electrode 6 by sputtering is carried out at a deposition rate of 50 nm/min or lower.
また、スパッタ法による上部電極６の形成は、５０ｎｍ／ｍｉｎ以下の成膜速度で行われることとする。 - 特許庁 - An a-Ge film 2 with a film thickness of 80 to 240 nm is formed on a substrate 1 (refer to step (b)).
８０〜２４０ｎｍの膜厚を有するａ−Ｇｅ膜２が基板１上に形成される（工程（ｂ）参照）。 - 特許庁 - Since the nitride layer 7 is specified to have ≤10 nm thickness, the optical enhancement effect is not affected by the nitride layer 7.
また、窒化物層７は１０ｎｍ以下とされているため、光学的エンハンスメント効果に影響することがない。 - 特許庁 - In this method of producing the semiconductor element, an AlN foundation layer is formed preferably 9-18 nm thick on a (La0.29Sr0.71)(Al0.65 Ta0.35) O3 substrate having a perovskite layer.
ペロブスカイト構造の(La_0.29Sr_0.71)(Al_0.65Ta_0.35)O_3基板上に、AlN下地層を好ましくは９〜１８ｎｍの厚さに形成する。 - 特許庁 - The grease G includes perfluoropolyether oil, fluoroplastic and inorganic fine particles having a primary particle size of ≤50 nm.
このグリースＧは、パーフルオロポリエーテル油と、フッ素樹脂と、一次粒径が５０ｎｍ以下の超微粒子と、を含有している。 - 特許庁 - In the optical recording medium mentioned in (1), the protective layer in contact with the recording layer has 2 to 30 nm average crystal particle diameter (2).
（２）記録層と接する保護層の平均結晶粒径が、２〜３０ｎｍである（１）記載の光記録媒体。 - 特許庁 - The thickness of the coat 2 is preferably 1,000 nm or more and the element ratio of the iron and the tin is most preferably 3:1.
被膜２の厚みは１０００ｎｍ以上がより好ましく、鉄とスズの元素比は３：１が最も好ましい。 - 特許庁 - The coating material can be any material that does not prevent the transmission of below 250 nm electromagnetic radiation.
コーティング材料は、２５０ｎｍ未満の電磁放射線の透過を妨げない任意の材料であってもよい。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
