「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 56 57 58 59 60 61 62 63 64 .... 287 288 次へ＞- The quantum well structure 17 is formed to have a light emission peak wavelength of 410 nm or longer.
量子井戸構造１７は、波長４１０ｎｍ以上の発光ピーク波長を有するように形成されている。 - 特許庁 - The dielectric layer having the highest refractive index has a refractive index of 2.3 or more at a wavelength of 405 nm.
最も屈折率が大きい誘電体層の屈折率は、波長４０５ｎｍにおいて２．３以上である。 - 特許庁 - The removed surface layer 21 is preferably a layer by 4-6 nm in thickness from the surface 201 of the polyester resin 2.
表面層２１は、ポリエステル樹脂２の表面２０１から４〜６ｎｍの厚み分の層であることが好ましい。 - 特許庁 - Subsequently, a second metal layer 106c of gold (Au) is further deposited by about 300 nm.
その後更に、金（Ａｕ）から成る第２金属層１０６ｃを蒸着によって約３００ｎｍの膜厚で積層した。 - 特許庁 - To provide a method for accurately measuring light transmittance of synthetic quartz glass at the wavelength of 165 nm of below.
波長１６５ｎｍ以下における合成石英ガラスの光透過率を精度良く測定する方法を得る。 - 特許庁 - The polyolefin-based polymer in the polymer emulsion has preferably an average particle diameter of 10 to 1,000 nm.
前記ポリマーエマルジョンにおけるポリオレフィン系ポリマーの平均粒径が、１０〜１０００ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium which is particularly suitable for recording and reproduction by laser beams having wavelength of 530 nm or below.
特に、波長５３０ｎｍ以下のレーザー光による記録・再生に適した光学記録媒体を提供する。 - 特許庁 - After forming silicon grains of a diameter ≤10 nm on an oxide film, the polycrystal silicon-germanium film is formed.
酸化膜上に粒径１０ｎｍ以下のシリコン微粒子を形成した後、多結晶シリコンゲルマニウム膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a positive type resist composition which has high transmittance at 157 nm of a F2 excimer laser.
Ｆ_2エキシマレーザー（１５７ｎｍ）における透過率が高い化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - The plurality of protrusions 112 are irradiated with UV 63 having 150 to 450 nm wavelength.
次に、複数の凸部１１２に対して、波長が１５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の紫外線６３を照射する。 - 特許庁 - The norbornene-based resin film is used, whose transmittance of ultraviolet rays having a wavelength of 380 nm or less is 40% or less.
波長３８０ｎｍ以下の紫外線透過率が４０％以下であるノルボルネン系樹脂フィルムを使用する。 - 特許庁 - The spikes are, for example, Al or an aluminum-containing material, such as AlAs and have a thickness of he order of 1 nm.
スパイクは、例えば、Ａｌ、またはＡｌＡｓ等のアルミニウムを含む材料であり、厚さが約１ｎｍである。 - 特許庁 - The coating composition contains fine particles having the hydrophobic surfaces and particle diameters of ≤100 nm in an organic solvent.
コーティング組成物は、有機溶媒中に、表面が疎水性で、粒子径が１００ｎｍ以下の微粒子を含有する。 - 特許庁 - The ultraviolet rays by the low-pressure discharge tube 20 has a UVA wavelength region of 315-400 nm.
前記紫外線は、低圧放電管２０によるＵＶＡ波長域（３１５ｎｍ〜４００ｎｍ）の紫外線である。 - 特許庁 - To provide a polyacetal resin having a new crystal structure characterized by a lamellar period structure of 20-40 nm at 25°C.
25℃において20〜40nmのラメラ周期構造を有する、新規な結晶構造を有するポリアセタール樹脂を提供する。 - 特許庁 - The hydrophilic layer additionally contains porous metal oxide particles 100 nm or below in average particle size.
上記 において、親水性層がさらに平均粒径が１００ｎｍ以下の金属酸化物粒子を含有する。 - 特許庁 - Especially, emitted light of 700 nm which is less absorbed by hemoglobin and has superior permeability to the human body is irradiated.
特に、ヘモグロビンによる吸収が少なく人体の透過性に優れる７００nmの放射光を放射する。 - 特許庁 - The reflecting plate 70 has a low reflectance, with respect to the beam of He-Ne laser (wavelength: 632.8 nm).
この反射基板７０は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ（波長６３２.８ｎｍ）の光に対しては低反射率である。 - 特許庁 - Atomic carbon having a diameter of ≤1 nm is made to exist in water, and negative ions are made to stay in water.
直径が１ｎｍ以下の原子状炭素を水中に存在せしめ、マイナスイオンを水中に滞留させた。 - 特許庁 - The pulse laser beam source 10 outputs a pulse laser beam (pump beam) of which the center wavelength is 1,064 nm band.
パルスレーザ光源１０は、中心波長が１０６４ｎｍ帯であるパルスレーザ光（ポンプ光）を出力する。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium in which successful recording and reproduction are possible by laser with wavelength of 300-900 nm.
波長３００〜９００ｎｍのレーザーで良好な記録および再生が可能な光記録媒体を提供する。 - 特許庁 - To give an ultraviolet ray (wavelength 365 nm) reactive emission printing/ordinary printing to a racket sheet (ball hitting face) for a table tennis.
卓球用ラケットシート（打球面）に紫外線（波長３６５ｎｍ）反応発光印刷／通常印刷を行う。 - 特許庁 - Repeating the unit thinning process can control the resonance wavelength with the precision of 0.39 nm per process.
単位減厚工程を繰り返すことにより１工程あたり0.39nmの精度で共振波長を制御することができる。 - 特許庁 - The transmission devices N1 to Nm broadcast (IS Hellow) periodically to other transmission devices.
そして、各伝送装置Ｎ１〜Ｎｍから他の伝送装置に対して、定期的に（IS Hellow）をブロードキャスト的に送出させる。 - 特許庁 - To improve light emission characteristics of a nitride-based semiconductor light emitting device having a light emission wavelength of ≥430 nm.
４３０ｎｍ以上の発光波長を有する窒化物系半導体発光素子の発光特性を改善する。 - 特許庁 - The nonmagnetic support includes a filler having an aspect ratio set to 50 to 10,000, and a thickness set to 0.5 to 5 nm.
前記非磁性支持体が、アスペクト比が５０〜１００００であり、かつ厚みが０．５〜５ｎｍであるフィラーを含む。 - 特許庁 - A copper paste made of copper powder, an organic vehicle, and SiO_2 particulates having an average particle size of 50 nm or less is obtained.
銅粉末と有機ビヒクルと平均粒子径が５０ｎｍ以下のＳｉＯ_2微粒子よりなる銅ペーストを得る。 - 特許庁 - To provide a lens for glasses with particularly low optical transmission ratio of short wavelength visible rays lower than 500 nm and glasses.
５００ｎｍ以下の短波長可視光線の光透過率が特に低い眼鏡用レンズ、及び、眼鏡の提供。 - 特許庁 - To provide a highly reliable semiconductor laser element having good temperature characteristics and oscillating in 650 nm wavelength band.
６５０ｎｍ波長帯で発振する、温度特性がよく信頼性の高い半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁 - The average particle size of silver powder of the silver paste is approximately 10 nm and the softening point of the glass frit is approximately 420°C.
銀ペーストの銀粉体の平均粒径は略１０ｎｍとし、ガラスフリットの軟化点が略４２０℃とする。 - 特許庁 - The cleaning tool is obtained by using a fabric containing polyester filament yarn A in which the diameter of a single fiber ranges from 10 to 1,000 nm.
単繊維径が１０〜１０００ｎｍのポリエステルフィラメント糸Ａを含む布帛を用いて洗浄用具を得る。 - 特許庁 - A light source 5 irradiates the substrate 7 with a light having a wavelength longer than 210 nm as a light of the ultraviolet region.
光源５は紫外光領域の光として２１０ｎｍより長波長の光を基板７に照射する。 - 特許庁 - Also, CNT fibers with a diameter of 5 to 15 nm are included in the plurality of CNT fibers.
また、前記複数のＣＮＴ繊維の内に、直径５〜１５ｎｍであるＣＮ繊維Ｔが５０％以上含まれる。 - 特許庁 - To provide a mesoporous material composed of a crystalline metal oxide having 10-200 nm particle diameter and its sol.
粒子径が１０〜２００ｎｍと小さい結晶性の金属酸化物からなるメソポーラス物質とそのゾルの提供。 - 特許庁 - When current is injected, a light having a wavelength of about 840 nm is generated from an active layer 13.
電極４に電流を注入すると、活性層１３から８４０nm近傍の波長の光が発生する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING RARE EARTH OXIDE FINE POWDER HAVING 100 NM OR LESS PRIMARY PARTICLE SIZE, AND RARE EARTH OXIDE FINE POWDER
一次粒子径が１００ｎｍ以下の希土類酸化物微粉の製造方法及び希土類酸化物微粉 - 特許庁 - The first and second electrodes are separated from each other with a nano dimension gap 106 of about 1-8 nm, for example.
第１及び第２の電極は例えば、約１〜約８ｎｍのナノ寸法ギャップ（１０６）により隔てられる。 - 特許庁 - The back layer 13 has an average reflectance of 3.5% or less to light having a wavelength of 380-780 nm.
裏面層１３は、波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの光に対する平均反射率が３．５％以下である。 - 特許庁 - To obtain a resist mask which has a sufficient resolution in the case of using the exposure light of which wavelength is 200 nm or more.
波長２００ｎｍ以上の露光光を用いる場合でも充分な解像性を持つレジストマスクを得る。 - 特許庁 - To provide a novel spinel sintered compact having excellent permeability of vacuum ultraviolet light having a wavelength of 193 nm.
波長１９３ｎｍの真空紫外光の透過性に優れた新たなスピネル焼結体を提供する。 - 特許庁 - The wiping tool uses a nanofiber that is composed of an organic polymer and has 1-500 nm single filament diameter.
有機ポリマーからなり数平均による単繊維直径が１〜５００ｎｍであるナノファイバーを含むワイピング用具。 - 特許庁 - The absorption spectrum of its chloroform soluble component has the maximum value at least substantially at 241 or 245 nm.
なお、そのクロロホルム可溶性分の吸収スペクトルは、少なくとも実質的に241 又は245nm に極大値を有する。 - 特許庁 - To provide a photoresist monomer and a photoresist polymer usable even for a VUV (157 nm) light source.
ＶＵＶ（１５７ｎｍ）光源でも用いることができるフォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体を提供する。 - 特許庁 - To definitely and easily sort particles that are called nano particles (chiefly, diameter of 10 nm or less).
ナノ粒子（主として直径１０ｎｍ以下）と呼ばれる微粒子を高スループットで確実且つ容易にサイズ選別する。 - 特許庁 - At least one agent shielding 370-500 nm wave length beams is applied to the skin.
３７０〜５００ｎｍの範囲の波長の光線を遮蔽する少なくとも一の薬剤を皮膚表面に適用する。 - 特許庁 - The dimple like shape preferably has 0.1 to 100 nm depth.
特に上記ディンプル形状の深さが、０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好適であることを見出した。 - 特許庁 - To provide a method of drawing an interatomic force electron beam line which draws an electron beam line of a detailed pattern of 10 nm or less.
１０ｎｍ以下の微細パターンの電子線描画を可能とする原子間力電子線描画法の提供。 - 特許庁 - Since optical filter 18 has characteristics for cutting a whole of light on an outer side of infrared rays beyond a threshold of wavelengths longer than 805 nm and shorter than 815 nm, in a xenon lamp used generally as a light source, the heat ray on a side including around 825 nm which becomes substantially a first peak P of a radiation intensity can be surely removed.
光学フィルター１８が、８０５ｎｍより大きく８１５ｎｍより小さい波長である閾値よりも赤外側の光を全てカットする特性のため、光源として広く使用されているキセノンランプの放射強度の実質的に最初のピークＰとなる８２５ｎｍ付近を含む赤外側の熱線を確実に除去することができる。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition suitable for use of an exposure light source of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm) and to concretely provide a positive resist composition having satisfactory transmittance when a light source of 157 nm is used and forming a resist film which suppresses outgassing and has resistance to side lobe light when exposed.
１６０ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、レジスト膜に露光した際のアウトガス量が抑制され、且つサイドローブ光耐性が改善されたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - In the paper for inkjet recording with the interstice type ink receiving layer comprising a fine particle with a mean particle diameter of 5-100 nm as a main ingredient, the paper for inkjet recording is characterized by comprising a cationic or nonionic polymer dispersion with a glass transition temperature of -30 to 40°C and a mean particle diameter of at least 1 nm and smaller than 50 nm.
平均粒子径５〜１００ｎｍの微粒子を主成分とする空隙型インク受容層を有するインクジェット記録用紙において、ガラス転移温度が−３０〜４０℃で、かつ平均粒子径が１ｎｍ以上５０ｎｍ未満であるカチオン性または非イオン性の重合体分散物を該受容層に含有することを特徴とするインクジェット記録用紙。 - 特許庁
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