「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 55 56 57 58 59 60 61 62 63 .... 287 288 次へ＞- Next, a buffer layer 2 of AlN is formed with a thickness of about 40 nm, mainly on each upper step face and on each bottom face of the steps of the substrate 1.
次にAlNのバッファ層２を約40nmの厚さに基板１の段差の主に上段面と底面に形成する。 - 特許庁 - Further, the content of Ti comprised in precipitates with a size of <20 nm is 450 to 1,800 mass ppm, and the content of V is 350 to <1,200 mass ppm.
さらに、大きさが20nm未満の析出物に含まれるTiは450mass ppm以上1800mass ppm以下、Vは350 mass ppm以上1200mass ppm未満である。 - 特許庁 - To provide a technique, with which breaking of a tungsten wire having grain size of about 120 nm or smaller can be reduced.
約１２０ｎｍ以下のタングステン配線における断線を低減することのできる技術を提供する。 - 特許庁 - The panel is provided with a polymeric film having the optical anisotropy set with a retardation of ≤200 nm.
また、リターデーションが２００ｎｍ以下に設定された光学異方性を有する高分子フィルムが設けられている。 - 特許庁 - The RC represents the shape of the ski jump 22, and the RC is defined to be 50 nm or less.
そして、このＲＣでスキージャンプ２２の形状を表現するとともに、同ＲＣは５０ｎｍ以下とされている。 - 特許庁 - An ITO 30 is formed by vapor deposition to a thickness of 150 nm on the whole face of one side of the glass substrate 10.
ガラス基板１０の片面全面に、蒸着によりＩＴＯ３０を１５０ｎｍの厚みで形成した。 - 特許庁 - Crystalline particles (nano particles) of 1 to 100 nm in grain size are preferably incorporated into the blank.
なお、前記素材には粒径が１〜１００ｎｍの結晶質粒子（ナノ粒子）が含まれていることが好ましい。 - 特許庁 - In this rubber composition, it is preferable that the fine spherical silica have an average particle size (D50) of 20-100 nm.
前記微粒子球状シリカが２０〜１００ｎｍの平均粒子径（Ｄ５０）を有するタイヤトレッド用ゴム組成物。 - 特許庁 - To provide a magnetic disk having suitable wear resistance and sliding characteristics even when a protective layer has ≤3 nm film thickness and suitable for an LUL system.
３ｎｍ以下の保護層膜厚であっても、耐摩耗性、摺動特性に好適な磁気ディスクを提供する。 - 特許庁 - The titanium oxide structure is a rod-like, tubular or fibrous titanium oxide structure comprising connected particulate titanium oxide, wherein the particulate titanium oxide has an average particle diameter of 1-200 nm.
粒子状酸化チタンが連なってなる棒状、管状又は繊維状の酸化チタン構造体。 - 特許庁 - To provide a phosphor, which emits light by being excited by a light having an emission peak at 360-460 nm.
３６０ｎｍ〜４６０ｎｍに発光ピークを有する光で励起されて発光する蛍光体を提供する。 - 特許庁 - A surface layer of the average thickness of less than 1,000 nm is provided on the positive electrode 2.
正極２上には、二硫化鉄酸化物からなる平均厚さ１０００ｎｍ未満の表面層を有する。 - 特許庁 - The average primary particle diameter of the polishing grains included in the polishing composition is preferably 10-90 nm.
研磨用組成物中に含まれる砥粒の平均一次粒子径は１０〜９０ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - The hollow fibrous carbon is preferably of a 100 nm or less inner diameter, and a 100 μm or less fiber length.
中空繊維状カーボンは内径が１００ｎｍ以下で、繊維長が１００μｍ以下のものが好ましい。 - 特許庁 - Thereafter, an oxide film 10 is backed by 3 nm or more in the surface direction of the substrate 1 by diluted HF.
その後、希釈したＨＦにより酸化膜１０を３ｎｍ以上、基板１の表面方向に後退させる。 - 特許庁 - The calculated dispersion information Dg is added to the gate length information 1g (lg=120 nm) in the description of a net list 600.
ネットリスト６００の記述内のゲート長情報ｌｇ（ｌｇ＝１２０ｎｍ）に、算出されたばらつき情報Ｄｇを加算する。 - 特許庁 - In one illustrative embodiment, the average particle diameter is about 1-25 μm and the average asperity Ra is about 3-100 nm.
一実施の形態において、その平均粒径は約１〜２５μｍ、平均粗さＲ_aは約３〜１００ｎｍである。 - 特許庁 - The average primary grain diameter of the silica abrasive grains is 30 nm or less, and the pH of the polishing composition is 4 or lower.
シリカ砥粒の平均一次粒子径は３０ｎｍ以下であり、研磨用組成物のｐＨは４以下である。 - 特許庁 - To provide a resin that has a refractive index of more than 1.72 in 193 nm and is useful as a chemical amplification type resist.
１９３ｎｍにおける屈折率が１．７２以上であり、かつ化学増幅型レジスト用樹脂の提供。 - 特許庁 - A lower end of the silicide 11 is positioned within a range of ±10 nm vertically from a surface position of the channel.
シリサイド１１の下端の位置は、チャネルの表面位置に対し、上下方向で±１０ｎｍの範囲内に存在する。 - 特許庁 - In a process of forming the second electrode, the protection layer moderates deterioration of the layer of the thickness of 10 nm or less.
第２の電極を形成する工程において、保護層が厚さ１０ｎｍ以下の層の劣化を軽減する。 - 特許庁 - An very thin oxide film of about 1 nm is readily formed uniformly on the surface of a bottom part of a contact opening part.
コンタクト開口部底部表面には極薄い１ｎｍ程度の酸化膜が均一に形成され易くなる。 - 特許庁 - The interval between a lower magnetic layer 15 of the TMR element 18 and the 2nd metal wire 19 is ≤200 nm.
ＴＭＲ素子１８の下磁性層１５と第２のメタル配線１９の間の間隔は、２００ｎｍ以下である。 - 特許庁 - This allows pinholes to be positioned in Fresnel zones that are narrower than a limit of production (20 to 40 nm).
これにより、ピンホールが製造の限界（２０〜４０ｍｍ）よりも狭いフレネルゾーンに配置することが可能となる。 - 特許庁 - The component (1) is particles which are within a range of 60 to 150 nm in volume average particle diameter that is obtained through a dynamic light scattering method.
（１）動的光散乱法により求められる体積平均粒子径が６０〜１５０ｎｍの範囲の粒子。 - 特許庁 - A sintered body of refined crystal grains 11 (10-900 nm) is used for a dielectric 8.
誘電体８には、結晶粒１１を極度に微細化（１０ｎｍ〜９００ｎｍ）した焼結体が用いられている。 - 特許庁 - The film thickness of the tip of a head bias layer 11 that gives a bias magnetic field to a free layer is set at 11 nm or larger.
フリー層６にバイアス磁界を与えるハードバイアス層１１先端の膜厚を１１ｎｍ以上とする。 - 特許庁 - The diameter of each pit 20 at the interface between the n-type cladding layer 13 and the light-emitting layer 14 ranges from 110 to 150 nm.
ｎ型クラッド層１３と発光層１４との界面でのピット２０の直径は１１０〜１５０ｎｍである。 - 特許庁 - The average particle diameter of the fine particle of a thermoplastic organic polymer is not more than 300 nm.
熱可塑性有機高分子微粒子の平均粒子径が３００ｎｍ以下である両面光沢インクジェット記録シート。 - 特許庁 - The reflection layer 13 is made 30 to 500 nm thick to enhance the heat radiation effect of the reflection layer 13.
反射層１３の厚みを３０〜５００ｎｍとすることにより、反射層１３の放熱効果を高めている。 - 特許庁 - The MQW-SCH active layer 46 has a band gap of 1560 nm expressed in terms of wavelength.
ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４６の活性層のバンドギャップは、波長に換算して１５６０ｎｍである。 - 特許庁 - An average reflectance of the light reflection member in a wavelength region of 300-700 nm is, preferably, 80% or higher.
また、３００〜７００ｎｍの光の波長域の平均反射率は、８０％以上であることが好ましい。 - 特許庁 - The third layer 103 is made of material in which the refractive index at design center wavelength 510 nm is approximately 1.38.
第３層１０３は、設計中心波長５１０ｎｍにおける屈折率が約１．３８である材料からなる。 - 特許庁 - The second layer 102 is made of material in which the refractive index at design center wavelength 510 nm is approximately 2.10.
第２層１０２は、設計中心波長５１０ｎｍにおける屈折率が約２．１０である材料からなる。 - 特許庁 - The nitride film 7 is formed only above the photodetection parts 3 and the thickness thereof is 0.1 to 5 nm.
この窒化膜７は、受光部３の上方にのみに形成されており、その膜厚は０.１ｎｍ〜５ｎｍである。 - 特許庁 - As a result, the continuous light having the wavelength of 210 nm or less can be generated with a simple structure.
この結果、簡単な構成で、２１０ｎｍ以下の波長を有する連続光を発生させることができる。 - 特許庁 - The first layer 101 is made of material in which the refractive index at design center wavelength 510 nm is approximately 1.65.
第１層１０１は、設計中心波長５１０ｎｍにおける屈折率が約１．６５である材料からなる。 - 特許庁 - The length of the magnetic resistive element 6 in the longitudinal direction of the cantilever 11 is set between 10 nm and 1 μm.
カンチレバー１１の長手方向における磁気抵抗素子６の長さを、１０ｎｍと１μｍとの間とする。 - 特許庁 - When the gate insulating film 3 is a silicon nitride film, the film thickness is set so as to be not less than 380 nm.
そのゲート絶縁膜３がシリコン窒化膜の場合、膜厚は３８０ｎｍ以上を有することが必要である。 - 特許庁 - The photoelastic coefficient of the condenser lens 5 is set to be {B(10^-12×Pa)}<1.0 (unit: nm/cm/10^5Pa).
集光レンズ５の光弾性係数Ｂを｛Ｂ（１０^-12×Ｐａ）｝＜１.０（単位：ｎｍ／ｃｍ／１０^5Ｐａ）とする。 - 特許庁 - To provide a discharge lamp having a large integration spectroscopy radiant intensity of ultraviolet rays of a wavelength 300-340 nm.
波長３００〜３４０ｎｍの紫外線の積分分光放射強度が大きい放電ランプを提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor light emitting element capable of emitting light having a wavelength of 200-300 nm with high efficiency.
波長２００ｎｍから３００ｎｍの間の光を高効率で発光する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - Particularly, when the thickness of the platinum film is formed 50-200 nm, the capacitor having excellent characteristics is formed.
特に、白金膜の厚さを５０ｎｍ〜２００ｎｍとすると、特性の優れたキャパシタを形成することができる。 - 特許庁 - To provide a light guide plate and a lighting device which can use even short-wavelength light of ≤400 nm.
４００ｎｍ以下の短波長の光も利用することができる導光板及び照明装置を提供する。 - 特許庁 - The crystallization promoting layer 13 is formed in ≤5 nm massive film thickness from Bi and/or a Bi compound.
結晶化促進層１３は、Ｂｉ及び／又はＢｉ化合物から５ｎｍ以下の質量膜厚で形成する。 - 特許庁 - To provide a photolithographic resist composition using an ultraviolet radiation of ≤250 nm and a polymer for the composition.
２５０ｎｍ以下の紫外線を使用するフォトリソグラフィー用レジスト組成物および該組成物用ポリマーを与えること。 - 特許庁 - To form a semiconductor device, configured in a large-particle diameter with thickness of 50 nm or smaller, by making it melt completely using a laser beam.
レーザビームで完全溶融させて、厚さが５０ｎｍ以下の大粒径結晶でなる半導体膜を形成する。 - 特許庁 - Preferably the respective liquid crystal layers 11, 12,..., 1n cover a wavelength region of ≥200 nm range.
各液晶層１１，１２，…，１ｎは、好ましくは２００ｎｍ以上の範囲の波長域をカバーするようにするとよい。 - 特許庁 - The platinum powder has the crystal grain size of 50 to 500 nm and the powder average grain size of 1 to 10 μm.
白金粉末は、その結晶粒径が５０〜５００ｎｍであり、粉末平均粒径が１〜１０μｍである。 - 特許庁 - The rope comprises high-tenacity polyethylene fibers ≤9 nm in monoclinic-derived crystalline size.
本発明は、モノクリニック由来の結晶サイズが９ｎｍ以下である高強度ポリエチレン繊維を含んでなるロープに関する。 - 特許庁
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