「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 46 47 48 49 50 51 52 53 54 .... 287 288 次へ＞- The fibrous filler has a mean thickness of 2-100 nm and a mean aspect ratio of 20-1,000.
繊維状充填材は、平均太さが２〜１００ｎｍであり、且つ平均アスペクト比が２０〜１０００である。 - 特許庁 - As the negative electrode material, a plurality of laminated layers of flat graphite nets 11 having the mean diameter of 10 nm-500 nm, and the graphite net is mainly formed from carbon nano fibers 12 practically vertical to the vertical axis of the fiber, and this carbon nano fiber has length of 1000 nm or more and aspect ratio of 10 or more.
負極材料が平均直径１０ｎｍ〜５００ｎｍの平面状のグラファイト網１１が複数積層されて形成され、グラファイト網がファイバの縦軸に対して実質的に垂直であるカーボンナノファイバ１２を主成分とし、このカーボンナノファイバが１０００ｎｍ以上の長さと、１０以上のアスペクト比を有する。 - 特許庁 - Thus, a fast MOSFET using an ultrathin oxide film of a film thickness ≤1.5 nm is realized.
これにより、膜厚１．５ｎｍ以下の極薄酸化膜を用いた高速ＭＯＳＦＥＴが実現できる。 - 特許庁 - To provide a radius end mill that obtains processing accuracy with an ultraprecise level of 10 nm or lower.
１０ｎｍ以下の超精密レベルの加工精度を実現できるようなラジアスエンドミルを提供すること。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition which is suitable for an exposure light source at ≤160 nm, in particular, F2 excimer laser light (at 157 nm), and specifically, to provide a positive resist composition which shows sufficient transmittance and favorable sensitivity when a light source at 157 nm is used and hardly induces a developing defect.
１６０ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ良好な感度を示し、かつ現像欠陥を生じにくいポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - The substrate for a display device has a light transmitting thin glass layer having 0.0015 to 0.5 mm thickness at least on one surface of a phase difference plate satisfying Re(450)<Re(550)<Re(650), wherein Re(450), Re(550) and Re(650) are retardation values at 450 nm, 550 nm and 650 nm wavelengths, respectively.
波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるレターデーション値をそれぞれＲｅ（４５０）、Ｒｅ（５５０）及びＲｅ（６５０）としたとき、Ｒｅ（４５０）＜Ｒｅ（５５０）＜Ｒｅ（６５０）を満たす位相差板の少なくとも一方の表面に、厚み０．００１５〜０．５ｍｍの透光性薄ガラス層を有することを特徴とする表示装置用基板である。 - 特許庁 - The boundary layer 18 between the first layer 12 and the second layer 13 is a rugged face having a pitch from 100 to 500 nm.
第１の層１２と第２の層１３の界面１８は１００〜５００ｎｍピッチの凹凸面である。 - 特許庁 - Respective measurement results are determined by extremely high resolution (e.g. at least 10 nm resolution).
各測定結果は、極めて良好な分解能（例えば、少なくとも１０ｎｍの分解能）で決定される。 - 特許庁 - The photosensitive resist for making up a plate is incorporated with a coloring matter which exhibits the maximum photosensitivity to a laser with a wave length of 830 nm and is sensitized by on-off irradiation of the laser to be able to draw a positive or negative latent image and is not sensitized by a laser with a wave length of 670 nm and absorbs the laser with a wave length of 670 nm.
８３０ｎｍの波長のレーザに極大の感光性を示して該レーザの点滅照射により感光してポジ型又はネガ型の潜像が描き込まれ得るとともに、６７０ｎｍの波長のレーザには感光せずかつ６７０ｎｍの波長のレーザを吸収する色素を含んでいる。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition which is suitable when an exposure light source of ≤160 nm wavelength, in particular, F_2 excimer laser light (at 157 nm) is used, and specifically, which exhibits sufficient transparency when a light source of 157 nm is used, and which has various excellent characteristics such as affinity with a developer solution, image forming property and dry etching resistance.
１６０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、現像液親和性、画像形成性、耐ドライエッチング性の諸特性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - This filter has the characteristic that a wavelength to make the transmittance to 20% is in a range from 610 to 680 nm in an attenuation curve of the transmittance formed toward a long wavelength side on the long wavelength side of at least 600 nm and the characteristic that the average transmittance of 400 to 700 nm is suppressed at 65 to 20% in combination.
少なくとも６００nmの長波長側で、長波長側に向かって形成される透過率の減衰曲線において透過率が２０％となる波長が６１０〜６８０nmの範囲である特性と、４００〜７００nmの平均透過率を６５〜２０％で抑制する特性とを兼ね備えたフィルターである。 - 特許庁 - The magnetic recording medium consisting of a substrate and a maghemite thin film formed thereon is characterized in that the maghemite thin film has 10-50 nm film thickness and 0.1-0.7 nm centerline mean roughness and 1-10 nm maximum roughness Rmax of its surface respectively.
基体と該基体上に形成されたマグヘマイト薄膜とからなる磁気記録媒体において、前記マグヘマイト薄膜の膜厚が１０〜５０ｎｍであり、且つ、マグヘマイト薄膜の表面の中心線平均粗さＲａが０．１〜０．７ｎｍであって、最大粗さＲｍａｘが１〜１０ｎｍである磁気記録媒体からなる。 - 特許庁 - A gate is located at each side of a silicon film which is about 80 nm or below in vertical thickness and positioned in a gate region.
ゲートは、ゲート領域に位置する垂直厚約８０ｎｍ以下のシリコン膜の両側にある。 - 特許庁 - To provide a method for preparing extremely fine emulsion having ≤100 nm disperse phase particles (oil droplets) diameter.
分散相粒子（油滴）径が１００ｎｍ以下の極めて微細なエマルションの作製方法を提供する。 - 特許庁 - The substrate for the display device has a plastic film having ≥70% average light transmittance in 400-700 nm wavelength and ≥100°C glass transition temperature and a gas barrier layer containing an inorganic laminar compound and a polymer and characteristically has 500-650 nm retardation (Re) value in 632.8 nm wavelength.
また、波長４００〜７００ｎｍにおける平均光透過率が７０％以上、ガラス転移点が１００℃以上のプラスチックフィルムと、無機層状化合物及びポリマーを含むガスバリヤ層と、を有し、波長６３２．８ｎｍにおけるレターデーション（Ｒｅ）の値が、５００〜６５０ｎｍであることを特徴とする表示装置用基板である。 - 特許庁 - The substrate for the display device has a plastic film having ≥70% average light transmittance in 400-700 nm wavelength and ≥100°C glass transition temperature and a gas barrier layer containing an inorganic laminar compound and a polymer and characteristically has 250-450 nm retardation (Re) value in 632.8 nm wavelength.
波長４００〜７００ｎｍにおける平均光透過率が７０％以上、ガラス転移点が１００℃以上のプラスチックフィルムと、無機層状化合物及びポリマーを含むガスバリヤ層と、を有し、波長６３２．８ｎｍにおけるレターデーション（Ｒｅ）の値が、２５０〜４５０ｎｍであることを特徴とする表示装置用基板である。 - 特許庁 - To provide a method for simply preparing fine particles with a size ranging from submicron order to nm order in a short time.
サブミクロンオーダからｎｍオーダの微粒子を短時間で簡易に作製する新たな方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a spherical mesoporous carbon having a center pore diameter of >2 nm, and to provide a method for producing the carbon.
中心細孔径が２ｎｍを超える球状メソポーラスカーボン及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Preferably, porous silica having an average pore diameter of 50 nm or smaller is used for the hygroscopic coating layer.
好ましくは、前記吸湿性コート層として、平均細孔径が５０ｎｍ以下の多孔質シリカを用いる。 - 特許庁 - OPTICAL FIBER COMMUNICATION SYSTEM USING FIBER AMPLIFIER DOPED WITH Nd FOR 1400 nm WINDOW
１４００ｎｍウィンドウのためのＮｄでドーピングしたファイバ増幅器を採用している光ファイバ通信システム - 特許庁 - The third p-type contact layer has the Mg concentration not lower than 1×10^20/cm^3, and is 2 to 10 nm in thickness.
第３ｐコンタクト層は、Ｍｇ濃度が１×１０^20／ｃｍ^3 以上で、厚さは２〜１０ｎｍである。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤300 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to specifically provide a positive resist composition which exhibits satisfactory transmittance when the light source of 157 nm is used and ensures little line edge roughness, few development defects, and little scum.
３００ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥及びスカムが少ないポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - The thickness of gate insulating films of a load type P-type MOS and a drive type N-type MOS is 4 nm or less.
負荷型Ｐ型ＭＯＳ及び駆動型Ｎ型ＭＯＳのゲート絶縁膜厚は、４ｎｍ以下である。 - 特許庁 - In one embodiment, a first colorant has a maximum absorbance peak in the range of about 400-500 nm, a second colorant has a maximum absorbance peak in the range of about 500-600 nm, and a third colorant has a maximum absorbance peak in the range of about 600-700 nm in the coating.
１つの実施形態において、本発明のコーティングにおける第１の着色料は、約４００ｎｍ〜約５００ｎｍの間に吸光度ピークを有し、第２の着色料が、約５００ｎｍ〜約６００ｎｍの間に吸光度ピークを有し、そして第３の着色料が、約６００ｎｍ〜約７００ｎｍの間に吸光度ピークを有する。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to specifically provide a positive resist composition which exhibits satisfactory transmittance when a light source of 157 nm is used, ensures good pattern profile and line edge roughness, and produces little residue on development (scum).
１６０ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、パターンプロファイルとラインエッジラフネスの特性が良好で、現像残渣（スカム）の少ないポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - On a transparent insulating substrate 1, a titanium film as a lower layer 2a, an aluminum film as a middle layer 2b and a nitrogen containing titanium film as an upper layer 2c are laminated by a sputtering process by 30 nm, 100 nm, 50 nm respectively in this order and a gate electrode and gate signal line 2 are formed by a photolithography-dry etching technique.
透明絶縁性基板１上にスバッタ法を用いて下層２ａにチタニウム膜、中間層２ｂにアルミニウム膜、上層２ｃに窒素を含有したチタニウム膜を順にそれぞれ３０ｎｍ、１００ｍｍ、５０ｎｍ積層し、フォトリソ・ドライエッチ技術を用いて、ゲート電極及びゲート信号線２を形成した。 - 特許庁 - The metallic particulates have a core-and-shell structure in which the shells are constituted by stacking nano-size metallic particulates (MPs) having an average particle size ranging from 1 to 200 nm, the average thickness of the shells ranges from 2 nm to 2 μm and the average particle size thereof ranges from 3 nm to 12 μm.
コア・シェル構造を有する金属微粒子であって、シェルが、平均粒子径が１〜２００ｎｍの範囲にあるナノサイズ金属微粒子（ＭＰ）が積層して構成されたものであり、かつ該シェルの平均厚みが２ｎｍ〜２μｍの範囲にあり、平均粒子径が３ｎｍ〜１２μｍの範囲にある金属微粒子。 - 特許庁 - The secondary power source comprises a positive electrode composed mainly of activated charcoal, a negative electrode composed mainly of a graphite which has a surface space of 0.335-0.336 nm at (002) face as measured by X-rays diffraction and a crystallite size of Lc of 10-100 nm, La of 10-100 nm and which stores and separates lithium ion, and an organic electrolyte containing lithium salt.
活性炭を主体とする正極と、Ｘ線回折によって得られる［００２］面の面間隔が０．３３５〜０．３３６ｎｍ、結晶子サイズＬ_cが１０〜１００ｎｍ、Ｌ_aが１０〜１００ｎｍであってリチウムイオンを吸蔵、脱離しうる黒鉛を主体とする負極と、リチウム塩を含む有機電解液と、を備える二次電源。 - 特許庁 - To provide a MOS device structure, whose gate length is smaller than 50 nm and a method of manufacturing the same.
ゲート長さが５０ｎｍ以下のＭＯＳデバイス構造、およびこれらのデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - On the surface of the second layer, a third layer of a thickness d_3 [nm] made of the silicon oxide is formed.
第２の層の表面上に、酸化シリコンからなる厚さｄ_3［ｎｍ］の第３の層が形成されている。 - 特許庁 - The mask inspection apparatus 1 according to one embodiment of the present invention has a laser beam source and, by using the laser beam source, outputs a first laser beam having a wavelength of 200 nm or less by sum frequency generation and outputs a second laser beam of a wavelength of at least 40 nm apart from the first laser beam of a wavelength of 200 nm or less.
本発明の一態様に係るマスク検査装置１は、レーザ光源を備え、レーザ光源を用いて、和周波発生により波長２００ｎｍ以下の第１のレーザ光を出力し、かつ、波長２００ｎｍ以下の第１のレーザ光の波長から４０ｎｍ以上離れた波長の第２のレーザ光を出力する。 - 特許庁 - A photoconductive layer 302 containing a-Si is formed on a conductive substrate 301 having <6 nm surface roughness Ra in a 10 μm×10 μm area, and the surface roughness Ra of the photoconductive layer 302 in a 10 μm×10 μm area is 15 nm to 100 nm.
１０μｍ×１０μｍの範囲における表面粗さＲａが６ｎｍ未満の導電性基体３０１上にａ−Ｓｉを含む光導電層３０２が成膜形成され、光導電層３０２の１０μｍ×１０μｍの範囲における表面粗さＲａは１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to specifically provide an excellent positive resist composition which exhibits satisfactory transmittance when a light source of 157 nm is used, ensures diminished line edge roughness, and has a wide defocus latitude.
１６０ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、ラインエッジラフネスが抑えられ、デフォーカスラチチュードが広く、優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤250 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and specifically to provide a positive resist composition exhibiting satisfactory transmittance when a light source of 157 nm is used and excellent in such various properties as affinity for a developer and image forming properties.
２５０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、現像液親和性、画像形成性の諸特性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a chemical amplifying resin composition suitable for a time when an exposure light source at ≤160 nm, in particular, F_2 excimer laser light (157 nm) is used, and specifically, to provide a chemically amplifying resin composition compatible with both excellent sensitivity and line edge roughness characteristics when a light source at 157 nm is used.
本発明の目的は、１６０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適な化学増幅型樹脂組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に優れた感度及びラインエッジラフネス特性両立する化学増幅型樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - The glass has the transmittance properties in which the wavelength indicating the highest transmittance in 200-700 nm is in the range of 350-380 nm; the highest transmittance value in terms of a thickness of 2.5 mm is 50% or more; and the highest transmittance value in 405-700 nm in terms of the thickness is less than 1%.
このガラスは、２００〜７００ｎｍにおける最高透過率を示す波長が３５０〜３８０ｎｍの範囲にあり、厚さ２．５ｍｍに換算した前記最高透過率の値が５０％以上であり、かつ前記厚みに換算した４０５〜７００ｎｍにおける最高透過率の値が１％未満である透過率特性を有する。 - 特許庁 - To provide a positive photoresist composition suitable for an exposure light source of ≤200 nm wavelength, in particular an F_2 excimer laser beam (157 nm), to be more specific, a positive photoresist composition which has sufficient transmittance for the 157 nm light source and further of which the surface roughness, the development defect, the development residue (scum) and the resolution are improved.
２００ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、より具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ表面ラフネス、現像欠陥、現像残渣（スカム）、解像力が改善されたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - The first recording layer 18 includes Ge, Sn, Sb and Te and its thickness is below 9 nm.
第１の記録層１８は、ＧｅとＳｎとＳｂとＴｅとを含み且つ厚さが９ｎｍ以下である。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm) and to concretely provide a positive resist composition having satisfactory transmittance when a light source of 157 nm is used and ensuring reduced line edge roughness and development defects.
１６０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥が著しく軽減されたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a production method capable of mass-producing metal oxide fine particles having a nanometer scale particle size.
nmオーダの微細な粒子径を備えた金属酸化物微粒子を量産し得る製造方法を提供する。 - 特許庁 - The invention relates to the coating composition for preventing insect attraction comprising the pigment which absorbs light with wavelength of ≤400 nm and transparent to the light with wavelength longer than the light, a film forming material and a solvent, wherein the coated film absorbs ≥95% of the light with wave length ≤400 nm and transmits ≥70% of the light with 550 nm of wave length.
波長４００nm以下の光を吸収し、それより長い波長の光に透明な酸化鉄などの顔料と、塗膜形成性材料と、溶剤とを含有し、塗膜形成時に４００nm以下の光を９５％以上吸収した場合の５５０ｎｍの透過率が７０％以上である防誘虫コーティング組成物。 - 特許庁 - To provide a composite in which manganese oxide nanoparticles in diameter of 100 nm or less are supported on carbon in a highly dispersed manner.
１００ｎｍ以下の酸化マンガンナノ粒子がカーボンに高分散担持された複合体を提供する。 - 特許庁 - A thickness of this channel region is 5 nm or less, and the width of the channel region is 0.3 μm or less.
このチャネル領域の厚さが５ｎｍ以下であり、かつチャネル領域の幅が０．３μｍ以下である。 - 特許庁 - Fine particles of silicon oxide having primary particle sizes of 50 nm or less are added in the lubricant 6.
そして、この潤滑剤６には、一次粒径５０ｎｍ以下の酸化ケイ素微粒子が配合されている。 - 特許庁 - The refractive layer of the antireflection film is constituted such that the total film thickness of the first to third refractive layers is 180 to 220 nm, the film thickness of the first refractive layer is 10 to 50 nm, the film thickness of the third refractive layer is 150 to 190 nm and, further, only the first to third layer are deposited under ion beam assisted irradiation.
この反射防止膜の屈折率層の構造は第１〜第３の屈折率層の膜厚の総和を１８０〜２２０ｎｍとし、第１の屈折率層の膜厚を１０〜５０ｎｍとし、第３の屈折率層の膜厚を１５０〜１９０ｎｍとし、更に第１層〜第３層のみをイオンアシスト照射下で蒸着させる。 - 特許庁 - This method for cultivating the green vegetables comprises decreasing at least far red light having a wavelength of 700-800 nm among long-wavelength light having a wavelength of ≥700 nm from sunlight under the low sunshine condition and irradiating the vegetables with blue light having a wavelength of 400-500 nm during the night, when the green vegetables are cultivated under the low sunshine condition which usually causes the unproductive growth.
徒長を伴う低日照条件下での葉菜類の栽培において、低日照条件の太陽光から波長７００ｎｍよりも長波長の光のうち、少なくとも波長７００〜８００ｎｍの遠赤色光を減らし、夜間に波長４００〜５００ｎｍの青色光を照射する。 - 特許庁 - The patterns of photo-resists 3 and 4 are formed on the layer 2 by a photolithographic method, and Ni films 5 in the thickness of 20 nm, Pt films 6 in the thickness of 100 nm, and Au films 7 in the thickness of 300 nm, are formed successively to the partial regions of the layer 2 and on the photo-resists 4.
次に、ｐ型ＧａＡｓ層２上にフォトリソグラフィ法によりフォトレジスト３，４のパターンを形成し、ｐ型ＧａＡｓ層２上の一部領域およびフォトレジスト４上に厚さ２０ｎｍのＮｉ膜５、厚さ１００ｎｍのＰｔ膜６および厚さ３００ｎｍのＡｕ膜７を順に形成する。 - 特許庁 - This biaxially oriented polyester film contains a mesoporous substance having an average pore size of 1-10 nm.
平均細孔径が１〜１０ｎｍであるメソポーラス物質を含有する二軸配向ポリエステルフィルムである。 - 特許庁 - In the alignment processing step the alignment layer 38 (40) is irradiated with an ultraviolet ray with 400 nm or shorter wavelength.
配向処理工程にて、配向膜３８（４０）に波長が４００ｎｍ以下の紫外線を照射する。 - 特許庁 - To provide a synthetic quarts glass having high transmittance at 157 nm and excellent in F_2 laser resistance.
高い１５７ｎｍ透過率およびＦ_２レーザ耐性に優れた合成石英ガラスを提供するものである。 - 特許庁
- 特許庁
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