「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 45 46 47 48 49 50 51 52 53 .... 287 288 次へ＞- The flea-attracting member 13 is equipped with an illuminant 15 having 400-600 nm main wavelength of luminous light.
ノミ誘引部材１３は、発光光の主波長が４００〜６００ｎｍの発光体１５を備えている。 - 特許庁 - This film is capable of reducing the surface reflectivity of glass to one-twentieth or less within the wavelength range of 450 to 650 nm.
この膜は４５０〜６５０ｎｍの波長範囲でガラスの表面反射率を２０分の１以下できる。 - 特許庁 - To reduce parts cost and energy cost of an optical amplifier for 1,580-nm band by improving the excitation efficiency of the amplifier.
１５８０nm帯の光増幅器のは励起効率を高め、部品コストおよびエネルギコストを改善する。 - 特許庁 - Next, a silicon nitride film 6b of the thickness of about 3-20 nm is formed by the CVD method.
次に、例えばＣＶＤ法により、厚さが３ｎｍ〜２０ｎｍ程度のシリコン窒化膜６ｂを形成する。 - 特許庁 - A substrate is subjected to the texture processing of 0.1 to 1 nm Ra having ≥10 pieces/μm groove density.
また、基板は溝の密度が１０本／μｍ以上、Ｒａ０．１〜１ｎｍのテクスチャ加工が施される。 - 特許庁 - The cellulose acetate film is controlled to have an Rth retardation value ranging from 30 to 70 nm.
また、セルロースアセテートフイルムは、Ｒｔｈレターデンション値が３０乃至７０ｎｍの範囲に制御されている。 - 特許庁 - It is preferable that the average particle size of the astaxanthin-containing dispersed particles is especially 20-150 nm.
該アスタキサンチン含有分散粒子の平均粒子径は、特に２０ｎｍ〜１５０ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - Preferably, the AlGaN layer 14 has Al composition of ≤10%, and a wavelength of ≥345 nm.
ＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成は１０％以下が好ましく、波長３４５ｎｍ以上が好ましい。 - 特許庁 - To provide an ASE light source producing a high output even in the wavelength band of 1490-1525 nm.
１４９０〜１５２５ｎｍ波長帯においても高出力が得られるＡＳＥ光源を提供する。 - 特許庁 - The metal oxide fiber comprises a ceramic containing a titanium element and has 50-1500 nm of an average fiber diameter.
チタン元素を含むセラミックスからなり、平均繊維径が５０〜１５００ｎｍである金属酸化物繊維。 - 特許庁 - The extinction coefficient of the azo dye compound is in the range of 0.15-0.3 at the wavelength of 405 nm.
前記アゾ色素化合物は、波長４０５ｎｍにおける消衰係数が０．１５〜０．３の範囲である。 - 特許庁 - The wavelength spectrum has a half emission wavelength within the range of 388 to 416 nm.
波長スペクトルは、３８８ｎｍから４１６ｎｍまでの範囲に含まれる半値発光波長を有している。 - 特許庁 - The surface of the wafer W is irradiated with an ultraviolet ray of a wavelength of 185 nm in the UV processing chamber 7.
ＵＶ処理室７では、ウエハＷの表面に波長１８５ｎｍの紫外線が照射される。 - 特許庁 - It is desirable that the particle diameter of the metal oxide and/or the metal hydroxide is 0.5-50 nm.
前記の金属酸化物及び／又は金属水酸化物の粒子径は０．５〜５０ｎｍであるのが好ましい。 - 特許庁 - The cellulose fibers having an average fiber diameter of ≤200 nm have a carboxyl group content of 0.1 to 2 mmol/g.
前記平均繊維径が２００ｎｍ以下のセルロースのカルボキシル基含有量が０．１〜２ｍｍｏｌ／ｇである。 - 特許庁 - The HC adsorption layer includes the intercalation compound having heat resistance and the intercalation distance is 0.3-10 nm.
ＨＣ吸着層は、耐熱性を有し層間距離が０．３〜１０ｎｍの層間化合物が含む。 - 特許庁 - The laser beam 16, used for boring the inner surface pattern grooves 17 in the resin film 10, has 193 to 308 nm wavelength.
樹脂フィルム10に内側面パターン溝17を形成するレーザー光線16の波長は１９３nm〜３０８nmである。 - 特許庁 - The catalyst fine particles comprising cobalt are preferably ones with particle diameter in the range of 0.4-10 nm.
コバルトよりなる触媒微粒子は、粒径が０．４〜１０ｎｍの範囲にあるものであることが好ましい。 - 特許庁 - The carbon fibril contains carbon atoms as the main framework and having ≤100 nm fiber diameter and 5 aspect ratio.
炭素フィブリルは炭素原子を主骨格とし、繊維径が１００ｎｍ以下で、アスペクト比が５以上である。 - 特許庁 - An ultraviolet lamp 5 with a wavelength of about 253 nm is arranged as an ultraviolet irradiation device for irradiation with ultraviolet rays.
紫外線照射装置として波長約２５３nmの紫外線ランプ５を配置し紫外線を照射する。 - 特許庁 - To quantitatively evaluate adhesive force of a thin film, that is the thin film of nm order thickness, with satisfactory reproducibility.
ｎｍオーダーレベルの膜厚である薄膜の密着力を、定量的に再現性良く、評価する。 - 特許庁 - The transmittance of the silicon oxide film is ≥99% in 400-700 nm wavelength range.
珪素酸化物の膜の波長４００ｎｍ〜７００ｎｍでの透過率が９９％以上であること。 - 特許庁 - Alternatively, the transparent electrode membrane is made of an oxide containing indium and zinc, and having a membrane thickness not greater than 30 nm.
また、インジウム及び亜鉛を含む酸化物からなり、膜厚が３０ｎｍ以下である透明電極膜。 - 特許庁 - The wavelength of the YAG laser is shorter than the fourth harmonics (266 nm) of ultraviolet-ray region.
そして、ＹＡＧレーザの波長が紫外線領域の第４高調波（２６６ｎｍ）以下の短い波長である。 - 特許庁 - The noble metal colloid 10 is preferably silver colloid or platinum colloid having an average particle diameter of 1-100 nm.
貴金属コロイド１０としては、平均粒子径１〜１００ｎｍの銀コロイドや白金コロイドが好ましい。 - 特許庁 - To emit light with high efficiency at room temperature in short wavelength region of ultraviolet region with a wavelength of 360 nm or less.
波長３６０ｎｍ以下の紫外域の短波長域において室温で高効率発光させる。 - 特許庁 - The ceria-zirconia solid solution sol has an average particle diameter of 5-100 nm, measured by a dynamic light scattering method.
動的光散乱法による平均粒子径が５〜１００nmであるセリア−ジルコニア固溶体ゾルである。 - 特許庁 - The transparent layer has ≥90% transmissivity in the all range of 400 to 700 nm wavelength.
透明層の透過率が、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの全範囲において９０％以上である。 - 特許庁 - Light pulse containing at least ultraviolet rays with a wavelength of 280 nm or more and infrared rays is used.
２８０ｎｍ以上の波長の紫外線および赤外線を少なくとも含む光パルスを用いる。 - 特許庁 - Particularly as the colloidal silica of the overcoating layer, one having a mean primary particle size of 30 nm or more is used.
特にオーバーコート層のコロイダルシリカとして、平均一次粒径が３０ｎｍ以上のものを使用する。 - 特許庁 - In the analysis method, quantitative analysis on tin in the organic acid solution is performed through the use of an inductively coupled plasma emission analyzer, and the analysis is performed with the wavelength of analyzing emission rays of the inductively coupled plasma emission analyzer set at any of 235.484 nm, 242.270 nm, or 283.999 nm.
有機酸溶液中のスズの定量分析を誘導結合プラズマ発光分析装置を用いて行う分析方法であって、上記誘導結合プラズマ発光分析装置の分析発光線の波長を２３５．４８４ｎｍ、２４２．１７０ｎｍ及び２８３．９９９ｎｍのいずれかに設定して分析を行うようにした。 - 特許庁 - The LED chip 2 is covered with a phosphor-containing resin layer 9 in which two kinds of phosphors, a phosphor (green phosphor) having luminous peaks at wavelengths 490-510 nm and 530-580 nm and a phosphor (red phosphor) having a luminous peak at 610-660 nm, are mixed and dispersed in a transparent resin.
このＬＥＤチップ２は、波長４９０〜５１０ｎｍと５３０〜５８０ｎｍにそれぞれ発光ピークを有する蛍光体（緑色蛍光体）と、６１０〜６６０ｎｍに発光ピークを有する蛍光体（赤色蛍光体）の計２種類の蛍光体を、透明樹脂に混合・分散させた蛍光体含有樹脂層９により覆われている。 - 特許庁 - As the above abrasive grains, a colloidal silica having a primary particle diameter of 5-100 nm can be used.
上記砥粒としては、一次粒子径が５〜１００ｎｍであるコロイダルシリカを使用することができる。 - 特許庁 - The fiber structure is composed mainly of a synthetic fiber, the synthetic fiber absorbs light of ≥320 nm and <400 nm wavelength and emits light of ≥400 nm wavelength, and the strength retention of the synthetic fiber is ≥80% after the light irradiation for 100 hours by a carbon arc light resistance tester.
合成繊維を主とする繊維構造物であって、該合成繊維が３２０ｎｍ以上４００ｎｍ未満の波長の光を吸収し、４００ｎｍ以上の波長の光を放射するとともに、該合成繊維のカーボンアーク耐光試験機による１００時間光照射後の強度保持率が８０％以上であることを特徴とする。 - 特許庁 - The surface of the YAG polycrystalline substrate has a mathematical surface roughness Ra of less than 1 nm, has no flaw whose width is 5 μm or more, has no dent whose diameter is 5 μm or more, has a height difference between the unit crystal particles constituting a polycrystal of 5 nm or less, is flat and smooth and has a flatness of less than 100 nm.
このときの、ＹＡＧ多結晶体基板の面は、算術表面粗さＲａが１nm未満でかつ幅５μｍ以上のキズや直径5μｍ以上の窪みがなく、多結晶体を構成している単位結晶粒子間の高低差を５nm以下と平滑であり、平坦度も１００ｎｍ未満となっている。 - 特許庁 - To materialize a laser equipment for producing a coherent beam with a wavelength of about 488 nm, and for simultaneously producing two coherent beams with wavelengths of 488 nm and 515 nm by using a semiconductor laser as an induction source in a semiconductor laser pumped solid-state laser to do internal resonator-type sum frequency mixing.
半導体レーザ励起固体レーザにおいて、１個の半導体レーザを励起源として使用し、内部共振器型和周波混合をおこなうことにより波長が約４８８ｎｍのコヒーレント光を発生するレーザ装置や波長４８８ｎｍと波長５１５ｎｍの２つのコヒーレント光を同時に発生するレーザ装置を実現する。 - 特許庁 - Suitable peak wavelengths of each light emitting diode are 605-635 nm in case of the first emitting diode, 530-570 nm in case of the second emitting diode and 450-490 nm in case of the third emitting diode, and white color light having different correlated color temperatures can be obtained by selecting each luminous flux ratio.
各発光ダイオードの好適なピーク波長は、第１の発光ダイオードが６０５〜６３５ｎｍ、第２の発光ダイオード長が５３０〜５７０ｎｍ、第３の発光ダイオードが４５０〜４９０ｎｍであり、それぞれの光束比を選択することにより、種々の相関色温度を有する白色光を得ることができる。 - 特許庁 - The curable composition with a negative color contains a polymerization initiator C-1 having absorption at 365 nm wavelength and a polymerization initiator C-2 having an absorption maximum at 250-300 nm wavelength and exhibiting a smaller absorption value at 365 nm wavelength than the polymerization initiator C-1 when the polymerization initiators C-2 is equimolar to the polymerization initiators C-1.
重合開始剤として、波長３６５ｎｍに吸収を有する重合開始剤Ｃ−１と、波長２５０〜３００ｎｍに吸収極大を有し、前記重合開始剤Ｃ−１と等モルでは波長３６５ｎｍでの吸収値が前記重合開始剤Ｃ−１よりも小さい重合開始剤Ｃ−２とを含んでいる。 - 特許庁 - Furthermore, the resin molding has a transmittance of ≥60% at 620 nm and enhances red and orange.
さらに６２０ｎｍにおける透過率が６０％以上であり、赤色及び橙色が強調される。 - 特許庁 - Further, the light reflector is characterized in that the total reflectivity at 550 nm is ≥90%.
さらに５５０ｎｍにおける全反射率が９０％以上であることを特徴とする光反射体。 - 特許庁 - The pigment dispersion for the color filter includes a pigment and a solvent, and is characterized in that an average dispersed particle diameter of the dispersed pigment particles is 15-60 nm, and pigment particles of which the particle diameters are 5 nm or more and less than 100 nm account for 99% or more of the total number of pigment particles.
顔料と溶剤を含むカラーフィルター用顔料分散液であって、分散している顔料粒子の平均分散粒径が１５〜６０ｎｍであり、且つ、粒径５ｎｍ以上１００ｎｍ未満の顔料粒子が全顔料粒子の９９％以上であることを特徴とする、カラーフィルター用顔料分散液である。 - 特許庁 - The heat insulating sheet includes a sheet structure obtained by connecting hollow particles having an outer-shell average thickness of 10 nm or less and an average vacancy diameter of the particles of 70 nm or less and has a sheet average vacancy diameter of 70 nm or less, sheet voids of 90-99 vol.%, and a light transmittance of 85% or more.
外郭の平均厚さが１０ｎｍ以下で、かつ平均粒子空孔径が７０ｎｍ以下の中空粒子が連結したシート状の構造体を有し、シート平均空孔径が７０ｎｍ以下、シート空孔率が９０〜９９体積％、かつ光透過率が８５％以上であることを特徴とする断熱シート。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤200 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to specifically provide a positive resist composition which exhibits satisfactory transmittance when a light source of 157 nm is used and is excellent in various properties such as affinity for a developer and image forming property.
２００ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、現像液親和性、画像形成性の諸特性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide an excellent positive resist composition suitable when an exposure light source at ≤160 nm, in particular, F_2 excimer laser light (at 157 nm) is used, and specifically, showing sufficient transmitting property when a light source at 157 nm is used, having excellent resolution, and causing little development defect and scum (development residue).
１６０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、解像性に優れ、現像欠陥、スカム（現像残渣）の発生が少ない、優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - This plant raising method comprises irradiating supplemental lightening when raising plants so that with respect to red color light (R) of peak wavelength of 660 nm, blue color light (B) of peak wavelength of 450 nm and far red color light (FR) of peak wavelength of 730 nm, both the ratios of R/B and R/FR become smaller than transmitted sunshine in a house.
植物を育成する際に、ピーク波長６６０ｎｍである赤色光（Ｒ）と、ピーク波長４５０ｎｍである青色光（Ｂ）と、ピーク波長７３０ｎｍである遠赤色光（ＦＲ）とについて、ハウス内で透過太陽光よりもＲ／Ｂの比およびＲ／ＦＲの比がともに小さくなるように補光を照射する。 - 特許庁 - The light emitting device comprises a light emitting element radiating blue light, and a phosphor layer containing phosphor being excited by blue light radiated from the light emitting element to emit light having peaks at wavelengths 510-530 nm, 620-650 nm and 550±5 nm, respectively.
本発明の発光装置は、青色光を放射する発光素子と；前記発光素子から放射される青色光により励起されて、波長５１０〜５３０ｎｍ、波長６２０〜６５０ｎｍおよび波長５５０±５ｎｍにそれぞれピークを有する光を発光する蛍光体を含有する蛍光体層と；を具備することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition which is suitably used for a light source for exposure of ≤160 nm, particularly, an F_2 excimer laser beam (157 nm), and specifically to provide a positive resist composition which exhibits sufficient transmissibility when used for the light source of 157 nm and has little line edge roughness, development defect and scum.
１６０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥及びスカムが少ないポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤250 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to specifically provide a positive resist composition which exhibits satisfactory transmittance when the light source of 157 nm is used and is excellent in various properties such as affinity for a developer and image forming property.
２５０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、現像液親和性、画像形成性の諸特性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - The following embodiments are preferable, namely, that the image receiving layer is formed on the supporting body having ≥2% regular reflectance of its surface at least both at 440 nm and at 560 nm wavelength, and that the regular reflectance at 440 nm on the surface of the image receiving layer is ≥3/100 with respect to the diffusion reflectance.
少なくとも、４４０ｎｍにおける表面の正反射率、及び、５６０ｎｍにおける表面の正反射率が、共に２％以上である支持体上に、受像層が形成された態様、受像層表面の４４０ｎｍにおける正反射率が、拡散反射率に対し３／１００以上である態様等が好ましい。 - 特許庁 - In regard to the substrate for ink jet recording, 30-70% of the resin is a recovered one and the average transmittance at 500-600 nm is 58-78%, while the maximum transmittances at 400-500 nm and 600-700 nm are both 75% or above.
樹脂の３０〜７０％が回収された樹脂であり、５００〜６００ｎｍにおける平均透過率が５８〜７８％で、かつ、４００〜５００ｎｍにおける最大透過率及び６００〜７００ｎｍにおける最大透過率がいずれも７５％以上であることを特徴とするインクジェット記録用支持体。 - 特許庁
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