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＜前へ 1 2 .... 34 35 36 37 38 39 40 41 42 .... 287 288 次へ＞- To be more specific, a 0.98 μm LD 14 outputs excitation light with 976 nm oscillation wavelength, and a 1.3 μm DFB-LD 13 outputs excitation light with 1,310 nm oscillation wavelength.
具体的には、０．９８μｍＬＤ１４が発振波長９７６ｎｍの励起光を出力し、１．３μｍＤＦＢ−ＬＤ１３が発振波長１３１０ｎｍの励起光を出力する。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition having satisfactory transmittance when a light source of ≤160 nm, concretely F_2 excimer laser light (157 nm) is used and excellent in sensitivity and contrast.
１６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の光源使用時に十分な透過性を示し、且つ感度及びコントラストに優れたポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁 - When the mol numbers of La ions and alkaline earth metal ions are represented as NLa and NM, respectively, the molar ratio is set to (NFe+NNi):(NLa+NM)=1:1, and the mixed oxide is a perovskite oxide.
このとき、Ｌａイオン、アルカリ土類金属イオンそれぞれのモル数をＮＬａ、ＮＭと表現したとき、（ＮＦｅ＋ＮＮｉ）：（ＮＬａ＋ＮＭ）＝１：１のモル比とし、前記混合酸化物をペロブスカイト型酸化物とする。 - 特許庁 - This optical fiber has positive wavelength dispersion at a wavelength of 1,550 nm and the ratio of the square of the effective area and the wavelength dispersion gradient is 100,000 μm^4 nm^2 km/ps.
この光ファイバーは、１５５０ｎｍの波長で正の波長分散を有し、有効面積の２乗と波長分散勾配との比が、１０００００μｍ^４・ｎｍ^２・ｋｍ／ｐｓである。 - 特許庁 - Antireflective compositions of the invention can be effectively used at a variety of wavelengths used to expose an overcoated photoresist layer, including 248 nm and 193 nm.
又、本発明の反射防止組成物は、２４８ｎｍおよび１９３ｎｍをはじめとする上塗りされたフォトレジスト層の露光に使用される種々の波長において効果的に使用できる。 - 特許庁 - Image signals are obtained by alternately emitting a white light L1, a narrow-band light L2 with a center wavelength of 415 nm and a narrow-band light L3 with a center wavelength of 540 nm.
白色光Ｌ１と、中心波長４１５ｎｍの狭帯域光Ｌ２および中心波長５４０ｎｍの狭帯域光Ｌ３とを交互に射出して、画像信号を取得する。 - 特許庁 - The film thickness of the catalyst layer 23 is 1 nm to 50 nm, and the catalyst layer is made of Fe, Co or an alloy including at least one kind of these metals.
この触媒層２３の膜厚を１ｎｍから５０ｎｍまでの範囲とし、また、この触媒層をＦｅ、Ｃｏ又はこれらの金属の少なくとも１種類を含む合金から形成する。 - 特許庁 - A reinforcing layer 3 the outermost surface of which has particles of average particle size a (3 nm<a≤50 nm) is interposed between a non-magnetic substrate 1 and a magnetic layer 2 of the metal thin film type magnetic recording medium 100.
金属薄膜型磁気記録媒体100の非磁性支持体１と磁性層２の間に最外表面の粒子の平均粒径ａが３＜ａ≦50ｎｍである強化層３を設置する。 - 特許庁 - Of them, the anode-side electrode 14 is preferred to contain particles of metal elements belonging to the group 8, for instance, those of Pt and Ni, with particle sizes less than 50 nm , or preferably, of 10 nm or less.
この中、アノード側電極１４は、好ましくは８族に属する金属元素、例えば、Ｐｔ、Ｎｉの粒子を含み、その粒径は５０ｎｍ未満、好ましくは１０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - In this case, it is desirable that protrusions of a height of 100 nm or more and/or recesses of a depth of 100 nm or more existing on the smooth surface of the base material film are 2 pieces/0.1 mm2 or less.
基材フィルムの平滑表面に存在する１００nm以上の高さの突起および／または１００ｎｍ以上の深さの窪みが、２個／０．１mm^2より少ないことが望ましい。 - 特許庁 - A target 23 is subjected to abrasion by irradiating the target 23 with a laser beam from a laser light source 22, and fine particles (with particle sizes of about several nm to several tens of nm) containing a target component are generated.
ターゲット２３にレーザ光源２２からレーザ光を照射してターゲット２３をアブレーションし、ターゲット成分を含む微粒子（粒径数ｎｍ〜数十ｎｍ程度）を生成させる。 - 特許庁 - The grinding method employs a grinding liquid which is obtained by dispersing aggregate 19 having a size of 10 to 100 nm and formed of diamond particles 20 each having a single particle size of 1 to 10 nm, in a solution.
単粒で１〜１０ナノメートルのダイヤモンド粒子２０が１０〜１００ナノメートルの大きさで凝集している凝集体１９を溶液に分散させた研磨液を用いる。 - 特許庁 - That is, the fluctuations in the deformation of the work W, resulting from the fluctuation of the contact pressure becomes 1 nm or lower to make the measurement errors caused by the deformation of the work W to become 1 nm or lower.
つまり、接触圧の変動に起因するワークＷの変形の変動が１ｎｍ以下となり、ワークＷの変形による測定誤差が１ｎｍ以下を実現することができる。 - 特許庁 - The low-resistance organic film has a thickness of 200 nm or thicker, a resistance of 300 Ω/cm or less at the thickness of 200 nm, and an ionization potential at the highest occupied molecular orbital level of 4.9 eV to 5.4 eV.
低抵抗有機膜は、厚さが２００ｎｍ以上、厚さ２００ｎｍにおける抵抗値が３００Ω／ｃｍ以下、最高占有軌道レベルのイオン化ポテンシャルが４．９〜５．４ｅＶである。 - 特許庁 - The center line average roughness (Ra) of the surface of the film is at least 1-8 nm on the single surface of the film and at least 2-20 nm in the average of both surfaces of the film.
フィルム表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が少なくともフィルム片面では１ｎｍ以上８ｎｍ以下であり、かつフィルム両面の平均では２ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - For example, the lower electrode layer 103 is a conductive thin film as thick as 20 nm made of ruthenium and nitrogen; the metal oxide layer 104 is a metal oxide film as thick as 30 nm made of bismuth, titanium, and oxygen; and the upper electrode 105 is made of a ruthenium film as thick as 20 nm.
例えば、下部電極層１０３は、ルテニウムと窒素とからなる膜厚２０ｎｍの導電薄膜であり、金属酸化物層１０４は、ビスマスとチタンと酸素からなる膜厚３０ｎｍの金属酸化物膜であり、上部電極１０５は、膜厚２０ｎｍのルテニウム膜から構成されたものである。 - 特許庁 - The gate length of the gate elelctrode is not more than 30 nm, the distance between the impurity diffusion region and the gate electrode edge is not more than 10 nm, and a lateral distribution of an impurity concentration in the impurity diffusion region is not less than 1 order of magnitude/3 nm.
前記ゲート電極のゲート長は３０ｎｍ以下であり、前記不純物拡散領域とゲート電極エッジとの距離は１０ｎｍ以下であり、前記不純物拡散領域における不純物濃度の横方向の分布は、１桁／３ｎｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a single objective lens which makes parallel light having a wavelength of 405 nm incident thereon and condenses the incident light onto BD, makes parallel light having a wavelength of 660 nm incident thereon and condenses the incident light onto DVD, and makes parallel light having a wavelength of 785 nm incident thereon and condenses the incident light onto CD.
４０５ｎｍの波長の平行光を入射してＢＤに集光し、６６０ｎｍの波長の平行光を入射してＤＶＤに集光し、７８５ｎｍの波長の平行光を入射してＣＤに集光する単一の対物レンズを提供する。 - 特許庁 - The glass substrate for a mask blank is a glass substrate comprising SiO_2 as a main component and having a polished main surfaces, wherein concave defects and convex defects on the main surface have a depth of 2 nm or smaller and a height of 2 nm or smaller, respectively and have a half-value width value of 60 nm or smaller.
主表面が研磨されている、ＳｉＯ_２を主成分とするガラス基板であって、前記主表面の凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が６０ｎｍ以下であるマスクブランクス用ガラス基板。 - 特許庁 - In this biosensor comprising a substrate coated with a hydrophobic polymer compound, the coating thickness of the hydrophobic polymer is 0.1 nm or more and 500 nm or less, and the number of defects with a diameter of 10 nm or more existing in the coating layer is 10 or less per 1 μm^2.
疎水性高分子化合物でコーティングした基板から成るバイオセンサーにおいて、該疎水性高分子のコーティング厚さが０.１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、かつコーティング層に存在する直径１０ｎｍ以上の欠陥が１μｍ^2当たり１０個以下であることを特徴とするバイオセンサー。 - 特許庁 - If the desirably used wavelength is 1.55 μm used in optical fiber communication, that is 0.8 eV, a tube diameter is about 1 nm for a peak A to come the energy position, the tube diameter is about 2.1 nm in the peak B and the tube having about 3.1 nm diameter is corresponding to the peak C.
使用したい波長が光ファイバ通信で用いられる１．５５μｍすなわち、０．８ｅＶであれば、ピークＡがこのエネルギー位置に来るためには、チューブの直径はおよそ１ｎｍであり、ピークＢでは２．１ｎｍ、ピークＣでは３．１ｎｍ程度の直径のチューブが対応する。 - 特許庁 - The phase-difference plate is distinguished by that a material having positive proper double refraction value and a material having negative proper double refraction value are incorporated therein and when retardation values at wavelength of 450 nm, 550 nm and 650 nm are respectively expressed by Re(450), Re(550) and Re(650), a relation: Re(450)<Re(550)<Re(650) is satisfied.
固有複屈折値が正である材料と負である材料とを含有してなり、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍおよび６５０ｎｍにおけるレタデーション値を各々Ｒｅ（４５０）、Ｒｅ（５５０）およびＲｅ（６５０）としたとき、Ｒｅ（４５０）＜Ｒｅ（５５０）＜Ｒｅ（６５０）であることを特徴とする位相差板である。 - 特許庁 - The steel contains, especially Ti: 0.05% to 0.30%, and Mo: 0.05% to 1.0%, wherein 30 pieces/μm^2 or more deposits containing Ti and with diameters of 30 nm or less exist, and the number ratio of Ti deposits with diameters of 5 nm to 50 nm to all the Ti deposits is controlled to be 50% or more.
鋼中に、特にTi：0.05％以上0.30％以下およびMo：0.05％以上1.0％以下を含有させると共にTiを含む析出物で直径：30nm以下のものが30個/μm^2以上存在し、直径：５nm以上50nm以下のTi析出物の全Ti析出物に対する個数比率が50％以上とする。 - 特許庁 - The tungsten oxide nano-structure is a tungsten oxide single crystal with a nano meter size whose length is 2 μm or less, whose polygonal crosssectional face width is in a range of 20-100 nm for the rod shape and whose crosssectional face width is in a range of 200-500 nm and the thickness is in a range of 30-80 nm for the belt shape.
酸化タングステン単結晶のナノメートルサイズのロッド状物若しくはベルト状物であり、長さが２μｍ以下で、ロッド状物は、幅が２０nm〜100nmの範囲にある多角形状の横断面を有し、ベルト状物は、横断面の幅が200nm〜500nmの範囲で、厚みが３０nm〜８０nmの範囲にある。 - 特許庁 - In the liquid crystal display device, a polysilicon film 2 with 20 nm thickness is formed in a light shielding region 20 on an insulating substrate 1 as a primary coat, further a WSiN film 3, a part of a light shielding film, with 20 nm thickness is formed with a sputtering method and subsequently a WSi film 4, the light shielding film, with 100 nm thickness is formed.
絶縁基板１上の光遮蔽領域２０に、下地としてのポリＳｉ膜２を２０ｎｍ厚形成し、さらに遮光膜の一部であるＷＳｉＮ膜３をスパッタ法により２０ｎｍ厚形成後、遮光膜のＷＳｉ膜４を１００ｎｍ厚形成する。 - 特許庁 - This member includes a 1st light absorber and a 2nd light absorber which differ in long-wavelength absorption edge in a light absorption wavelength region from each other, the long-wavelength absorption edge X1 of the 1st light absorber being 370 to 450 nm and the long-wavelength absorption edge X2 of the 2nd light absorber being 200 to 380 nm, and X2-X1 being ≥5 nm.
この部材には、光吸収波長領域における長波長端値が互いに異なる第１の光吸収剤と第２の光吸収剤とが含まれ、第１の光吸収剤の長波長端値X1は370〜450nm、第２の光吸収剤の長波長端値X2は200〜380nm、X2−X1は5nm以上である。 - 特許庁 - This easily adhesive film for protecting the solar batteries comprises a polyethylene naphthalenedicarboxylate film having light transmittances of ≤5%, ≤50% and ≥70% at wavelengths of 380 nm, 400 nm, and 420 nm, respectively, and a coating film coated thereon.
波長３８０ｎｍでの光線透過率が５％以下、４００ｎｍでの光線透過率が５０％以下かつ４２０ｎｍでの光線透過率が７０％以上であるポリエチレンナフタレンジカルボキシレートフィルムおよびこのうえに塗設された皮膜からなる太陽電池保護膜用易接着性フィルム。 - 特許庁 - The objective quartz glass crucible for pulling a silicon single crystal is free from ultraviolet absorption at specific wavelength within the wavelength range of 150-400 nm or free from ultraviolet absorption at wavelength of 163 nm or 245 nm caused by the oxygen-deficient defect in a region from the inner surface to the depth of 200 μm.
(1)内表面からの深さが200μmまでの部位の石英ガラスに、波長150〜400nmの範囲で特定波長の紫外線吸収がないか、または酸素欠損型欠陥による波長163nm、または波長245nmの紫外線の吸収がないシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ。 - 特許庁 - The translucent polyester resin molded product has 1-10 mm thickness and substantially blocks light having ≤390 nm wavelength and has 40-75% average transmittance of light having 390-700 nm wavelength and ≥80% transmittance of light having ≥700 nm.
厚さが１〜１０ｍｍの成形体であり、３９０ｎｍ以下の波長の光を実質的に遮蔽し、３９０〜７００ｎｍの波長の光の平均透過率が４０〜７５％であり、７００ｎｍ以上の波長の光の透過率が８０％以上である、透光性のポリエステル樹脂成形体とする。 - 特許庁 - By use of a first LBO crystal 9 that is arranged in the laser resonator as a nonlinear optical medium, the sum frequency mixing of the laser beam with a wavelength of 930 nm and that with a wavelength of 1,030 nm is performed to produce a coherent beam with a wavelength of about 488 nm.
レーザ共振器内に配置された非線形光学媒質である第１のＬＢＯ結晶９によって前記波長９３０ｎｍのレーザ光と波長１０３０ｎｍのレーザ光との和周波混合を行い、波長が約４８８ｎｍのコヒーレント光を発生する。 - 特許庁 - The humidity conditioning and gas adsorption material comprises the siliceous shale having a micropore diameter distribution measured according to a nitrogen adsorption method, wherein the micropore diameter has a peak in two regions of the range of 10-13 nm and 3.0 nm or less and the average micropore diameter falls into the range of 11 to 14 nm.
窒素吸着法で測定した細孔径分布において、細孔直径が１０〜１３ｎｍの範囲と３．０ｎｍ以下の２つの領域にピークを有し、かつ、平均細孔直径が１１〜１４ｎｍの範囲にある珪質頁岩を含んでなることを特徴とする調湿及びガス吸着材料。 - 特許庁 - In the display element utilizing a PDLC, an image display element is used, which is constituted of small pieces having uniform particle size in the range of ±100 nm centering a specific value in the range of 380 nm-780 nm and dispersed in a liquid crystal according to the color expressed in a pixel.
ＰＤＬＣを利用した表示素子において、粒径が３８０ｎｍから７８０ｎｍの範囲内で、特定の値を中心として±１００ｎｍの範囲で均一な小片を、画素で表現する色に応じて液晶中に分散した構成の画像表示素子を用いる。 - 特許庁 - A covering material for citrus fruits is a material for covering citrus fruits and is made of a fabric which has an absorption peak of transmitted light curve of 400-530 nm or 570-700 nm, and an average transmissivity in 250-1,100 nm of ≥80%.
柑橘系果実を被覆するための資材であって、透過光曲線の吸光ピークが４００〜５３０ｎｍあるいは５７０〜７００ｎｍにあり、２５０〜１１００ｎｍにおける平均透過率が８０％以上である布帛によって構成されることを特徴とする柑橘系果実用被覆資材。 - 特許庁 - The antireflection film is disposed in the aberration correcting element as a component of the optical pickup device, wherein the reflectances of the light beam at 658 nm and 780 nm are 3% or lower and the reflectance of light beam at a wavelength 405 nm is 7 to 20%.
本発明の反射防止膜は、光ピックアップ装置の構成要素である収差補正素子に設けられ、６５８ｎｍ及び７８０ｎｍでの光ビームの反射率が３％以下である反射防止膜であって、波長が４０５ｎｍでの光ビームの反射率が７〜２０％である。 - 特許庁 - As the optical filter 11 has characteristics to cut all the light on the infrared side from a threshold wavelength larger than 805 nm and smaller than 815 nm, heat rays on the infrared side including wavelengths around 900 nm, which is the peak P of the radiation intensity of a halogen lamp 10, can be securely eliminated.
光学フィルター１１が、８０５ｎｍより大きく８１５ｎｍより小さい波長である閾値よりも赤外側の光を全てカットする特性のため、ハロゲンランプ１０の放射強度のピークＰとなる９００ｎｍ付近を含む赤外側の熱線を確実に除去することができる。 - 特許庁 - To provide a single-phased phosphor for illumination, in the case of using a light source emitting the ultraviolet light of especially having 250 to 260 nm wavelength as an exciting light source, emitting white-colored light having a wide band continuous light-emitting spectrum close to that of sun light, also without using a rare metal and having a high efficiency and a high color-rendering property.
励起光源として、特に波長250 nm〜260 nmの紫外光を発する光源を用いた場合に、太陽光に近い広帯域な連続発光スペクトルを有し、かつ希土類元素を使用しない高効率かつ高演色性の白色発光する単相の照明用蛍光体を提供する。 - 特許庁 - When an arbitrary observation viewing field is taken within 1,000 nm×1,000 nm in the cross section of this Cu-Ag alloy wire, the area ratio of crystalline precipitate, in which a maximum length of a straight line that cuts the crystalline precipitate does not exceed 100 nm, is at least 40%, in the crystalline precipitate of Ag existing in the observation viewing field.
このCu-Ag合金線の断面において1000nm×1000nm以内で任意の観察視野をとったとき、この観察視野中に存在するAgの晶析出物のうち、晶析出物を切断する直線の最大長さが100nm以下である晶析出物の面積率が40％以上である。 - 特許庁 - The carrier for electrostatic latent image development comprises a core material, a resin layer covering the core material, and a concave portion 32 which is open on the surface of the resin layer and has a depth of 100 nm or more and not more than a depth corresponding to the thickness of the resin layer and a circle-equivalent diameter of 90 nm or more and 150 nm or less in the opening portion.
芯材と、前記芯材を被覆する樹脂層と、前記樹脂層の表面で開口し、深さが１００ｎｍ以上且つ前記樹脂層の厚さ以下であり、開口部分の円相当径が９０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である凹部３２と、を有する静電潜像現像用キャリア。 - 特許庁 - Out of the color filters 1010, the red filter R, the blue filter B and the green filter G have characteristics to exhibit ≥70% transmittance with respect to light in the wavelength ranges of 570-660 nm, 450-520 nm and 510-590 nm, respectively.
カラーフィルタ１０１０のうち、赤色フィルタＲが５７０ｎｍから６６０ｎｍの波長範囲、青色フィルタＢが４５０ｎｍから５２０ｎｍの波長範囲、緑色フィルタＧが５１０ｎｍから５９０ｎｍの波長範囲の光に対してそれぞれ７０％以上の透過率を示す特性である。 - 特許庁 - The nominal thickness (d) of an etalon 30 is selected so that a transmission peak occurs at a wavelength substantially equal to a selected light communication channel (e.g. 1,550 nm) and a next peak occurs at the wavelength of an adjacent communication channel (e.g. in a system where a channel space is approx. 0.4 nm, 1550.4 nm).
エタロン３０の公称厚さｄは、透過ピークが、選択された光通信チャネル（例えば１５５０ｎｍ）にほぼ等しい波長に現れ、次のピークが、隣の通信チャネル（例えば、チャネル間隔がほぼ０．４ｎｍのシステムでは１５５０．４ｎｍ）にほぼ等しい波長に現れるように、選択される。 - 特許庁 - The obtained hollow particle is comprised of a dense silica shell which has a diameter of a primary particle of 30-300 nm as measured by the transmission electron microscope method, and a particle size of 30-800 nm by the dynamic light scattering method, and which can not detect pores of 2-20 nm in a pore distribution measured by the mercury porosimetry.
得られた中空粒子は透過型電子顕微鏡法による一次粒子径が３０〜３００ｎｍ、動的光散乱法による粒子径が３０〜８００ｎｍ、水銀圧入法により測定される細孔分布において２〜２０ｎｍの細孔が検出されない緻密なシリカ殻からなる。 - 特許庁 - The antireflection film is composed of a multilayer film formed by laminating 4 to 12 layers in which the reflectance of exposure light of wavelength 320 to 450 nm is 1.5% or less, and the reflectance of infrared light of wavelength 800 nm or more (in particular, 880 nm) as alignment light is 2% or less.
露光光である波長３２０〜４５０ｎｍの反射率が１．５％以下、アライメント光である波長８００ｎｍ以上（特に８８０ｎｍ）の赤外光の反射率が２％以下となる４〜１２層で積層される多層膜で構成される反射防止膜を提供する。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition which is suitably used for use of an exposure light source of ≤160 nm, specially, F_2 excimer laser light (157 nm) and shows sufficient transparency in use of the light source of 157 nm and has high sensitivity, a high contrast, and superior coating property.
１６０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ高感度、高コントラストで塗布性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - A region to be irradiated 91 of the object to be measured 90 is irradiated by an irradiation optics 20 with wideband light L1 which is generated in a substantially single space mode by a wideband light generating source 10, and whose bandwidth is 300 nm or more and is included in a wavelength band of 750 nm to 2,500 nm.
波長帯域７５０ｎｍ〜２５００ｎｍに含まれる帯域幅３００ｎｍ以上の広帯域光Ｌ_１が、広帯域光発生源１０から実質的に単一の空間モードで発生して、照射光学系２０により測定対象物９０の被照射領域９１に照射される。 - 特許庁 - Cellulose acylate is dissolved in a substantially non-chlorine- based solvent and formed into a film and absorption end wavelength, permeation limit wavelength and wavelength inclination width of the resultant cellulose acylate film are respectively controlled to 360-380 nm, 380-400 nm and 10-30 nm.
セルロースアシレートを実質的に非塩素系の溶剤に溶解後、製膜して、得られるセルロースアシレートフイルムの吸収端波長を３６０乃至３８０ｎｍ、透過限界波長を３８０乃至４００ｎｍ、そして、波長傾斜幅を１０乃至３０ｎｍの範囲に調節する。 - 特許庁 - The light absorbing antireflection glass substrate is composed of a glass base constituting a display surface of a cathode ray tube on which, a film of either silicon oxide, silicon oxide nitride, or silicon nitride of 1-15 nm, and a light absorbing film of 5-70 nm, and a film with low refractive index of 50-300 nm, in this sequence.
陰極線管の表示面を構成するガラス基体上に、１〜１５ｎｍの、シリコン酸化物膜、シリコン酸窒化物膜またはシリコン窒化物膜と、５〜７０ｎｍの光吸収膜と、５０〜３００ｎｍの低屈折率膜とがこの順に設けられてなる光吸収性反射防止ガラス基体。 - 特許庁 - A probe having 5-40 nm of tip curvature radius is brought in contact with a surface of the organic ion crystal, and the two-dimensional scanning is performed while applying the pressure at 5-300 nN to the probe, and grinding is performed till the center line surface roughness (Ra) ≤5 nm and the maximum height (Rmax) at 50 nm are obtained.
有機イオン結晶表面に、先端曲率半径５〜４０ｎｍの探針を接触させ、この探針に５〜３００ｎＮの圧力を印加しながら二次元的に走査し、中心線表面粗さ（Ｒａ）５ｎｍ以下及び最大高さ（Ｒｍａｘ）５０ｎｍ以下になるまで研削する。 - 特許庁 - The difference in refractive index between a glass filler and a polycarbonate resin is 0.004-0.015 against light with a wavelength of 486 nm, ≤0.002 against light with a wavelength of 589 nm and ≤0.002 against light with a wavelength of 656 nm, and the glass filler content is 2-40 mass%.
ガラスフィラーとポリカーボネート樹脂との屈折率の差を、波長４８６ｎｍの光に対して０．００４〜０．０１５、波長５８９ｎｍの光に対して０．００２以下、波長６５６ｎｍの光に対して０．００２以下とし、ガラスフィラーの含有率を２〜４０質量％とする。 - 特許庁 - The film is designed in such a manner that the total film thickness of the light shielding film is 100 nm or less and that the film thickness of a chromium compound having optical density (OD) of 0.025 nm^-1 or less per unit film thickness with respect to light at 450 nm wavelength possesses 70% or more of the total film thickness.
また、この遮光性膜の全体膜厚は１００ｎｍ以下であり、波長４５０ｎｍの光に対する単位膜厚当りの光学濃度（ＯＤ）が０．０２５ｎｍ^-1以下のクロム系化合物の膜厚が、その全体膜厚の７０％以上を占めるように設計されている。 - 特許庁 - Back light having a wavelength of 420 to 470 nm is used when the dichroic coloring matter is yellow, back light having a wavelength of 500 to 530 nm is used when the dichroic coloring matter is orange, and back light having a wavelength of 600 to 650 nm is used when the dichroic coloring matter is blue.
二色性色素がイエロー（黄）色の時は４２０〜４７０ｎｍ波長のバックライト光を用い、二色性色素がオレンジ（橙）色の時は５００〜５３０ｎｍ波長のバックライト光を用い、二色性色素がブルー（青）色の時は６００〜６５０ｎｍ波長のバックライト光を用いる。 - 特許庁
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