「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 32 33 34 35 36 37 38 39 40 .... 287 288 次へ＞- The silver fine powder is formed of silver particles which have an average particle diameter D_TEM of 3 to 20 nm or an X-ray crystal grain size D_X of 1 to 20 nm, and have hexylamine (C_6H_13-NH_2) adsorbed on their surfaces.
ヘキシルアミン（Ｃ_6Ｈ_13−ＮＨ_2）を表面に吸着させた平均粒子径Ｄ_TEM：３〜２０ｎｍまたはＸ線結晶粒径Ｄ_X：１〜２０ｎｍの銀粒子からなる銀微粉。 - 特許庁 - Each of particles of a soft magnetic alloy 8 is coated with an oxide film 9, and the oxide film 9 is set to have a thickness not smaller than 20 nm and not larger than 110 nm.
その目的を達成するために本発明は、粉末状の軟磁性合金８を酸化被膜９で覆い、この酸化被膜９の厚みを２０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下とした。 - 特許庁 - In addition, alumina of which the number average particle size is 50 to 150 nm and of which the standard deviation of particle size distribution measured by microscopy is 10 nm or less is contained in the magnetic layer.
あわせて、磁性層には、数平均粒子径が５０〜１５０ｎｍで、かつ顕微鏡法で測定した粒度分布の標準偏差が１０ｎｍ以下であるアルミナを含有させる。 - 特許庁 - Such a stacked retardation sheet exhibits such an excellent optical characteristic that the in-plane retardation (Re) is ≥10 nm and the difference between the thickness-directional retardation and the in-plane retardation is ≥50 nm.
このような積層位相差板は、面内位相差（Re）が１０ｎｍ以上、厚み方向位相差と前記面内位相差との差が５０ｎｍ以上という、優れた光学特性を示す。 - 特許庁 - According to the ultraviolet irradiation device for gas, radical oxygen (O) is produced and discharged by supplying oxygen (O_2) or ozone (O_3) and applying ultraviolet rays of 185 nm and 254 nm and, by using the radical oxygen (O), high definition surface treatment is permitted.
酸素（Ｏ_２）またはオゾン（Ｏ_３）を供給し、１８５ｎｍや２５４ｎｍの紫外線を照射し、ラジカル酸素（Ｏ）を生成排出し、高精細な表面処理をすることが可能である。 - 特許庁 - The metal oxide of a film thickness 50 nm or below, preferably 10 nm, is dispersedly carried on a carbon material, resulting in producing the metal oxide carried carbon material structure.
炭素材料上に膜厚が５０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍの金属酸化物を分散して担持することにより、金属酸化物担持炭素材料構造体を作製する。 - 特許庁 - The light-transmissive pad 11 ideally shows a light transmittance of ≥10% over the optical wavelength region of 370-900 nm, more ideally, over the optical wavelength region of 390-900 nm.
光透過性パッド１１は、好適に、３７０〜９００ｎｍの光波長領域、より好適に３９０〜９００ｎｍの光波長領域にわたって１０％以上の光透過率を示す。 - 特許庁 - The average distance between copper rich phases is between more than 120 nm and less than 500 nm, in the cross section including a crystal c axis of the Th_2Zn_17 type crystal phase of the permanent magnet.
永久磁石のＴｈ_2Ｚｎ_17型結晶相の結晶ｃ軸を含む断面において、銅リッチ相間の平均距離は１２０ｎｍを超えて５００ｎｍ未満の範囲とされている。 - 特許庁 - The selected oxidized layer has a thickness of 28 nm, the thickest portion is ≤110 nm in the oxidized layer 108a, and the temperature at which a threshold current becomes the minimum is about 17°C.
そして、被選択酸化層の厚さは２８ｎｍであり、酸化層１０８ａにおける最も厚い部分の厚さは１１０ｎｍ以下であり、閾値電流が最小となる温度は約１７℃である。 - 特許庁 - A fluororesin 16 with a configuration of primary particles of 30 nm or more and 800 nm or less exists in at least one of the electrode catalyst layers of anode and cathode.
少なくともアノードおよびカソードどちらか一方の上記電極触媒層には、３０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の一次粒子の形態を有するフッ素樹脂１６が存在している。 - 特許庁 - According to the manufacturing method, a film-like gold porous body having fine pores, for example, of pore size 100 to 300 nm, porosity 14.5% and thickness 500 nm can be manufactured.
上記製造方法により、例えば、孔径が１００〜３００ｎｍである細孔を有し、空孔率は１４．５％、厚さ５００ｎｍである膜状金多孔質体を製造することができる。 - 特許庁 - An LD unit used for a light source for signal transmission has a 2nd LD chip 21a, whose center light stimulation wavelength is 650 nm and a 1st LD chip 21b, whose center light emitted wavelength is 780 nm.
信号伝送用光源として用いるＬＤユニットは、中心発光波長６５０nmの第２ＬＤチップ２１aと中心発光波長７８０nmの第１ＬＤチップ２１bとを有する。 - 特許庁 - The nitride semiconductor light emitting diode comprises five sets of SiO_2 and TiO_2 laminated in thicknesses of 107 nm and 67 nm on the surface of a transparent sapphire substrate 11 to form a dielectric multilayer filter 19.
透明サファイア基盤１１の表面上には、ＳｉＯ_2、ＴｉＯ_2がそれぞれ１０７ｎｍ、６７ｎｍの厚さで５組積層されて、誘電体多層膜フィルタ１９が形成されている。 - 特許庁 - A light source in which a ratio of a radiation energy having a wavelength region of 400-450 nm to a radiation energy having a wavelength region of 400-800 nm is ≥15% is used as the light source 2.
光源２としては４００〜８００ｎｍの波長領域の放射エネルギのうち４００〜４５０ｎｍの波長領域の割合が１５％以上であるものを用いる。 - 特許庁 - First, a chalcopyrite-type solar cell is irradiated with light including a wavelength of 250 nm to 800 nm until the integrated number of photons becomes 10000 or more (light preliminary irradiation step S1).
カルコパイライト型太陽電池に対し、先ず、２５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長を含む光を、積算光子数が１００００以上となるまで照射する（光予備照射工程Ｓ１）。 - 特許庁 - In the surface processing of a vacuum sliding material, the surface maximum roughness of the sliding material by mechanical or chemical polishing is set to within a range from 70 nm-200 nm.
真空用摺動材料の表面処理において、その機械的又は化学的研磨による摺動材料の表面最大粗さを７０ｎｍから２００ｎｍの範囲とする。 - 特許庁 - A printed board 30 is irradiated with blue light having a peak wavelength within a range more than 450 nm and less than 500 nm at an incident angle of 74° by a first ring light 12.
プリント基板３０に対し、第１リングライト１２により、入射角７４度で、４５０ｎｍを上回り５００ｎｍを下回る範囲にピーク波長をもつ青色光を照射する。 - 特許庁 - The conductive polyvinyl alcohol fiber is obtained by dispersing copper sulfide fine particle having ≤50 nm average particle diameter in an area from the fiber surface layer part to 150 nm depth.
繊維表層部から深さ１５０ｎｍの範囲において平均粒径５０ｎｍ以下の硫化銅微粒子が分散されてなることを特徴とする導電性ポリビニルアルコール系繊維。 - 特許庁 - A fluorescent lamp having the maximum peak of spectral energy in the wavelength of 660 nm±20 nm or having the spectral energy of ≥60% of other peak is used for the tools 16 and 17.
照明器具１６，１７には、６６０ｎｍ±２０ｎｍの波長に分光エネルギーの最大ピーク、又は他のピークの６０％以上の分光エネルギーを有する蛍光灯が用いられている。 - 特許庁 - A multiplication value Δnd of a thickness d of the liquid crystal layer 3 and refractive index anisotropy Δn of a liquid crystal material of the liquid crystal layer is 240 nm or less to light having 550 nm wavelength.
液晶層３の厚みｄと、液晶層の液晶材料の屈折率異方性Δｎと、を乗じた値Δｎｄは、波長５５０ｎｍの光に対して２４０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - A multiplication value Δnd of a thickness d of the liquid crystal layer 3 and refractive index anisotropy Δn of a liquid crystal material of the liquid crystal layer is 460 nm or more to light having 550 nm wavelength.
液晶層３の厚みｄと、液晶層の液晶材料の屈折率異方性Δｎと、を乗じた値Δｎｄは、波長５５０ｎｍの光に対して４６０ｎｍ以上である。 - 特許庁 - Then, light with a wavelength of 500 nm or below is guided to the first CCD 12A by a dichroic prism 20 and second light with a wavelength of above 500 nm is guided to the second CCD 12B.
そして、ダイクロイックプリズム２０によって波長５００ｎｍ以下の光を第１のＣＣＤ１２Ａへ導き、波長５００ｎｍを超える光を第２のＣＣＤ１２Ｂへ導く。 - 特許庁 - To provide a fluorescent lamp having a phosphors coating film suitable for general lighting, basing on a vacuum ultraviolet radiation source especially emitting a wavelength within a rage of around 154 nm-185 nm.
一般照明に適した蛍光体被膜を備え、約１４５ｎｍ〜１８５ｎｍの範囲の波長を特に発生する真空紫外線放射源を基礎とする蛍光ランプを提供する。 - 特許庁 - It is preferable that an extinction coefficient of the diamond has a value of ≤0.021 with respect to light at a wavelength of 520 nm and has a value of ≤0.010 with respect to light at a wavelength of 250 nm.
なお、そのダイヤモンドの消衰係数は、波長５２０ｎｍの光に関して０．０２１以下の値を有し、波長２５０ｎｍの光に関して０．０１０以下の値を有することが好ましい。 - 特許庁 - The display system (100, 300, 700, 800, 900, 910) includes a display screen (115) having a phosphor that emits light of wavelength range of about 450 nm to about 650 nm, when the phosphor is excited by a laser beam.
本発明によるディスプレイシステム(100,300,700,800,900,910)は、レーザビームによって励起された場合に約４５０ｎｍ〜約６５０ｎｍの波長範囲の光を放出する蛍光体を有するディスプレイスクリーン(115)を含む。 - 特許庁 - The toner comprises toner particles containing monodispersed spherical particles as an external additive on toner parent particle surfaces, the monodispersed spherical particles having a number-average primary particle diameter between 20 nm and 60 nm.
トナー母体粒子表面に個数平均１次粒径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の単分散球状粒子を外添剤として含有するトナー粒子より構成されるトナー。 - 特許庁 - An electrostatic latent image is synthesized in the image forming apparatus by exposing the same exposure point on a photoreceptor drum 1a with a laser beam with oscillation wavelength of 420 nm and a laser beam with oscillation wavelength of 780 nm.
発振波長４２０ｎｍのレーザービームと発振波長７８０ｎｍのレーザービームとで感光ドラム１ａ上の同一露光点を露光して静電潜像を合成する。 - 特許庁 - Accordingly, the half mirror 25 functions as a half mirror having higher light transmitting characteristics in which transmissivity for light having a wavelength of 450 nm is higher in comparison with transmissivity for light having a wavelength of 550 nm.
従って、ハーフミラー２５は、波長が４５０ｎｍの光に対する透過率が５５０ｎｍの光に対する透過率に比べて高い光透過特性を有するハーフミラーとして機能する。 - 特許庁 - A semiconductor laser element 1 is provided with a laser diode chip for emitting a laser beam of 650 nm wavelength, and a laser diode chip for emitting a laser beam of 780 nm wavelength.
半導体レーザ素子１は、波長６５０ｎｍのレーザ光を出射するレーザダイオードチップ１１および波長７８０ｎｍのレーザ光を出射するレーザダイオードチップ１２を備える。 - 特許庁 - The toner for electrostatic charge image development is prepared by externally adding compound oxide particles containing titanium atoms more than silicon atoms and having an average primary particle diameter of 20 nm to 200 nm.
チタン原子がケイ素原子よりも多く含有され、かつ、平均１次粒径が２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下となる複合酸化物粒子を外添してなる静電荷像現像用トナー。 - 特許庁 - To provide a light emitting diode (LED) that emits UV light with a wavelength between 300 nm and 380 nm by adding an aluminum atom to every layer of an InGaN light emitting diode.
アルミニウム原子をＩｎＧａＮ発光ダイオードの全層に追加することにより、波長が３００ｎｍから３８０ｎｍの紫外線を放出する発光ダイオード（ＬＥＤ）を提供すること。 - 特許庁 - More particularly, the deposition speed of the recording layer 14 is preferably set at ≥50 nm/sec and the deposition speed of the reflection layer 12 is further preferably set at ≥15 nm/sec.
特に、記録層１４の成膜速度を５０ｎｍ／ｓｅｃ以下に設定することが好ましく、反射層１２の成膜速度を１５ｎｍ／ｓｅｃ以上に設定することがさらに好ましい。 - 特許庁 - Furthermore, the adsorbent for removing the siloxane characteristically comprises the activated carbon having the pores with a mean pore size of 2.0-4.0 nm and the activated carbon with a mean pore size of less than 2.0 nm.
また、平均細孔直径が２．０〜４．０ｎｍの活性炭と平均細孔直径が２．０ｎｍ未満の活性炭とを有することを特徴とするシロキサン除去用吸着剤とする。 - 特許庁 - A continuous coating 1B of 100 nm thick or less principally comprising a water soluble polymer and fine particles having mean grain of 5-200 nm is formed at least on one side of the nonmagnetic support 1A.
非磁性支持体の少なくとも片面に水溶性高分子と平均粒径が５〜２００ｎｍの微細粒子を主体とする厚さ１００ｎｍ以下の連続被膜を形成する。 - 特許庁 - In the colorant, the number proportion of primary particles of which the minor axis is 15 to 80 nm is ≥95%, the major axis is ≤150 nm and the ratio of the minor axis to the major axis is 1/1 to 1/3.
前記着色剤は短径が１５〜８０ｎｍの一次粒子の個数割合が９５％以上、長径が１５０ｎｍ以下、短径と長径の比が１：１〜１：３である。 - 特許庁 - At the wavelength of 1,550 nm, characteristics are obtained showing a dispersion of +5p to +15s/nm/km, an effective core cross sectional area of 110 μm^2, and a transmission loss of 0.23 dB/km or below.
波長１５５０ｎｍにおいて、分散が＋５ｐ〜＋１５ｓ／ｎｍ／ｋｍ、実効コア断面積が１１０μｍ^2、伝送損失が０．２３ｄＢ／ｋｍ以下の特性が得られた。 - 特許庁 - Further, the light of the wavelength region of ≥600 nm in such a manner is subjected to the transmission of only the light of the wavelength region of 600 to 700 nm by a band-pass filter 42 and the transmitted light is received in a photodetector 43.
さらに、６００ｎｍ以上の波長域の光は、帯域フィルタ４２により６００〜７００ｎｍの波長域の光だけを透過させられて受光素子４３で受光される。 - 特許庁 - By using the fine particle material having particle size of 1 nm to 100 nm, different kinds of resin material which are poorly compatible to one another can be mixed to form a micro-domain structure.
微粒子材料の粒径として１ｎｍ〜１００ｎｍを採用することで相溶性が低い樹脂材料を混合してミクロドメイン構造を形成することが可能になった。 - 特許庁 - The contrast medium for optoacoustic imaging contains iron-oxide particles whose particle size is 15 nm or more and 500 nm or less.
酸化鉄粒子を有する光音響イメージング用造影剤において、前記酸化鉄粒子の粒径が１５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする光音響イメージング用造影剤。 - 特許庁 - The third ESD layer 112 is n-GaN, where a characteristic value to be defined by the product of the Si concentration (/cm^3) and the film thickness (nm) is 0.9×10^20 to 3.6×10^20 (nm/cm^3).
第３ＥＳＤ層１１２は、Ｓｉ濃度（／ｃｍ^3 ）と膜厚（ｎｍ）の積で定義される特性値が０．９×１０^20〜３．６×１０^20（ｎｍ／ｃｍ^3 ）のｎ−ＧａＮである。 - 特許庁 - A first clutch is put in a status just before tightening by a real pressure Pc1 at t2, and a revolution speed Nm is increased by increasing motor torque Tm for starting an engine at t3 after the lapse of a set time TM1 since t2.
t2より第1クラッチを実圧Pc1により締結直前状態にし、t2から設定時間TM1が経過するt3より、モータトルクTmをエンジン始動用に増大させて回転数Nmを上昇させる。 - 特許庁 - In a surface emitting laser element of 1,300 nm band, a detuning amount is set at a value within a range of 14-20 nm, or a matching temperature is set at a value within a range of 60-75°C.
１３００ｎｍ帯の面発光レーザ素子において、ディチューニング量を１４〜２０ｎｍの範囲内に設定するか、またはマッチング温度を６０〜７５℃の範囲内に設定する。 - 特許庁 - The layer 46 converts the ray having 254 nm to the ray having 365 nm and then irradiates the ray toward the layer 43 to optically fix the layer 43.
蛍光体層４６は、２５４ｎｍの紫外線を３６５ｎｍの紫外線に変換してから、マゼンタ感熱発色層４３に向けて放射し、マゼンタ感熱発色層４３を光定着する。 - 特許庁 - Also, in the surface emitting laser element of 1,550 nm band, a detuning amount is set at a value within the range of 16-25 nm, or a matching temperature is set at a value within the range of 60-85°C.
また、１５５０ｎｍ帯の面発光レーザ素子において、ディチューニング量を１６〜２５ｎｍの範囲内に設定するか、またはマッチング温度を６０〜８５℃の範囲内に設定する。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium capable of well recording and regenerating with a laser with a wave length of 300-900 nm, especially a bluish purple laser light selected from a range of a wave length of 400-410 nm, and a new bibenzooxazinyl derivative which can be suitably used for the optical recording medium.
波長３００〜９００ｎｍのレーザーで良好な記録および再生が可能な光記録媒体および新規なビベンゾオキサジニル誘導体を提供する。 - 特許庁 - A plurality of nozzles 41 in a head 6 are arranged laterally starting from a central nozzle at nozzle pitches n1, n2, n3, n4,..., nm (n1>n2>n3>n4>...>nm), i.e., at pitches decreasing gradually toward the opposite end parts.
ヘッド６の複数のノズル４１は中央のノズルから左右にノズルピッチｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４、……ｎｍ（ｎ１＞ｎ２＞ｎ３＞ｎ４……＞ｎｍ）で配置し、両端部に行くに従って漸次狭くなる配置とした。 - 特許庁 - A unit layer may be two layers of graphene 1 arranged so that an interlayer distance is ≤0.14 nm, and the plurality of unit layers may be arranged so that the interlayer distance is ≥0.2 nm.
また、２層のグラフェン１が、層間距離０．１４ｎｍ以下となるように配置されたものを単位層とし、複数の単位層が、層間距離０．２ｎｍ以上となるように配置されてもよい。 - 特許庁 - Further, the film thickness of the copper-oxide coating film 2 is 10 nm to 10 μm, the film thickness of the carbon coating film 3 is 20 nm to 50 μm, and the carbon coating film 3 contains ≥95 atom% of carbon component.
また、酸化銅皮膜２の膜厚は１０ｎｍ〜１０μｍ、カーボン皮膜３の膜厚は２０ｎｍ〜５０μｍで、カーボン皮膜３はカーボン成分を９５原子％以上含有する。 - 特許庁 - A light-emitting device comprises: a light-emitting element having a main light-emitting peak in a wavelength region of more than 420 nm and 500 nm or less; and a phosphor layer formed on the light-emitting element.
発光装置は、４２０ｎｍを越え５００ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する発光素子と、前記発光素子上に形成された蛍光体層とを具備する。 - 特許庁 - This kind of stacked retardation plate exhibits such excellent optical characteristics that the in-plane phase difference (Re) is 10 nm or larger and the difference between a thickness direction phase difference and the in-plane phase difference is 50 nm or larger.
このような積層位相差板は、面内位相差（Re）が１０ｎｍ以上、厚み方向位相差と前記面内位相差との差が５０ｎｍ以上という、優れた光学特性を示す。 - 特許庁
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