「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 287 288 次へ＞- Also disclosed is a dendritic substance wherein the thickness of the stem is 20 to 500 nm and the thicknesses of the branches are 5 to 200 nm.
前記幹部の太さが20nm〜500nm、枝部の太さが5nm〜200nmの範囲である樹状物質。 - 特許庁 - More preferably, an average particle diameter of the silver particles is ≥3 nm and ≤100 nm.
また、銀粒子の平均粒径が３ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのが好ましい。 - 特許庁 - The preferable thickness of the InAs layer or the InSb layer is 3 nm to 10 nm.
ＩｎＡｓ層又はＩｎＳｂ層の好ましい厚みは３ｎｍから１０ｎｍである。 - 特許庁 - The maximum peak of a micro pore size distribution of the combined particle is in a range of 1 nm to 200 nm.
この複合粒子は、細孔分布の最大ピークが1nmから200nmまでの範囲にある。 - 特許庁 - Preferably, the porous carbon material has an average diameter of micropores of 1 nm-10 nm.
多孔性炭素材料の平均細孔直径は1ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - To create haze, the sizes are within the range of from about 380 nm to about 720 nm.
ヘイズを作り出すためには、サイズは約３８０ｎｍ〜約７２０ｎｍの範囲内である。 - 特許庁 - The average primary particle size of the oxide particles is ≥10 nm and <100 nm.
酸化物微粒子の平均一次粒子径は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である。 - 特許庁 - The photocatalytic layer 3 is formed with a thickness of not more than 100 nm, e.g. 20 nm.
この光触媒層３は、厚さ１００ｎｍ以下、例えば２０ｎｍに形成されている。 - 特許庁 - The thickness of the vapor-deposited layer of aluminum oxide can be made to 20 nm to 300 nm.
酸化アルミニウム蒸着層の厚みを２０ｎｍ〜３００ｎｍとすることができる。 - 特許庁 - In addition, the surface roughness of the flat surface body is preferably within a range of 0.01-1.0 nm.
また、平坦表面体の表面粗さは、0.01〜1.0 nmの範囲内にあることが好ましい。 - 特許庁 - Therein, Rth(λ) means a retardation (nm) in the thickness direction at wavelength λ nm.
但し、Ｒｔｈ（λ）は、波長λｎｍにおける厚み方向のレターデーション（ｎｍ）を意味する。 - 特許庁 - The retardation of the optically anisotropic film (measured at wavelength of 550 nm) is 50 to 3000 nm.
α＝Ｒ_F／Ｒ_D・・・（１） ［Ｒ_F：水素Ｆ線（波長４８６ｎｍ）で測定したレタ−デ−ションの値。 - 特許庁 - Film thicknesses are both 18 angstroms (3.5 nm×T) and 21 angstroms (3.9 nm×T), respectively.
膜厚はそれぞれ１８オングストローム（３．５ｎｍ・Ｔ）と２１オングストローム（３．９ｎｍ・Ｔ）である。 - 特許庁 - Perylene pigment (Me-PTC) is used as the photoconductive organic semiconductor, and the thickness of the film is set to 500 nm.
光導電性有機半導体としてペリレン顔料(Me-PTC)を用い、膜厚は500 nmとした。 - 特許庁 - An average film thickness of the Pt layer preferably ranges from 0.5 nm or more to 2 nm or less.
Ｐｔ層の平均膜厚が０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下であるのが好ましい。 - 特許庁 - (1) R>1 nm, (2) L<20,000 nm, (3) 1-AπR^2>0.5, and (4) 2πRLA>200.
Ｒ＞１ｎｍ・・・（１） Ｌ＜２００００ｎｍ・・・（２）１−ＡπＲ^2＞０．５・・・（３） ２πＲＬＡ＞２００・・・（４） - 特許庁 - For example, the mean particle diameter R of the colloidal particle 3 is ≥70 nm and ≤238 nm.
コロイド粒子３の平均粒径Ｒは、たとえば７０ｎｍ以上２３８ｎｍ以下である。 - 特許庁 - Light source comprises LED having 550-670 nm, preferably 590 nm, at its peak.
光源としては、550〜670nmにピークを有するLED、好ましくは590nmにピークを有するLEDを用いるとよい。 - 特許庁 - (2) The photosensitive silver halide particles have an equivalent spherical diameter of between 10 nm and 50 nm.
（２）前記感光性ハロゲン化銀粒子の球相当径が、１０nm以上５０nm以下であること。 - 特許庁 - The upper metal layer 27 is set larger than 10 nm but smaller than 20 nm in thickness.
上部金属層２７の厚さを１０ｎｍより厚くかつ２０ｎｍより薄くする。 - 特許庁 - The LED 57 has a peak wavelength in light emission of 380 nm approximatelly and a half value width of 20 nm approximatelly.
ＬＥＤ５７は、発光ピーク波長約３８０ｎｍ、半値幅約２０ｎｍである。 - 特許庁 - It is desirable that the film thickness of the zirconium containing film is ≥2.5 nm and ≤10 nm.
ジルコニウム含有膜の膜厚は、２．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - The intermediate layer is made of ruthenium and has ≥15 nm and ≤45 nm film thickness.
また、中間層をルテニウム（Ｒｕ）とし、その膜厚を１５ｎｍ以上、４５ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - The wavelength of a laser beam source of the laser exposure device 3 is specified to 400 nm below 500 nm.
レーザ露光装置３のレーザ光源の波長を５００ｎｍ以下の４００ｎｍとする。 - 特許庁 - This single-phased phosphor emitting the white-colored light as the continuous spectrum in 380 to 720 nm wavelength visible light range by being excited with the ultraviolet light having 250 to 260 nm wavelength is provided by containing bismuth as an activator, or the bismuth and manganese as a double-activator.
波長250 nm〜260 nmの紫外光によって励起されて、波長380 nm〜720 nmの可視光領域において連続スペクトルで白色発光する単相の蛍光体であって、ビスマスを付活剤として含有又はビスマスとマンガンを二重付活剤として含有している。 - 特許庁 - Undope GaN of 3 mm having the principal surfaces of (11-20) surfaces are formed on a substrate, then, AlN of 1 nm, n-type Al_0.25Ga_0.75N of 25 nm and n-type GaN of 50 nm are formed thereon.
基板上に(1 1 -2 0)面を主面とするアンドープのGaNが3mm、その上に、AlNが1nm、ｎ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ｎが25nm、n型GaNが50nm形成されている。 - 特許庁 - The thickness of the drain region 109 is either any of 150 nm-300 nm, the thickness of the BOX region 102 is 150 nm or more.
ドレイン領域１０９の厚さは１５０ｎｍ〜３００ｎｍのいずれかであり、ＢＯＸ領域１０２の厚さは１５０ｎｍ以上である。 - 特許庁 - Also, it is assumed that the central wavelength of a laser is 6 nm or more to 35 nm or less, and difference between the maximum value of the central wavelength and the minimum value is less than 100 nm.
又レーザの中心波長の間隔が6nm 以上35nm以下、中心波長の最大値と最小値の差は100nm 以内とする。 - 特許庁 - A thickness of the drain region 112 is within 150 nm-300 nm and a thickness of the BOX region 102 is 150 nm or more.
ドレイン領域１１２の厚さは１５０ｎｍ〜３００ｎｍのいずれかであり、ＢＯＸ領域１０２の厚さは１５０ｎｍ以上である。 - 特許庁 - Consequently, respective retardation values are rR=150 nm, rR>rG=138 nm, rG>rB=113 nm in this order.
これにより、各位相差値（リタデーション）は、当該順に、ｒＲ＝１５０ｎｍ、ｒＲ＞ｒＧ＝１３８ｎｍ、ｒＧ＞ｒＢ＝１１３ｎｍとなっている。 - 特許庁 - The thickness dimension of the non-magnetic layer 4 is in the range of 1-50 nm and surface roughness (P-V) is in the range of ≥2 nm and ≤20 nm.
非磁性層４の厚さ寸法は、１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲、表面粗さ（Ｐ−Ｖ）が２ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の範囲とする。 - 特許庁 - The optical compensation film has Re in the range of 0-100 nm and Rth in the range of 0-400 nm, for light of a wavelength of 550 nm.
波長５５０ｎｍの光でのＲｅが０以上１００ｎｍ以下の範囲、Ｒｔｈが０以上４００ｎｍ以下の範囲である。 - 特許庁 - A light source 1 emits laser light having a wavelength of 200 nm or shorter such as ArF excimer laser (193 nm) and F_2 laser (157 nm).
光源１は、例えばＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ_2レーザ（１５７ｎｍ）等の２００ｎｍ以下の波長のレーザ光を射出する。 - 特許庁 - The diameter 2r of the regions 11 forming the columnar structures is 50 nm or shorter, preferably 10 nm or shorter, and the interval 2R between them is 30 nm or shorter, preferably 15 nm or shorter.
柱状構造体を成す領域１１の径２ｒは５０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下であり、その間隔２Ｒは３０ｎｍ以下、好ましくは１５ｎｍ以下である。 - 特許庁 - In the expressions, D_365, D_500, D_550 and D_600 represent optical densities of a coating film containing the organic pigment (e) for shielding measured under given conditions at wavelengths of 365 nm, 500 nm, 550 nm and 600 nm, respectively.
（Ｄ_365、Ｄ_500、Ｄ_550、及びＤ_600は、それぞれ、ある条件で測定した遮蔽有機顔料（ｅ）を含む塗膜の、３６５ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、及び６００ｎｍにおける光学濃度である。） - 特許庁 - An in-plane phase difference Re_1 of each of the protective films 6b, 7b satisfies 0 nm≤Re_1≤5 nm, and a thickness-directional phase difference Rth of each of the protective films 6b, 7b satisfies 0 nm≤Rth≤20 nm.
保護フィルム６ｂ，７ｂの面内位相差Ｒｅ_1は、０ｎｍ≦Ｒｅ_1≦５ｎｍを満たし、保護フィルム６ｂ，７ｂの厚み方向位相差Ｒｔｈは、０ｎｍ≦Ｒｔｈ≦２０ｎｍを満たす。 - 特許庁 - The expression 1: (wavelength selectivity of straight advancing light)=((straight advancing light transmittance of 685 nm light)/(total transmittance of 685 nm light))/((straight advancing light transmittance of 470 nm light)/(total transmittance of 470 nm light)).
（式１）直進光の波長選択性＝（（６８５ｎｍ光の直進光透過率）／（６８５ｎｍ光の全透過率））／（（４７０ｎｍ光の直進光透過率）／（４７０ｎｍ光の全透過率）） - 特許庁 - The characteristic (1) is that the retardation value (R0) is 15 nm or less.
（１）レタデーション値（Ｒ０）が１５ｎｍ以下。 - 特許庁 - The hydroxygallium phthalocyanine pigment is characterized by having a maximum peak wavelength within a range from 810 nm to 839 nm in optical absorption spectrum in a wavelength range from 600 nm to 900 nm.
６００〜９００ｎｍの波長域での分光吸収スペクトルにおいて、８１０〜８３９ｎｍの範囲に最大ピーク波長を有することを特徴とするヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a highly accurate wafer by which a high flatness can be obtained by removing minute waving about several nm to several hundred nm in amplitude produced by etching, when manufacturing a wafer.
ウェーハの製造に際し、エッチングにより形成される振幅が数nmから数百nm程度の微小なうねりを除去して高平坦度が得られる高精度ウェーハの製造方法。 - 特許庁 - The average thickness of the mask is 5-500 nm.
マスクの平均厚さは、５〜５００ｎｍである。 - 特許庁 - The value (A) defined by A=Re(442)-Re(780), wherein Re(442) is the phase difference for the light at 442 nm wavelength and Re(780) is the phase difference for the light at 780 nm wavelength, ranges from -3 nm to 3 nm.
Ａ＝Ｒｅ(４４２)−Ｒｅ(７８０) 式 Ｒｅ(４４２) ： 波長４４２ｎｍの光に対する位相差値 Ｒｅ(７８０) ： 波長７８０ｎｍの光に対する位相差値 - 特許庁 - The average particle diameter of the first conductive powder 42 is 50 nm or larger to 300 nm or smaller, and the same of the second conductive powder 44 is 10 nm or larger and smaller than 50 nm.
第１導電性粉末４２の平均粒子径が、５０ｎｍ以上で、３００ｎｍ以下であり、第２導電性粉末４４の平均粒子径が、１０ｎｍ以上で、５０ｎｍ未満である。 - 特許庁 - An R/B calculation part 128 calculates an R/B as, the ratio of the light intensity R in the 630 nm±70 nm wavelength band to the light intensity B in the 480 nm±70 nm wavelength band by each picture element of the CCD imaging element 125.
Ｒ／Ｂ算出部128 では、ＣＣＤ撮像素子125 の画素毎に、４８０nm±７０nm帯域の光強度Ｂと６３０nm±７０nm帯域の光強度Ｒの比であるＲ／Ｂを算出する。 - 特許庁 - Characteristic value 1: The maximum absorption wavelength is 640 to 670 nm.; Characteristic value 2: The concentration at 610 nm and at 660 nm is 0.55 to 0.75.; Characteristic value 3: The concentration at 550 nm and at 610 nm is 0 to 0.30.
特性値 ：最大吸収波長が、６４０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下；特性値 ：６１０ｎｍでの濃度／６６０ｎｍでの濃度が、０．５５以上０．７５以下；特性値 ：５５０ｎｍでの濃度／６１０ｎｍでの濃度が、０以上０．３０以下。 - 特許庁 - In the optical film, the value is ≥1.1 and ratios of front retardation values Re to retardation values Rth in the film thickness direction in 450 nm, 550 nm and 650 nm wavelengths and mutual ratios of the respective front retardation values Re in 450 nm, 550 nm and 650 nm wavelengths are in specified ranges.
また、上記比の値が１．１以上であり、かつ、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍにおける正面レターデーションＲｅと、膜厚方向のレターデーションＲｔｈの比及び波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍの各Ｒｅの相互の比が特定範囲内である光学フィルム。 - 特許庁 - The retardation of a liq. crystal layer 1, retardation in the substrate normal direction of the optical phase difference compensation plate 8, and retardation of the optical phase difference compensation plate 9 are brought into a range from 170 nm to 290 nm, from 80 nm to 150 nm, and from 200 nm to 360 nm, respectively.
液晶層１のリタデーションを１７０ｎｍ以上２９０ｎｍ以下とし、光学位相差補償板８の基板法線方向のリタデーションを８０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下とし、光学位相差補償板９のリタデーションを２００ｎｍ以上３６０ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - The optical pick-up device 100 is provided with first, second and third light sources 1A, 1B and 1C for emitting light of 405 nm, 660 nm and 790 nm.
光ピックアップ装置１００は、４０５ｎｍ、６６０ｎｍ、７９０ｎｍの光を発する第１、第２、第３光源１Ａ、１Ｂ、１Ｃを備える。 - 特許庁 - For example, the glass can emit fluorescence in a wide band of 380-650 nm by the excitation of ultraviolet rays having wavelengths of ≤350 nm.
例えば、350nm以下の紫外線の励起により、380から650nmの広帯域に渡り蛍光を発する。 - 特許庁 - The thicknesses of the cap metal 34 and the cap nitride layer 35 are set to be, for example, 1 nm-100 nm.
キャップメタル３４およびキャップメタル窒化層３５の膜厚は、たとえば１ｎｍ〜１００ｎｍとする。 - 特許庁
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