「nm」を含む例文一覧(14378)

＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 287 288 次へ＞
  • The retardation at 450 nm, 550 nm and 650 nm wavelengths of the retardation film satisfies the following relation (7) and (8).
    Ｒ（４５０）＜Ｒ（５５０）＜Ｒ（６５０） （７） Ｌ=〔((450/550)-R(450)/R(550))^2+((650/550)-R(650)/R(550))^2〕^1/2＜0.10 （８） 〔式中、R(450)、R(550)、R(650)は、それぞれの波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍにおける高分子配向フィルムの面内位相差である。 - 特許庁
  • For example, in case when the metal electrode is approx. 500-700 nm in thickness and a distance between the electrodes is approx. 600 nm, an O_3TEOS film is stacked at 300 nm.
    例えばメタル電極が５００ｎｍ〜７００ｎｍ程度の厚さで電極間が６００ｎｍ程度ある場合、Ｏ_３ＴＥＯＳ膜を３００ｎｍ堆積する。 - 特許庁
  • The diameters of particulates for red color reflection, green color reflection and blue color reflection are specified to be nearly 280 nm, nearly 235 nm and nearly 212 nm, respectively.
    赤色反射用、緑色反射用および青色反射用の微粒子の直径はそれぞれ約２８０ｎｍ、約２３５ｎｍ、約２１２ｎｍとする。 - 特許庁
  • The dispersion compensating optical fibers can provide larger dispersion more negative than -20 ps/nm-km and attenuation less than 1 dB/km at wavelengths in the 1,520 to 1,565 nm region.
    分散補償光ファイバは、−20ps/nm-kmよりも負方向に大きい分散及び1520〜1565nm領域内の波長における１dB/kmよりも小さい減衰を与え得る。 - 特許庁
  • In am embodiment, the S band is in a range of 1510 to 1525 nm, the M band is in a range of 1525 to 1565 nm and the L band is in a range of 1565 to 1610 nm.
    実施例では、Ｓバンドは１５１０ｎｍ〜１５２５ｎｍ、Ｍバンドは１５２５ｎｍ〜１５６５ｎｍ、Ｌバンドは１５６５ｎｍ〜１６１０ｎｍの範囲である。 - 特許庁
  • The toner for electrostatic charge image development contains inorganic particles externally added, wherein the number-basis distribution of the inorganic particles has a peak or inflection point each from 5 nm to 15 nm and from 25 nm to 50 nm and frequency of 5% to 10% at 60 nm or more, and 90% of particles having 20 nm or more particle diameter form aggregates.
    無機粒子を外添してなる静電荷像現像用トナーであって、前記無機粒子が、５ｎｍ〜１５ｎｍと２５ｎｍ〜５０ｎｍにそれぞれピークまたは変曲点を有し、６０ｎｍ以上の度数が５％〜１０％、２０ｎｍ以上の粒子の９０％以上が凝集物を形成する。 - 特許庁
  • For example, the thickness is set to 1,000 to 1,200 nm.
    例えば１０００〜１２００ｎｍの厚さとする。 - 特許庁
  • The reflection film has ≤0.5 nm arithmetic average roughness Ra and ≥25 nm thickness.
    反射膜の算術平均粗さＲａは０．５ｎｍ以下であり、反射膜の厚さは２５ｎｍ以上である。 - 特許庁
  • The preferable oxide particles are of the particle diameter of the order of nanometers, say 2 to 100 nm and more preferably 2 to 40 nm.
    酸化物粒子の粒径は好ましくは２〜１００ｎｍ、より好ましくは２〜４０ｎｍである。 - 特許庁
  • For the magnetic multilayer film 4, the non-magnetic film 13 includes Ag whose film thickness is ≥6 nm and ≤20 nm.
    この磁性多層膜４は、非磁性膜１３が、膜厚６ｎｍ以上２０ｎｍ以下のＡｇからなる。 - 特許庁
  • Color filter for a reflection-type liquid crystal display device consists of red pixels containing a coloring agent, having a threshold wavelength for transmittance at ≥550 nm and ≤575 nm and ≥20% average transmittance in the range from 430 nm to 470 nm when the average transmittance from 480 nm to 530 nm is 10%.
    透過率の閾波長が５５０ｎｍ以上５７５ｎｍ以下であり、かつ４８０ｎｍから５３０ｎｍでの平均透過率が１０％であるときに４３０ｎｍから４７０ｎｍでの平均透過率が２０％以上である着色剤を含む赤色画素からなることを特徴とする反射型液晶表示装置用カラーフィルター。 - 特許庁
  • The thickness of the carbon film may be smaller than 300 nm.
    炭素膜は、３００ナノメートルより薄くてもよい。 - 特許庁
  • As the laser, solid laser having a wavelength of 1 nm or more and 380 nm or less is used.
    また、前記レーザーとして、１ｎｍ以上３８０ｎｍ以下の波長を有する固体レーザーを用いる。 - 特許庁
  • A light of a wavelength of 200 nm or longer and 260 nm or shorter is irradiated to the interlayer insulating film 3.
    層間絶縁膜３に２００ｎｍ以上２６０ｎｍ以下の波長を有する光が照射される。 - 特許庁
  • The mass spectrometer considers a combination of peaks in an identical spectrum as a polymer candidate derived from an identical substance and having different association numbers; the mass-to-charge ratio of a first peak is nM-1 or nM or nM+1 and that of a second peak is (n+1)M-1 or (n+1)M or (n+1)M+1.
    本発明の質量分析装置では、同一スペクトル中のピークについて、１つめのピークの質量電荷比が、nM−1またはnMまたはnM+1 であり、かつ、2つめのピークの質量電荷比が、（n+1）M−1または（n+1）Mまたは（n+1）M+1である組み合わせを、同一物質由来で会合数の異なる多量体候補とする。 - 特許庁
  • The particle diameter of the electroconductive polymer particle is preferably 60 nm or less, and more preferably 30 nm or less.
    前記導電性ポリマー粒子の粒径は６０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がさらに好ましい。 - 特許庁
  • The film thickness d of the recording layer lies within the range indicated by an inequality: 10 nm≤d≤30 nm.
    前記記録層の膜厚ｄは、好ましくは、次の式 １０ｎｍ≦ｄ≦３０ｎｍ で示される範囲にある。 - 特許庁
  • Such shift is performed up to |Np-Nm|≤Nth.
    かかるシフトを、｜Ｎｐ−Ｎｍ｜≦Ｎｔｈまで行う。 - 特許庁
  • By this, EUV light of 13.5 nm is obtained.
    これにより、１３．５ｎｍのＥＵＶ光が得られる。 - 特許庁
  • The covering thickness of the conductive carbonaceous material is 2-100 nm, and the average particle size of the catalyst is 0.3 nm to 50 μm.
    また導電性炭素質材料の被服厚みは2nm〜100nmであり，触媒の平均粒径は0.3nm〜50μmである。 - 特許庁
  • Since the waveguide 2 has an energy band gap wavelength of 780 nm, loss of the light having the wavelength of 840 nm is small.
    リング導波路２はエネルギバンドギャップ波長が７８０nmとなるために、８４０nmの光の損失は小さい。 - 特許庁
  • The received light wavelength area of the phototransistor 32 is in a wavelength area from 300 nm to 600 nm.
    フォトトランジタ３２の受光波長領域は、３００ｎｍから６００ｎｍまでの波長領域にある。 - 特許庁
  • The refraction to 193 nm and 157 nm and catadioptric reduction projection objective lens are proposed.
    １９３nm及び１５７nmに対応する屈折及びカタジオプトリック縮小投影対物レンズを提案する。 - 特許庁
  • It is preferable that the mean surface roughness Ra of the film is at a value from 5 nm to 120 nm.
    また、フィルムの平均表面粗さＲａは５ｎｍ以上、１２０ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁
  • The fluorescent substance exhibits a narrow band light emission spectrum within a wave length region of ≥540 nm and ≤550 nm, and a broad band light emission spectrum within a wave length region of ≥500 nm and ≤600 nm when being excited by the light having the light emission peak within the region of ≥370 nm and ≤460 nm.
    ３７０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の領域に発光ピークを有する光で励起した際、５４０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域における狭帯域発光スペクトルと、５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長領域における広帯域発光スペクトルとを示すことを特徴とする。 - 特許庁
  • The guide layer of a III nitride compound semiconductor laser diode is built into a superlattice structure, formed by laminating five layers of AlGaN layers having thicknesses of 10 nm and InN layers, having thicknesses of 10 nm upon another.
    ガイド層を、10nm厚のAlGaNと10nm厚のInNとを5層積層した超格子構造とした。 - 特許庁
  • The former component has the λmax in 330-360 nm and the latter in 360-390 nm.
    前者のλmaxは３３０〜３６０ｎｍの範囲であったが、後者のそれは３６０〜３９０ｎｍであった。 - 特許庁
  • The thickness (d) of the first upper clad layer 107 is designed to be more than 220 nm and less than 450 nm.
    第１上部クラッド層１０７の厚さｄは、２２０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に設計されている。 - 特許庁
  • The nano-capsule has a size of 100-1,000 nm.
    ナノカプセルは１００〜１０００ｎｍの寸法を持つ。 - 特許庁
  • The tightly adhering layer 2 is composed of silicon(Si), and the thickness is set to be not less than 1 nm and not more than 10 nm.
    密着層２はケイ素（Ｓｉ）からなり、厚さは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内である。 - 特許庁
  • The thickness of the flattening film 3 is 550 nm.
    この平坦化膜３の厚さは５５０ｎｍとする。 - 特許庁
  • The thickness of both the bit line 20 and the word line 10 is larger than 10 nm and smaller than 100 nm.
    ビット線２０およびワード線１０は、いずれも１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満の厚みを有する。 - 特許庁
  • The thickness of the recording layer ranges from 1 to 100 nm on a land and ranges from 5 to 150 nm on a groove.
    記録層の厚さは、ランド上で１〜１００ｎｍの範囲、グルーブ上で５〜１５０ｎｍの範囲である。 - 特許庁
  • The ceramics layer 7 has thickness of above 10 nm and 750 nm or less and contains silicon or aluminum.
    セラミックス層７は、１０ｎｍを超え７５０ｎｍ以下の厚さを有し、かつ、シリコンまたはアルミニウムを含む。 - 特許庁
  • The filter 30 is a band-pass filter having 245 nm center wavelength and 240 to 270 nm transmission wavelength range.
    フィルタ３０は、中心波長２４５ｎｍ、通過波長帯域２４０〜２７０ｎｍのバンドパスフィルタである。 - 特許庁
  • The wavelength of the probe light is ≥1,000 nm.
    プローブ光の波長は１０００ｎｍ以上である。 - 特許庁
  • Where, νis Abbe number on the d line of lens material of the dioptric lens and λis used wavelength (unit nm).
    ただし、νは屈折レンズのレンズ材料のｄ線に対するアッベ数、λは使用波長(単位nm)である。 - 特許庁
  • (i) The wavelength λir at the central sensitivity of the spectral sensitivity distribution is 580 nm<λir≤700 nm.
    （ｉ）分光感度分布の重心感度波長λｉｒが５８０ｎｍ＜λｉｒ≦７００ｎｍである。 - 特許庁
  • The thickness of the multilayer film 3 is 50-300 nm.
    多層膜３の厚さは５０〜３００ｎｍである。 - 特許庁
  • The first optical element corrects optical axis shifting between the laser lights of wavelengths 650 nm and 780 nm.
    第１の光学素子は、波長６５０ｎｍと７８０ｎｍのレーザ光との光軸ずれを補正する。 - 特許庁
  • For example, one light source has a central wavelength of 810 nm, and the other light source has a central wavelength of 850 nm.
    例えば、一方には中心波長が810nmの光源を使用し、もう一方は850nmの光源を使用する。 - 特許庁
  • The adhesion layer 4 consists of silicon(Si), with a range of thickness of not less than 1 nm and not more than 5 nm.
    密着層４はケイ素（Ｓｉ）からなり、厚さは１ｎｍ以上５ｎｍ以下の範囲内である。 - 特許庁
  • The average intermolecular distance L represented by formula (1) (n is mol concentration [mol/L] of mixed fullerene; N_A is Avogadro's number; R is diameter [nm] of fullerene molecule) of fullerene in the resin is 3nm-12nm.
    ｎはフラーレンの配合モル濃度[mol/L]、Ｎ_Ａはアボガドロ数、Ｒはフラーレン分子の直径[nm]。 - 特許庁
  • preferably, the coating thickness in the component (B) is 0.1-5 nm, and further the particle diameter of component (B) is 20-40 nm.
    好ましくは（Ｂ）の被覆厚みが０．１〜５ｎｍであり、また、（Ｂ）の粒子径が２０〜４０ｎｍである。 - 特許庁
  • A maximum opening size Dmax(nm) and a minimum opening size Dmin(nm) of the smoothed resist pattern should, preferably, fall within ±5% with respect to a target opening size Dav.(nm), and an average opening size Dav.(nm) of the smoothed resist pattern should satisfy the relation Dav.(nm)≥D(nm)×(90/100).
    平滑化したレジストパターンの最大開口寸法Ｄｍａｘ（ｎｍ）及び最小開口寸法Ｄｍｉｎ（ｎｍ）が、目的開口寸法Ｄ（ｎｍ）に対し±５％以内の態様、平滑化したレジストパターンの平均開口寸法Ｄａｖ．（ｎｍ）が、Ｄａｖ．（ｎｍ）≧Ｄ（ｎｍ）×（９０／１００）、を満たす態様などが好ましい。 - 特許庁
  • The new TEM guarantees a point resolution of 0.19 nm at 200 kV.
    その新型TEMは、200kVで0.19nmの分解能を保証する。 - 科学技術論文動詞集
  • In the nano area, a rugged structure whose pitch in an intra-plane direction is 250 nm and whose depth is 170 nm is formed.
    ここで、ナノ領域には、面内方向ピッチ２５０nm、深さ１７０nmの凹凸構造が形成されている。 - 特許庁
  • It is desirable that the high refractive index layer has a refractive index of 1.63-2.03 nm in a light wavelength of 400 nm and the film thickness of 40-99 nm, and that the low refractive index layer has a refractive index of 1.33-1.53 in a light wavelength of 400 nm and the film thickness of 5-100 nm.
    高屈折率層は光の波長４００ｎｍにおける屈折率が１．６３〜２．０３、膜厚が４０〜９９ｎｍであり、低屈折率層は光の波長４００ｎｍにおける屈折率が１．３３〜１．５３、膜厚が５〜１００ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁
  • The functional particles have a particle diameter of from 1 to 500 nm.
    機能性粒子の粒径は１〜５００ｎｍである。 - 特許庁
  • Formula (1): SSA (m^2/g)≤999.97 L^-1 (nm)
    ＳＳＡ（ｍ^２／ｇ） ≦ ９９９．９７Ｌ^−１ （ｎｍ） ・・・ （１） - 特許庁
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 287 288 次へ＞

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
  • 科学技術論文動詞集
    Copyright(C)1996-2026 JEOL Ltd., All Rights Reserved.