A Zener diode 14 for protection is mounted on a rectangular pad 13b of the second electrodepattern 13 formed on the side of the rear of the substrate 17, and a P side electrode on the diode 14 is wire-bonded to a conductive connection part 11b of the pattern 11 through a metal wire 12b. 保護用のツェナ−ダイオ−ド14は、基板17の裏面側に形成された第2の電極パタ−ン13の矩形状のパッド部13bに実装され、そのp側の電極は、第1の電極パタ−ン11の導電接続部11bと金属線12bでワイヤボンデングされる。 - 特許庁
A potential control unit controls the driver IC as to provide a positive potential to electrode pieces 13 corresponding to a formation patter, and to provide the ground potential to the other electrode pieces 13 laying outside of the formation pattern, in a state that a conductive liquid 3 is arranged above the insulating layer of the pattern forming base 10. そして、電位制御部が、パターン形成基材10の絶縁層上に導電性液体3が配置された状態で、形成パターンに対応する電極片13の電位を正電位とし、形成パターンから外れた電極片13の電位をグランド電位とするようにドライバICを制御する。 - 特許庁
As an input operation body comes closer and the stray capacity of the detection electrodepattern becomes larger, a level of the common mode noise passing through the high-pass filter rises, so that an input operation position is detected from an arrangement position of the detection electrodepattern at which the level of the common mode noise rises. ハイパスフィルターを通過するコモンモードノイズのレベルは、入力操作体が接近し、検出電極パターンの浮遊容量が大きくなるほど上昇するので、コモンモードノイズのレベルが上昇した検出電極パターンの配設位置から入力操作位置を検出する。 - 特許庁
The film-form electronic component 1 is arranged with the through hole 3 located on a metal terminal 22 of the terminal component 2 while the electrodepattern 12 is facing up, and the electrodepattern 12 and the metal terminal 22 are connected electrically and mechanically by filling the through hole 3 with an electric conductive material 4. フィルム状電子部品1は、電極パターン12を上にして貫通孔3を端子部品2の金属端子22上に位置決めして配置され、電極パターン12と金属端子22とは、貫通孔3に導電性材料4を充填することにより電気的及び機械的に接続される。 - 特許庁
A multilayer film made of a niobium oxide film with the film thickness of 5 nm and the refractive index of 2.30 and a silicon oxide film with the film thickness of 55 nm and the refractive index of 1.45 is formed on a lower layer side of the first light-transmitting electrodepattern 11 and the second light-transmitting electrodepattern 12. また、第1の透光性電極パターン11および第2の透光性電極パターン12の下層側には、膜厚が5nmで屈折率が2.30のニオブ酸化膜、および膜厚が55nmで屈折率が1.45のシリコン酸化膜からなる多層膜が形成されている。 - 特許庁
A flexible circuit board is provided with an electrode wiring pattern to feed electricity to a liquid crystal panel, as well as a hole which is at least larger than a circular shape of a phase modulation electrode group, a heater disposed around the hole to heat a liquid crystal layer, and a heater wiring pattern to feed electricity to the heater. フレキシブル回路基板に、液晶パネルに給電するための電極配線パターンを設けるとともに、位相変調電極群の円形外形よりも少なくとも大きな孔部と、孔部の外周に設けた液晶層を加熱するヒータと、ヒータに給電を行うヒータ配線パターンと、を設ける。 - 特許庁
To provide a vehicular mirror having a heater in which an electrode need not be pattern-formed in a comb shape, a PTC heater need not be pattern-formed in a meandering shape, or any power supply electrode need not be formed through screen printing by using copper paste or the like on the PTC flat heater. 電極を櫛状にパターン形成したりPTC発熱体を蛇行形状にパターン形成する必要がなく、しかも給電電極をPTC面状発熱体上で銅ペーストなどを用いてスクリーン印刷して形成しなくてすむようにしたヒーター付車両用ミラーを提供する。 - 特許庁
The optical module includes a substrate 32, a wiring pattern 34 formed on the substrate 32, a wiring board 30 having first and second parts 40 and 42 and an optical chip 10 having an electrode 24 and an optical part 12 and electrically connected to the wiring pattern 30 through the electrode 24. 光モジュールは、基板32と基板32に形成された配線パターン34とを含み、第1及び第2の部分40,42を有する配線基板30と、電極24及び光学的部分12を有し、電極24を介して、配線パターン30に電気的に接続された光学チップ10と、を含む。 - 特許庁
A second metal layer 40 has a ground pattern electrically connected to the ground electrode pad 4b via the ground contact section 32 and a signal pattern electrically connected to the signal electrode pads 4a and 4c via the signal contact section, and is formed on the second insulating layer 30. 第2金属層40は、接地接触部32を介して接地電極パッド4cと電気的に連結される接地パターン、信号接触部を介して信号電極パッド4a、4cと電気的に連結される信号パターンを有し、第2絶縁層30上に形成されている。 - 特許庁
A piezoelectric device 100 includes a piezoelectric vibrating piece 20 having a first electrodepattern 23 and a second electrodepattern 24, a glass base 45 having a first surface and an opposite second surface and has the piezoelectric vibrating piece 20 placed thereon, and a lid 65 for sealing up the piezoelectric vibrating piece. 圧電デバイス100は、第1電極パターン23と第2電極パターン24とを有する圧電振動片20と、第1面とこの反対面の第2面とを有し、圧電振動片20を載置するガラスベース45と、記圧電振動片を封止する蓋部65と、を備える圧電デバイスである。 - 特許庁
To obtain a solar cell which can be enhanced in stability of connection nearby a connection portion of a bus bar electrode and grid electrodes when a pattern of the bus bar electrode and a pattern of the grid electrodes are formed of conductive paste using gravure printing in manufacture of the solar cell. 太陽電池を製造する際に、グラビアオフセット印刷を用いてバスバー電極のパターンとグリッド電極のパターンとを導電性ペーストで形成する場合に、バスバー電極とグリッド電極の接続部付近での接続の安定性を高めることができる太陽電池を得ること。 - 特許庁
To provide a mounting-state inspection method for electronic component capable of accurately inspecting the connection state between an electrodepattern provided on a glass substrate and the electronic component mounted on the glass substrate, by discriminating an impression by conductive particles, from a hollow formed on the electrodepattern. 導電性粒子による圧痕と電極パターンに形成された窪みとを識別することにより、ガラス基板に設けられた電極パターンと前記ガラス基板に実装される電子部品との接続状態を精度良く検査できる電子部品の実装状態検査方法を提供する。 - 特許庁
A mounting electrodepattern 14 is formed directly at a part 11A of the take-up core 11 where the ink ribbon sheet 13 is not wound and an E^2PROM 15 storing inherent information (e.g. an ID number) concerning to the ink ribbon sheet set 10 is soldered to the electrodepattern 14. 巻取用巻芯11のインクリボンシート13が巻回されていない部分11Aには直接、マウント用の電極パターン14が形成され、その電極パターン14にインクリボンシートセット10に関する固有情報(ID番号など)が記憶されたE^2PROM15が半田付けされている。 - 特許庁
The semiconductor device comprises a substrate having a wiring pattern on the upper surface, an electrode structure for internal connection having a support, a wiring pattern arranged on the surface of the support, a plurality of electrodes for internal connection each having one end being connected with the wiring pattern and a first semiconductor chip being connected with the wiring pattern, and a second semiconductor chip being connected with the wiring pattern on the substrate. 本発明は、上面に配線パターンを有する基板と、支持部、該支持部面に配置された配線パターン、該配線パターンに接続される一端を有する複数の内部接続用電極、及び該配線パターンに接続される第1の半導体チップを有する内部接続用電極構造体と、基板上の配線パターンと接続される第2の半導体チップとを備える。 - 特許庁
A continuous member 20 includes a first substrate 21; a second substrate 22 juxtaposed with the first substrate; a first electrodepattern 23 formed within an area of the first substrate and a second electrodepattern 24 formed within an area of the second substrate 22; electrode wiring sections 26 and 27 connected to the electrode patterns respectively; and a connecting section 25 protruded from a side surface of the second substrate in an integrated manner. 第1基材21と、第1基材と並設された第2基材22と、第1基材の領域内に形成された第1電極パターン23及び第2基材22の領域内に形成された第2電極パターン24と、各電極パターンに接続された電極配線部26,27と、第2基材の側面から一体となって突出した接続部25と、を有して連設部材20が構成されている。 - 特許庁
To provide a film electrode for sensors in which an electrode substrate, in which an electrodepattern is formed in a film for insulating substrates made of a thermo-plastic resin film, is coated with a film for coating an electrode substrate made of a thermo-plastic resin film without using an adhesive agent, and to provide a liquid level detection apparatus using the same. 熱可塑性樹脂フィルムからなる絶縁基板用フィルムに電極パターンを形成してなる電極基板を、熱可塑性樹脂フィルムからなる電極基板被覆用フィルムで接着剤を用いることなく被覆してなるセンサー用フィルム電極およびこれを用いた液面検出装置を提供する。 - 特許庁
A power semiconductor device includes a plurality of electrode posts 61 and 62 that have a planer shape and are erected so that each one side is bonded to each of an electrode and a circuit pattern of a power semiconductor element, and a metal wire 7 that is composed of a wire rod, lays across the other side of each of the electrode posts, and electrically connects each of the electrode posts. 板状であり、電力用半導体素子の電極及び回路パターンのそれぞれに一端側をそれぞれ接合して立設した複数の電極ポスト61,62と、線材にてなり、各電極ポストの他端側に渡され各電極ポストを電気的に接続する金属線7とを備えた。 - 特許庁
Of the transparent auxiliary electrode film having a conductive structure on a transparent film base material, the conductive structure includes a first auxiliary electrode made of a metal pattern having an opening, and a second auxiliary electrode formed at the opening of the first auxiliary electrode. 透明フィルム基材上に導電性構造を有する透明補助電極フィルムにおいて、該導電性構造が、開口部を有する金属パターンから構成される第1の補助電極と、該第1の補助電極の開口部に形成された第2の補助電極から構成されていることを特徴とする透明補助電極フィルム。 - 特許庁
A pixel electrode is provided in an injection port 3 functioning as a passage for injecting the liquid crystal, similarly in the display region 1a and the dummy electrode part 2, and thereby, the surface profiles of the pixel electrode region 1 and of the injection port 3 for the liquid crystal adjoining to the pixel electrode region are the same, having a concavo-convex surface pattern. また、液晶の注入流路となる注入口部3にも前記表示領域1aとダミー電極部2と同様に画素電極が設けてあるので、画素電極領域1これに接する液晶の注入口3の表面形状は同一でその表面は凹凸形状となっている。 - 特許庁
A resist pattern 5 is formed on a thin-film electrode (interconnection) 3, a resist residue which remains on the surface of the electrode 3 and a resist residue which is put into the inside of the electrode 3 are removed, and the thin-film interconnection 7 is formed by the lift-off method on the surface of the electrode 3 from which the resist residue has been removed. 厚膜電極(配線)3上にレジストパターン5を形成した後、厚膜電極3の表面に残留するレジスト残渣及び厚膜電極3の内部に入り込んだレジスト残渣を除去し、レジスト残渣が除去された厚膜電極3の表面に、リフトオフ法により薄膜配線7を形成する。 - 特許庁
To form a connection electrode of a low cost by conducting (1) a process for forming a pattern for rearrangement wiring of a connection electrode on a semiconductor chip, (2) forming a stress-relaxing layer for relaxing stress applied during packaging, and (3) readily forming a connection electrode in a process for forming a connection electrode for carrying out packaging. 実装を行う接続用電極を形成する工程で、 半導体チップ上に接続用電極を再配置配線するためのパターン形成、 実装時にかかる応力を緩和するための応力緩和層の形成、 接続用電極を形成する工程、を容易に行い低コストの接続用電極を形成する。 - 特許庁
A conductive electrodepattern is formed on the tubular front surface made of high polymer materials, one or more electrode protecting layers are formed on it, and the outermost peripheral layer of the electrode protecting layers is constituted of a material having tensile elastic modulus of not less than 300 MPa. 高分子材料の管状物表面に、導電性を有する電極パターンを形成し、その上に1層以上の電極保護層を形成し、この電極保護層の最外周層を引張弾性率300MPa以上の材料で構成する。 - 特許庁
A second metal substrate 32 of the same electric potential as the collector electrode is disposed at a symmetric position, viewed from the electric circuit pattern 31 connected to the collector electrode, of the first metal substrate 4 of a ground electrode, to relax the maximum electric field for improved insulating capability. コレクタ電極に接続された電気回路パターン31から見て、接地電極である第1の金属基板4の対称位置に、コレクタ電極と同電位の第2の金属基板32を配置することにより、最大電界が緩和されて、絶縁能力が向上する。 - 特許庁
The touch panel 20 includes: an insulating substrate 10; a touch detection electrode 11 rectangularly provided on the insulating substrate 10; and a linearization pattern 12 provided along each side of the touch detection electrode 11, on the touch detection electrode 11. タッチパネル20は、絶縁性基板10と、絶縁性基板10上に矩形上に設けられたタッチ検出電極11と、タッチ検出電極11上において、タッチ検出電極11の各辺に沿って設けられたリニアライゼイションパターン12とを備えている。 - 特許庁
A resistance value passing through terminals collecting current in the periphery of the positive or negative electrode plate P200 on the outside is lower than a resistance value of a normal electrode surface having an electrochemical reaction active coating layer having a lattice pattern on the other surface of the electrode plate. 外側の正極性又は負電極性の電極板P200の周辺の電流を集める端子の間に通過する抵抗値は、同電極板の別面に格子紋を有する電化学反応活性塗装層のある正常電極面の抵抗値より低い。 - 特許庁
A metal film is formed on an Si(i) film 13 and an Si(n) film 14 formed successively on a gate electrode 12 via a gate insulating film 12, and etched using a photoresist pattern 22 as a mask to form a source electrode 15 and a drain electrode 16. ゲート電極12上にゲート絶縁膜12を介して順次形成されるSi(i)膜13およびSi(n)膜14上に金属膜を形成し、フォトレジストパターン22をマスクとしてエッチングし、ソース電極15およびドレイン電極16を形成する。 - 特許庁
An electrodepattern of the power supply panel 11 and the number and arrangement of the power supply terminals 52 are adjusted so that at least one of a plurality of the power supply terminals 52 is brought into contact with the power electrode 22 and at least one terminal is brought into contact with the ground electrode 23. 常に、複数の給電端子52のうち、少なくとも1つは電源電極22に接触し、少なくとも1つはグランド電極23に接触するように、給電パネル11の電極パターンと給電端子52の数および配置が調整されている。 - 特許庁
Scanning wiring 15c is conductively connected with each scanning electrode 15a in a 1st electrode group 15A1 through a detour pattern in which the scanning wiring 15c passes once by the side of the 1st electrode group 15A1 from the input terminal column side, and then returns in the reverse direction. 走査配線15cが入力端子列側から一旦第1電極群15A1の側方を通過し、その後、逆方向に戻るという迂回パターンを介して第1電極群15A1内の各走査電極15aに導電接続されている。 - 特許庁
By connecting the other end of the electrode for internal connection with the wiring pattern on the substrate, the electrode structure for internal connection is secured onto the substrate and sealed and an electrode for external connection is arranged on at least one of the surface side or the backside. 内部接続用電極の他端を、基板上の配線パターンと接続することにより、内部接続用電極構造体を基板上に固定して、樹脂を封止し、かつ、外部接続用電極を、おもて面側或いは裏面側の少なくとも一方に配置する。 - 特許庁
Electrode material layers 16 are formed on the transparent electrodes 9 with an electrode material containing silver, then the electrode material layers 16 are fixed to the transparent electrodes 9 by baking, and thereby, bus electrodes 10 having the specified pattern are formed. 次に、銀を含む電極材料を用いて透明電極9上に電極材料層16を形成した後、電極材料層16を焼成して透明電極9に固着させることにより、所定のパターン形状のバス電極10を形成する。 - 特許庁
The member 25 has a wiring pattern 27 which is electrically connected to the electrode 21, and is electrically connected to the panel 17. 可撓性配線部材15は、第一の電極21に導通する配線パターン27を有し、有機ELパネル17に電気的に接続される。 - 特許庁
To accurately control the dimensions of a fine working pattern such as a gate electrode of a MOS transistor in a manufacturing process for a semiconductor device. 半導体装置の製造工程において、MOSトランジスタのゲート電極のような微細な加工パターンの寸法を高精度に制御する。 - 特許庁
The interposer 120 comprises an external connection electrode 124, an insulating substrate 121, a wiring pattern 122, a via 125, and a solder bump 123. インターポーザ120は、外部接続電極124と、絶縁性の基材121と、配線パターン122と、ビア125と、半田バンプ123を備えている。 - 特許庁
The electrode pad 2 is highly accurately aligned with the connection pad 3 via the opening of the upper layer through-hole 24a and the conductor pattern 5. 上層貫通孔24aの開口と導体パターン5とを介して電極パッド2と接続パッド3とを高い精度で位置合わせすることができる。 - 特許庁
A resist pattern 12 for forming an over gate part is formed to have an angle of 90° or above at the forward end corner part of a gate electrode. オーバーゲート部を形成するためのレジストパターン12の形状をゲート電極の先端角部において、90度以上の角度で形成する。 - 特許庁
A plurality of terminals are provided for one electrodepattern to prevent the continuity defect and an operation check before a fastening operation is made possible. また、端子は一電極パターンに対して複数個設け導通不良の防止を図り、加締め前に動作確認が可能な構成としている。 - 特許庁
The pitch of the linearization pattern 12 provided along the long side 11a of the touch detection electrode 11 is set to ≤7.1 mm. そして、タッチ検出電極11の長辺11aに沿って設けられたリニアライゼイションパターン12のピッチが7.1mm以下に設定されている。 - 特許庁
The first wiring pattern 30 includes a first heat generating part 32 and a first electrode 34 supplying power to the first heat generating part 32. 第1配線パターン30は、第1発熱部32および第1発熱部32に電力を供給する第1電極34を有している。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a surface acoustic wave device, which can prevent warping of a piezoelectric substrate generated when forming an electrodepattern. 電極パターンを形成するときに発生する圧電基板の反りを防ぐことができる弾性表面波素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The through electrode 114 and the wiring pattern 111 are laminated via a copper alloy layer 119 formed adjacent to the titanium layer 117. また、貫通電極114と配線パターン111とは、チタン膜117に隣接して形成された銅合金層119を介して積層される。 - 特許庁
The electrode pads 14a, 14b, 14c and 14d are arranged at the periphery of a magnetic field sensing section 12 that is a cross pattern composed of a conductor layer provided on a substrate 11. 基板11上に設けられた導電層からなる十字型パターンである感磁部の周辺に電極パッド14a,14b,14c,14dが配置されている。 - 特許庁
The patternelectrode films 36 are formed to face recesses divided by banks that are formed on the glass substrate 2. パターン電極膜36は、ガラス基板2に形成されたバンクによって区画されたそれぞれ対応する凹部に相対向するように形成されている。 - 特許庁
Either one of the lead patterns 6 connected to both ends of the temperature measuring resistor 5 is connected to the dummy pattern 7 in the vicinity of the electrode 8. また、測温抵抗5の両端に接続されたリードパターン6は、いずれか一方が、電極8付近でダミーパターン7に接続される。 - 特許庁
By use of the alignment information, a testing position is derived on the basis of the alignment information of the electrodepattern included in the model data. 次に、このアライメント情報を用いて、上記機種データに含まれる電極パターン部の配列情報に基づき、検査位置が導出される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which enables formation of a gate electrode having a desired pattern and a control gate, and to provide a manufacturing method of the device. 所望のパターンを有するゲート電極およびコントロールゲートを形成することができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To reduce a difference of contact depth regardless of the coarse-dense of a gate electrodepattern in a semiconductor device with a silicide film formed on the substrate surface. 基板表面にシリサイド膜が形成された半導体装置において、ゲート電極パターンの粗密に関わらず、コンタクトの深さの差を緩和する。 - 特許庁
An inspection pattern 13 which edges an inspection target area is provided on an external surface of a second electrode substrate 2 which is to be an inspection target for flaws or dents. 傷又は打痕の検査対象となる第ニ電極基板2の外表面に、検査対象エリアを縁取る検査用パターン13を設ける。 - 特許庁
To provide a high-frequency circuit board that employs an electrodepattern, allowing package to be made compact and multi-functional support and has proper isolation characteristics. パッケージの小型化,多機能化に対応できる電極パターンを有し、良好なアイソレーション特性を有する高周波回路基板を提供する。 - 特許庁
An electrodepattern 11 of the predetermined shape is provided on a smooth surface of a vapor deposition source 10, and a vapor deposition material 12 is disposed thereon. 蒸着源10の平滑面には所定形状の電極パターン11が設けられており、その上に蒸着材料12を配する。 - 特許庁
An electrode 3 with a double annular pattern is co-axially formed with the rotary shaft 4 as a center on the outer face of the bottom face of the main body 10. 本体19の底面外面には、2重円輪パターンの電極部3が回転軸4を中心として同軸的に形成されている。 - 特許庁