「pattern of」を含む例文一覧(50000)
＜前へ 1 2 .... 26 27 28 29 30 31 32 33 34 .... 999 1000 次へ＞- Microfabrication of the pattern can performed, by doubly exposing the first divided pattern portion and the second divided pattern portion and using the Levenson-type and the auxiliary pattern type together.
第一分割パターン部と第二分割パターン部を二重露光させ、かつ、レベンソン形と補助パターン形を併用することでパターンを微細化できる。 - 特許庁 - The area relevant to the layout data 6 of the pattern data 2 are replaced with the pattern data 9, and the pattern data 11 after the correction based on the pattern data 3 are formed.
パターンデータ２のレイアウトデータ６に該当する領域をパターンデータ９に差し替えて、レイアウトデータ３に基づいた修正後のパターンデータ１１を作成する。 - 特許庁 - Then, mask patterns after correcting are created for every mask pattern by performing pattern correction to the mask patterns using the amount of the pattern correction for every mask pattern.
そして、前記マスクパターン毎のパターン補正量を用いた前記マスクパターンへのパターン補正を前記マスクパターン毎に行うことにより補正後マスクパターンを作成する。 - 特許庁 - A pattern object preparing means 13 prepares a pattern object 9 on the basis of the dummy pattern added test pattern 8, test item information 4, and timing information 5.
パターンオブジェクト作成手段１３は、ダミーパタン追加テストパターン８，テスト項目情報４，およびタイミング情報５に基づいてパターンオブジェクト９を作成する。 - 特許庁 - When identical pattern cells overlap in the generated substrate pattern, a substrate pattern for operation is generated having one pattern cell excluded from objects of the operation.
作成した基板パターンにて同一のパターンセルが重なっている場合には、一方のパターンセルを演算対象から外した演算用基板パターンを作成する。 - 特許庁 - In variation pattern setting processing (S67), a ready pattern (noticed performance pattern) is selected based on a value of a winning ready pattern counter when a big win is defined.
変動パターン設定処理（Ｓ６７）では、大当り確定時には当たりリーチパターンカウンタの値に基づいてリーチパターン（予告演出パターン）が選定される。 - 特許庁 - ELECTRONICALLY CONTROLLED MACHINE CAPABLE OF EMBROIDERING, EMBROIDERING PATTERN PROVISION SYSTEM, EMBROIDERING PATTERN PROVISION METHOD, EMBROIDERING PATTERN PROVISION SERVER AND EMBROIDERING PATTERN PROVISION PROGRAM
刺繍縫製可能な電子制御ミシン、縫製模様提供システム、縫製模様提供方法、縫製模様提供サーバー及び縫製模様提供プログラム - 特許庁 - The anchor pattern region AA has each anchor pattern with dimensions same as the depth of at least one fine pattern formed at the fine pattern region FA.
アンカーパターン領域ＡＡは、微細パターン領域ＦＡに形成された少なくとも１つの微細パターンの深さと同一の寸法のアンカーパターンを有する。 - 特許庁 - The pattern comparison part 10 compares a pattern of a drive load during a new travel along the travel route (reference drive load pattern) with the drive load pattern history.
パターン比較部１０は、新たに走行経路を走行するときの運転負荷のパターン（参照運転負荷パターン）を運転負荷パターン履歴と比較する。 - 特許庁 - Finally, the pattern controller receives a pattern stop command transmitted from the main controller at a point of time T2 and stops at a designated pattern determined by the variation pattern.
最終的に、時点Ｔ２のときに主制御手段から送信される図柄停止コマンドを受け、変動パターンで決まる指定図柄で停止させる。 - 特許庁 - A pattern judging unit 56 judges whether a large prize pattern displayed in a pattern displaying apparatus 12 shows a large-prize pattern of triple three or triple seven or not.
図柄判定部５６によって、図柄表示器１２に表示された大当たり図柄が、図柄「３３３」または「７７７」であるか否かが判断される。 - 特許庁 - (Step S4) The pattern rule of the dummy pattern for every division region is changed as shown in a dummy pattern 4b of a division region enlarged view B of a layout pattern 1d so that the density becomes a desired value.
密度が所望の値となるように、分割領域毎のダミーパターンのパターンルールを、レイアウトパターン１ｄの分割領域拡大図Ｂのダミーパターン４ｂに示すように変更する（ステップＳ４）。 - 特許庁 - To provide an evaluation method for mask pattern capable of evaluating accurately a proximity-effect by considering a change in the amount of flare deteriorating the dimension of the circuit pattern, a pattern correction method and a mask pattern generator.
パターン評価方法、パターン補正方法及びパターン発生装置に関し、回路パターン寸法を劣化させるフレア量変化を考慮して近接効果を精密に評価する。 - 特許庁 - On the external surfaces of the first front pattern 8 and the first back pattern 10, the second front pattern 9 and the second back pattern 11 are printed in a state of partially overlapping each other so that a feel of depth is emphasized.
第１表絵柄８や第１裏絵柄１０の外面に、一部が重なる状態で第２表絵柄９や第２裏絵柄１１を印刷して奥行き感を強調する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a mask pattern, which prevents pattern collapse of the mask pattern by omitting an etching process of an antireflection film when forming the mask pattern by a Side Wall Patterning (SWP) method.
ＳＷＰによりマスクパターンを形成する場合に、反射防止膜のエッチング工程を省略し、マスクパターンのパターン倒れを防止することができるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁 - The synchronous pattern detector 104 detects a synchronous pattern using sum of errors between the output signal of the waveform equalizer and a equalization target value of a synchronous pattern, and outputs a synchronous pattern detection signal.
同期パターン検出器１０４は波形等化器出力信号と同期パターンの等化目標値との誤差和を用いて同期パターンを検出し、同期パターン検出信号を出力する。 - 特許庁 - A pattern of a lower wiring layer Ma in a monitor mark formation region includes a part having the same pattern width and pattern pitch as a pattern of a lower wiring layer Ma of a function element formation region.
モニター用マーク形成領域の下層配線層Ｍａのパターンは、機能素子形成領域の下層配線層Ｍａのパターンと同じパターン幅およびパターンピッチを有する部分を含む。 - 特許庁 - The waveform pattern formed to the side surface of the resist pattern adhered on a substrate is observed, and the refractive index distribution in the height direction of the resist pattern is determined from the cycle of the waveform pattern.
基板上に付着しているレジストパターンの側面に形成された波形模様を観察し、この波形模様の周期から前記レジストパターンの高さ方向の屈折率分布を求める。 - 特許庁 - To form accurately a desired fine width pattern without depending upon the roughness and fineness of pattern distribution irrespective of an extraction or remnant pattern with respect to a formation method of an electron device and a fine width pattern.
電子デバイス及び微細幅パターンの形成方法に関し、抜きパターンや残しパターンのいずれの場合もパターン分布の粗密に依存せずに所望の微細幅パターンを精度良く形成する。 - 特許庁 - The size of a chip component pattern is expanded and contracted with respect to a plurality of kinds of elasticity to effect pattern matching between the expanded and contracted chip components, and the image of the chip component with respect to each pattern of the chip component.
チップ部品パターンの寸法を、複数種類の伸縮度について伸縮し、伸縮されたチップ部品パターン毎にチップ部品の画像とのパターンマッチングを行う。 - 特許庁 - A pattern with different priority among the channels is provided and a start pattern of the priority pattern is changed for each scheduling period.
各回線間で優先度の異なるパターンを有し、優先度パターンの開始パターンをスケジューリング周期毎に変更する。 - 特許庁 - A CPU 12 extracts each pattern of a selected pin group from the pattern data and delivers it to all pattern memory 13.
ＣＰＵ１２は選択されたピングループの各パタンをパタンデータから抽出して全てのパタンメモリ１３に送出する。 - 特許庁 - By correcting the image data of the test pattern by using the correction table, the test pattern is printed (second test pattern output).
補正テーブルを用いて上記テストパターンの画像データを補正してテストパターンを印刷する（第２のテストパターン出力）。 - 特許庁 - To form a film pattern right below a resist pattern with high size precision, in the same shape as that of the resist pattern.
レジストパターンの直下の膜パターンを、寸法精度を高精度にレジストパターンと同形状の膜パターンとして形成する。 - 特許庁 - When satisfying it, a pattern seven pieces before a stop pattern is displayed (S450) and the luminance of the pattern is gradually lowered (S460).
満たしていれば、停止図柄の７つ手前の図柄を表示させ（Ｓ４５０）、その図柄の輝度を徐々に落とす（Ｓ４６０）。 - 特許庁 - METHOD OF READING PATTERN IMAGE, APPARATUS FOR READING PATTERN IMAGE, INFORMATION PROCESSING METHOD, AND PROGRAM FOR READING PATTERN IMAGE
パターン画像の読み取り方法、パターン画像の読み取り装置、情報処理方法およびパターン画像の読み取りプログラム - 特許庁 - By turning the second mask pattern to a linear mask pattern, a parameter to be added to the simulation of the resist pattern can be reduced.
第２マスクパタンをライン状マスクパタンとすることにより、レジストパタンのシミュレーションに追加するパラメータが少なくて済む。 - 特許庁 - To dispose a dummy pattern in the proximity of a pattern to be transferred while keeping light shielding property around the pattern to be transferred.
転写対象パターンの周囲の遮光性を確保しつつ、転写対象パターンに近接させてダミーパターンを設ける。 - 特許庁 - To widen an allowance for a positional shift of an absolute pattern to an incremental pattern, and to make the incremental pattern fine.
アブソリュートパターンのインクリメンタルパターンに対する位置ずれの許容度を大きくし、インクリメンタルパターンの微細化を可能とする。 - 特許庁 - A conductive pattern formed on a principal plane of a wiring board includes a lead-out wiring pattern and the heat radiation pattern 15.
配線基板の主面上に形成される導電パターンは、引き出し配線パターン及び放熱用パターン１５を含む。 - 特許庁 - A transfer pattern which is minuter than the pattern width of an uneven pattern formed in the imprinting mold can thereby be obtained.
これにより、インプリントモールドに形成された凹凸パターンのパターン幅よりも微細な転写パターンを得ることが出来る。 - 特許庁 - To provide a pattern-forming sheet and a pattern-forming method capable of easily forming a pattern with high precision.
精度の高いパターン形成を容易に行うことができるパターン形成用シートおよびパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - An inspection value indicating the shape of the TEG pattern is calculated by using the formed TEG pattern and the inspection pattern.
作成したＴＥＧパターン及び検査用パターンを用いて、ＴＥＧパターンの形状を示す検査値を算出する。 - 特許庁 - The gate pattern of the TR is first extracted from the inputted mask pattern in a gate pattern extraction stage ST02.
まず、ゲートパターン抽出工程ＳＴ０２において、入力されたマスクパターンから、トランジスタのゲートパターンを抽出する。 - 特許庁 - To impart a guideline to a designer when a mask pattern needs to be altered after a desired pattern and the pattern of a mask are verified.
所望パターンとマスクのパターンとを検証し、マスクパターンの変更が必要な場合に設計者に指針を与えること。 - 特許庁 - On the rear surface side of the circuit board 13, an analog GND pattern 57, an analog GND pattern 58, and a power supply GND pattern 59 are provided.
回路基板13の裏面側に、アナログＧＮＤパターン57、アナログＧＮＤパターン58および電源ＧＮＤパターン59を設ける。 - 特許庁 - To provide a pattern forming apparatus and a pattern forming method capable of forming a minute pattern with high visibility.
視認性が高く微細なパターンを形成することができるパターン形成装置及びパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - An acceleration pattern storage part is provided with an automatically registered pattern storage area for storing a pattern of acceleration for preventing malfunctions.
加速度パターン記憶部に誤動作防止用の加速度パターンを格納する自動登録パターン格納領域を設ける。 - 特許庁 - During irradiating the second pattern, a diffraction beam is detected due to diffraction of the beam with the second pattern on the first pattern.
第２パターンの照射の間、第１パターン上での第２パターン付きビームの回折による回折ビームが検出される。 - 特許庁 - To provide a pattern formation method capable of easily forming a fine pattern, and a pattern formation device and a template manufacturing method.
微細パターンを簡便に形成できるパターン形成方法、パターン形成装置、及びテンプレート作製方法を提供する。 - 特許庁 - Accordingly, a player's attention is attracted to the first pattern display part and second pattern display part of the pattern display device 121.
これにより、図柄表示装置121の第１図柄表示部および第２図柄表示部に遊技者の注意を引きつける。 - 特許庁 - To improve a pattern forming step in which a pattern with a dimension of not more than a resolution limit of lithography and a pattern with an optional dimension coexist.
リソグラフィー解像限界以下の寸法のパターンと任意の寸法のパターンとが混在するパターン形成工程を改良すること。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method independent of the density of a pattern and giving a pattern having good line width accuracy to design value.
パターンの疎密に依存せず、設計値に対する線幅精度の良好なパターンを得ることが可能なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The partial symbols 51-53 are symbols of 1/3 pattern per piece composed of pattern parts obtained by trisecting one specific pattern.
部分シンボル５１〜５３は、ひとつの特定の図柄を３分割して得られる図柄部分で構成される１駒で１／３図柄のシンボルである。 - 特許庁 - To form a pattern in which a pattern with a dimension of less than a resolution limit of lithography and a pattern with an optional dimension are mixed and coexist, by using a sidewall spacer.
サイドウォールスペーサを利用してリソグラフィー解像限界未満のパターンと任意の寸法のパターンとが混在するパターンを形成する。 - 特許庁 - The pattern for casting is integrally formed of the pattern and a surface plate and also, in the pattern, voids are formed from the back side of the base board.
鋳造用模型は模型と定盤とが一体に形成されており、また模型に定盤の裏側から盗み部が形成されている。 - 特許庁 - On the basis of the evaluation value of the temporary character pattern and a threshold, it is decided whether or not the temporary character pattern is cut out as a character pattern.
仮文字パターンの評価値としきい値に基づいて仮文字パターンを文字パターンとして切り出すか否かを判定する（Ｓ７）。 - 特許庁 - To make the movement of a pattern and the change of the pattern appeal to a player in a pattern display device in a game machine.
遊技機に配設される図柄表示装置において、図柄の動き及び図柄自体の変化を遊技者にアピールすることを可能とする。 - 特許庁 - To correct a pattern according to the designed value of the pattern and to decrease a calculation time necessary for calculating the correction value of the pattern.
パターンの設計値に合わせてパターンを補正するとともに、パターンの補正量を算出するために要する算出時間を低減する。 - 特許庁 - The synchronous pattern portion without LPP is a synchronous pattern portion which is obtained when LPP is not detected at timing of the synchronous pattern portion of the sync frame.
ＬＰＰ無同期パターン部は、シンクフレームの同期パターン部のタイミングでＬＰＰが検出されなかった場合の同期パターン部である。 - 特許庁
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