「patterning」を含む例文一覧(3921)

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  • A power bus 174 is also formed in the aluminum layer, in the patterning/etching steps identical with that used for forming the aluminum pad.
    アルミニウム・パッドを形成するために用いられるのと同じパターニング、エッチング工程において、アルミニウム層内に電力バス174も形成する。 - 特許庁
  • To improve accuracy and reproducibility for finer patterning by suppressing interference of light scattered by a metal thin film.
    金属薄膜により散乱された光の干渉を抑えることにより、より微細なパターニングを行う上での精度や再現性を向上させる。 - 特許庁
  • To improve such a phenomenon of generating difference in the line width between the center and the edge of a wafer in patterning by using a chemically amplifying photoresist.
    化学増幅型フォトレジストを用いたパターニングにおいてウェーハ中央と縁部との間の線幅の差が生ずる現象を改善させる。 - 特許庁
  • To provide a patterning method using a contractile photoresist film in which a distance between pad electrodes can be set equal to a minimum necessary interval.
    収縮性フォトレジスト膜を使用した、パッド電極間の距離を最小必須間隔とすることの出来るパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
  • Exposure is performed successively by using the masks Ha1, Hb2 to perform patterning and heater patterns 11x, 12x having no line width difference in the boundary part are formed.
    マスクH_a 1とH_b 2を用いて順次露光してパターニングし、境界部に線幅差のないヒーターパターン11x、12xを形成する。 - 特許庁
  • To provide a self-align patterning method for forming patterns capable of forming fine pitch patterns by overcoming the resolution limit of a photolithography process.
    フォトリソグラフィ工程での解像限界を克服し微細ピッチのパターンを実現可能なパターン形成のためのセルフアラインパターニング方法を提供する。 - 特許庁
  • An electron beam writing system includes an electron beam patterning machine operable to emit an electron beam to form a pattern on a substrate.
    電子ビーム描画システムは、基板上にパターンを形成するために、電子ビームを放射するべく動作可能な電子ビームパターニング装置を備えている。 - 特許庁
  • Since patterning of the UV curable liquid crystal 240 can be easily performed, it can be selectively formed only in the reflection region.
    また、UVキュアラブル液晶240はパターニングが容易に行えることから、反射領域にのみこれを選択的に形成することができる。 - 特許庁
  • A metallic oxide film (such as a ZnO film) is selectively formed on the first catalyst subjected to the patterning by a wet film forming technique.
    パターニングされた第1触媒上に、湿式成膜技術による金属酸化膜(ZnO膜など)を選択的に形成する(第3の工程)。 - 特許庁
  • Furthermore, the method includes a process of forming an upper electrode layer 46 and a process of patterning the piezoelectric material layer 44 and an upper electrode layer 46.
    さらに、上部電極層46を成膜する工程と、圧電体層44および上部電極層46をパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁
  • When an external layer pattern is made by patterning on the copper plating layer (#4), a layer-insulation layer and catalyst particles appear in the region between patterns.
    銅めっき層をパターン加工して外層パターンとすると(#4),パターン間の領域では層間絶縁層とともに触媒粒子が露出する。 - 特許庁
  • The photoresist is exposed from the rear surface with the gate electrode 10 as a mask for patterning, which is used as a mask for etching the second dielectrics layer 19.
    このフォトレジストをゲート電極10をマスクとして裏面より露光し、パターン化し、これをマスクとして第2誘電体層19をエッチングする。 - 特許庁
  • A particular embodiment may be fabricated utilizing a sequential laminating, patterning, selective stripping and selective epitaxial deposition method.
    特定の実施形態は、順次の積層、パターン化、選択的な剥離、および選択的なエピタキシャル堆積法を利用して製作されることができる。 - 特許庁
  • The projection system defines a pupil between the patterning system and the substrate table and a series of lens components are located between the pupil and the substrate table.
    投影系は、パターン形成系と基板テーブルの間にひとみを画成し、ひとみと基板テーブルの間には一連のレンズ構成要素が位置する。 - 特許庁
  • To protect the channel region of a semiconductor film against radiation damage when the deposited semiconductor film etc. is subjected to plasma etching for patterning.
    成膜された半導体膜等をプラズマエッチングによりパターニングするとき、半導体膜のチャネル領域が放射ダメージを受けないようにする。 - 特許庁
  • To overcome residual frictional force between the substrate and substrate holder, the substrate and substrate holder may be physically separated prior to further patterning.
    基板と基板ホルダの間の残留摩擦力を克服するために、基板と基板ホルダは、次のパターニングの前に物理的に分離することができる。 - 特許庁
  • The lithography apparatus includes: a lighting system configured so as to control radiation beams and a support member configured so as to support a patterning device.
    リソグラフィ装置は、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、パターンニングデバイスを支持するように構成された支持体とを含む。 - 特許庁
  • Waffle patterning is made to utilize a lot of kinds of lithographic techniques, the use of which has been restricted before at the time of manufacturing large-area circuits.
    ワッフルパターニングは、大きな面積の回路の製造時に以前なら制限されていた種々のリソグラフィ技法の多くを利用できるようにする。 - 特許庁
  • To make ON resistance low and withstanding voltage high regardless of micro-patterning in a semiconductor device having a semiconductor substrate of parallel p-n structure.
    並列pn構造の半導体基板を有する半導体装置において、微細化をしても、オン抵抗を低く、かつ耐圧を高くすること。 - 特許庁
  • A silicon nitride film 5 and a silicon oxide film 2 are formed to cover the trench isolation region, and a memory cell region is exposed by patterning them.
    トレンチ分離領域を覆うようにシリコン窒化膜5およびシリコン酸化膜2を形成し、これらをパターニングしてメモリセル領域を露出させる。 - 特許庁
  • PLATING METHOD AND PATTERNING METHOD ON METAL-CERAMIC COMPOSITE MEMBER, WET TREATMENT APPARATUS AND METAL-CERAMIC COMPOSITE MEMBER FOR POWER MODULE
    金属セラミック複合部材に対するメッキ方法、パターン製造方法、および湿式処理装置、並びにパワーモジュール用金属セラミックス複合部材 - 特許庁
  • The laser beam can selectively heat only the patterning material for removal, thus preventing the metallic thin-film layer and resin layer from being adversely affected.
    レーザ光はパターニング材料のみを選択的に加熱して除去することができ、金属薄膜層や樹脂層に悪影響を与えない。 - 特許庁
  • According to a viewpoint of the invention, a lithographic apparatus has a coupling system for positioning a patterning means with respect to a reticle stage.
    本発明の1つの観点によれば、リソグラフィ装置は、パターン化手段をレチクル・ステージに対して位置決めするための結合システムを備えている。 - 特許庁
  • Next, an amorphous semiconductor layer is formed on the gate insulating film and an amorphous channel region is formed on the gate electrode by patterning.
    次に、ゲート絶縁膜の上に非晶質半導体層を形成し、パターニングによってゲート電極の上に非晶質チャンネル領域を形成する。 - 特許庁
  • Consequently, an ink supply chamber shallower than the ink pressure chamber can be formed simultaneously by single patterning process and single etching process.
    この結果、1回のパターニング工程および1回のエッチング工程により、インク圧力室よりも浅いインク供給室を同時に形成できる。 - 特許庁
  • The metallic particle patterning film having about 1 μm precision is easily and firmly formed by the lithographic technique using photomasks or laser beams, etc.
    フォトマスクやレーザービーム等のリソグラフィ技術により、約1μmの精度を有した金属粒子パターニング膜を容易且つ強固に形成できる。 - 特許庁
  • To provide a top layer of a metal foil on a substrate to be protected, in which a patterning is carried out, the top layer supporting a local corona generation after a stroke of lightning.
    保護されるべき基板の上にあるパターニングされた金属フォイルの上張りは、落雷後に局部的なコロナが発生するのを支持する。 - 特許庁
  • To provide a glass substrate for an electronic device for enabling high-accuracy patterning and projection exposure, and to provide a photomask blank and a photomask using the substrate.
    高精度のパターニングや投影露光を可能にする電子デバイス用ガラス基板並ぴにこれを用いたフオトマスクブランク及びフオトマスクを提供する。 - 特許庁
  • To provide a coating method and a patterning roller used therefor capable of easily corresponding to architectural design efficiency of a diversified piece to be coated.
    多様化した被塗装物の意匠性を容易に対応することができる塗装方法及びそれに用いられる模様付けローラを提供する。 - 特許庁
  • To provide a material for an organic EL element, together with its manufacturing method, wherein fine patterning is allowed, as well as an organic EL element using them.
    微細なパターニングが可能な有機EL素子用材料およびその製造方法、ならびにそれらを用いた有機EL素子を提供する。 - 特許庁
  • To provide a lithographic device adapted to calibrate an array of individually controllable elements for patterning a beam so as to detect and compensate a malfunction or degradation.
    誤動作や劣化を検出し、補償するように個別制御可能なビームパターン化要素の配列を較正するリソグラフィ装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a resist composition with which a pattern having a favorable feature can be formed, and to provide a resist film and a patterning method using the composition.
    良好な形状のパターンを形成可能とするレジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
  • By executing the stacking material supply process and the patterning process are executed as a series of continuous processes, the ink coating 22 is prevented from being dried.
    この積層用材料供給工程とパターニング工程とを連続した一連の工程として行うことにより、インキ皮膜22の乾燥を防止する。 - 特許庁
  • To provide a chemically amplified negative resist composition less liable to cause bridges and having small substrate dependency of a pattern thereof, and to provide a patterning process using the same.
    ブリッジが発生しにくく、また、パターンの基板依存性の小さな化学増幅ネガ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a mask for exposure that is suitable for highly integrated device pattern, a mask set for exposure, a method of manufacturing mask for exposure, and a film patterning method.
    高集積化されたデバイスパターンに適した露光用マスク、露光用マスクセット、露光用マスクの製造方法、及び膜のパターニング方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a printed circuit board, that can manufacture the printed circuit board with improved patterning accuracy of a conductor pattern which is formed on an insulation substrate.
    絶縁基板上に形成する導体パターンのパターニング精度の良いプリント基板を製造することのできるプリント基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • To reduce fluctuation of a gap, mainly in a sealing portion of each panel obtained by a multi-panel patterning method and to reduce cost by improving display quality and yield.
    複数個取りで得られる個々のパネルの主にシール部の間隙バラツキを小さくし表示品質の向上と歩留まりの向上によるコストダウンの効果を得る。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of an organic light emitting element in which patterning of a water-soluble organic material can be carried out simply without deteriorating an element characteristic.
    素子特性を劣化させずに簡便に水溶性有機材料をパターニングすることができる有機発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • When the second patterning is performed, the position of the wafer W is adjusted, based on the detection result prior to placing the wafer W on the hot plate of the post-exposure baking (S4).
    2回目のパターニングでは、ウェハWが露光後ベークの熱板に載置される前に、上記検出結果に基づいてウェハWの位置が調整される(S4)。 - 特許庁
  • ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AS WELL AS ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM AND PATTERNING METHOD USING THIS COMPOSITION
    感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法 - 特許庁
  • The sensor part is formed by patterning a conductor layer, and the signal processing part is formed by providing a metal connecting layer on the conductor layer to be formed on the connecting layer by a flip chip method.
    センサ部は導体層をパターニングで形成し、信号処理部は導体層上に金の接続層を設け、接続層上にフリップチップ方法で形成する。 - 特許庁
  • Lines 41, consisting of piano wires of 0.2 mm diameter arranged with the 0.3 mm pitch, are pushed into a barrier rib material mounted on a back panel, then is subjected to patterning of barrier ribs.
    直径0.2mmのピアノ線からなるライン41を、隔壁のピッチ(0.3mm)ごとにバックパネル上の隔壁材料の上から押し込み、隔壁をパターニングする。 - 特許庁
  • Next, a floating gate 12, an insulating film 13, a control gate 14 and an on-gate oxide film 15 are formed by patterning said elements in a specific shape.
    次いで、これらを所定の形状にパターニングすることにより、浮遊ゲート12、絶縁膜13、制御ゲート14及びゲート上酸化膜15を得る。 - 特許庁
  • To provide a patterning thin-film forming method capable of removing a resist mask reliably without generating so-called burr or the like, and to provide a manufacturing method of a microdevice.
    いわゆる「バリ」等を生じることなく、レジストマスクを確実に除去し得るパターン化薄膜形成方法およびマイクロデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an organic electroluminescence device in which a color patterning can be implemented on a light emitting layer and thin transparent substrates are not needed, whose moisture resistance is high.
    光発生層上にカラーパターンニングを施すことができ、薄い透明基板が不要で、かつ、耐湿性が高い有機エレクトロルミネッセンス装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a submount having an insulating film which realizes high-precision patterning and is excellent in insulating performance, and to provide a semiconductor device using the same.
    高精度なパターニングが可能であるとともに、優れた絶縁性を実現できる絶縁膜を備えるサブマウントおよびそれを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a color filter having enhanced contact strength of a seal part at low cost without patterning a transparent protective layer nor transparent conductive film.
    透明保護層や透明導電膜をパターニングすることなく、シール部の密着強度を強くしたカラーフィルタを安価に製造する方法を提供する。 - 特許庁
  • In the stencil mask manufacturing method, a plurality of thin films are laminated, and patterning is performed by etching processing for each of the thin films.
    本発明のステンシルマスク製造方法は、薄膜を複数積層し、それぞれの薄膜についてエッチング加工によるパターン形成を行うことを特徴とする。 - 特許庁
  • A material liquid ejector 60 ejects film forming material liquid 70 for patterning in the form of liquid drops 72 being injected into a pattern opening 58 of the mask 50.
    原料液吐出器60は、パタンを形成するための成膜用原料液70を液滴72として吐出し、マスク50のパターン開口58に注入する。 - 特許庁
  • By using photolithography technique and dry etching technology, patterning is performed by anisotropical etching of the insulating film 19 up to the middle of a conductive film 4A.
    フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を用い、絶縁膜19および導電性膜4Aの途中までは異方性エッチングによりパターニングを進める。 - 特許庁
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