「photodiode array」を含む例文一覧(208)
＜前へ 1 2 3 4 5 次へ＞- A photodetector 1 includes a photodiode array 2 and a signal processor 3.
光検出装置１は、フォトダイオードアレイ２および信号処理装置３を含む。 - 特許庁 - The output device of the light receiving element has a photodiode array substrate 13 having a formed photodiode array 15, and has an output substrate having an amplifying circuit for amplifying the output signals outputted from respective photodiodes 16.
フォトダイオードアレイ１５が形成されたフォトダイオードアレイ基板１３と、フォトダイオード１６からの出力信号を増幅する増幅回路を備えた出力基板とを備える。 - 特許庁 - The photodiode array includes a plurality of photodiodes arranged ring-likely, the each photodiode occupies an annular sector of a ring, and the each photodiode generates a signal determined by a radiation light incident into the photodiode.
フォトダイオードアレイはリング状に配置された複数のフォトダイオードを含み、各フォトダイオードはそのリングの環状セクタを占め、各フォトダイオードはそのフォトダイオードに入射する放射光によって決まる信号を生成する。 - 特許庁 - To provide an inexpensive optical spectrum monitor which requires neither a reference light nor a photodiode array.
基準光が不要で、フォトダイオードアレイも不要な安価な光スペクトラムモニタを提供する。 - 特許庁 - The photodiode array is constituted so that many photodiodes are arranged in the dispersing direction of detection light.
フォトダイオードアレイは、検出光の分散方向に多数のフォトダイオードが並べられている。 - 特許庁 - A plurality of p-type semiconductor layers 22 are provided on a surface of a photodiode array 2.
フォトダイオードアレイ２の表面には、複数のｐ型半導体層２２が設けられている。 - 特許庁 - The photodiode array includes a textured light reception surface 88 for improving light absorption.
フォトダイオード・アレイは光吸収を改善する凹凸付き受光面（８８）を含んでいる。 - 特許庁 - A photodiode array 20 is provided with p-type semiconductor layers 22 on the front surface side thereof.
フォトダイオードアレイ２における表面側には、ｐ型半導体層２２が設けられている。 - 特許庁 - To provide a spectroscopic device that can obtain a high wavelength resolution in a prescribed measurement wavelength range, even when an alignment integration degree of photodiodes is not comparatively high in a photodiode array or a defective photodiode exists in the photodiode array.
フォトダイオードの配列集積度が比較的高くないフォトダイオードアレイや欠陥フォトダイオードが存在するフォトダイオードアレイであっても、所定の測定波長範囲で高い波長分解能が得られる分光装置を提供すること。 - 特許庁 - To develop a further-low-capacitance photodiode element without impairing a response time of each photodiode element in order to reduce electronic noise, and to develop a further-low-capacitance photodiode array.
電子雑音を低減するために、各々のフォトダイオード素子の応答時間を損なわずに、より低キャパシタンスのフォトダイオード素子及びより低キャパシタンスのフォトダイオード・アレイを開発する。 - 特許庁 - To provide a photodiode array capable of sufficiently ensuring an aperture rate with respect to light to be detected while suppressing production of crosstalk between light receiving channels, even when the photodiode array is in operation in the Geiger mode.
ガイガーモードで動作させる場合であっても、受光チャンネル間のクロストークの発生を抑制しつつ被検出光に対する開口率を十分に確保できるホトダイオードアレイを提供する。 - 特許庁 - The reflection film 91 is formed in an underlayer side of a photodiode 212 to overlap the photodiode 212 on the TFT array substrate 10.
反射膜９１は、ＴＦＴアレイ基板１０上においてフォトダイオード２１２に重なるようにフォトダイオード２１２の下層側に形成されている。 - 特許庁 - To realize a photodiode array capable of efficiently converting incident light into an electrical signal.
入射光を効率よく電気信号として取り出すことが可能なフォトダイオードアレイを実現する。 - 特許庁 - A photodiode array 8 corresponding to a plurality of the optical fiber core wires 211 is arranged on the base plate 3.
複数の光ファイバ心線２１１に対応するフォトダイオードアレイ８をベースプレート３に設ける。 - 特許庁 - No movable member is required in a portion for converging the beam 30 to the photodiode array 40.
また光ビーム３０をフォトダイオードアレイ４０へ収束させる部位の可動部材を不要化する。 - 特許庁 - The linear image sensor comprises a red diode array 11, a green diode array 12 and a blue diode array 13, and the green diode array 12 positioning between the red diode array 11 and the blue diode array 13 is arranged in a direction of array with a displacement of about a half pitch in a direction of a photodiode array, as illustrated.
リニアイメージセンサは、赤色ダイオード列１１、緑色ダイオード列１２、青色ダイオード列１３を含んで構成され、赤色ダイオード列１１と青色ダイオード列１３の間に位置する緑色ダイオード列１２は、図示のように、フォトダイオード列方向のピッチの約１／２だけ列方向にずれて配設されている。 - 特許庁 - To allow a concentrated light to minimize the entire distance to a photodiode to optimize the intensity and focus of the light that has finally reached a photodiode array.
集光された光がフォトダイオードまで至る全体的な距離を最小化し、フォトダイオードアレイに最終到達する光の強度及びフォーカスを最適化させる。 - 特許庁 - A total reflection attenuation angle in the every measuring chip is detected based on light intensity of the beam 30 received individually by each photodiode of the photodiode array 40.
フォトダイオードアレイ４０の各フォトダイオードで個別に受光した光ビーム３０の光強度に基づいて、各測定チップ毎の全反射減衰角を検出する。 - 特許庁 - A reception module which receives a light signal and outputs a voltage signal has a photodiode array 9 and an IC-implemented receiving circuit 8 which inputs a minute current signal outputted by the photodiode array.
光信号を受けて電圧信号を出力する受信モジュールは、フォトダイオードアレイ（９）と、フォトダイオードアレイから出力される微小電流信号を入力するＩＣ化された受信回路（８）とを有する。 - 特許庁 - The light receiving element array is constituted of arraying many light receiving elements each of which consists of a pin photodiode.
本発明受光素子アレイは、pinフォトダイオードよりなる受光素子を多数配列した受光素子アレイである。 - 特許庁 - A photodiode array 1 comprises P+ diffusion layers 4 and 5, N+ channel stop layers 6 and 7, N+ diffusion layer 8 and the like.
フォトダイオードアレイ１は、Ｐ^+拡散層４，５、Ｎ^+チャンネルストップ層６，７、Ｎ^+拡散層８等を含んでいる。 - 特許庁 - The detection light from a sample is spectrally diffracted/reflected by a concave diffraction lattice to be incident on a photodiode array.
試料からの検出光は、凹面回折格子で分光・反射されて、フォトダイオードアレイに入射する。 - 特許庁 - To integrate a photodiode array into a TFT array for imaging system without compromising the reliability and/or soundness of the mechanism of a detector panel.
検出器パネルの機械的な信頼性及び／又は健全性を損なわずにイメージング・システム用のＴＦＴアレイにフォトダイオード・アレイを一体化する。 - 特許庁 - This CT detector is constituted by using a controlled air gap 92 provided between a photodiode array 52 and a scintillator array 56 with an anti-reflective layer 86 provided on the scintillator array.
ＣＴ検出器は、フォトダイオード・アレイ（５２）とシンチレータ・アレイ（５６）との間に設けられている制御型空隙（９２）を、シンチレータ・アレイの上に設けられている反射防止層（８６）と共に用いる。 - 特許庁 - To provide a photodiode element by which visible lights of short wavelength and long wavelength can be detected at high efficiency, respectively, and to provide a photodiode array using it.
短波長及び長波長の可視光線をそれぞれ高い効率で検出することのできるフォトダイオード素子及びこれを用いたフォトダイオードアレイを提供する。 - 特許庁 - To provide a photodiode array, a method of manufacturing the array, and a radiation detector in which the occurrence of a noise due to the damage of a photodetecting section at mounting time can be prevented.
ホトダイオードアレイおよびその製造方法並びに放射線検出器において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。 - 特許庁 - To provide a CT (Computerized Tomography) detector 20 for a CT imaging system 10, having a segmented optical coupler incorporated between a photodiode array 52 and a scintillator array 56.
フォトダイオード・アレイ（５２）とシンチレータ・アレイ（５６）の間にセグメント式光学カプラを組み込んでいるＣＴイメージング・システム（１０）向けのＣＴ検出器（２０）を提供する。 - 特許庁 - The photodiode detection array includes a plurality of photodiodes, and each of the photodiodes provides a position signal, when the detector array moves to the scale.
フォトダイオード検出器アレイは複数のフォトダイオードを有し、フォトダイオードの各々は検出器アレイがスケールに対して移動する際に位置信号を提供する。 - 特許庁 - A Fourier transform type and a photodiode array type can be preferably used as infrared absorption spectra.
近赤外吸収スペクトルとしては、フーリエ変換型のものやフォトダイオードアレーを用いたものが好適に例示できる。 - 特許庁 - To provide a photodiode array of which the interval can be narrowed between light receiving regions constituting photodiodes.
各フォトダイオードを構成する受光領域間の間隔を狭くすることが可能なフォトダイオードアレイを提供する。 - 特許庁 - The line image sensor has a photodiode array which is constituted of a plurality of pixels and generates signal electric charges on the basis of the light, a charge transfer register for transferring the signal electric charges generated by the photodiode array, and a resolution varying means which mixes electric charges of M pixels adjacent in the photodiode array to vary the read resolution.
複数の画素で構成され、光を基に信号電荷を生成するためのフォトダイオード列と、フォトダイオード列で生成された信号電荷を転送する電荷転送レジスタと、フォトダイオード列において隣接するＭ画素の電荷を混合することによって読み取り解像度を可変する解像度可変手段とを有するラインイメージセンサが提供される。 - 特許庁 - Incident light can sufficiently be made incident on the photodiode 2 on the left/right of the pixel array or/and upper side/lower side of the pixel array by a displacement of the opening 6 to the photodiode 2.
この開口部６のフォトダイオード２に対する位置ずれによって、画素アレイ左側と画素アレイ右側または／および画素アレイ上側と画素アレイ下側で共に入射光を良好にフォトダイオード２に入射させることができる。 - 特許庁 - An optical sensor module includes base substance having a photodiode array coupled optically with a scintillator array, an FET chip which is connected electrically with the photodiode array and set on the base substance, a high density interconnection, and a flex circuit connected with a DAS system.
別の一面において提供される、光センサ・モジュールは、シンチレータ・アレイに光学的に結合されたフォトダイオード・アレイを有する基体と、フォトダイオード・アレイに電気接続され且つ該基体上に設置されたＦＥＴチップと、高密度相互接続体と、ＤＡＳシステムに接続されるフレックス回路とを含んでいる。 - 特許庁 - To provide a photodiode array module in which reduction in the number of PDs per module is suppressed, and to provide a method of manufacturing the same.
モジュール当たりのＰＤ数の減少が抑制されたフォトダイオードアレイモジュール及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A photodiode array 7 consisting of two-dimensionally arrayed photodiodes, which are a light receiving part, is formed on the LSI part 2.
ＬＳＩ部２には、受光部であるフォトダイオードが２次元的に配列されたフォトダイオードアレイ７が形成されている。 - 特許庁 - To improve the moisture resistance, crosstalk characteristic, or the like, of an optical device in which a photodiode (PD) or a PD array is incorporated.
フォトダイオード（ＰＤ）又はＰＤアレイが組み込まれた光デバイスの耐湿性やクロストーク特性等を向上させる。 - 特許庁 - To provide a photodiode array capable of increasing the output of each of photodiodes without increasing an applied voltage.
印加電圧を増加させることなく、各フォトダイオードからの出力を増加することが可能なフォトダイオードアレイの提供。 - 特許庁 - Next, a photodiode array 5 is glued and fixed in addition onto scintillator elements 1a through the use of an adhesive agent 6 (d).
（ｄ）工程で、シンチレータ素子１ａの上に、さらにフォトダイオードアレイ５を光学接着剤６を介して接着固定する。 - 特許庁 - To provide a photodiode array which is formed on an SOI substrate with backside contacts, and to provide a method for manufacturing it.
後ろ側接点を有するＳＯＩ基板上に形成されたフォトダイオード配列とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - When a white light source is used as a light source, a diffraction grating, a photodiode array or the like is used on the light receiving side.
光源として白色光源が用いられる場合、受光側では回折格子やフォトダイオードアレイなどが用いられる。 - 特許庁 - The segmented optical coupler also operates as an light collimator for improving light collection efficiency of the photodiode array 52.
セグメント式光学カプラは、フォトダイオード・アレイ（５２）の光収集効率を向上させる光コリメータとしても動作している。 - 特許庁 - The image sensor 20A comprises a photodiode array part 21, a signal processing part 22, an open/close instruction part 23A, and a control part 24A.
イメージセンサ２０Ａは、フォトダイオードアレイ部２１、信号処理部２２、開閉指示部２３Ａおよび制御部２４Ａを含む。 - 特許庁 - To provide a photodiode array which can efficiently suppress crosstalk and can be easily manufactured.
クロストークを効率的に抑制することが可能であると共に、容易に製造することが可能なフォトダイオードアレイを提供する。 - 特許庁 - To uniformize an output of an APD element by relaxing an electric field applied to a multiplication layer of an outside avalanche photodiode element, in a back-illuminated avalanche photodiode array.
裏面入射型アバランシェフォトダイオードアレイにおいて、外側のアバランシェフォトダイオード素子の増倍層にかかる電界を緩和することにより、ＡＰＤ素子の出力を均一化することを目的とする。 - 特許庁 - In the photodiode group 5 for origin position detection, a photodiode 5z for phase z and a photodiode 5z' for phase z' are arrayed according to an M-series array pattern, and in the reflecting grating group 8 for origin position detection, a reflecting grating 81 and a non-reflecting grating 82 are arrayed following the same M-series array pattern.
原点位置検出用のホトダイオード群５はＭ系列の配列パターンに従ってＺ相用ホトダイオード５ＺおよびＺ’相用ホトダイオード５Ｚ’が配列され、原点位置検出用の反射格子群８は、同じくＭ系列の配列パターン従って反射格子８１および非反射格子８２が配列されている。 - 特許庁 - One or more vias (200, 202, 204, 206) capable of including a sidewall having a stepped structure can be formed in a thin film transistor array, and the adhesion of a photodiode (226) array to the thin film transistor array is increased.
薄膜トランジスタ・アレイには階段状構造を有する側壁を含み得る１又は複数のバイア（２００、２０２、２０４、２０６）を形成することができ、フォトダイオード（２２６）・アレイの薄膜トランジスタ・アレイへの接着力を高める。 - 特許庁 - To apply a compact photodiode array to a light receiving element in an optical rotary encoder to which the basic principle of a three-grating system is applied.
３格子システムの基本原理を適用した光学式ロータリエンコーダおいて、受光素子に小型のフォトダイオードアレイを適用する。 - 特許庁 - To assure optimal performance of a CT system by measuring a temperature variation of a photodiode sensor array and effectively controlling it.
フォトダイオード・センサ・アレイの温度変動の測定及び実効的な制御を提供してＣＴシステムの最適性能を保証する。 - 特許庁 - A backlit photodiode array includes a semiconductor substrate equipped with a first main surface and a second main surface which face each other.
バックリット・フォトダイオード配列は、相互に対向する第１主表面および第２主表面とを備えた半導体基板を含む。 - 特許庁 - The photodiode array PDA1 includes a substrate S, where a plurality of light detection channels CH include an n-type semiconductor layer 32.
フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、複数の光検出チャンネルＣＨがｎ型半導体層３２を有する基板Ｓを備える。 - 特許庁
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