「photodiode array」を含む例文一覧(208)

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  • A substrate 10 of the photodetector 1A having an n-type substrate 101 and a p-type epitaxial layer 102 is provided with a photodiode array having a plurality of photodiodes 12 (n-type channel area 121), and a light incident part 13 comprising an opening part used for making light detected by the photodiodes 12 get incident.
    ｎ型基板１０１及びｐ型エピタキシャル層１０２を有する光検出器１Ａの基板１０において、複数のフォトダイオード１２（ｎ型チャンネル領域１２１）を有するフォトダイオードアレイと、フォトダイオード１２で検出する光を入射するために用いられる開口部からなる光入射部１３とを設ける。 - 特許庁
  • The X-ray inspection device 100 detects the micro foreign material 610 in an article 600 by irradiating the article 600 with an X ray S1 and detecting an optical conversion by an scintillator 300 with a photodiode array 400 (hereinafter abbreviated to PDA), in which a slit member 500 is provided on the X-ray irradiation side of the scintillator 300.
    本発明に係るＸ線検査装置１００は、物品６００にＸ線Ｓ１を照射し、シンチレータ３００による光変換をフォトダイオードアレイ（ＰＤＡと略記する）４００で検出することにより、物品６００内の微小異物６１０を検出することができ、シンチレータ３００のＸ線照射側にスリット部材５００を設ける。 - 特許庁
  • The X-ray inspection device 100 capable of detecting a fine foreign substance 610 in an article 600 by irradiating an X-ray S1 to the article, and by detecting optical conversion caused by a scintillator 300 by a photodiode array (abbreviated as PDA) 400, is formed by laminating slit members 500 on the X-ray irradiation side of the scintillator 300.
    Ｘ線検査装置１００は、物品にＸ線Ｓ１を照射し、シンチレータ３００による光変換をフォトダイオードアレイ（ＰＤＡと略記する）４００で検出することにより物品６００内の微小異物６１０を検出することができ、シンチレータ３００のＸ線照射側にスリット部材５００を積層したものである。 - 特許庁
  • A light flux passing through an incident slit 1 is dispersed into light having a short wavelength to light having a long wavelength by a concave diffraction grating 2, and an optical filter 4 formed by bonding a plurality of optical filters having different properties and having bonding surfaces in the oblique direction is arranged just before a photodiode array type detector 3 for detecting the light intensity of the dispersed light.
    入射スリット１を通した光束を凹面回折格子２で短波長から長波長の光に分散し、この分散光の光強度を検出するホトダイオードアレイ型の検出器３の直前に、斜め方向の接合面を有する複数の異なった性質の光学フィルタを接合してなる光学フィルタ４を配置する。 - 特許庁
  • In the multichannel spectrograph which is used in the near- infrared, and comprises an interference filter, comprising spectroscopic elements arranged straightly, and a photodiode array which is connected in parallel to the interference filter, the interference filter comprises some spectroscopic elements which are in accordance with wavelength ranges needed for multivariable quantity analysis in the near-infrared spectrum, and are serially connected.
    近赤外線で使用され、分光素子を直線上に配列した干渉フィルタと、フォト・ダイオード・アレイ（ＰＤＡ）とを並列に配設してなるマルチチャンネル分光器であって、干渉フィルタは、近赤外スペクトルの多変量解析に必要な波長範囲に応じたいくつかの分光素子を組み合わせて直列に連結したことである。 - 特許庁
  • The spectroscope 1A is composed of: an optical body 10 wherein a spectral light path is established, through which spectral object light is propagated; a light entrance slit 16 the object light enters; a diffraction grating 17 which spectrally processes the entrance object light; and a photodiode array 18 which detects the object light spectrally processed by the diffraction grating 17.
    分光の対象光が伝搬する分光光路が内部に設定される光学体１０と、対象光を入射する光入射スリット１６と、入射された対象光を分光する回折格子１７と、回折格子１７で分光された対象光を検出するフォトダイオードアレイ１８とによって、分光器１Ａを構成する。 - 特許庁
  • The output part of the photodiode array is connected to the ground potential or the supply potential via a first inspection resistance spatially arranged close to the array, and an input part of an analog/digital converter of the microprocessor provided for a signal input part is connected to a port output part of the microprocessor, which is selectively connectable to the ground potential or the supply potential via a second inspection resistance spatially arranged close to the input part.
    フォトダイオードアレイの出力部がこのアレイに対して空間的に近くに配置された第１検査抵抗を介して接地電位又は電源電位に接続されていること、及び信号入力部に対して設けられているマイクロプロセッサのアナログ・デジタル変換器の入力部がこの入力部に対して空間的に近くに配置された第２検査抵抗を介して接地電位又は電源電位に選択的に接続可能なマイクロプロセッサのポート出力部に接続されていることによって実現される。 - 特許庁
  • The semiconductor relay device comprises an LED 1 for outputting a light signal in response to an input signal; a photodiode array 2 for generating a prescribed voltage by receiving the light signal from the LED 1; a charge/discharge control circuit 3 for controlling the charge/discharge of the prescribed voltage; and an output MOSFET 4 that is turned on/off by a control voltage from the charge/discharge control circuit 3.
    半導体リレー装置は、入力信号に応答して光信号を出力するＬＥＤ１と、このＬＥＤ１からの光信号を受光して所定電圧を発生するフォトダイオードアレイ２と、この所定電圧の充放電を制御する充放電制御回路３と、この充放電制御回路３からの制御電圧によりオン、オフされる出力ＭＯＳＦＥＴ４とを備え、充放電制御回路３と出力ＭＯＳＦＥＴ４のゲート間に容量Ｃ１を直列接続する。 - 特許庁
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