「photodiode array」を含む例文一覧(208)
＜前へ 1 2 3 4 5 次へ＞- The photodiode array 30 is arranged adjacently to one face of the scintillator, and a photomultiplier tube 24 is arranged adjacently to another face.
フォトダイオード・アレイ３０はシンチレータの１つの面に隣接して配置し、光電子増倍管２４を別の面に隣接して配置する。 - 特許庁 - The light amplifying element or elements may comprise an array of phototubes, a multianode phototube, or a multichannel plate based on an image intensifier coupled to an array of photodiode detectors.
単数又は複数の光増幅エレメントは、フォトダイオード検出器のアレイに連結されたイメージ増幅器に基づくフォトチューブのアレイ、マルチアノードフォトチューブ、又はマルチチャネルプレートを備え得る。 - 特許庁 - A photodiode array is provided with a substrate, a plurality of photodiodes formed on the substrate in the form of an array, and light- condensing means for condensing the incident light to each of the photodiodes.
フォトダイオードアレイにおいて、基板と、前記基板上にアレイ状に形成された複数個のフォトダイオードと、入射光を前記各フォトダイオードに集光する集光手段とを設ける。 - 特許庁 - To improve the BER of an output device of a light receiving element, by making nearly equal to each other the current-loop distances present in its photodiode array, and by reducing its crosstalk.
フォトダイオードアレイの中での電流ループ距離を同等程度とすると共に、クロストークを低減させてＢＥＲを向上させる。 - 特許庁 - To provide a photodiode array capable of satisfactorily reducing the generation of any cross-talk even at the time of collecting electrodes or wiring at one face side.
電極や配線を一方の面側に集めてもクロストークの発生を良好に抑制することができるホトダイオードアレイの提供。 - 特許庁 - A detecting unit module formed of a scintillator 20 and a photodiode array 22 and a detecting unit module formed of a scintillator 21 and a photodiode array 23 are installed on a fixation part 24 opposite to each other, and a collimator is provided in a front surface so as to form an radio-CT instrument having two slice detecting units.
シンチレータ２０とフォトダイオードアレイ２２からなる検出器モジュールと、シンチレータ２１とフォトダイオードアレイ２３からなる検出器モジュールを、対向させて固定部２４上に装着し、コリメータを前面に装備して、２スライス用検出器を有するＸ線ＣＴ装置として使用する。 - 特許庁 - A 1st sensor array 5a constituted of photodiode having spectral sensitivity characteristics including the infrared light and a 2nd sensor array 5b constituted of photodiode having spectral sensitivity characteristics not including the infrared light are adjacently formed on an N type semiconductor substrate 40.
赤外光を含む分光感度特性を有するフォトダイオードで構成される第１のセンサアレイ５ａと、上記赤外光を含まない分光感度特性を有するフォトダイオードで構成される第２のセンサアレイ５ｂとが、Ｎ型半導体基板４０上に隣接して形成される。 - 特許庁 - The original illuminating device has an LED array (1) substantially linearly arraying a plurality of LEDs (1t) or an LED group (1u), and a photodiode (1p) or a photodiode group (1q) for receiving light from the original face.
原稿照明装置は、複数個のＬＥＤ（１ｔ）又はＬＥＤ群（１ｕ）をほぼ直線状に配列して成るＬＥＤアレイ（１）と、原稿面からの光を受光するフォトダイオード（１ｐ）又はフォトダイオード群（１ｑ）とを有する。 - 特許庁 - To prevent generation of noise by damage of a light detection part in mounting, in a manufacturing method of a radiation detector having a photodiode array.
ホトダイオードアレイを備える放射線検出器の製造方法において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。 - 特許庁 - The light source illuminates the code wheel, and the optical system forms an image of the code wheel having alternately light bands and dark bands, on the photodiode array.
光源はコードホイールを照明し、光学系は明るい帯と暗い帯を交互に有するコードホイールの画像をフォトダイオードアレイ上に形成する。 - 特許庁 - To provide a method of inspecting the integrity of a conductor joint connected to a microprocessor which is spatially separated from a photodiode array.
フォトダイオードアレイから空間的に離れて設けられているマイクロプロセッサとの間の導線接続部の完全性を検査する方法に関する。 - 特許庁 - The plurality of dummy pixels 21 are formed outside a display area 14 on a TFT array substrate 1, and a photodiode 31 is provided in each dummy pixel 21.
ＴＦＴアレイ基板１上の表示エリア１４外に複数のダミー画素２１を作成し、ダミー画素２１内にフォトダイオード３１を設ける。 - 特許庁 - The code wheel includes an annular array for code strips arranged alternately around a code wheel shaft as the center, and the code wheel moves relatively to the photodiode array around the code wheel shaft as the center.
コードホイールはコードホイール軸を中心にして配置交互に配置されたコードストリップの環状アレイを含み、コードホイールはコードホイール軸を中心にしてフォトダイオードアレイに対して相対的に移動する。 - 特許庁 - To provide a photodiode array, its manufacturing method, and a radiation detector in which the occurrence of a noise due to damage of a photodetecting section at mounting time can be prevented.
ホトダイオードアレイおよびその製造方法並びに放射線検出器において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。 - 特許庁 - To provide a composite function matrix array capable of implementing, by a multilayered element, light emission by an organic EL element, and sensing by an organic photodiode.
多層化した素子により、有機ＥＬ素子による発光と、有機フォトダイオードによるセンシングを行うことができる複合機能マトリクスアレイを提供する。 - 特許庁 - The optical switch system PSS has optical switches (PS_1, PS_2..., PS_n), a laser diode LD, light receiving elements such as photodiode array PDA, and electronic circuit part.
光スイッチ（ＰＳ_1，ＰＳ_2・・・ＰＳ_n）と、レーザダイオードＬＤ、フォトダイオードアレイＰＤＡなどの受光素子および電子回路部などを有する光スイッチシステムＰＳＳとする。 - 特許庁 - This solid imaging device includes a layout using, as one shared unit 21, a photodiode PD [PD1-PD8] array of vertical two pixels and lateral 4×n pixels (n is a positive integer).
縦２画素、横４×ｎ画素（ｎは正の整数）のフォトダイオードＰＤ［ＰＤ１〜ＰＤ８］配列を１共有単位２１としたレイアウトを有する。 - 特許庁 - To reduce differential signal errors due to temperature variations within a photodiode array of an optional size in computed tomography (CT) imaging systems.
計算機式断層写真法（ＣＴ）検出器において、任意の寸法のフォトダイオード・アレイ内での温度ばらつきによる差分信号誤差を縮小する。 - 特許庁 - Here, the slit width of the slit member 500 is smaller than that of the scintillator 300 and 1/2 or larger than that of the received-light width of the photodiode array 400.
ここで、スリット部材５００のスリット幅は、シンチレータ３００の幅より小さく、フォトダイオードアレイ４００の受光幅の１／２以上の大きさで設けられる。 - 特許庁 - When the contact 15 is turned on, the infrared LED 27 emits light, and the light is received by the photodiode array element 28 to generate a voltage on the secondary side.
接点１５がＯＮすると、赤外線ＬＥＤ２７が発光し、この光をフォトダイオードアレイ素子２８が受光して２次側電圧が発生する。 - 特許庁 - A self scanning photodiode array allows low signal pixels to accumulate charge for multiples of predetermined exposure time t_0 before being read.
自己走査フォトダイオードアレイは、読み出される前に低い信号ピクセルが所定の露光時間ｔ_０の倍数の間、電荷を蓄積することを可能にする。 - 特許庁 - The solid state imaging device consists of a pixel array wherein there are arranged a plurality of unit pixels each including a photodiode and an insulating gate field-effect transistor for photoelectric charge detection, and of a control circuit for controlling the operation of the pixel array.
固体撮像装置は、フォトダイオードと光電荷検出用の絶縁ゲート型電界効果トランジスタとを有する単位画素が複数配列された画素アレイと、画素アレイの動作を制御する制御回路とを備える。 - 特許庁 - To provide a rear incident photodiode array that suppresses the occurrence of noise caused by forming modified regions and can improve the suppression effects of crosstalks.
改質領域を形成することによるノイズの発生を抑制すると共に、クロストークの抑制効果を向上させることが可能な裏面入射型フォトダイオードアレイを提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a photodiode array which reduces crosstalk between adjoining photodiodes.
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、隣接するフォトダイオード間でクロストークの低減可能なフォトダイオードアレイ製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - Since an isolation trench GRV is formed between a plurality of photodiodes PD1, PD2 in the photodiode array, crosstalks among respective photodiodes can be suppressed.
このホトダイオードアレイによれば、複数のホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２間に素子分離用のトレンチ溝ＧＲＶが形成されているので、各ホトダイオード間のクロストークを抑制できる。 - 特許庁 - In the photodiode array 1, resistors 42 and wires 43 electrically connected to each avalanche multiplier 6 are collectively formed on an upper side of a semiconductor substrate 2.
ホトダイオードアレイ１では、各アバランシェ増倍部６に電気的に接続される抵抗４２及び配線４３が半導体基板２の上面側に集められて形成されている。 - 特許庁 - A bias supply 9 includes a photoelectromotive circuit 10 (to be concrete, a combination of an infrared LED 27 and a photodiode array element 28, what is called a photovoltaic circuit).
バイアス電源９は、光起電力回路１０（具体的には、赤外線ＬＥＤ２７とフォトダイオードアレイ素子２８を組み合わせたもの、いわゆるフォトボル）を含んでいる。 - 特許庁 - A unit pixel 10 in a pixel array of a CMOS image sensor is equipped with: a photodiode 1; a lead transistor 2; a floating diffusion FD; a reset transistor 3; and an amplification transistor 4.
CMOSイメージセンサの画素アレイにおける単位画素１０は、フォトダイオード１と、リードトランジスタ２と、フローティングディフュージョンFDと、リセットトランジスタ３と、増幅トランジスタ４とを具備する。 - 特許庁 - A switch circuit 11 for applying high voltage onto the hollow cathode lamp 17 is composed of a high voltage-proof FET 15 and a photocoupler 12 of an LED / photodiode array coupling type.
ホロカソードランプ１７に高電圧を印加するためのスイッチ回路１１を、高耐電圧のＦＥＴ１５と、発光ダイオード−ホトダイオードアレイ結合型ホトカプラ１２とで構成する。 - 特許庁 - The column trace (413) interfaces with a signal capture circuit in a CMOS array (600) of pixels for capturing a digital image that corresponds to each voltage level at each photodiode (425).
該列パターン(413)は、各フォトダイオード(425)における各電圧レベルに対応するディジタル画像をキャプチャーするためのピクセルのＣＭＯＳアレイ(600)内の信号キャプチャー回路をインターフェースする。 - 特許庁 - In a second embodiment, linear photodiode array is formed on the substrate, the diffraction grating of variable space is formed in a metallization layer, and a series collar sensor is provided.
第２の実施態様において、線形フォトダイオードアレイが基板上に形成され、間隔が変化する回折格子が金属層に形成されて、連続カラーセンサを提供する。 - 特許庁 - The image sensor comprises: a lower structure having a photodiode and wiring; a protective film formed on the lower structure; a thermosetting resin film formed on the protective film; a color filter array formed on the thermosetting resin film; a microlens array formed on the color filter array; and an LTO (Low Temperature Oxide) film formed on the microlens array.
本実施形態に係るイメージセンサは、フォトダイオードと配線が備えられた下部構造物と、下部物の上に形成された保護膜と、保護膜の上に形成された熱硬化性樹脂膜と、熱硬化性樹脂膜の上に形成されたカラーフィルタアレイと、カラーフィルタアレイの上に形成されたマイクロレンズアレイと、マイクロレンズアレイの上に形成されたＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜と、を含む。 - 特許庁 - A CMOS image sensor includes a plurality of pixels arranged in the form of a two-dimensional array, and each pixel includes a photodiode PD for receiving light and generating charge, a capacitive element FD, and a transistor M1 for transfer connected between the photodiode PD and the capacitive element FD, wherein the capacity of the capacitive element FD is smaller than that of the photodiode PD.
ＣＭＯＳイメージセンサは、２次元アレイ状に配列された複数の画素を含み、各画素は、光を受光して電荷を生成するフォトダイオードＰＤと、容量素子ＦＤと、フォトダイオードＰＤと容量素子ＦＤとの間に接続された転送用トランジスタＭ１とを含み、かつフォトダイオードＰＤの容量よりも容量素子ＦＤの容量が小さい。 - 特許庁 - The monitor is provided with a photodiode array having a plurality of photodiodes, and for receiving an interference light from the interference fringe generation means, and a phase changing means for generating an interference signal shifted in a phase from an output of the photodiode array, and the photodiodes are arranged so as to be shifted along a direction of forming the interference fringe.
本装置は、複数のフォトダイオードを有し、干渉縞発生手段からの干渉光を受光するフォトダイオードアレイと、このフォトダイオードアレイの出力から位相のずれた干渉信号を生成する位相変化手段とを設け、フォトダイオードは、干渉縞が形成される方向に沿って、ずらして配置されることを特徴とするものである。 - 特許庁 - Electric charges are accumulated only in pixels in a partial area of a photodiode array part 241 by arranging a shield plate 24a having an opening part 24b on the photodetection surface side of a CCD image sensor 24, and electric charges are transferred from the photodiode array part 241 to the CCD part 242 in cycles needed to output the electric charges of the pixels of the partial area.
ＣＣＤイメージセンサ２４の受光面側に開口部２４ｂを有する遮蔽板２４ａを配置することにより、フォトダイオードアレイ部２４１の一部領域の画素にのみ電荷を蓄積するとともに、一部領域の画素分の電荷を出力するために必要な周期でフォトダイオードアレイ部２４１からＣＣＤ部２４２に電荷を転送する。 - 特許庁 - A signal analyzing part 16 is constituted of a processing part 22 for performing processing on the basis of data from a photodiode array 10, a storage part 18 for storing data including reference values, a comparing/determining part 20 for determining the life of a D2 lamp by comparing spectrum data detected by the photodiode array 10 with the reference values stored in the storage part 18.
信号解析部１６はフォトダイオードアレイ１０からのデータをもとに処理を行なう処理部２２と、基準値を含むデータを記憶しておく記憶部１８と、フォトダイオードアレイ１０で検出されたスペクトルデータと記憶部１８に記憶されている基準値とを比較し、Ｄ２ランプの寿命の判定を行なう比較・判定部２０とから構成される。 - 特許庁 - The array pitch of the microlens 19 is ununiform in the image area 11a, is smaller than that of the photodiode 13 at the center section in the image area 11a, and becomes larger than that of the photodiode 13 at the periphery section.
マイクロレンズ１９の配列ピッチはイメージエリア１１ａ内で一様ではなく、イメージエリア１１ａの中心部ではフォトダイオード１３の配列ピッチよりも配列ピッチが小さく、周辺部ではフォトダイオード１３の配列ピッチよりも配列ピッチが大きくなるように形成されている。 - 特許庁 - The imager (100) is provided with photosensor pixels (110) arranged in a pixel array, and each photosensor pixel includes a photodiode (126) having the sidewall, on which a gate dielectric layer is disposed and a field plate (150) disposed around a photodiode body.
イメージャ（１００）は画素アレイとして配列された複数のフォトセンサ画素（１１０）を具備し、各々のフォトセンサ画素はゲート誘電体層がその上に配置されている側壁を有するフォトダイオード（１２６）と、フォトダイオード本体の周囲に配置された電界プレート（１５０）とを含む。 - 特許庁 - This photodetector includes a single semiconductor substrate 10 and the sample light photodiode array 7a and reference light photodiode array 7b formed on the surface of the substrate 10 and the spectra of both sample and reference lights are respectively detected by the photodiode arrays 7a, 7b and absorbancies are calculated at every wavelength from the sample light signal and reference light signal at the same time by a signal processing circuit 9.
この検出器は単一の半導体基板１０とその表面に形成されたサンプル光用フォトダイオードアレイ７a及びリファレンス光用フォトダイオードアレイ７bとを含み、サンプル光のスペクトル及びリファレンス光のスペクトルはサンプル光用フォトダイオードアレイ７a及びリファレンス光用フォトダイオードアレイ７bによってそれぞれ検出され、信号処理回路９により、同一時刻におけるサンプル光信号及びリファレンス光信号から波長毎に吸光度が求められる。 - 特許庁 - The photoreception signals detected by respective photodiodes of a photodiode array 17 of fine array pitch are added by an adder 50 in every set of three outputs to amplify a dynamic range, adjacent outputs from the adder are differentiated by a differential amplifier array 18, and the total reflection attenuation angle θ_SP is calculated based on a differentiated signal therein.
配列ピッチの細かいフォトダイオードアレイ１７の各フォトダイオードにより検出された光検出信号を、３つの出力毎に加算機５０により加算してダイナミックレンジを増大させ、隣接する２つの加算機の出力を差動アンプアレイ１８により微分し、この微分信号より全反射減衰角θ_ＳＰを算出する。 - 特許庁 - To provide a photodiode array (PDA) adopting a storage readout method, which can easily set an appropriate charging time for each photodiode (PD) and yet prevent the PDs from being saturated, without using a complicated or expensive method, and to provide and signal readout method for the same.
煩雑であったりコストのかかる方法を用いることなく、蓄積読み出し方式を採るフォトダイオードアレイ（ＰＤＡ）において、簡便に、各フォトダイオード（ＰＤ）に適した電荷蓄積時間を設定することができ、且つ、飽和することがないようなＰＤＡ及びその信号読出方法を提供する。 - 特許庁 - In a pixel array part of a CMOS image sensor, a plurality of unit pixels 50 each including at least a photodiode 61, a transfer gate 64 transferring charge generated by the photodiode 61 to a floating diffusion region 65 and a reset transistor 66 discharging charge in the floating diffusion region 65, are arranged.
CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード６１と、フォトダイオード６１により生成された電荷を浮遊拡散領域６５に転送する転送ゲート６４と、浮遊拡散領域６５の電荷を排出するリセットトランジスタ６６とを少なくとも備える複数の単位画素５０が配列されている。 - 特許庁 - The comparing/determining part 20 comparing the reference values stored in the storage part 18 with the data from the photodiode array 10 and determines the life of a lamp on the basis of the results of comparison.
ランプ寿命の判定に関しては、比較・判定部２０は、記憶部１８に記憶されている基準値とフォトダイオードアレイ１０からのデータを比較し、その結果に基づいて判定を行なう。 - 特許庁 - In the semiconductor relay, the source of a driving MOSFET 7 provided in a charging/discharging control circuit 3 is connected electrically with a silicon polycrystal body 13 exposed in the surface layer wherein a photodiode array 2 is formed.
充放電制御回路３における駆動用ＭＯＳＦＥＴ７のソースを、フォトダイオードアレイ２が形成された表層に露出しているシリコン多結晶体１３に電気的に接続する。 - 特許庁 - In a pixel array part of a CMOS image sensor, a plurality of unit pixels 211A including a photodiode 221, a memory part 223, a floating diffusion region 225 and a charge discharging part 230 are lined.
ＣＭＯＳイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード２２１、メモリ部２２３、浮遊拡散領域２２５、電荷排出部２３０を備える単位画素２１１Ａが複数配列されている。 - 特許庁 - To simultaneously reduce the number and/or distance of interconnect paths between a photodiode array and a DAS, and reduce crosstalk between analog inputs and digital signals and power connections.
フォトダイオード・アレイとＤＡＳとの間のインターコネクト経路の数及び／又は距離を削減すると同時に、アナログ入力とディジタル信号及び電力接続との間のクロストークを抑える。 - 特許庁 - To improve the signal-to-noise ratio of measurements made using a self-scanned photodiode array to detect UV, visible, and IR portions of a spectrum in a spectro-photometer.
分光光度計において、スペクトルのＵＶ部分、可視部分およびＩＲ部分を検出するために自己走査形フォトダイオードアレイを用いて行われる測定の信号対雑音比を改善する。 - 特許庁 - The field plate is coupled electrically with a common electrode, so as to generate an electric field around the photodiode body in correspondence with a potential of the common electrode of a photographing array.
電界プレートは撮影アレイの共通電極の電位に対応してフォトダイオード本体の周囲に電界を発生するように、前記共通電極に電気的に結合される。 - 特許庁 - The solid-state solar photovoltaic generator circuit includes a source of activating radiation 14, a photodiode array 16 responsive to the radiation, a switching device 18 coupled to the photodiode array 16 for responding to an electrical signal therefrom, and a high-impedance resistor made of substantially single-crystal silicon, in which the high-impedance resistor is formed during formation of the switching device 18.
固体太陽光発電回路は、活性化放射線１４源と、該放射線に反応するフォトダイオード・アレイ１６と、フォトダイオード・アレイ１６に接続され、そこから受信した電気信号に反応するスイッチング・デバイス１８と、実質的に単結晶のシリコンで作製された高インピーダンス抵抗器を具備し、該高インピーダンス抵抗器はスイッチング・デバイス１８の形成中に形成される。 - 特許庁 - The dark current It and temperature T in the photodiode array 21 are simultaneously measured, a specific correction operation based on a temperature value T that is actually measured is performed to a permissible value Ia in the preset dark current to calculate a correction permissible value Ip, and the correction permissible value Ip is compared with the actually measured dark current value It to determine the degree of deterioration of the photodiode array 21.
フォトダイオードアレイ２１の暗電流Ｉｔと温度Ｔとを同時に測定し、予め設定された暗電流の許容値Ｉａに実測された温度値Ｔに基づく所定の補正演算を施して補正許容値Ｉｐを算出し、この補正許容値Ｉｐと実測された暗電流値Ｉｔとを比較することによりフォトダイオードアレイ２１の劣化程度を判定するようにした。 - 特許庁
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