「photodiode array」を含む例文一覧(208)
＜前へ 1 2 3 4 5 次へ＞- In a photodiode array 1 where a plurality of photodiodes 4 are formed in an array on the side of an n-type silicon substrate 3 opposite to the incident surface of a light L to be detected, recesses 6 having a specified depth caved from regions not corresponding to regions where the photodiodes are formed are provided in regions on the incident surface side not corresponding to the regions where the photodiode 4 are formed.
ｎ型シリコン基板３の被検出光Ｌの入射面の反対面側に、複数のホトダイオード４がアレイ状に形成されたホトダイオードアレイにおいて、その入射面側のホトダイオード４が形成された領域と対応する領域に、ホトダイオードが形成された領域と対応しない領域よりも窪んだ所定の深さを有する凹部６を設けてホトダイオードアレイ１とする。 - 特許庁 - A measuring section of the bone density measuring equipment comprises a light-emitting part (LED) 110 for emitting near-infrared light, and a light-receiving part (photodiode array) 120 for receiving the light via a bone as a measurement object.
骨密度計測装置の計測部は、近赤外光を発光する発光部（ＬＥＤ）１１０と、計測対象の骨を介して受光する受光部（フォトダイオード・アレイ）１２０とで構成されている。 - 特許庁 - Thus, an operation of moving a needle to a selected vial container to suck a sample or the like is performed in the automatic sampler, and dark-current measurement of a photodiode array PDA detector is performed during a period in the spectrophotometer.
これにより、オートサンプラでは選択されたバイアル瓶へのニードルの移動・試料吸引などが実行され、その期間中に分光光度計ではＰＤＡ検出器の暗電流測定が実行される。 - 特許庁 - To provide an optical connector capable of easily mounting optical elements of a semiconductor laser and a photodiode or the like by using a microlens array on an optical / electronic consolidated substrate having an optical waveguide or an optical fiber.
光導波路または光ファイバを有する光・電子混載基板上にマイクロレンズアレイを用いて半導体レーザやフォトダイオードなどの光素子を容易に実装できる光接続装置を提供する。 - 特許庁 - In a photodiode array 1, a plurality of p type semiconductor layers 3 are arranged on a surface 2s of an n- type semiconductor substrate 2, and light to be detected is made incident from a back face 2u side of the semiconductor substrate 2.
ホトダイオードアレイ１は、ｎ−型半導体基板２の表面２ｓにｐ型の半導体層３を複数有し、半導体基板２の裏面２ｕ側から被検出光を入射させるものである。 - 特許庁 - A modulation signal is detected by a photodiode array and detected data are applied to a clock and data recovery circuit 122 tuned by a switched filter circuit 106 as a function of a data rate.
変調信号はフォトダイオードの配列によって検出され、検出データは、データレートの関数として、スイッチト・フィルタ回路１０６によって同調されるクロック兼データ回復回路１２２へ適用される。 - 特許庁 - The solid state imaging device has such a layout as a photodiode array of 2 horizontal pixels and 4×n vertical pixels (n is a positive integer) sharing at least a reset transistor and an amplifier transistor is one common unit.
画素トランジスタのうち、少なくともリセットトランジスタ及び増幅トランジスタを共有する横２画素、縦４×ｎ画素（ｎは正の整数）のフォトダイオード配列を１共有単位としたレイアウトを有する。 - 特許庁 - This device is provided with a body case 11 which is graspable, and photodiode array (PDA) 14 which outputs a detection signal having a value which corresponds to the intensity of infrared rays when the PDA 14 receives the infrared rays.
把持可能な本体ケース１１に、赤外線を受光すると受光した赤外線の強度に対応した値の検知信号を出力するフォトダイオードアレイ（ＰＤＡ）１４が設けられている。 - 特許庁 - To provide a method for quantifying an impurity by utilizing a spectrophotometer or a photodiode array(PDA) when detecting an impurity being applied to the peak analysis of liquid chromatography(LC).
液体クロマトグラフィー（ＬＣ）のピーク解析に適用される不純物の検出にあたり、スペクトロフォトメータ（分光光度計）あるいはフォトダイオードアレイ（ＰＤＡ）検出器を利用し、定量化する方法を提供する。 - 特許庁 - The diode (226) of the photodiode (226) array does not contact the first metalized layer (214) or the second metalized layer (218) directly but can contact the first metalized layer (214) and/or the second metalized layer (218) via a third metalized layer (222) added to the thin film transistor array.
フォトダイオード（２２６）・アレイのダイオード（２２６）は、第一の金属化層（２１４）又は第二の金属化層（２１８）に直接接触せずに薄膜トランジスタ・アレイに加えられた第三の金属化層（２２２）を介して第一の金属化層（２１４）及び／又は第二の金属化層（２１８）に接触することができる。 - 特許庁 - The solid-state imaging device is provided with a pixel array 400 in which cells 150 each provided with at least one photodiode 101 are arranged in matrix, and a wiring such as power source lines 105 and vertical signal lines 106 which are arranged on the upper part of the pixel array 400.
固体撮像装置は、少なくとも１つのフォトダイオード１０１が設けられたセル１５０が行列状に配置されてなる画素アレイ４００と、画素アレイ４００の上方に配置された電源線１０５および垂直信号線１０６などの配線とを備えている。 - 特許庁 - To maintain a high geometric radiation utilization efficiency in a radiation detector having a scintillator array laminated on the light receiving surface side of a photodiode array and having each reflector caught between each scintillator, even if detection elements (scintillators and photodiodes) are sized down.
フォトダイオードアレイの受光面側にシンチレータアレイが積層されており、各シンチレータ間に各リフレクタが挟まれている放射線検出器において、検出素子（シンチレータおよびフォトダイオード）の大きさを小さくしても幾何学的放射線利用効率を高く維持できるようにする。 - 特許庁 - A photodiode array PDA1 includes a first conductivity type semiconductor, has first and second principal planes 1a and 1b facing each other, and includes a silicon substrate 1 including a plurality of second conductivity type semiconductor regions 3 formed in an array on the first principal plane 1a side.
フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１主面１ａ及び第２主面１ｂを有すると共に第１主面１ａ側に第２導電型の複数の半導体領域３がアレイ状に形成されたシリコン基板１を備えている。 - 特許庁 - The buried photodiode BPD as seen from above has a comb form, wherein one part 20 is branched into an array of a plurality of branch parts 22, and the electrodes 16 of the MOS diodes 18 as seen from above are arranged to interdigitate with the plurality of branch parts 22 of the buried photodiode BPD.
埋め込みフォトダイオードＢＰＤは、上面から見たとき、１つの部位２０から複数の枝分かれ部位２２に分岐配列されたくし歯形状を有し、ＭＯＳダイオード１８の各電極１６は、上面から見たとき、埋め込みフォトダイオードＢＰＤにおける複数の枝分かれ部位２２間にそれぞれ入れ子状に配置されている。 - 特許庁 - The composite function matrix array comprises a transparent electrode 4, an organic light emitting element 1 formed on the transparent electrode 4, an opaque electrode 3 formed on the organic light emitting element 1, a photodiode element 2 formed on the opaque electrode 3, and a transparent electrode 5 formed on the photodiode element 2.
複合機能マトリクスアレイにおいて、透明電極４と、この透明電極４に形成される有機発光素子１と、この有機発光素子１上に形成される不透明電極３と、この不透明電極３上に形成されるフォトダイオード素子２と、このフォトダイオード素子２上に形成される透明電極５とを備える。 - 特許庁 - In a pixel array part of a CMOS image sensor, a plurality of unit pixels 50 each including at least a photodiode 61, a transfer gate 62 transferring charge accumulated in the photodiode 61 to a floating diffusion region 63 and a reset transistor 64 resetting charge in the floating diffusion region 63, are arranged in a matrix in a plane.
CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード６１と、フォトダイオード６１に蓄積された電荷を浮遊拡散領域６３に転送する転送ゲート６２と、浮遊拡散領域６３の電荷をリセットするリセットトランジスタ６４とを少なくとも備える複数の単位画素５０が２次元に配列されている。 - 特許庁 - To provide a photoelectric encoder capable of improving resolution without making array pitch of a photodiode small, and also capable of improving resolution while inhibiting degradation in an S/N ratio of a detected signal.
フォトダイオードの配列ピッチを小さくすることなく分解能の向上を図ることが可能であり、検出信号のＳ/Ｎ比の低下を抑制しつつ分解能を向上できる光電式エンコーダを提供する。 - 特許庁 - To improve a publicly known X-ray image detector for radiology, by replacing an array-type photodiode in the prior art by a light receiver having a layered structure using photosensitive selenium as base material.
先行技術におけるアレイ型フォトダイオードを、感光性セレンを基材にした積層構造の光受信器１６によって置換することにより、公知の放射線医学用Ｘ線画像検出器を改善すること。 - 特許庁 - The silicon film in the measuring sample is irradiated with a laser beam 9 through a translucent film 10 and the reflected light meeting a bulging from the silicon film is imaged by a one- dimensional photodetector 11, such as a photodiode array.
測定試料のシリコン膜には、レーザー光９を半透過鏡１０を介して照射し、シリコン膜からの、膨らみに応じた反射光をフォトダイオードアレイなどの１次元光検出器１１によって撮像する。 - 特許庁 - A detector module for assembling the computer tomography imaging system comprises a scintillator array, a plurality of photodiode arrays optically connected thereto, a decoder connected to the photodiode arrays and including a plurality of latch registers, and a flexible cable which is electrically connected to the decoder and is so constituted as to transmit a signal expressing the light output by the scintillator array to the CT imaging system.
本願発明の他の実施形態において提供されるコンピュータ断層イメージング・システムのアセンブリのための検出器モジュールは、シンチレータ・アレイと、これに光学結合させた複数のフォトダイオードのアレイと、フォトダイオード・アレイと結合しており複数のラッチ・レジスタを含んだデコーダと、デコーダと電気的に接続させシンチレータ・アレイが出力した光を表す信号をＣＴイメージング・システムに送信するように構成させた可撓性ケーブルとを含む。 - 特許庁 - The optical signal measuring device is equipped with a wavelength dispersion element of diffractive grating and the like dispersing optical signal of a measuring object for each wavelength and a PDA (photodiode array) 21 receiving light dispersed for each wavelength by the wavelength dispersion element, at a plurality of PD (photodiode) 21a to 21d arranged in the dispersive direction of the wavelength dispersion element.
光信号測定装置は、測定対象の光信号を波長毎に分散させる回折格子等の波長分散素子と、波長分散素子で波長毎に分散された光を、波長分散素子の分散方向に配列された複数のＰＤ（フォトダイオード）２１ａ〜２１ｄで受光するＰＤＡ（フォトダイオードアレイ）２１とを備える。 - 特許庁 - A photodiode 150 is disposed in a non-opening region, as a region which does not contribute to image display between a TFT array substrate 10 and a counter substrate 20 so as to keep the interval between the TFT array substrate 10 and counter substrate 20 constant, that is, the inter-substrate gap between those substrates.
フォトダイオード１５０は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の間隔、言い換えればこれら基板間の基板間ギャップを一定に維持するために、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間において、画像表示に寄与しない領域である非開口領域に配置されている。 - 特許庁 - While a CIS 101 is moved along an original in a subscanning direction, the image processor moves the CIS 101, using an LED array 104 to illuminate the original and employing a photodiode 102 to read image data of the original, to a prescribed display position, and drives the LED array 104 to display information and warning information with respect to a state of the apparatus.
原稿に沿って副走査移動を行ないつつ、ＬＥＤアレイ１０４により原稿を照明しフォトダイオード１０２で原稿の画像データを読み取るＣＩＳ１０１を所定の表示ポジションへ移動し、ＬＥＤアレイ１０４を駆動して装置状態に関する情報ないし警告情報を表示する。 - 特許庁 - The color filter array includes filter regions which are configured to optimize the combined optical properties of the layers of the device to maximize the intensity of the particular wavelength of light incident to a respective underlying photodiode.
カラーフィルタアレイは、その下にあるそれぞれのフォトダイオードに入射する光の特定の波長の強度を最大化するために、装置の層の組合せられた光学特性を最適化するように構成されるフィルタ領域を含んでいる。 - 特許庁 - To provide a solid-state CMOS image sensor, specifically a CMOS image sensor pixel which has only two row lines per pixel, pinned photodiode for sensing light, and one or two column lines, and to provide its array.
固体ＣＭＯＳイメージセンサに関し、更に具体的には、１つのピクセルに２つのロウラインのみを有し、光を感知するためのピンフォトダイオード、及び１つ又は２つのカラムラインを有するＣＭＯＳイメージセンサピクセル並びにそのアレイに関する。 - 特許庁 - In the photodiode, since the leak current is relieved, the device size can be reduced, and not only the operation rate can be improved, but also an array-like arrangement of the device with high-density can be achieved.
また、フォトダイオードにおいては、リーク電流が緩和されるのでデバイスのサイズを縮小することが可能となり、シリーズ抵抗の低減による動作速度の改善のみならず、デバイスを高密度にアレイ状に配置できるという利点も生まれる。 - 特許庁 - A switching circuit 21, having a MOSFET 9, is provided with a light-emitting element 6 that is lighted or put out in response to an input signal and with an avalanche photodiode array 7 consisting of a single avalanche photodiode or more in series connection, receiving a light from the light-emitting element 6 and connected between a gate G and a drain D of the MOSFET 9.
ＭＯＳＦＥＴ9 を有するスイッチ回路21は、入力信号に応答して点灯若しくは消灯する発光素子6 と、発光素子6 からの光を受光する１個又は直列接続された複数個のアバランシェフォトダイオードから成るアバランシェフォトダイオードアレイ7 であって、ＭＯＳＦＥＴ9 のゲートG とドレインD との間に接続されるアバランシェフォトダイオードアレイ7 とを備えて成る。 - 特許庁 - Parallel light emitted upward from a light sender 72 passes through a first slit 5 inserted in a through hole 71, passes through a second slit 731, then reaches four photodiodes of a photodiode array 732, and is converted into electric signals.
送光部７２から上方に出射された平行光は、貫通孔７１に挿入されている第１スリット５を透過した後、第２スリット７３１を透過しフォトダイオードアレイ７３２の４つのフォトダイオードに到達し、電気信号に変換される。 - 特許庁 - A plurality of the optical fiber core wires 211 are respectively and independently bent with the use of adjustment screws 9 which are arranged in the base plate 3, so as to adjust the length of a spatial transmission path S between the tip end of each optical fiber core wire 211 and the photodiode array 8.
ベースプレート３に設けた調節ねじ９を用いて、複数の光ファイバ心線２１１をそれぞれ個別に撓ませて、光ファイバ心線２１１の先端とフォトダイオードアレイ８との間の空間伝送路Ｓの長さを調節する。 - 特許庁 - Probe light irradiates the back of the wafer 7 in polishing, its reflected spectrum is measured by a dispersing multi-channel spectroscope which uses a photodiode array having especially the high sensitivity to light of a wavelength 1 to 2.4 μm, and the thickness is calculated on the basis of its waveform.
研磨中のウェーハ７の裏面からプローブ光を照射し、１〜２．４μｍの波長の光に特に高い感度を有するフォトダイオードアレイを用いた分散型マルチチャンネル分光器にて反射スペクトルを測定し、その波形を基に厚みを計算する。 - 特許庁 - The light-and- dark border is electrically detected by a CCD, a photodiode array, or the like, arranged at the position where the image is formed by the hemispherical prism 2 to determine the critical refracting angle, which can determine a refractive index n2 of the sample as a refractive index n1 of the prism 2 is known.
半球状プリズムの結像位置に配したＣＣＤ、フォトダイオードアレイ等で明暗境界の検出を電気的に行ない、臨界屈折角を求めれば、プリズムの屈折率ｎ_1 は既知であるため、サンプルの屈折率ｎ_2 を求めることができる。 - 特許庁 - At the timing of stopping the discharge of charges stored in a photodiode PD by a discharge transistor TR_OFG in order to enter the exposure period of a pixel array part, a selection pulse SEL for operating a selection transistor TR_SEL is generated as for a selection pulse line SEL for the pixels of a dummy row not contributing to images among pixels configuring the pixel array part.
画素アレイ部の露光期間に入るため、排出トランジスタＴＲ＿ＯＦＧによりフォトダイオードＰＤに蓄積された電荷の排出が停止されるタイミングで、画素アレイ部を構成する画素のうち、画像に寄与しないダミー行の画素について、選択パルス線ＳＥＬより選択トランジスタＴＲ＿ＳＥＬを動作させるための選択パルスＳＥＬが発生される。 - 特許庁 - In a photodiode array 1 where a plurality of photodiodes 4 are formed in an array on the side of an n-type silicon substrate 3 opposite to the incident surface of a light L to be detected, spacers 6 having a specified height formed of resin, metal or an insulating material are provided in regions on the incident surface side not corresponding to regions where the photodiodes 4 are formed.
ｎ型シリコン基板３の被検出光Ｌの入射面の反対面側に、複数のホトダイオード４がアレイ状に形成されたホトダイオードアレイにおいて、その入射面側のホトダイオード４が形成された領域と対応しない領域に、所定の高さを有し、樹脂、金属又は絶縁材からなるスペーサ６を設けてホトダイオードアレイ１とする。 - 特許庁 - Wavelength-multiplex light signal is inputted from the input port 11 of an array waveguide diffraction grating type optical demultiplexer 1, a demultiplexed light signal component is outputted from a plurality of output ports 171 to 17N and detected by each of photodiodes 21 to 2N of a photodiode array 2, and an accounting device 3 calculates the number of signals from the detection results.
アレイ導波路回折格子型光分波器１の入力ポート１１から波長多重信号光を入力して、分波された信号光成分を複数の出力ポート１７_1〜１７_Nから出力してフォトダイオードアレイ２の各フォトダイオード２_1〜２_Nによって検出し、その検出結果から計数装置３において信号数を算出する。 - 特許庁 - When the light emitted by the light source 1 is incident on the diaphragm 2, the light wave emitted by the light source 1 is reflected by the diaphragm 2 since the reflection diffraction grating is formed on the diaphragm 2 to form the diffraction image on the surface of the photodiode array 3.
光源１より照射された光が、振動板２に入射すると、振動板２には反射型の回折格子が形成されているので、光源１から照射された光波は振動板２で反射し、フォトダイオードアレイ３の面上で回折像をもたらす。 - 特許庁 - The drive circuit 10 comprises a photodiode array FD1 for applying a drive voltage to the gates of the MOSFETs N1 and N2, and a discharge circuit 11 connected to between the gate-source electrodes of the MOSFETs N1 and N2 for discharging the charges accumulated in respective gate electrodes.
駆動回路１０は、ＭＯＳＦＥＴＮ１、Ｎ２のゲートに駆動電圧を与えるフォトダイオードアレイＦＤ１と、ＭＯＳＦＥＴＮ１、Ｎ２のゲート・ソース電極間に接続され、それぞれのゲート電極に蓄積される電荷を放電するための放電回路１１と、を含む。 - 特許庁 - A CMOS image sensor is composed of pixels which are each equipped with a photodiode and an amplifying MOSFET that amplifies charge generated by the photodiode through photoelectric conversion and arranged in lines or an array, where the well of the amplifying MOSFET is electrically isolated from that of the other device contained in the pixel, and the source and well of the amplifying MOSFET are kept at the same potential.
フォトダイオードとこのフォトダイオードにおいて光電変換により生成された電荷を増幅するアンプ用ＭＯＳＦＥＴとを有する画素を複数個ライン状またはアレイ状に配列したＣＭＯＳイメージセンサにおいて、前記アンプ用ＭＯＳＦＥＴのウェルを前記画素に含まれる他の素子のウェルと電気的に分離し、かつ、前記アンプ用ＭＯＳＦＥＴのソースと前記アンプ用のＭＯＳＦＥＴの前記ウェルとを同電位とした。 - 特許庁 - Two or more pixels, which include a photodiode for receiving light and generating optical charges, a transfer transistor connected to the photodiode for transferring the optical charges, and at least first and second plural storage capacitive elements for storing optical chargers, overflowing at the time of storage operation through the transfer transistor or an overflow gate, are arranged in one-dimensional or two-dimensional array in this constitution.
光を受光して光電荷を生成するフォトダイオードと、前記フォトダイオードに接続され前記光電荷を転送する転送トランジスタと、前記転送トランジスタまたはオーバーフローゲートを介して蓄積動作時に前記フォトダイオードからあふれる光電荷を蓄積する少なくとも第１および第２の複数の蓄積容量素子と、を有する画素が一次元または二次元のアレイ状に複数個集積された構成とする。 - 特許庁 - The optoelectronic integrated circuit 600, having a sapphire substrate 611 of an SOS substrate 610 as a lower clad, is monolithically formed of an optical waveguide having a silicon film 611 as a core, an electronic integrated circuit 640 formed on the silicon film 611, and grooves 621, 622 for fixing optical fibers 670, 680, and is mounted in a hybrid with a photodiode array 650 and a laser diode array 660.
光電子集積回路６００は、ＳＯＳ基板６１０のサファイア基板６１１を下部クラッドとし、かつ、シリコン膜６１１をコアとした光導波路と、該シリコン膜６１１に形成された電子集積回路６４０と、光ファイバ６７０，６８０を固定する溝６２１，６２２とがモノリシックに形成され、さらに、フォトダイオードアレイ６５０およびレーザダイオードアレイ６６０がハイブリッドに搭載される。 - 特許庁 - The photodiode group 5 for detecting the origin position includes photodiodes 5Z, 5Z1, 5Z', 5Z1' arrayed according to an array pattern patternized using random numbers, and the reflecting grating group 8 for detecting the origin position includes a reflecting grating 81 and a non-reflecting grating 82 wider than gratings for detecting A and B phase signals arrayed according to an array pattern patternized using random numbers.
原点位置検出用のホトダイオード群５は、乱数を用いてパターン化した配列パターンに従って配列されたホトダイオード５Ｚ、５Ｚ１、５Ｚ’、５Ｚ１’を含み、原点位置検出用の反射格子群８は、同じく乱数を用いてパターン化した配列パターンに従って配列されたＡ、Ｂ相信号検出用の格子よりも広幅の反射格子８１および非反射格子８２を含む。 - 特許庁 - In the photodiode array 1 where a plurality of photodiodes 4 are formed in an array on the side of an n-type silicon substrate 3 opposite to the incident surface of a light L to be detected, a transparent resin film 6 transmitting the light L to be detected is provided on the incident surface side to cover at least regions on the incident surface side corresponding to the regions where the photodiodes 4 are formed.
ｎ型シリコン基板３の被検出光Ｌの入射面の反対面側に、複数のホトダイオード４がアレイ状に形成されたホトダイオードアレイにおいて、その入射面側の少なくともホトダイオード４が形成された領域と対応する領域を被覆し、被検出光Ｌを透過する透明樹脂膜６を入射面側に設けてホトダイオードアレイ１とする。 - 特許庁 - A column amplifier 20 is connected to an output of a photoelectric-conversion region 1, in which a plurality of unit pixels 1-nm respectively having a photodiode are arranged in a two-dimensional array shape, via a signal output line 9 so as to sequentially store a pixel signal of each read-out unit pixel 1-nm.
カラムアンプ部２０は、フォトダイオードを有する複数の単位画素１−ｎｍが二次元アレイ状に配置された光電変換領域部１の出力に、信号出力線９を介して接続され、読み出された各単位画素１−ｎｍの画素信号を順次蓄積する。 - 特許庁 - A radiation imaging device 1 includes, in a pixel portion 12, a photoelectric conversion part 111 including a pixel transistor and a photodiode, an insulation film 112, a protective film 113, a second substrate 114, a lens array 115, a planarization film 116, and a scintillator layer 117 in this order on a first substrate 11.
放射線撮像装置１は、画素部１２において、第１基板１１上に、画素トランジスタおよびフォトダイオードを含む光電変換部１１１、絶縁膜１１２、保護膜１１３、第２基板１１４、レンズアレイ１１５、平坦化膜１１６およびシンチレータ層１１７がこの順に設けられている。 - 特許庁 - With this configuration, the influence of temperature can be excluded when determining the degree of deterioration from the actually measured value of the dark current, thus performing a more accurate determination, preventing the unneeded exchange of the photodiode array 21, and restraining an increase in the operating costs of the analysis apparatus.
このように構成したことにより、暗電流の実測値から劣化の程度を判定するに際して温度の影響を排除できるので、より正確な判定が可能となり、フォトダイオードアレイ２１の無駄な交換を防止し、以て分析装置の運転コストの上昇を抑えることができる。 - 特許庁 - A carrier capturing part 60 for capturing a carrier generated in a substrate portion in the vicinity of the light incident part 13 to be discharged to an outside via an electrode 61 is constituted of a layer portion located between the photodiode array 11 and the light incident part 13 out of the epitaxial layer 102.
さらに、エピタキシャル層１０２のうちでフォトダイオードアレイ１１及び光入射部１３の間にある層部分によって、光入射部１３の近傍の基板部分で発生したキャリアを捕獲して電極６１を介して外部へと排出するためのキャリア捕獲部６０を構成する。 - 特許庁 - The flow-through type yield analyzer 18 analyzes the yield of a reaction product taken out from the electron spin resonance device 11 in the state where the reaction product is made to flow, and for example, a photodiode array detector used for liquid chromatograph or the like is used therefor.
流通型収量分析器１８は、電子スピン共鳴装置１１から取り出された反応生成物の収量を該反応生成物を流通させた状態で分析するものであり、例えば液体クロマトグラフ等で用いられるフォトダイオードアレー検出器が用いられる。 - 特許庁 - Electrodes are inserted in the reservoirs 14 and 15 to apply voltage and the flow channel is irradiated with light such as UV rays or the like from a light source and detected by a unidimensional detector such as a photodiode array or the like arranged on the side opposite to the light source to detect the convergence of protein to be measured.
リザーバ１４，１５に電極を挿入して電圧を印加し、ＵＶ光などの光源を流路に照射して、光源の反対側に配置されたフォトダイオードアレイなどの１次元検出器で検出することによって、測定対象タンパク質が収束したことを検出することができる。 - 特許庁 - A light beam 30 is made incident at various angles, so that total reflection conditions can be obtained at the interface between a metal film formed on the inside bottom of a measuring chip 10 and a dielectric block under it, and the intensity of the light beam 30, totally reflected at the interface, is detected by a photodiode array 40 for obtaining an output signal S.
光ビーム30を測定チップ10の内底面に形成された金属膜と、その下の誘電体ブロックとの界面で全反射条件が得られるように種々の角度で入射させ、界面において全反射した光ビーム30の強度をフォトダイオードアレイ40で検出し、出力信号Ｓを求める。 - 特許庁 - The photodiode array PDA1 includes: a p^--type semiconductor layer 33 formed on an n-type semiconductor layer 32; a resistor 24 that is provided for each light detection channel CH and has one edge connected to a signal conductor 23; and an n-type isolation section 40 formed among the plurality of light detection channels CH.
フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、ｎ型半導体層３２上に形成されたｐ^−型半導体層３３と、光検出チャンネルＣＨ毎に設けられると共に信号導線２３に一端部が接続される抵抗２４と、複数の光検出チャンネルＣＨの間に形成されるｎ型の分離部４０とを備える。 - 特許庁 - A photodiode array 30 is arranged and fixed, and in order that mutually different photodiodes (either one of 31 to 34) receives light guided by a light guide 21, at every position of an operation target of an operated means, an LED 11 and the light guide 21 are integrally slid accompanied with the operation of the operated means.
フォトダイオードアレイ３０は固定配置されるとともに、被操作手段の操作先の位置毎に互いに異なるフォトダイオード（３１〜３４のいずれか１個）が、ライトガイド２１により導かれた光を受けるように、被操作手段が操作されることに伴ってＬＥＤ１１及びライトガイド２１が一体的にスライドされる。 - 特許庁
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