「plating process」を含む例文一覧(868)
＜前へ 1 2 .... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 .... 17 18 次へ＞- As a preprocessing of a dry film resist peeling process, the dry film resist is dried and shrunk so as to promote peeling on the interface of electrolytic copper plating and the dry film resist, thereby enhancing peelability of the dry film resist in peeling process.
ドライフィルムレジスト剥離工程の前処理として、ドライフィルムレジストを乾燥収縮させることにより、電解銅めっきとドライフィルムレジストとの境界面で剥離を促し、ドライフィルムレジストの剥離工程での剥離性を向上させる。 - 特許庁 - This method for manufacturing a wiring board 1 is provided with a process for perforating a through-hole 9 in a base layer 6 and a process for forming a conductive layer 37 on a base layer surface 35 by carrying out plating, and for forming a through-hole conductor 11 in the through-hole 9.
配線基板１の製造方法は、基層６にスルーホール９を穿孔する工程、メッキを施し、基層表面３５に導体層３７を形成すると共に、スルーホール９にスルーホール導体１１を形成する工程を備える。 - 特許庁 - In order to manufacture the male terminal fitting 1, (1) a flat board 8 is pressed to manufacture an original form 9 of the terminal fitting equipped with the base end 5 (pressing process); and (2) a plated surface 13 is formed on the surface of the original form 9 (plating process).
雄側端子金具１を製造するには、▲１▼平板状の基板８をプレスして、基端部５を備える端子金具の原形９を作成し（プレス工程）、▲２▼この原形９の表面にメッキ面１３を形成する（メッキ工程）。 - 特許庁 - To enable a metal plating film to be subjected uniformly to CMP processing in an after process by a method, wherein the metal plating film buried in an insulating film to serve as a wiring material is formed uniformly on a semiconductor substrate.
絶縁膜中に埋め込まれる配線材料となる金属めっき膜を半導体基板上に均一に形成し、後工程のＣＭＰ処理を均一に行うことができる半導体製造装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - As the result, during a heat treatment process after the formation of the Cu seed film 10 and the Cu plating film 11, it can be prevented that Cu is diffused anomalously from the Cu seed film 10 and the Cu plating film 11 into the interlayer insulating film 6 to change the device properties.
その結果、Ｃｕシード膜１０やＣｕめっき膜１１を形成した後の工程における熱処理中に、Ｃｕシード膜１０やＣｕめっき膜１１からＣｕが層間絶縁膜６中に異常拡散して、デバイス特性を変動させることを防止できる。 - 特許庁 - The method for manufacturing a wiring board 1 is provided with an electrolytic Cu plating process for dipping a board 51 having a via hole 19 opened on the surface 53 of the board 51 into an electrolytic Cu plating solution 105, allowing a current to flow into the solution 105, and forming a field via 21 in the via hole 19.
配線基板１の製造方法は、基板表面５３に開口するビア孔１９を有する基板５１を電解Ｃｕメッキ液１０５中に浸漬し、電流を流してビア孔１９内にフィルドビア２１を形成する電解Ｃｕメッキ工程を備える。 - 特許庁 - In the electric casting process, plating 5 is deposited by carrying electric currents in an electrocast tank whose temperature and concentration are controlled after a core 4 and an injection ring 3 are set in an injector body 2, and the injection ring 3 is connected to the injector body 2 with the plating 5.
電気鋳造処理において、インジェクタ本体２に中子４，噴射リング３をセットした後、温度及び濃度管理された電鋳槽の中で電流を流すことにより鍍金５を析出させ、鍍金５によってインジェクタ本体２に噴射リング３を接合する。 - 特許庁 - To provide a basic material for manufacturing environmentally friendly semiconductors as eliminating tin/solder alloy plating to be carried after ensuring semiconductor assembling process steps by plating a substrate for manufacturing of the semiconductor devices with a ternary alloy like gold/silver/cerium prior to the semiconductor device assembling process step.
この発明の目的は、半導体装置の組立工程に先立って、半導体装置の製造用基板に金／銀／セリニウムのごとき３元合金をめっきすることによって、次後の半導体の組立工程後に運ばれる錫／はんだ合金めっきを排除するなどの環境へ親和的な半導体製造用の基質を提供することにある。 - 特許庁 - In the method for producing the plated foam for preventing the electromagnetic wave interference or in a method for producing the laminate of the foam and a cloth, the resin foam or the laminate of the foam and the cloth is compressed in a plating process to produce the foam or the laminate which is thinned in the plating process.
本発明の電磁波障害防止用のめっき被覆発泡体又は該発泡体と布帛との積層体の製造方法は、樹脂発泡体又は該樹脂発泡体と布帛との積層体に、めっき工程中に圧縮を加え、めっき前よりも薄い発泡体又は該発泡体と布帛との積層体を製造することからなる。 - 特許庁 - The pretreatment method to plating comprises: a surface modifying process where a first high pressure fluid in which a substance having an amide group is dissolved is brought into contact with a polymer substrate; and a catalyst applying process where a second high pressure fluid in which an organometallic complex containing a catalyst for plating is dissolved is brought into contact with the polymer substrate.
アミド基を有する物質が溶解している第１の高圧流体をポリマー基体に接触させることと（表面改質工程）、メッキ用触媒を含有する有機金属錯体が溶解している第２の高圧流体をポリマー基体に接触させることと（触媒付与工程）を含むメッキ前処理方法により上記課題を解決する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the plated substrate is based on an electroless plating method and includes a process for forming a catalyst layer on an area except a prescribed pattern on a substrate and a process for forming a metal layer having the prescribed pattern by depositing a metal on the substrate by dipping the substrate in an electroless plating solution.
本発明にかかるめっき基板の製造方法は、無電解めっき法によりめっき基板を製造する方法であって、基板上の所定のパターン以外の領域に触媒層を設ける工程と、無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、基板上に金属を析出させて前記所定のパターンの金属層を設ける工程と、を含む。 - 特許庁 - The damper pulley 22 is manufactured through a process for executing the plating 4, 8 onto adhesive surfaces of metallic member 2, 10 with a rubber vibration absorbing member 20, a process for accommodating plated metallic members into dies 6, 12, a process for filling a space 14 in the dies with an unvulcanized rubber compound 18, and a process for vulcanizing the filled unvulcanized rubber compound.
金属製部材２、１０のゴム製振動吸収部材２０との接着面にメッキ４，８を施す工程と、メッキされた金属製部材を型６，１２内に収容する工程と、型内の空間１４に未加硫ゴムコンパウンド１８を充填する工程と、充填された未加硫ゴムコンパウンドを加硫する工程を経てダンパプーリ２２を製造する。 - 特許庁 - This method for manufacturing electronic parts for a high frequency a process for performing pattern formation of a plated resist 2 on the surface of a ceramic element assemble or a ceramic element assembly 1 for a dielectric resonator, a process for forming an electroless plating film 5, a process for forming an electroplating film 6 and a process for peeling the plated resist 2.
本発明に係る高周波用電子部品の製造方法は、セラミック素体または誘電体共振器用セラミック素体１の表面上にめっきレジスト２をパターン形成する工程と、無電解めっき膜５を形成する工程と、電解めっき膜６を形成する工程と、めっきレジスト２を剥離する工程とを有していることを特徴とする。 - 特許庁 - This manufacturing method is composed of a first process for executing blast treatment, alkali cleaning, or ethanol cleaning on a valve element base material surface corresponding to the sliding surface or on the valve seat base material surface, a second process for executing surfacing, a third process for executing Cr ion bombardment treatment, and a fourth process for forming a CrN film by an ion plating method.
さらに、本発明の製法は、摺動面に相当する弁体基材表面または弁座基材表面をブラスト処理、アルカリ洗浄またはエタノール洗浄する第１工程、面仕上げをする第２工程、Ｃｒイオンボンバード処理する第３工程、およびイオンプレーティング法によりＣｒＮ被膜を形成する第４工程からなる。 - 特許庁 - To provide a highly-reliable and easily-operable adhesive sheet (tape) for plating, particularly a removable adhesive sheet protecting one surface from penetration of a plating liquid in plating of the other surface of a lead frame during a QFN process for securing high chemical resistance and obtaining high dimension stability of components during plating and easily separating without leaving any residue on an adherend surface in removing.
メッキ用粘着シート（テープ）を提供し、さらに詳細には、ＱＦＮ工程中に、リードフレームの一面をメッキする時に他の一面をメッキ液の浸透から保護する機能を果たし剥離される粘着シートであって、メッキの際、高い耐化学性を確保でき、部品の高い寸法安定性を得ることができ、かつ剥離時に付着表面に残留物が粘着されずに剥離することができる、信頼性及び作業性に優れたメッキ用粘着シート（テープ）を提供する。 - 特許庁 - Before the plating process of the resin layer 12 including metal, the surface of the resin layer 12 including metal is subjected to the etching process, and at least a part of a conductive metal particle 20b is projected at the surface of the resin layer 12 including metal.
金属含有樹脂層１２をメッキ処理する前に、金属含有樹脂層１２の表面をエッチング処理し、金属含有樹脂層１２の表面に導電性の金属粒子２０ｂの少なくとも一部を突出させる処理を施す。 - 特許庁 - To provide a method for producing highly pure cupric oxide usable for a plating raw material by a simple process from a deteriorated etching waste liquid containing hydrochloric acid and copper chloride as principal constituents discharged from a manufacturing process of printed wiring boards.
プリントの配線板の製造工程等において排出される、劣化した塩酸及び塩化銅を主成分とするエッチング廃液からメッキ原料としても使用可能な高純度の酸化第２銅を簡単なプロセスで製造する方法の提供。 - 特許庁 - A heat insulating layer 1 is formed on a mold matrix by applying zirconia as a ceramic material to the surface of a stainless steel core 3 by a flame spray coating process and nickel as a non-ferrous metal material is plated to the surface of the heat insulating layer 1 by a nonelectrolytic plating process to form a surface processed layer 2.
ステンレス鋼製のコア型３の表面にセラミックス系材料であるジルコニアを溶射して金型母材に断熱層１を形成し、その上に非鉄金属材料であるニッケルを無電解メッキして表面加工層２を形成する。 - 特許庁 - This method of manufacturing the nickel-plated oil-tempered wire having excellent corrosion resistance and moldability includes a process step for subjecting a steel wire to nickel plating at a thickness ranging from 3 to 20 μm and a process step for subjecting the nickel plated steel wire to oil tempering treatment.
鋼線にニッケルめっきを厚さ３μｍ〜２０μｍの範囲で施す工程と、ニッケルめっきした鋼線にオイルテンパー処理を施す工程とを具備した耐食性と成形性に優れたニッケルめっきオイルテンパー線の製造方法。 - 特許庁 - The steel sheet having such characteristics is produced by plating the steel sheet with a plating bath having a desired chemical composition, rapidly cooling with a cooling speed of 10 to 50°C/s or subjecting the plated steel sheet to a process for spraying a zinc powder onto the plated layer, and subjecting to a post heat treatment comprising keeping at 130 to 350°C for at least 10 s.
この鋼板は、所望の化学組成のめっき浴で溶融めっきした後、１０〜５０℃／秒で急速冷却するかハーティ処理を施して冷却した後、１３０〜３５０℃で１０秒以上保持する後熱処理を施すことで容易に製造できる。 - 特許庁 - In the antenna circuit device 1 for which an antenna circuit pattern 3 is formed on at least one surface of a base material 2, the antenna circuit pattern 3 is formed by laminating a metal plating layer 4b by electroless plating on a development silver layer 4a generated by a photography process.
基材２の少なくとも一方の面にアンテナ回路パターン３が形成されたアンテナ回路装置１において、写真製法により現像銀層４ａを生成したその上に、無電解メッキにより金属メッキ層４ｂを積層してアンテナ回路パターン３を形成する。 - 特許庁 - Preferably, the liquid-impermeable catalyst layer is formed through at least one process chosen from electroplating, vapor deposition, sputtering and ion plating, has a thickness of 0.5-30 μm and has a platinum group metal deposited inside or on its surface through electroless plating.
前記液不透過性触媒層が電気めっき、蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティングのいずれかの１つ以上の方法により形成され、その厚さが０．５μｍから３０μｍであること、前記隔膜の表面或いはまた内部に、無電解めっきによる白金族金属を担持していることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a method for forming an electroless plating film, which surely gives a large quantity of metals to be a catalyst on the surface of a substrate and surely forms an electroless plating film superior in adhesiveness, in a process for giving a catalyst on the surface of the substrate by using an adsorption phenomenon.
吸着現象を用いて触媒を基材上に付与する場合において、より確実に多くの触媒金属を基材表面上に付与し得、密着性に優れた無電解めっき皮膜を確実に形成できる無電解めっき皮膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁 - In a piston base 11 (base) in which admittance of an anodic oxidation coating layer 13 is within a specified range (for example, 0.9 to 2.0 mS) by specifying the surface roughness of the piston base 11 (base) to be 3.0 μmRa or less, good adhesion of a chromium plating layer is reliably obtained in a chromium plating process.
ピストン基体１１（基体）の表面粗さを3.0μmRa以下と規定することで、陽極酸化皮膜層１３のアドミッタンスが規定範囲（例えば0.9〜2.0mS）内であるピストン基体１１（基体）においては、クロムめっき処理工程において、確実に、クロムめっきの良好な密着性を得ることができる。 - 特許庁 - This surface treatment method increases the close adhesion property in following processes (electric plating, electric coating, spray coating), dispenses with chemical conversion treatment and film treatment for the workpiece after the completion of injection sands, and performs processes such as electric plating, electric coating, and spray coating directly to solve the problem of environmental pollution by a known chemical process.
この表面処理方は、後続行程（電気メッキ、電気塗装、スプレー塗装）の密着性を高め、噴砂完成後の工件には、化成処理及び皮膜処理の必要が無く、直接電気メッキ、電気塗装、スプレー塗装等の行程が行え、公知の化学行程による環境汚染を解決する。 - 特許庁 - The resist pattern is removed, and plating process for a conductive film is performed for the surface of the insulation layer to form a second conductive pattern, and further the via hole in which a conductive plating film is formed in the thickness direction of the insulation layer is formed as a feed via in the porous region.
レジストパターンを除去し、絶縁層の表面に対し導電膜のめっき処理を行なうことで第２の導電パターンを形成するとともに、多孔質領域に絶縁層の厚さ方向に導導めっき膜を形成したバイアホールをフィードビアとして形成する。 - 特許庁 - Plating process is performed to form plating on a material surface of an un-mask part 1b after supplying ink 12 containing fluororesin to an outer circumference surface 2a1 of material 2a' of a shaft member and forming a masking pattern 1 corresponding to a shape of a dynamic pressure generation part by an aggregate of minute ink.
軸部材の素材２ａ’の外周面２ａ１に、フッ素樹脂を含有したインク１２を供給して、微量インクの集合体で動圧発生部の形状に対応したマスキングパターン１を形成した後、めっき処理を行い、非マスク部１ｂの素材表面にめっきを形成する。 - 特許庁 - This method of manufacturing the low resistance silicon wafer includes a process to obtain a plurality of sliced wafers from a low resistance silicon single crystal ingot having specific resistance of not more than 1 Ωcm by using the wire for the wire saw subjected to copper plating or copper alloy plating on the surface of a steel wire.
鋼線の表面に銅メッキ又は銅合金メッキが施されたワイヤソー用ワイヤを用い、比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の低抵抗シリコン単結晶インゴットから複数枚のスライスウェーハを得る工程を含む低抵抗シリコンウェーハの製造方法の改良である。 - 特許庁 - This plating sheet 1 has an elastic layer 20 of an open-cell foamed sponge as a center, a thin film plating layer 10 formed by a sputtering method on one skin layer 20a created during the formation process of the elastic layer 20 and a film layer 30 of PET film that is bonded to the other skin layer 20a.
メッキシート１は、連続発泡スポンジである弾性層２０を中心に、弾性層２０の形成過程で生成される一方のスキン層２０ａにスパッタリング法によって薄膜のメッキ層１０を形成し、他方のスキン層２０ａにＰＥＴフィルムであるフィルム層３０を接着した。 - 特許庁 - To provide a multilayer wiring board and a plating system for use in production thereof in which freshliquid is supplied into via holes at all times when via holes are made by electrochemical plating process by optimizing the flow of electrolyte thereby eliminating stagnation point of electrolyte flow even in case of a via hole having a microdiameter.
電気化学法によるめっき法によりビアホールを形成する際に、電解液の流れを最適化することで微小径のビアホールであっても液流れのないよどみ点をなくし常に新液をビアホール内に供給する多層配線基板及びその製造に用いるめっき装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for cleaning an electroless nickel plating waste liquid and a method for recovering nickel and a phosphate and recycling them using simple apparatus by a low-cost and effective process by eliminating a problem in the conventional oxidation method for cleaning the electroless nickel plating waste liquid.
本発明は、無電解ニッケルメッキ廃液を浄化するための従来の酸化方法の問題点を排除して、簡便な装置を用い低コストで効果的な方法により、無電解ニッケルメッキ廃液の浄化と、ニッケルおよびリン酸塩を回収して再資源化する方法を提供する。 - 特許庁 - (2) In the electroplating process, an average cathode current density of all plating baths is controlled within 1-3 A/dm^2 and a ratio of maximum value to minimum value of the cathode current density in each plating bath is controlled within 1-5, and further a film carrying speed is adjusted within 80-300 m/h.
（２）前記電気めっき工程において、全めっき槽の平均陰極電流密度を１〜３Ａ／ｄｍ^２に、及び各めっき槽内での陰極電流密度の最小値に対する最大値の比を１〜５に制御するとともに、フィルムの搬送速度は、８０〜３００ｍ／ｈに調整する。 - 特許庁 - When the hinge ball 13 and the driving shaft 7 are made of iron alloy, the inner circumference surface of the hole 13a of the hinge ball 13 is subjected to chemical conversion coating electroless plating method process, or low-temperature sulfide permeation treatment, so that an oxidation film, plating 37, or an iron sulfide diffusion layer is formed on the inner circumference of the hole 13.
ヒンジボール１３及び駆動軸７を鉄系合金で形成した場合に、ヒンジボール１３の孔１３ａの内周面表面に、化成処理、無電解メッキ法又は低温浸硫処理を施すことにより、酸化皮膜、メッキ３７又は硫化鉄の拡散層を形成する。 - 特許庁 - The processing of the molding surface can be completed by a shape creating process for forming the shape of the molding surface of the optical element of the mold 1, a smoothing process for smoothing the molding surface and a mirror surface grinding process for grinding the molding surface using the grindstone particles with a mean particle size of 10-150 nm without applying plating treatment to the molding surface.
金型１の光学素子の成形面の形状を形成する形状創成工程と、成形面を平滑化するスムージング工程と、成形面を平均粒径１０〜１５０ｎｍの砥粒を用いて研磨する鏡面研磨工程により成形面の加工においてメッキ処理を省略して完成させることができる。 - 特許庁 - The manufacturing method of the airtight terminal comprises a process of fixing the lower ends of the leads 3A and 3A by a fixing material 5 while keeping a prescribed interval for each airtight terminal Ao, a process of forming the plating layer 4 on the fixed leads, and a process of cutting the plated leads 3A and 3A from the part near the fixing material 5.
気密端子Ａｏごとにリード３Ａ，３Ａの下端部同士を所定間隔に保ったまま固着材５で固着する工程、固着されたリードにめっき層４を形成する工程、およびめっき処理されたリード３Ａ，３Ａを前記固着材５の近傍部分から切断する気密端子の製造方法である。 - 特許庁 - The method includes a first process for injecting N-type impurities in a dicing portion in a P-type semiconductor region, at the rear face of the semiconductor wafer; a second process for forming the first layer over the entire rear face of the semiconductor wafer; and a third process for forming the second layer, on the rear face of the first layer by a wet plating method.
この方法は、半導体ウェハの裏面のＰ型の半導体領域のダイシング部に、Ｎ型の不純物を注入する第１工程と、半導体ウェハの裏面全体に第１層を形成する第２工程と、湿式めっき法によって第１層の裏面に第２層を形成する第３工程とを含んでいる。 - 特許庁 - This method for forming the fine structural pattern has an arranging process for arranging a large number of plastic particles on a predetermined substrate, a plating process for precipitating a predetermined metal element on the substrate and the gaps between the plastic particles and a process for dissolving the plastic particles in an organic solvent.
本方法は、所定の基板上に、多数のプラスチック粒子を配列させる配列工程と、前記基板上及び前記プラスチック粒子どうしの隙間に、所定の金属元素を析出させるめっき工程と、前記プラスチック粒子を有機溶剤に溶解させる工程を有する微細パターンの形成方法である。 - 特許庁 - A process of providing a wiring substrate comprises: a process of carrying out on a base substrate 1 for the wiring substrate a plating of a thick film wiring layer 3 used as the most significant wiring layer for the semiconductor integrated circuit; and a process of forming on the thick film wiring layer 3 a bonding bump 6 connected to the thick film wiring layer 3.
配線基板を提供する過程は、配線基板用ベース基板１上に、半導体集積回路用の最上位配線層となる厚膜配線層３をメッキ形成する過程と、厚膜配線層上に、該厚膜配線層に接続される接合バンプ６を形成する過程とからなる。 - 特許庁 - The method for forming the copper wiring film is taken such that a process in which the first cooper film is heated within a temperature range of 200-500°C is set between the first copper-film forming process by the CVD method, and a process in which the second copper film is formed by the plating method using the first copper film as the electrode.
ＣＶＤ法による第一の銅膜形成工程と、当該第一の銅膜を電極としたメッキ法により第二の銅膜を形成する工程の間に、第一の銅膜を２００〜５００℃の温度範囲にて加熱する工程が設けられていることを特徴とする銅配線膜形成方法によって課題を解決した。 - 特許庁 - A built-up multilayer printed wiring board, capable of forming a high density circuit, can be produced without causing deterioration in the surface metal layer, by employing an RCC provided with a protective layer on the metal surface and passing the RCC applied with the surface metal protective layer, as it is, through multilayering process, desmearing process or electroless copper plating process.
金属表面に保護層を設けたＲＣＣを用い、表面金属保護層をつけたまま積層、デスミアあるいは無電解銅めっき工程を通すことによって、これらの工程で表面金属層が劣化することなく、高密度回路の形成が可能なビルドアップ多層プリント配線板を製造できる。 - 特許庁 - To provide a plating pretreatment method and plating method which do not undergo a surface roughening process in plating the surfaces of polymeric materials having carbon-hydrogen bonds in molecular structures, i.e., plastic products, fibrous or textile products and obviate the discharge of environmentally burdening emission materials, such as discharge of heavy metals.
この発明は、分子構造中に炭素−水素結合を有する高分子材料、すなわちプラスチック製品、繊維又は繊維製品等の表面にめっきをするに当たって、表面粗化工程を経ることなく、また、重金属の排出などの環境に負荷のかかる排出物を排出することのない、めっき前処理方法およびめっき方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The method for elongating the service life of an electroless nickel plating liquid comprises a process where an electroless nickel plating liquid comprising a nickel salt as metal ions, a malic acid as a complexing agent, and a hypophosphite as a reducing agent is used, and, while replenishing the electroless nickel plating liquid with the metal ions, the complexing agent, and the reducing agent, a nickel alloy film is formed on the body to be plated.
金属イオンとしてニッケル塩、錯化剤として少なくともリンゴ酸、還元剤として次亜燐酸塩を含む無電解ニッケルめっき液を使用し、無電解ニッケルめっき液に金属イオン、錯化剤、還元剤の補給をしながら、被めっき体にニッケル合金皮膜を形成する無電解ニッケルめっき工程において、無電解ニッケルめっき液の寿命を延長させる方法である。 - 特許庁 - An electrolytic plating equipment 10 takes a color picture of the plated surface of a semiconductor wafer W during cleaning with a CCD camera 27, when the semiconductor wafer W is washed using a washing nozzle 19 after electrolytic plating in an electrolytic plating process, and controls a solid support 18 and a cleaning mechanism 19 independently based on color- picture signals from the CCD camera 27.
本発明の電解メッキ装置１０は、電解メッキ工程において、電解メッキ後の半導体ウエハＷを洗浄ノズル１９を用いて洗浄する際に、洗浄中の半導体ウエハＷのメッキ面の状態をＣＣＤカメラ２７を用いてカラー画像で撮像し、ＣＣＤカメラ２７からのカラー画像信号に基づいて保持体１８及び洗浄機構１９をそれぞれ制御する。 - 特許庁 - This semiconductor device is highly reliable and capable of reducing the electric glitch due to disconnection or leakage and connection failure upon mounting while using the conventional process and suppressing the influence of the wiring characteristics, by increasing the size, thickness, or number of plating stubs 7, or inserting vias between the plating stubs 7 and reinforcing the stiffness of the plating stubs 7.
めっきスタブ７の太さ，厚さあるいは本数を増加し、または、めっきスタブ７間にビアを挿入してめっきスタブ７の剛性を強化することにより、従来の工法を用い、配線特性の影響を抑制しながら、断線やリークによる電気的不具合、実装時の接続不良を低減することができ、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 - 特許庁 - Further, the method of manufacturing the container body for the electronic component is characterized in a process of forming the wall portion 12 by performing plating processing on a wafer comprising of a plurality of substrates at a time.
また、この電子部品用容器体の製造方法として、複数の基板からなるウエハをめっき処理により一括して壁部１２を形成する工程を特徴としている。 - 特許庁 - To provide a plating method on aluminium alloy which has a simple process, and gives a plate is high in the adhesiveness as compared to a conventional zinc substitution method or anodic oxidation method.
従来の技術である亜鉛置換法や陽極酸化法と比べて、工程が短く、簡易で、しかもめっきの密着性が高いアルミニウム合金上のめっき方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing micrometallic structures which simplifies inter-process treatment by forming a uniform conductive layer film by electroless plating on the surface of a PMMA matrix.
ＰＭＭＡ母型の表面上に無電解めっきにより均一な導電層膜を形成し、工程間処理を簡易化する微細金属構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a substrate which suppresses the peeling of a thermoplastic polymer and the permeation of a wet etching liquid and a plating liquid into a resist or into a boundary between a metal layer and the resist in a thermal nanoimprint process.
熱ナノインプリント法における熱可塑性高分子の剥がれや、ウェットエッチング液やめっき液の、レジスト内や金属層とレジストとの界面への浸入を抑制する基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a surface treatment process which reduces damage to a photoresist and a substrate, in improving wettability of the surface for the purpose of eliminating defects in plating or wet etching.
めっき処理やウェットエッチング処理の不良をなくすために表面の濡れ性を向上させる際に、フォトレジストおよび下地へのダメージを減らした表面処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a highly reliable semiconductor device that is prevented from causing malfunctions due to conduction between copper wires by improving selectivity in a metallic barrier film forming process using electroless plating.
無電解メッキ法によるメタル系のバリア膜成膜プロセスにおける選択性の向上を図り、銅配線間の導通による動作不良のない信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁
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