「reference memory」を含む例文一覧(1980)
＜前へ 1 2 .... 22 23 24 25 26 27 28 29 30 .... 39 40 次へ＞- A non-volatile storage 1 comprises a data storage section 2, a reference memory cell section 3, a state detection section 4, and a control circuit section 5 and the configurations and functions of each section are as follows.
不揮発性記憶装置１を、データ記憶部２と、参照メモリセル部３と、状態検出部４と、制御回路部５とを備える構成とし、各部の構成及び機能を次のようにする。 - 特許庁 - When the intensity of the received light of the first reflection plane (74) of white is smaller than the "reference intensity of received light RE (white)" of a memory (147) (S202), light projection intensity is increased by controlling a light projection drive part (150)(S203).
白の第１反射面(74)の受光強度がメモリ(147)の「基準受光強度ＲＥ（白）」よりも小さいときには(S202)、投光駆動部(150)を制御して投光強度を増加させる（S203）。 - 特許庁 - A controlling part 14 overwrites a difference integrated value corresponding to change quantity from a reference value '0' in an integrated value registration memory 151 whenever the time of a timer 16 is changed.
制御部１４はタイマ１６の時刻が変更される毎に基準値「０」からの変更量に相当する差分積算値を記憶部１５の積算値登録メモリ１５１に上書きする。 - 特許庁 - In view of maintaining a voltage on the bit line higher than the low reference voltage source, a circuit is provided to clamp the voltage appearing on the bit lines 3, 4 of a dynamic random access memory(DRAM) device.
ビット線上の電圧を低基準電圧源より高く維持するようにダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）装置のビット線上に表われる電圧をクランプする回路を設ける。 - 特許庁 - Thus, an intrinsic characteristic of the minimum reference current IR3 is near a characteristic of a memory cell distribution IM3 or in the characteristic, possibility of discrimination among different logic levels is reduced.
そのため、最低基準電流（Ｉ_R3）の固有特性が、直前のメモリセル分布（Ｉ_M3）の特性近く又は特性上にあり、異なる論理レベルの間における識別可能性を低減する。 - 特許庁 - Then, the multiplexer 106 outputs a stream obtained by multiplexing the pseudo reference coded data stored by the memory 100 and the coded data outputted from the variable length encoder 105.
次に、多重化器１０６は、メモリ１００が蓄積する疑似参照符号化データと可変長符号化器１０５が出力する符号化データとを多重化したストリームを出力する。 - 特許庁 - The diagnosis device 21 comprises a communication module 28 for receiving data transmitted from the sensor 1; a memory 24 for storing the received data; and a computing module 22 for comparing the received data with a reference value.
診断装置は、センサから送信されたデータを受信する通信モジュール２８と、受信データを保持するメモリ２４と、受信したデータを基準値と比較する演算モジュール２２とを有する。 - 特許庁 - The preliminarily heating means may be a means for preliminarily heating the shape memory alloy for moving the driving member to a prescribed reference position before controlling the driven member by the actuator.
予備加熱手段は、アクチュエータによる被駆動部材の制御に先立って、被駆動部材を所定の基準位置に移動させるべく、形状記憶合金を予備加熱するものであってもよい。 - 特許庁 - The displacement data sequentially stored in the memory 52e are rearranged on the basis of the value size, and a displacement data value at a median in the order of the rearranged displacement data is regarded as a reference value.
そして、メモリ５２ｅに順次記憶された変位データを値の大きさに基づいて並び替え、この並び替えられた変位データのうち順位が中位の変位データの値を基準値とする。 - 特許庁 - The element provided with type information that indicates reference to the attached file is added with information that indicates a storage area in the memory, in which the attached file linked to the element is stored.
ここで、添付ファイルの参照を示す型情報が付与された要素には、当該要素にリンクされている添付ファイルの上記メモリにおける格納場所を示す情報が付加される。 - 特許庁 - A table reference standard rent extracting part 5b extracts standard rent from the standard rent table 3f of the railway station sphere of a memory part 3 according tot he name of the railway line and the name of the nearest station.
表参照標準賃料抽出部５ｂは、沿線名，最寄駅名によりメモリ部３の駅勢圏の標準賃料表３ｆより標準賃料を抽出する。 - 特許庁 - The data erasing circuit 504 compares the input security code to the reference code and if they are not matched, erases the secret data stored in the memory circuit 505.
データ消去回路５０４は入力された保安コードを逐次基準コードと比較し、これが一致しない場合にはメモリ回路５０５に記憶されている機密データを消去させる。 - 特許庁 - History information wherein position information and the data for the reference used when the face is detected by identification operation of an identification device 215 is stored in an image memory 230.
また、識別器２１５の識別動作によって顔が検出されたときに用いられた参照用データと位置情報とを対応づけた履歴情報が画像メモリ２３０に格納される。 - 特許庁 - The controller comprises a position monitor 8 connected to a driving device 9 for moving a door 2 for monitoring the position of the door 2 and a non-volatile memory 14 for storing the reference position.
コントローラは、ドア２を動かすための駆動装置９に接続され、ドア２の位置を監視するための位置監視手段８と、基準位置を記憶するための不揮発性メモリ１４とを備える。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory having a voltage generating circuit built in which can switch a voltage to be a reference when intermediate voltage is generated at the time of a normal mode and at the time of a test mode.
通常モード時とテストモード時とで、中間電圧を発生する際の基準となる電圧を切換可能な電圧発生回路を内蔵した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - Reference data prescribing the classifications of characteristic values used for the discrimination of scenes and discrimination conditions are stored in a memory 16 for each of a plurality of scenes which can be designated as specific scenes.
特定シーンとして指定され得る複数のシーンごとに、そのシーンの識別に用いる特徴量の種類と識別条件とを規定した参照データが、メモリ１６内に格納されている。 - 特許庁 - On the other hand, when the data exist and processing time is longer than a reference processing time, the data for the set output size are supplied from the buffer memory 103b to the printer 2.
他方、データが存在し、かつ、処理時間が基準処理時間より大きい場合は、設定されている出力サイズ分のデータをバッファメモリ１０３ｂからプリンタ２に供給する。 - 特許庁 - A dummy capacitor driving potential VDC is given to one electrode of a dummy capacitor and a reference potential as a standard for judging a data value of a memory cell is generated on the other electrode.
ダミーキャパシタ駆動電位ＶＤＣは、ダミーキャパシタの一方の電極に与えられ、他方の電極には、メモリセルのデータの値を判定する基準となる参照電位が発生する。 - 特許庁 - The bit line potential control circuit 7 controls the reference bit line /RBL to a voltage level different from the voltage level of the bit line /BLi during the operation of reading data from the memory cell 21.
ビット線電位制御回路７は、メモリセル２１からデータを読み出す読み出し動作時に、リファレンスビット線／ＲＢＬをビット線／ＢＬｉの電圧レベルと異なる電圧レベルに制御する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device in which screening for an internal circuit can be performed without inputting directly reference voltage from the outside and without increasing the number of external terminals.
テスト時において、外部から基準電圧を直接入力することなく、また外部端子を増やすことなく、内部回路に対するスクリーニング試験が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The amplifier 70 detects variation of the current and voltage relating to the selected memory cell R_M, and compares these variation with the variation of current and voltage relating to the reference cell R_R.
アンプ70は、選択されたメモリセルＲ_Ｍに関連する電流及び電圧の変化を検知して、それらを基準セルＲ_Ｒに関連する電流及び電圧の変化と比較する。 - 特許庁 - A high voltage comparison cell and a low voltage comparison cell are coupled to each of two sense amplifiers for supplying two discrete reference voltages for comparison with a memory cell voltage.
高電圧比較セルおよび低電圧比較セルが、メモリセル電圧と比較するための２つの別個の基準電圧を供給する２つのセンス増幅器のそれぞれに結合されている。 - 特許庁 - The background colors at corresponding coordinates (x, y) on a recording medium to coordinates (x, y) of specified pixels of image data are discriminated in reference to a database registered in a position information memory 23.
位置情報記憶部２３に登録されるデータベースに照らし合わせて、画像データの所定の画素の（ｘ，ｙ）座標に相当する記録媒体の（ｘ，ｙ）座標の地色を識別する。 - 特許庁 - A processor 24 pre-processes the image signals and compares them with stored reference data corresponding to an acceptable banknote from a memory 25 to determine the authenticity of the banknote and its denomination.
プロセッサ２４は画像信号を予め処理し、それをメモリ２５からの受領可能紙幣に対応する格納参照データと比較し、紙幣とその金種の信憑性を決定する。 - 特許庁 - A bit line potential selecting means for applying a write-in potential to the bit line of an electric charges accumulating side and applying a ground potential to the bit line of the other side is provided on a memory cell being adjacent to the reference cell.
レファレンスセルに隣接するメモリセルに対して、電荷蓄積側のビット線に書込み電位、他方のビット線に接地電位を印加するためのビット線電位選択手段を設ける。 - 特許庁 - A control circuit 104 reads the characteristics of the displacement detected by the displacement detection section 102 from the memory 103 and computes corrected luminous energy with respect to a reference luminous energy.
制御回路１０４は、当該位置ずれ検出部１０２で検出された位置ずれ量の特性をメモリ１０３から読み出し、基準光量に対する補正光量を演算する。 - 特許庁 - Positioning is made once at application of power (S1, S2), positioning information is stored, and a photographed image is stored in a storage memory in cross-reference with the positioning information (S4-S8) (Figure 2 (a)).
電源オン時に１回測位を行ない（Ｓ１、Ｓ２）、測位情報を保持し、撮影画像に保持されている測位情報を対応付けて保存メモリに記憶する（Ｓ４〜Ｓ８）（図２（ａ））。 - 特許庁 - Complementary data are written in each reference cell 10a, 10b, and data are each re-written so as to be inverted in the polarity at each erase/write operation of the memory cells 10.
各基準セル１０ａ，１０ｂには互いに相補なデータが書き込まれ、各データは、メモリセル１０の消去／書き込み動作毎にそれぞれ逆の極性となるように反転して書き換えられる。 - 特許庁 - When the reference signal S2 is not superimposed by a changeover control section 12 and a switch SW1, the setting data stored in the color temperature data memory 13 are fed to a video preamplifier 2.
切換制御部１２及びスイッチＳＷ１によって基準信号Ｓ２を非重畳としたら、色温度データメモリ１３に記憶された設定データを映像プリアンプ２に供給する。 - 特許庁 - A personal information storage part 14 performs reference/editing in a region on a memory storing the personal information of the telephone directory, mail and the schedule in response to a request from a control part 19.
個人情報蓄積部１４は電話帳、メール、スケジュール等の個人情報を蓄積したメモリ上の領域で、制御部１９の要求によって参照／編集を行う。 - 特許庁 - To enable the image processing of a processing-object pixel data to be realized by one memory means whose capacity equals to the number of a reference line and the number of parts as well as its cost to be reduced.
容量が参照ライン数分である１つの記憶手段により処理対象画素データの画像処理を実現し、部品点数及びコストを減少させることを可能とする。 - 特許庁 - In a decoding process in each hierarchy, operation by reference to the DCT factor of the hierarchy is performed, and the result of the operation is written in the memory part 206 as the DCT factor of the other identical hierarchy.
各階層のデコード処理では、当該階層のＤＣＴ係数を参照した演算を行い、演算結果を他の同一階層のＤＣＴ係数としてメモリ部２０６に書き込む。 - 特許庁 - When the engine is determined to be started, the calculated average battery voltge V1 is updated and stored in the memory as the reference battery voltage V1' for a next determination whether or not the engine is started.
このとき成功と判定されれば、上記算出した平均バッテリ電圧Ｖ１を次のエンジン始動成功判定のための基準バッテリ電圧Ｖ１’としてメモリに更新記憶する。 - 特許庁 - To reduce the defective read rate of a trimming parameter in an inspection process in a nonvolatile memory requiring trimming of word line voltage and read reference voltage at the time of read operation.
読出し動作時にワード線電圧や読出し参照電圧のトリミングが必要である不揮発性メモリにおいて、検査工程におけるトリミングパラメータの読出し不良率を低減する。 - 特許庁 - The controller 136 is configured to store the solid ink stick type data in a memory 182 in response to an initialization signal and to operate the solid ink printer with reference to the solid ink stick type data stored in the memory 182 by the controller 136.
コントローラ１３６は、初期化信号に応答して前記固体インクスティック種類データをメモリ１８２に保存し、コントローラ１３６によってメモリ１８２内に保存された固体インクスティック種類データを参照して固体インクプリンターを動作させるように、構成される。 - 特許庁 - An impedance comparator section 150 determines whether or not the amount of water remaining in the system decreases below the threshold by comparing the impedance reference value ins (refer to Fig. 3) stored on a memory 151 with the measurement impedance stored on a measurement memory 152.
インピーダンス比較部１５０は、メモリ１５１に格納されているインピーダンス基準値ｉｎｓ（図３参照）と、測定メモリ１５２に格納されている測定インピーダンスとを比較することで、当該システムに残存する水分量が閾値を下回ったか否かを判断する。 - 特許庁 - Furthermore, when discrepancy occurs, the internal condition of the design data is overwritten to be the same as the internal condition of the reference data, or the memory in the design data is rewritten to be the same as the written data to the memory in the refrence data, to continue the function simulation.
さらに、不一致が生じた場合には、設計データの内部状態を参照データの内部状態と同じに書き換え、あるいは、設計データ内のメモリを参照データ内のメモリへの書き込みデータと同一に書き換えた上で、機能シミュレーションを続行する。 - 特許庁 - Even if oscillation frequencies of the laser 15 and the laser 15a are not strictly coincident, desired data already recorded can be read by adjusting rotation of the volume holographic memory 10 and adjusting an incident angle of the reference light for the volume holographic memory 10.
レーザ１５とレーザ１５ａの発振波長が厳密に一致しなくても体積ホログラフィックメモリ１０を回転調整することで体積ホログラフィックメモリ１０に対する参照光の入射角を調整すれば、所望の記録済みデータの読込みが可能となる。 - 特許庁 - A base station memory stores a selected incoming call identifier in cross reference with a specific handset identifier, and a base station decides whether or not the incoming call originates from the incoming call identifier that is stored and selected in the base station memory.
選択された着信呼識別子は、特定のハンドセット識別子と関連づけられて基地局メモリ（１１）内に格納され、基地局（１０）は、着信呼がこの基地局メモリ（１０）に格納された選択された着信呼識別子から発しているか否かを決定する。 - 特許庁 - When the developing section 2 develops a specified image having the same attributes subsequently, reference information of the compressed image in the cache memory area 6 is stored in the spool memory area 5 and developing and compression are not performed.
その後の展開部２による画像への展開時に、同じ属性を有する特定の画像に展開される場合には、キャッシュ記憶領域６内の圧縮画像を参照する参照情報をスプール記憶領域５に記憶させ、展開処理及び圧縮処理を行わない。 - 特許庁 - The addressing of the memory 8 is made on the basis of a value resulting from applying A/D conversion to a signal detected by the PIN-PD 5 and of a value resulting from applying A/D conversion to a voltage in response to the detected temperature and the memory 8 stores a value providing an optimum bias voltage in cross reference with this addressing.
メモリ８は、ＰＩＮ−ＰＤ５で検出した信号をＡ／Ｄ変換した値と上記検出した温度に応じた電圧をＡ／Ｄ変換した値とをアドレスとし、このアドレスと対応して最適なバイアス電圧が得られる値が記憶されている。 - 特許庁 - A semiconductor memory in which a characteristic is changed with time is previously excluded by providing the semiconductor memory with a burn-in circuit and applying burning voltage to fuses and wirings of a reference voltage generating circuit to which voltage is not applied in a normal operation state.
半導体記憶装置にバーンイン回路を設けて、通常の動作状態において電圧が印加されない基準電圧発生回路のヒューズや配線にバーンイング電圧を印加することにより、特性が経時変化する半導体記憶装置を予め排除する。 - 特許庁 - The internal memory can be arranged on a chip and can comprise at least one set of first buffer which is (i) optimum for movement compensation and (ii) used for storing at least one set of sub set of a reference frame, stored to the external memory of outside of a chip.
内部メモリはチップ上に配置することができるとともに、（ｉ）動き補償に適し（ｉｉ）チップ外の外部メモリに格納された少なくとも１つの基準フレームのサブセットを格納するための少なくとも１つの第１のバッファを含むことができる。 - 特許庁 - To provide a threshold value control circuit of a nonvolatile memory element in which variation in the threshold value of a reference cell, that holds a prescribed threshold value in a freely changeable manner corresponding to the change in the storage condition of the nonvolatile memory element, is suppressed and the threshold value is set to the prescribed threshold value in a short time.
不揮発性メモリ素子の記憶状態の変更により所定の閾値を変更自在に保持する参照セルの当該閾値を、その閾値ばらつきを抑制して短時間で所定値に設定可能な不揮発性メモリ素子の閾値制御回路を提供する。 - 特許庁 - The control part 24 displays the display elements based on the screen data and accepts the operations to the display elements during replacing the memory card 32, and when the memory card 32 is replaced, the control part 24 displays the display elements including a new character string with reference to new table data.
また、制御部２４は、メモリカード３２を交換する間も、画面データに基づいて、表示要素を表示し、表示要素への操作を受け付けており、メモリカード３２が交換されると、新たなテーブルデータを参照して、新たな文字列を含む表示要素を表示する。 - 特許庁 - As current values (I1+I2) and (I3+I4) flowing from respective data line to a load element are the same at any time, potential difference between data lines is amplified by time accumulation of difference of a current value of a selection memory cell and a current value of a memory cell for reference.
それぞれのデータ線から負荷素子へ流れる電流値（Ｉ１＋Ｉ２）と（Ｉ３＋Ｉ４）は、どの時点でも同じになるので、データ線対間の電位差は選択メモリセルの電流値と参照用メモリセルの電流値の差分の時間累積によって増幅される。 - 特許庁 - Then adjustment value data for adjusting the pitch, envelope, etc., of a musical tone signal so that the measured acoustic characteristic data match with reference acoustic characteristic data registered in a memory 104 or on a storage medium 120 are generated and stored in the memory 104.
そして、測定された音響特性データがメモリ１０４あるいは記憶媒体１２０に登録された基準音響特性データと一致するように、楽音信号のピッチやエンベロープなどを調整する調整値データを生成してメモリ１０４に格納する。 - 特許庁 - A Hall IC 20 is provided with the memory for storing an output value of the liquid level, and the uppermost position and the lowermost position of the float 16 set by using the reference position writing tool 21 are written in the memory as the uppermost liquid level and the lowermost liquid level respectively.
ホールＩＣ２０に液面レベルの出力値を格納するメモリを設け、このメモリに、基準位置書き込み治具２１を用いて設定したフロート１６の最上位位置及び最下位位置を、それぞれ最上位液面レベル及び最下位液面レベルとして書き込む。 - 特許庁 - A key frame is subjected to in-key-frame coding or inter-frame coding on the basis of a difference signal between a reference frame stored in a key block memory 2 and an input frame (key frame) (ST3) and the coded result is outputted (ST19), locally decoded (ST8), and a key frame memory 1 stores the result.
キーブロックメモリ２に格納した参照フレームと入力フレーム（キーフレーム）との差分信号に基づきキーフレームをフレーム内符号化またはフレーム間符号化し（ＳＴ３）出力する（ＳＴ１９）と共に、局部復号化し（ＳＴ８）キーフレームメモリ１に蓄積する。 - 特許庁 - A syntax element replacement part 150 determines whether the index value becomes "0" irrespective of the value of the mvd syntax element when the mvd syntax element of the reference submb is stored in the syntax element memory 112, and when it is determined that the index value becomes "0", replaces the mvd syntax element of the reference submb with "0" to be stored in the syntax element memory 112.
シンタックスエレメント置換部１５０は、参照ｓｕｂｍｂのｍｖｄシンタックスエレメントをシンタックスエレメントメモリ１１２に格納する際に、該ｍｖｄシンタックスエレメントの値に関わらず、その指標値が「０」になるか否かの判定をすると共に、指標値が「０」になると判定したときに、該参照ｓｕｂｍｂのｍｖｄシンタックスエレメントを「０」に置換えてシンタックスエレメントメモリ１１２に格納する。 - 特許庁
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